JP2003209408A - 非可逆回路素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンデンサや中心導体組立体がショートする
ことなく、更なる低背化、小型化を実現可能とした非可
逆回路素子を提供する。 【解決手段】 下部ヨーク３及び上部ヨーク２の内側壁
にて、コンデンサ７ａ，７ｂの側面と対面する各領域に
絶縁被膜３ｄ，２ｂが形成され、絶縁被膜３ｄ，２ｂを
介してコンデンサ７ａ，７ｂの側面が下部ヨーク３及び
上部ヨーク２の内側壁に当接する。下部ヨーク３の内底
板上には、コンデンサ７ａ，７ｂ及び中心導体組立体６
を位置決めする位置決めパターン３ｅが絶縁被膜により
形成される。入出力端子１１ａ，１１ｂは、弾性を有す
る金属板からなり、且つスペーサ１０に一体形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体を用いて信
号の伝送に方向性を与える非可逆回路素子に係り、具体
的には、移動体通信機器に用いられアイソレータやサー
キュレータと呼ばれる非可逆回路素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、マイクロ波帯、ＵＨＦ帯で使
用される携帯電話、自動車電話等の移動体通信機器の端
末機には、アイソレータやサーキュレータ等の非可逆回
路素子が用いられている。これらアイソレータやサーキ
ュレータは、端末機内のアンプの破損を防止する目的で
使用され、信号の伝送方向の挿入損失は小さく、かつ逆
方向への逆方向損失は大きくなるような機能を持たせた
ものである。

【０００３】従来のアイソレータ６０としては、例え
ば、図１６に示すように、磁性体からなる下部ヨーク６
１に樹脂製ケース６２が一体形成され、この樹脂製ケー
ス６２内にコンデンサ６３、終端抵抗としてのチップ抵
抗６４、及びフェライト板６５に３本の中心導体６６を
互いに絶縁状態で交叉させて配した中心導体組立体６７
が配されている構成のものがある。そして、この中心導
体組立体６７上には、フェライト板６５に直流磁界を印
加する磁石６８が配され、更に樹脂製ケース６２の開口
面に磁性体からなる上部ヨーク６９が配されて、上部ヨ
ーク６９及び下部ヨーク６１により閉磁気回路が構成さ
れている。

【０００４】ここで、アース端子７０は、下部ヨーク６
１に電気的に接続した状態で設けられる。一方、入出力
端子７１は、下部ヨーク６１とは絶縁状態で一端が外部
に露出されて樹脂製ケース６２により保持される。

【０００５】また、樹脂製ケース６２の内底面には、所
定位置に複数の貫通部６２ａが形成され、貫通部６２ａ
と下部ヨーク６１の内底面にて溝部６１ａが形成され、
該溝部６１ａ内にコンデンサ６３やチップ抵抗６４や中
心導体組立体６７が収納される。これにより、コンデン
サ６３、チップ抵抗６４及び中心導体組立体６７が位置
決めされる。このように、樹脂製ケース６２は、入出力
端子７１の保持や、コンデンサ６３、チップ抵抗６４、
中心導体組立体６７等の位置決めといった役割を兼ね備
える。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のアイ
ソレータ６０では、この樹脂製ケース６２が下部ヨーク
６１にインサート成形されており、樹脂製ケース６２の
厚さが下部ヨーク６１に比べてかなり肉厚であり、具体
的には数百μｍの厚みｄを有しており、しかも位置決め
用の貫通部６２ａが形成されるためにその分の高さｈも
必要なため、アイソレータ６０の低背化、小型化に限界
があった。特に、近年、移動体通信機器の更なる小型化
が求められる中、アイソレータ６０自体のサイズを、例
えば４×４ｍｍ角以下に設計することが急務となる傾向
にあり、この樹脂製ケース６２自体の存在がアイソレー
タ６０の更なる小型化を阻止する要因となりつつある。

【０００７】また、従来よりアイソレータとして、この
樹脂製ケースを用いずに、下部ヨーク上に直接コンデン
サや中心導体組立体を載置した構成のものも提案されて
いるが、コンデンサや中心導体組立体を位置決めする樹
脂製ケースがないため、コンデンサや中心導体組立体が
製造工程中で位置ずれして配されてしまうことがあっ
た。その場合、例えば、コンデンサの側壁が下部ヨーク
や上部ヨークの内側壁に接触してコンデンサがショート
してしまい、コンデンサの機能を果たせない虞もあっ
た。特に、下部ヨークはＦｅ等にＡｇ等のメッキ被膜を
形成した導電率の低い材料から構成されるため、コンデ
ンサが下部ヨークの内側壁に接触すると非常にショート
しやすい。

【０００８】そこで、本発明は、このような従来の実情
を鑑みて提案されたものであり、小型化に限界を与えて
いた樹脂製ケースをなくし、コンデンサや中心導体組立
体がショートすることなく、更なる低背化、小型化を実
現可能とした非可逆回路素子を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために完成された本発明に係る非可逆回路素子は、金属
ケースからなる磁性ヨークと、磁性ヨークの内底面上に
載置されるコンデンサと、磁性ヨークの内底面上に載置
され複数の中心導体を互いに電気的絶縁状態にて磁性体
基板上に交叉させて配してなる中心導体組立体と、磁性
ヨーク内に収納され磁性体基板に直流磁界を印加する磁
石と、中心導体及びコンデンサに導通し各一端が磁性ヨ
ークから外部へ引出される入力端子及び出力端子とを備
え、磁性ヨークの内側壁において、コンデンサ及び中心
導体組立体のうちの少なくとも何れかの側面と対面する
領域に、絶縁被膜が形成され、該絶縁被膜を介して上記
側面が当接することを特徴とするものである。かかる構
成の本発明によれば、コンデンサや中心導体組立体の少
なくとも何れかが絶縁被膜を介して磁性ヨークの内側壁
に当接するので、肉厚な樹脂製ケースを用いずにコンデ
ンサや中心導体組立体のショートを防止可能としつつ、
コンデンサや中心導体組立体を磁性ヨーク内に極力近接
させて配することができ、小型化が可能となる。

【００１０】このとき、磁性ヨークの内底板上に、コン
デンサ及び中心導体組立体の少なくとも何れかを位置決
めするための位置決めパターンが絶縁被膜により形成さ
れていることが好ましい。かかる構成によれば、肉厚な
樹脂製ケースを用いずに膜厚の薄い絶縁被膜により、確
実にコンデンサや中心導体組立体を位置決め可能とな
り、非可逆回路素子の低背化も図ることができる。

【００１１】ここで、上記の絶縁被膜は、耐熱温度が２
００℃以上の材料からなることが好ましい。これによ
り、コンデンサ等を半田により実装する場合にリフロー
工程内におかれても絶縁被膜をその加熱に十分耐え得る
ものとすることができる。

【００１２】また、この絶縁被膜の厚さは、３μｍ以
上、１００μｍ以下であることが好ましい。絶縁被膜の
厚さが３μｍより小さいと、絶縁被膜に穴が空き易く、
ショート防止機能が果たせない。一方、絶縁被膜の厚さ
が１００μｍより大きいと、非可逆回路素子の小型化に
支障をきたすレベルとなる。

【００１３】更に、上記構成の非可逆回路素子におい
て、磁性ヨーク内に収納されコンデンサ及び中心導体組
立体上に配される絶縁材料からなるスペーサ部材を備
え、このスペーサ部材に入力端子及び出力端子が一体的
に成形され、且つコンデンサ上に入力端子及び出力端子
の各々に対応する一対の端子電極部が設けられ、更に複
数の中心導体が入力端子に接続する中心導体と、出力端
子に接続する中心導体とを含むものであり、入力端子及
び出力端子の各他端が、対応する中心導体を介してコン
デンサ上の各々対応する端子電極部に電気的に接続する
構成とすると好ましい。かかる構成によれば、肉厚な樹
脂製ケースを用いずに、入力端子及び出力端子をコンデ
ンサ及び中心導体組立体上に配されるスペーサ部材によ
り保持することができ、非可逆回路素子の小型化を図れ
る。

【００１４】このとき、入力端子及び出力端子が弾性を
有する金属板からなり、スペーサ部材を入力端子及び出
力端子の弾性に抗してコンデンサ上に載置することによ
り、入力端子及び出力端子の各他端が、対応する中心導
体を介してコンデンサ上の対応する端子電極部に押付け
られるようにするとより好ましい。かかる構成によれ
ば、樹脂ケースによる入出力端子の保持なくとも、入力
端子及び出力端子を確実且つ強固にコンデンサ上の端子
電極に接触可能となる。

【００１５】また、このスペーサ部材には、磁石を収納
する磁石収納部が設けられていることが好ましい。これ
により、入出力端子を保持するスペーサ部材を設けて
も、十分に非可逆回路素子の低背化を図ることができ
る。

【００１６】ここで、スペーサ部材は、耐熱温度が２０
０℃以上のエンジニアリングプラスチックからなること
が好ましい。これにより、コンデンサ等を半田により実
装する場合にリフロー工程内におかれてもスペーサ部材
をその加熱に十分耐え得るものとすることができる。

【００１７】更に、中心導体には、磁性ヨークに係合す
る爪部が設けられていると良い。これにより、爪部が磁
性ヨークに係合するので、中心導体組立体を位置ズレな
く確実に位置決め可能となる。

【００１８】なお、上記中心導体組立体における磁性体
基板は角形状であることがより好ましい。これにより、
磁性体基板に巻かれる中心導体の長さを極力長く取るこ
とができるため、中心導体のインダクタンスを大きくす
ることができ、低周波化に適用可能となる。また、角形
状の磁性体基板は、円形状のフェライト板よりも載置時
のデッドスペースを減らすことができるため、より小型
化にも対応可能となる

【００１９】また、上述した目的を達成するために完成
された本発明に係る非可逆回路素子としては、金属ケー
スからなる磁性ヨークと、磁性ヨークの内底面上に載置
されるコンデンサと、磁性ヨークの内底面上に載置され
複数の中心導体を互いに電気的絶縁状態にて磁性体基板
上に交叉させて配してなる中心導体組立体と、磁性ヨー
ク内に収納され磁性体基板に直流磁界を印加する磁石
と、中心導体及びコンデンサに導通し各一端が磁性ヨー
クから外部へ引出される入力端子及び出力端子とを備
え、磁性ヨークの内底面上に、コンデンサ及び中心導体
組立体の少なくとも何れかを位置決めするための位置決
めパターンが絶縁被膜により形成されていることを特徴
とするものであっても良い。かかる構成の本発明によれ
ば、肉厚な樹脂製ケースを用いずに膜厚の薄い絶縁被膜
により、確実にコンデンサや中心導体組立体を位置決め
可能となり、非可逆回路素子の小型化を図ることができ
る。

【００２０】ここで、上記の絶縁被膜は、２００℃以上
の耐熱性を有する材料からなることが好ましい。これに
より、コンデンサ等を半田により実装する場合にリフロ
ー工程内におかれても絶縁被膜をその加熱に十分耐え得
るものとすることができる。

【００２１】また、この絶縁薄膜の厚さは、３μｍ以
上、１００μｍ以下であることが好ましい。絶縁薄膜の
厚さが３μｍより小さいと、絶縁被膜に穴が空き易く、
ショート防止機能が果たせない。一方、絶縁薄膜の厚さ
が１００μｍより大きいと、非可逆回路素子の小型化に
支障をきたすレベルとなる。

【００２２】更に、上記構成の非可逆回路素子におい
て、磁性ヨーク内に収納されコンデンサ及び中心導体組
立体上に配される絶縁材料からなるスペーサ部材を備
え、このスペーサ部材に入力端子及び出力端子が一体的
に成形され、且つコンデンサ上に入力端子及び出力端子
の各々に対応する一対の端子電極部が設けられ、更に複
数の中心導体が入力端子に接続する中心導体と、出力端
子に接続する中心導体とを含むものであり、入力端子及
び出力端子の各他端が、対応する中心導体を介してコン
デンサ上の各々対応する端子電極部に電気的に接続する
構成とすると好ましい。かかる構成によれば、肉厚な樹
脂製ケースを用いずに、入力端子及び出力端子をコンデ
ンサ及び中心導体組立体上に配されるスペーサ部材によ
り保持することができ、小型化が可能となる。

【００２３】このとき、入力端子及び出力端子が弾性を
有する金属板からなり、スペーサ部材を入力端子及び出
力端子の弾性力に抗してコンデンサ上に載置することに
より、入力端子及び出力端子の各他端が、対応する中心
導体を介してコンデンサ上の対応する端子電極部に押付
けられるようにするとより好ましい。かかる構成によれ
ば、樹脂ケースによる入出力端子の保持なくとも、入力
端子及び出力端子を確実且つ強固にコンデンサの電極に
接触可能となる。

【００２４】また、中心導体には、磁性ヨークに係合す
る爪部が設けられていると良い。これにより、爪部が磁
性ヨークに係合するので、中心導体組立体を位置ズレな
く確実に位置決め可能となる。

【００２５】更に、上述した目的を達成するために完成
された本発明に係る非可逆回路素子としては、コンデン
サと、複数の中心導体を互いに電気的絶縁状態にて磁性
体基板上に交叉させて配してなる中心導体組立体と、磁
性体基板に直流磁界を印加する磁石と、コンデンサ及び
中心導体組立体上に配される絶縁材料からなるスペーサ
部材と、コンデンサ、中心導体組立体、磁石及びスペー
サ部材を収納する金属ケースからなる磁性ヨークと、ス
ペーサ部材に一体的に成形され中心導体及びコンデンサ
に導通し且つ各一端が磁性ヨークから外部へ引出される
入力端子及び出力端子とを備え、コンデンサ上に入力端
子及び前記出力端子の各々に対応する一対の端子電極部
が設けられ、複数の中心導体が入力端子に接続する中心
導体と、出力端子に接続する中心導体とを含むものであ
り、ここで、入力端子及び出力端子が弾性を有する金属
板からなり、スペーサ部材を入力端子及び出力端子の弾
性力に抗してコンデンサ上に載置することにより、入力
端子及び出力端子の各他端が、対応する中心導体を介し
てコンデンサ上の対応する端子電極部に押付けられるこ
とを特徴とするものであっても良い。かかる構成の本発
明によれば、肉厚な樹脂製ケースを用いずに、入力端子
及び出力端子をコンデンサ及び中心導体組立体上に配さ
れるスペーサ部材により保持することができ、小型化を
図ることができる。しかも、入力端子及び出力端子を弾
性を有する金属板から構成し、入力端子及び出力端子の
各他端をコンデンサ上の端子電極部に押付けられるよう
にしたことにより、樹脂ケースによる入出力端子の保持
なくとも、入力端子及び出力端子を確実且つ強固にコン
デンサ上の端子電極に接触可能となる。

【００２６】このとき、スペーサ部材には磁石を収納す
る磁石収納部が設けられていることが好ましい。これに
より、入出力端子を保持するスペーサ部材を設けても、
十分に非可逆回路素子の低背化を図ることができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
非可逆回路素子として、アイソレータに適用した場合を
例にとり、図面を参照しながら詳細に説明する。図１
は、本発明の実施形態に係るアイソレータ１を示す分解
斜視図である。

【００２８】本実施形態に係るアイソレータ１は、信号
の伝送方向の挿入損失が小さく、かつ反射波の逆方向損
失を大きくする機能を有し、具体的には、マイクロ波
帯、ＵＨＦ帯で使用される携帯電話、自動車電話等の移
動体通信機器の端末機においてパワーアンプとアンテナ
間に配され、パワーアンプへの不用信号の逆流を防いで
パワーアンプの破損を防止するものである。

【００２９】アイソレータ１は、図１に示すように、上
部ヨーク２と下部ヨーク３とが接合されて閉磁気回路を
構成したヨーク内に、３本の中心導体４をフェライト板
５上に互いに絶縁状態で交叉させて配した中心導体組立
体６と、中心導体組立体６の周囲に配されたコンデンサ
７ａ，７ｂ及び終端抵抗としてのチップ抵抗８と、フェ
ライト板５に直流磁界を印加する磁石９と、磁石９を保
持するスペーサ１０とがそれぞれ収納されて構成されて
いる。

【００３０】図２Ａに、下部ヨーク３の平面図を示し、
図２Ｂに、図２Ａ中の直線ｑに沿って切断した下部ヨー
ク３の断面図を示す。図３に、下部ヨーク３上に中心導
体組立体６、コンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８を
載置した状態の平面図を示す。

【００３１】下部ヨーク３は、軟鉄などの強磁性を有す
る金属板からなり、図２に示すように、底板３ａの対向
する２辺側に側壁３ｂが各々折り曲げ形成されている。
そして、底板３ａの側壁３ｂが設けられていない他の２
辺側には、一対のアース端子３ｃが各々一体形成されて
いる。なお、下部ヨーク３の表裏面にはＡｇメッキ等の
導電層が被膜形成されていると好ましい。

【００３２】特に、下部ヨーク３の内側壁３ｂには、図
２に示すように、コンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗
８に対面する領域に絶縁薄膜３ｄが形成されており、図
３に示すように、この絶縁薄膜３ｄを介してコンデンサ
７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８が下部ヨーク３の内側壁３
ｂに当接する。このような絶縁薄膜３ｄにより、従来の
肉厚な樹脂製ケースを用いずにコンデンサ７ａ，７ｂや
チップ抵抗８のショートを防止可能としつつ、コンデン
サ７ａ，７ｂやチップ抵抗８や中心導体組立体６をヨー
ク内に極力近接させて配せるので、アイソレータ１の小
型化を図ることができる。

【００３３】ここで、このショート防止用の絶縁薄膜３
ｄの膜厚は、３μｍ以上、１００μｍ以下が好ましい。
絶縁薄膜３ｄが３μｍよりも小さいと、絶縁薄膜３ｄに
穴が空き易く、ショート防止機能が果たせない。絶縁薄
膜３ｄが１００μｍよりも大きいと、アイソレータ１の
小型化に支障をきたす。

【００３４】また、下部ヨーク３の底板３ａ上には、図
１及び図２に示すように、コンデンサ７ａ，７ｂ、チッ
プ抵抗８及び中心導体組立体６を位置決めするための位
置決めパターン３ｅが絶縁薄膜により形成されている。
詳しくは、位置決めパターン３ｅは、図２Ａに示すよう
に、コンデンサ７ａ，７ｂの両端及び角部を位置決めす
る断面鎌状又は角形状の位置決めパターン３ｅ１と、チ
ップ抵抗８の一端を位置決めする断面三角形状の位置決
めパターン３ｅ２とからなる。そして、これら位置決め
パターン３ｅ１，３ｅ２の一側面は同時に中心導体組立
体６も位置決めするようになされる。

【００３５】このような位置決めパターン３ｅにより、
従来の肉厚な樹脂製ケースを用いずに膜厚の薄い絶縁薄
膜により、図３に示すように、確実にコンデンサ７ａ，
７ｂ、チップ抵抗８及び中心導体組立体６を位置決めす
ることができ、アイソレータ１の低背化、小型化を図る
ことができる。

【００３６】ここで、この位置決めパターン３ｅを構成
する絶縁薄膜の膜厚は、３μｍ以上、１００μｍ以下が
好ましく、より好ましくは１０μｍ以上であると良い。
絶縁薄膜３ｄが３μｍよりも小さいと、絶縁薄膜に穴が
空き易く、位置決めパターンとして機能しない。絶縁薄
膜が１００μｍよりも大きいと、アイソレータ１の小型
化に支障をきたす。また、位置決めパターン３ｅがより
正確な位置決めパターンとして機能するには、膜厚が１
０μｍ以上であることが好ましい。

【００３７】これらショート防止用の絶縁薄膜３ｄや、
位置決めパターン３ｅを構成する絶縁薄膜は、２００℃
以上の耐熱性を有する樹脂材料からなる。具体的には、
ポリイミドや液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイ
ド等の高耐熱の熱可塑性エンジニアリングプラスチック
が挙げられる。このような材料を用いることにより、コ
ンデンサ７ａ，７ｂ等をクリーム半田を介して下部ヨー
ク３上に載置しリフロー工程により半田付けする際に、
リフロー工程での加熱に十分耐え得るものとすることが
できる。

【００３８】図４は、フェライト板５を示す平面図であ
り、図５は、中心導体４を展開して示す平面図である。
フェライト板５は、図４に示すように、角形状であり、
互いに対向する一対の長辺５ａと、互いに対向する一対
の短辺５ｂと、各長辺５ａ及び短辺５ｂを結ぶ傾斜辺５
ｃとからなる。このように、フェライト板５として角形
状のものを用いることにより、フェライト板５に巻かれ
る中心導体４の長さを極力長く取ることができるため、
中心導体４のインダクタンスを大きくすることができ、
低周波化に適用可能となる。また、角形状のフェライト
板５は、円形状のフェライト板よりも載置時のデッドス
ペースを減らすことができるため、より小型化にも対応
可能となる。

【００３９】このフェライト板５としては、例えば、Ｙ
ＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）系の磁性体など
を用いることができる。また、ＹＩＧのＹの一部をＧ
ｄ，Ｃａ，Ｖ等で、Ｆｅの一部をＡｌやＧａ等で置換し
たものも用いることができる。なお、本実施形態では、
フェライト板５を用いたが、フェライト板に限らず、磁
石９からの直流磁界に対して非可逆回路素子としての機
能を果たす材料であれば何れの磁性体材料から構成され
ても良い。

【００４０】ここで、フェライト板５は、図４に示すよ
うに、長辺５ａと傾斜辺５ｃとが成す角度が１０°〜３
０°であると好ましい。傾斜辺５ｃの傾斜角をこの範囲
とすることにより、傾斜辺５ｃが中心導体４ｃ，４ｄの
折り曲げ部の受け面となり、中心導体４が正確に位置決
めされ中心導体４ｃ，４ｄの浮きを防ぎつつ折り曲げ可
能となる。

【００４１】中心導体４は、図５の展開図に示すよう
に、角形状のフェライト板５と略同一な形状となされた
共通電極４ａと、共通電極４ａの長辺及び傾斜辺から各
々延出された第１の中心導体４ｂ、第２の中心導体４ｃ
及び第３の中心導体４ｄとからなる。これら中心導体４
ｂ，４ｃ，４ｄには、各中央に長手方向に沿ってスリッ
ト４ｂ１，４ｃ１，４ｄ１が形成され、それぞれが対に
分割されている。

【００４２】中心導体４は、銅、金、銀等の金属材料か
らなるシート状板材を、図５に示すような形状にプレス
加工機にて打ち抜くか、あるいはエッチング等の手段に
より形成される。そして、この中心導体４は、共通電極
４ａを下部ヨーク３の内底板３ａ上に配し、その共通電
極４ａ上にフェライト板５が配され、しかる後、中心導
体４の中心導体４ｂ，４ｃ，４ｄをフェライト板５の側
面を介して各々折り曲げることにより、図１に示すよう
な中心導体組立体６が構成される。

【００４３】詳しくは、第１の中心導体４ｂは、フェラ
イト板５の長辺５ａを介して直角に折り曲げられ、図３
に示すように、フェライト板５の表面上でＶ字状に配さ
れている。第２及び第３の中心導体４ｃ，４ｄは、図４
に示すフェライト板５の対角線Ｌ１，Ｌ２に各々沿って
折り曲げられ、図３に示すように、フェライト板５の表
面上にて平面視１２０°の傾斜角度で交叉されて重ねら
れる。このとき、中心導体４ｂ，４ｃ，４ｄの各導体間
には、後述の図９に示す絶縁シートＺが介在され、各中
心導体４ｂ，４ｃ，４ｄが個々に電気的に絶縁された状
態で重ねられる。

【００４４】このような中心導体４からなる中心導体組
立体６は、フェライト板５を短辺５ｂ方向に縦断する中
心導体４ｂがＶ字状となされることにより、中心導体４
ｂの実質的線路長を長く取ることができ、フェライト板
５の対角線上を横断する長い中心導体４ｃ、４ｄと長さ
を極力揃えることができ、インダクタンスを大きくして
低周波化にさらには小型化に適応可能となる。また、こ
の中心導体組立体６では、中心導体４ｂ，４ｃ，４ｄの
３本が１箇所で重ならないようになされることにより、
厚みを減らすことができ低背化可能となる。

【００４５】更に、中心導体４には、図５に示すよう
に、短辺の両側各々に上部ヨーク２に係合する爪部４ｅ
が設けられ、図１に示すように、これら爪部４ｅが起立
するように折り曲げられる。このような爪部４ｅは、上
部ヨーク２の内側壁に係合するので、中心導体組立体６
を位置ズレなく確実に位置決め可能となる。なお、この
爪部４ｅは中心導体４上のどの位置に設けられていても
良く、その数も限定されない。

【００４６】コンデンサ７ａは、例えば単板型コンデン
サであり、図１及び図３に示すように、中心導体組立体
６を囲んだ状態で、下部ヨーク３の内底板３ａ上に端子
電極部７ａ１，７ａ２の反対側に設けられた接地電極を
介して、半田付けされて接地される。コンデンサ７ａ
は、図３に示すように、そのホットエンド側の両端上に
端子電極部７ａ１，７ａ２が各々設けられ、各端子電極
部７ａ１，７ａ２上に第２及び第３の中心導体４ｃ，４
ｄの先端部が接続されている。そして、これら第２及び
第３の中心導体４ｃ，４ｄの先端部がスペーサ１０に設
けられた後述する入出力端子１１ａ，１１ｂに電気的に
接続される。コンデンサ７ｂは、第１のコンデンサ７ａ
に並行して配され、両面に電極が形成されてなり、ホッ
トエンド側電極に第１の中心導体４ｂの先端が接続され
る。そして、コンデンサ７ｂは、コンデンサ７ａと同様
に、コールドエンド側電極である接地電極を介して、下
部ヨーク３の内底板３ａ上に半田付けされる。

【００４７】チップ抵抗８は、図３に示すように、コン
デンサ７ｂと並んで配され、コンデンサ７ａ，７ｂと共
に中心導体組立体６を囲んだ状態で下部ヨーク３の内底
板３ａ上に半田付けされて接地される。そして、チップ
抵抗８の上面に第１の中心導体４ｂの先端が接続され
る。

【００４８】なお、本実施形態では非可逆回路素子とし
てアイソレータを例に挙げるが、本発明の非可逆回路素
子としてサーキュレータに適用する場合には、チップ抵
抗８を用いずに新たに別の入出力端子を設ければ良い。
また、コンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８は、下部
ヨーク３の内側壁３ｂに接地電極を接続し、フェライト
板５の面に対して垂直に立てて配置しても良い。その際
には絶縁被膜３ｄは、下部ヨーク３の内底板３ａ上のコ
ンデンサ７ａ，７ｂの側面が当接する部分に設け、内側
壁３ｂの少なくともコンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵
抗８の接地電極が接続される部分には絶縁被膜３ｄを設
けないようにする。このような構成とすることにより、
アイソレータ１の寸法を更に小型化可能となる。

【００４９】図６に、磁石９及びそれを収納するスペー
サ１０の拡大斜視図を示す。スペーサ１０は、上部ヨー
ク２側に磁石９を収納する円形の収納凹部１０ａと、収
納凹部１０ａの内底面に設けられた貫通孔１０ｂとが形
成され、収納凹部１０ａに収納された磁石９からの直流
磁界が貫通孔１０ｂを通って中心導体組立体６のフェラ
イト板５に作用するようになされている。なお、磁石９
は、四角形状やその他の角形状でも良く、その際には磁
石９の形状に合わせて収納凹部１０を設ける。スペーサ
１０の四隅には、脚部１０ｃが設けられ、図１に示すよ
うに、スペーサ１０がこれら脚部１０ｃを介してコンデ
ンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８上に載置される。この
ようにスペーサ１０が載置されることにより、スペーサ
１０がコンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８を押付け
ることになるので、コンデンサ７の端子電極部７ａ１，
７ａ２及びチップ抵抗８と中心導体４ｂ，４ｃ，４ｄと
が強固に接触可能となり、中心導体４ｂ，４ｃ，４ｄの
浮きが防止される。

【００５０】このスペーサ１０は、耐熱温度２００℃以
上の樹脂材料からなる。具体的には、ポリイミドや液晶
ポリマーやポリフェニレンサルファイド等の高耐熱の熱
可塑性エンジニアリングプラスチックが挙げられる。こ
のような材料を用いることにより、コンデンサ７ａ，７
ｂ等をクリーム半田を介して下部ヨーク３上に載置し更
にスペーサ１０をコンデンサ７ａ，７ｂ上に載せてリフ
ロー工程内へ搬入する際に、リフロー工程での加熱に十
分耐え得るものとすることができる。

【００５１】スペーサ１０の脚部１０ｃには、図６に示
すように、一端がヨーク外へ引出される入力端子１１ａ
及び出力端子１１ｂがそれぞれ一体的に成形されてい
る。ここで、図７は、スペーサ１０に入力端子１１ａが
設けられた状態を、図３中の直線ｎに沿って切断して示
す拡大断面図である。また、図８は、スペーサ１０及び
上部ヨーク２を載せた状態のアイソレータ１における入
力端子１１ａ近傍を、図３中の直線ｎに沿って切断して
示す拡大断面図である。詳しくは、図７の拡大断面図に
示すように、入力端子１１ａがスペーサ１０の脚部１０
ｃの底面と面一となるようにスペーサ１０の脚部１０ｃ
に埋設されている。そして、図７中の矢印方向に示すよ
うに、スペーサ１０がコンデンサ７ａ，７ｂ上に載置さ
れることにより、入力端子１１ａの他端の下面１１ａ１
が端子電極部７ａ１上の第２の中心導体４ｃの先端に接
触して電気的に接続する。

【００５２】このように、従来の肉厚な樹脂ケースを用
いずに、スペーサ１０に入力端子１１ａ及び出力端子１
１ｂを一体成形することで、入出力端子１１ａ，１１ｂ
をスペーサ１０により保持可能となり、アイソレータ１
の幅方向の小型化を図ることができる。しかも、スペー
サ１０に磁石９を収納する収納凹部１０ａを設けること
により、アイソレータ１の低背化も図ることができる。

【００５３】また、従来のアイソレータでは、入出力端
子を下部ヨークと同一な材料を用いて、下部ヨークとは
磁気的に独立させた状態で下部ヨークと共に樹脂ケース
にインサート成形しており、Ｆｅ等の強磁性材料で下部
ヨーク及び入出力端子を形成していたことから、入出力
端子が磁石からのバイアス磁界を乱す虞があった。しか
し、本実施形態のように、入出力端子１１ａ，１１ｂを
スペーサ１０に一体成形することにより、入出力端子１
１ａ，１１ｂを、下部ヨーク３の構成材料とは別の、Ｃ
ｕ等の非磁性導電材料にて形成することができるので、
バイアス磁界が乱れる虞もなく、結果的に挿入損失の低
減化を図ることも可能である。特に、フェライト板５が
角形状の場合には、円形状の場合に比べて入出力端子の
一端がフェライト板５に近い位置に配されるため、従来
では入力端子がバイアス磁界を乱す虞が大きかったが、
本実施形態の上記構成により、フェライト板５を角形状
にしても入出力端子１１ａ，１１ｂがバイアス磁界を乱
す事態を確実に回避することができる。

【００５４】上部ヨーク２は、図１に示すように、下部
ヨーク３と同様な材料を用いて、上板から両側壁が折り
曲げ形成されてなり、両側壁にはスペーサ１０に設けら
れた入出力端子１１ａ，１１ｂを逃がすための切欠き部
２ａがそれぞれ設けられている。

【００５５】特に、上部ヨーク２の内壁において、コン
デンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８に対面する領域に絶
縁薄膜２ｂが形成されており、この絶縁薄膜２ｂを介し
てコンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８が上部ヨーク
２の内側壁に当接するようになされる。このような絶縁
薄膜２ｂにより、従来の肉厚な樹脂製ケースを用いずに
コンデンサ７ａ，７ｂやチップ抵抗８のショートを防止
可能としつつ、コンデンサ７ａ，７ｂやチップ抵抗８や
中心導体組立体６をヨーク内に極力近接させて配せるの
で、アイソレータ１の小型化を図ることができる。

【００５６】なお、本実施形態では、ショート防止用の
絶縁被膜３ｄ，２ｂが下部ヨーク３及び上部ヨーク２の
両方の内側壁に設けられているが、本発明はこれに限ら
ず、下部ヨーク３及び上部ヨーク２の少なくとも何れか
の内側壁において、コンデンサ７ａ，７ｂやチップ抵抗
８や中心導体組立体６の少なくとも何れかに対面する領
域に絶縁被膜が形成されているだけでも、従来に比して
小型化の効果がある。但し、本実施形態のように、コン
デンサ７ａ，７ｂやチップ抵抗８と対面する下部ヨーク
３及び上部ヨーク２の両者に絶縁被膜３ｄ，２ｂが形成
されていると、コンデンサ７ａ，７ｂやチップ抵抗８や
中心導体組立体６を最も近接させて配することができる
ので、小型化の点で非常に有利である。

【００５７】また、本実施形態では、ショート防止用の
絶縁被膜が下部ヨーク３及び上部ヨーク２の内側壁にお
いてコンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８と対面する
領域に形成されるが、本発明はこれに限らず、例えば、
中心導体組立体が下部ヨークの内側壁と直接近接するよ
うに配されたアイソレータの場合には、下部ヨークの内
側壁の中心導体組立体と対面する領域に、ショート防止
用の絶縁被膜を形成し、この絶縁皮膜を介して中心導体
組立体を下部ヨークの内側壁に当接させれば良い。

【００５８】図９は、図１に示すアイソレータ１を、図
３中の直線ｍに沿って切断した断面図である。図１０
は、図１に示すアイソレータ１を、図３中の直線ｎに沿
って切断した断面図である。上部ヨーク２は、図９及び
図１０に示すように、スペーサ１０を介して中心導体組
立体６、コンデンサ７ａ，７ｂ及びチップ抵抗８を覆っ
て、図示しない半田により下部ヨーク３に取り付けら
れ、閉磁気回路を構成する。

【００５９】つぎに、本実施形態のアイソレータ１にお
ける、スペーサ及び入出力端子の他の実施例について説
明する。図１１は、スペーサ２０に入力端子２１ａが設
けられた状態を、図３中直線ｎに沿って切断した拡大断
面図である。また、図１２は、スペーサ２０及び上部ヨ
ーク２を載せた状態の入力端子２１ａ近傍を、図３中直
線ｎに沿って切断した拡大断面図を示す。ここで、下部
ヨーク３、中心導体組立体６、コンデンサ７ａ，７ｂ、
チップ抵抗８及び磁石９については前出の実施形態と同
様な構成のため、説明を略する。

【００６０】スペーサ２０は、入力端子２１ａを収納す
るための凹部２０ａが設けられ、脚部２０ｂの外縁に入
力端子２１ａを支持する突出部２０ｃが一体に延設され
ている。入力端子２１ａは、弾性を有する金属板をＬ字
状に折り曲げ形成されてなり、図１１に示すように、ス
ペーサ２０を貫通し、一端が突出部２０ｃに支持されて
外部に引出されるとともに、他端がスペーサ２０の凹部
２０ａに対向して突出する。このとき、入力端子２１ａ
の他端と、スペーサ２０の凹部２０ａとの間には、クリ
アランスＣが形成されている。

【００６１】そして、図１１中の矢印方向に示すよう
に、スペーサ２０が入力端子２１ａの弾性に抗してコン
デンサ７ａ，７ｂ上に載置されることにより、図１２に
示すように、入力端子２１ａの一端が上部ヨーク２の切
欠き部２ａから外部に露出すると共に、入力端子２１ａ
の他端が凹部２０ａ内に収納されて端子電極部７ａ１上
の第２の中心導体４ｃの先端に押付けられる。このよう
に、入力端子２１ａを突出部２０ｃによりコンデンサ７
ａや下部ヨーク３から確実に絶縁させた状態で、入力端
子２１ａを第２の中心導体４ｃ及びコンデンサ７ａの端
子電極部７ａ１に強固に接触させることができ、中心導
体４ｃの浮きを防止可能となる。なお、出力端子につい
ても入力端子と同様な構成とし、スペーサ２０について
も凹部２０ａ及び突出部２０ｃと同様な構成を有する、
出力端子収納用の凹部及び出力端子支持用の突出部を設
けると良い。

【００６２】つぎに、本実施形態のアイソレータ１にお
けるスペーサ及び入出力端子の更なる他の実施例につい
て説明する。図１３は、スペーサ３０に入力端子３１ａ
が設けられた状態を、図３中の直線ｎに沿って切断した
拡大断面図である。ここで、下部ヨーク３、中心導体組
立体６、コンデンサ７ａ，７ｂ、チップ抵抗８及び磁石
９については前出の実施形態と同様な構成のため、説明
を略す。。

【００６３】入力端子３１ａは、弾性を有する金属板を
Ｌ字状に折り曲げ形成されてなり、図１３に示すよう
に、スペーサ３０を貫通し、一端が上部ヨーク２の切欠
き部２ａから外部に引出されるとともに、他端がスペー
サ３０の脚部３０ａの内壁から突出している。そして、
脚部３０ａの内壁から突出する部分が、更に折り曲げら
れてＬ字状の接続片３１ｂとなされている。

【００６４】そして、スペーサ３０が入力端子３１ａの
接続片３１ｂの弾性に抗してコンデンサ７ａ上に載置さ
れることにより、図１３に示すように、入力端子３１ａ
の接続片３１ｂが端子電極部７ａ１上の第２の中心導体
４ｃの先端に押付けられる。このように、入力端子３１
ａを第２の中心導体４ｃ及びコンデンサ７ａの端子電極
部７ａ１に強固に接触させることができ、中心導体４ｃ
の浮きを防止可能となる。

【００６５】なお、出力端子についても入力端子と同様
な構成とする。また、図１３に示すスペーサ３０の実施
例は、図１２に示すスペーサ２０の実施例のように突出
部２０ｃを設ける必要がないため、アイソレータをより
小型化することができる。

【００６６】つぎに、以上のように構成されるアイソレ
ータ１の動作の概略を説明する。図１４は、アイソレー
タ１の電気等価回路図である。アイソレータ１は、磁石
９により中心導体組立体６のフェライト板５にバイアス
磁界が印加され、図１４に示すように、ポートＰ１から
入力された信号をポートＰ２側へ伝送する。一方、ポー
トＰ２側からの信号を、ポートＰ３側に配された終端抵
抗としてのチップ抵抗８により減衰させて吸収し、ポー
トＰ１側へ向かう成分を極端に減衰させる。

【００６７】そして、このような動作機能を有するアイ
ソレータ１は、図示しない移動体通信機器の端末機にお
いて図示しないパワーアンプとアンテナ間に配され、パ
ワーアンプへの不要信号の逆流を防いでパワーアンプの
破損を防止する。

【００６８】なお、本発明における中心導体組立体とし
ては、上述の図５に示すように、Ｖ字状の中心導体４ｂ
を有するものに限らず、図１５の斜視図及び図１６の展
開図に示すように、３本の中心導体４１ａ，４１ｂ，４
１ｃのうちの１本４１ｃがスリットにより長手方向中央
に向かって間隔が広がるように分割された分割導体４１
ｃ１，４１ｃ２で構成されていているものでも良い。こ
こで、これら分割導体４１ｃ１，４１ｃ２は、互いに非
並行、もしくは図１６に示すように相対向する辺が平行
となされて折り曲げられた形状をなす。そして、中心導
体４１ａ，４１ｂ，４１ｃは、図１５に示すように、フ
ェライト板５の対応する辺を介して折り曲げられ、パン
タグラフ状に配される。

【００６９】このような中心導体４１からなる中心導体
組立体４０は、中心導体４１ｃの実質的線路長を長く取
ることができ、インダクタンスを大きくして低周波化に
適応可能となる。また、この中心導体組立体４０では、
中心導体４１ａ，４１ｂ，４１ｃの３本が１箇所で重な
らないようになされることにより、厚みを減らして低背
化可能となる。

【００７０】なお、図１７の斜視図に示すように、本発
明における中心導体組立体５０としては、従来より提案
されている、３本の中心導体５１ａ，５１ｂ，５１ｃが
四角状のフェライト板５２の側壁に沿って折り曲げられ
た構成であっても無論構わない。

【００７１】

【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明に係る
非可逆回路素子は、磁性ヨークの内側壁において、コン
デンサ及び中心導体組立体のうちの少なくとも何れかの
側面と対面する領域に、絶縁被膜が形成され、該絶縁被
膜を介して上記側面が当接することを特徴とするもので
ある。かかる構成の本発明によれば、コンデンサや中心
導体組立体の少なくとも何れかが絶縁被膜を介して磁性
ヨークの内側壁に当接するので、肉厚な樹脂製ケースを
用いずにコンデンサや中心導体組立体のショートを防止
可能としつつ、コンデンサや中心導体組立体を磁性ヨー
ク内に極力近接させて配することができ、小型化が可能
となる。

【００７２】また、本発明に係る非可逆回路素子は、磁
性ヨークの内底面上にコンデンサ及び中心導体組立体の
少なくとも何れかを位置決めするための位置決めパター
ンが絶縁被膜により形成されていることを特徴とするも
のでも良い。かかる構成の本発明によれば、肉厚な樹脂
製ケースを用いずに膜厚の薄い絶縁被膜により、確実に
コンデンサや中心導体組立体を位置決め可能となり、非
可逆回路素子の小型化を図ることができる。

【００７３】さらに、本発明に係る非可逆回路素子は、
入力端子及び出力端子がスペーサ部材と一体形成され、
且つこれら入出力端子が弾性を有する金属板からなり、
スペーサ部材を入力端子及び出力端子の弾性力に抗して
コンデンサ上に載置することにより、入力端子及び出力
端子の各他端がコンデンサ上に設けられた端子電極部に
押付けられることを特徴とするものでも良い。かかる構
成の本発明によれば、肉厚な樹脂製ケースを用いずに、
入力端子及び出力端子をコンデンサ及び中心導体組立体
上に配されるスペーサ部材により保持することができ、
非可逆回路素子の小型化を図ることができる。しかも、
入力端子及び出力端子を弾性を有する金属板から構成
し、入力端子及び出力端子の各他端をコンデンサの電極
部に押付けられるようにしたことにより、樹脂ケースに
よる入出力端子の保持なくとも、入力端子及び出力端子
を確実且つ強固にコンデンサ上の端子電極部に接触可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るアイソレータを示す分
解斜視図である。

【図２】本実施形態に係るアイソレータにおける下部ヨ
ークの平面図及び断面図である。

【図３】本実施形態に係るアイソレータにおいて、下部
ヨーク上に中心導体組立体、コンデンサ及びチップ抵抗
を載置した状態を示す平面図である。

【図４】本実施形態に係るアイソレータにおけるフェラ
イト板を示す平面図である。

【図５】本実施形態に係るアイソレータにおける中心導
体を展開して示す展開図である。

【図６】本実施形態に係るアイソレータにおける磁石及
びそれを収納するスペーサを拡大して示す拡大斜視図で
ある。

【図７】本実施形態に係るアイソレータにおいて、スペ
ーサに入力端子が設けられた状態を示す拡大断面図であ
る。

【図８】図７に示すアイソレータにおいて、スペーサ及
び上部ヨークを載せた状態の入力端子近傍を示す拡大断
面図である。

【図９】本実施形態に係るアイソレータを図３中の直線
ｍに沿って切断した断面図である。

【図１０】本実施形態に係るアイソレータを図３中の直
線ｎに沿って切断した断面図である。

【図１１】スペーサ及び入力端子の他の実施例を示す拡
大断面図である。

【図１２】図１１に示すアイソレータにおいて、スペー
サ及び上部ヨークを載せた状態の入力端子近傍を示す拡
大断面図である。

【図１３】スペーサ及び入力端子の更なる他の実施例を
示す拡大断面図である。

【図１４】本実施形態に係るアイソレータの電気等価回
路図である。

【図１５】中心導体組立体の他の実施例を示す斜視図で
ある。

【図１６】図１５に示す中心導体組立体における中心導
体を示す展開図である。

【図１７】中心導体組立体の更なる他の実施例を示す斜
視図である。

【図１８】従来のアイソレータを示す分解斜視図であ
る。

【符号の説明】

１ アイソレータ ２ 上部ヨーク ２ｂ 絶縁被膜 ３ 下部ヨーク ３ａ 底板 ３ｂ 側壁 ３ｄ 絶縁被膜 ３ｅ 位置決めパターン ４ 中心導体 ４ｂ 第１の中心導体 ４ｃ 第２の中心導体 ４ｄ 第３の中心導体 ５ フェライト板 ６ 中心導体組立体 ７ａ，７ｂ コンデンサ ８ チップ抵抗 ９ 磁石 １０，２０，３０ スペーサ １０ａ 収納凹部 １１ａ，２１ａ，３１ａ 入力端子 １１ｂ 出力端子 ６０ アイソレータ ６１ 下部ヨーク ６２ 樹脂製ケース ６３ コンデンサ ６４ チップ抵抗 ６５ フェライト板 ６７ 中心導体組立体 ６８ 磁石 ６９ 上部ヨーク

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属ケースからなる磁性ヨークと、 前記磁性ヨークの内底面上に載置されるコンデンサと、 前記磁性ヨークの内底面上に載置され、複数の中心導体
   を互いに電気的絶縁状態にて磁性体基板上に交叉させて
   配してなる中心導体組立体と、 前記磁性ヨーク内に収納され、前記磁性体基板に直流磁
   界を印加する磁石と、 前記中心導体及び前記コンデンサに導通し、各一端が前
   記磁性ヨークから外部へ引出される入力端子及び出力端
   子とを備え、 前記磁性ヨークの内側壁には、前記コンデンサ及び前記
   中心導体組立体のうちの少なくとも何れかの側面と対面
   する領域に、絶縁被膜が形成され、該絶縁被膜を介して
   前記側面が当接することを特徴とする非可逆回路素子。
2. 【請求項２】 前記磁性ヨークの内底面上には、前記コ
   ンデンサ及び前記中心導体組立体の少なくとも何れかを
   位置決めするための位置決めパターンが絶縁被膜により
   形成されていることを特徴とする請求項１記載の非可逆
   回路素子。
3. 【請求項３】 前記絶縁被膜は、耐熱温度が２００℃以
   上の材料からなることを特徴とする請求項１、又は２記
   載の非可逆回路素子。
4. 【請求項４】 前記絶縁被膜の厚さは、３μｍ以上、１
   ００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の
   うちの何れか記載の非可逆回路素子。
5. 【請求項５】 前記磁性ヨーク内に収納され、前記コン
   デンサ及び前記中心導体組立体上に配される絶縁材料か
   らなるスペーサ部材を備え、 前記スペーサ部材には、前記入力端子及び前記出力端子
   が一体的に成形され、 前記コンデンサ上には、前記入力端子及び前記出力端子
   の各々に対応して一対の端子電極部が設けられ、 前記複数の中心導体は、前記入力端子に接続する中心導
   体と、前記出力端子に接続する中心導体とを含み、 前記入力端子及び前記出力端子の各他端は、対応する前
   記中心導体を介して前記コンデンサ上の各々対応する前
   記端子電極部に電気的に接続することを特徴とする請求
   項１乃至４のうちの何れか記載の非可逆回路素子。
6. 【請求項６】 前記入力端子及び前記出力端子が弾性を
   有する金属板からなり、前記スペーサ部材を前記入力端
   子及び前記出力端子の弾性力に抗して前記コンデンサ上
   に載置することにより、前記入力端子及び前記出力端子
   の各前記他端が、前記対応する中心導体を介して前記コ
   ンデンサ上の前記対応する端子電極部に押付けられるこ
   とを特徴とする請求項５記載の非可逆回路素子。
7. 【請求項７】 前記スペーサ部材には、前記磁石を収納
   する磁石収納部が設けられていることを特徴とする請求
   項５、又は６記載の非可逆回路素子。
8. 【請求項８】 前記スペーサ部材は、耐熱温度が２００
   ℃以上のエンジニアリングプラスチックからなることを
   特徴とする請求項５乃至７のうちの何れか記載の非可逆
   回路素子。
9. 【請求項９】 前記中心導体には、前記磁性ヨークに係
   合する爪部が設けられていることを特徴とする請求項１
   乃至８のうちの何れか記載の非可逆回路素子。
10. 【請求項１０】 前記磁性体基板は角形状であることを
    特徴とする請求項１乃至９のうちの何れか記載の非可逆
    回路素子。
11. 【請求項１１】 金属ケースからなる磁性ヨークと、 前記磁性ヨークの内底面上に載置されるコンデンサと、 前記磁性ヨークの内底面上に載置され、複数の中心導体
    を互いに電気的絶縁状態にて磁性体基板上に交叉させて
    配してなる中心導体組立体と、 前記磁性ヨーク内に収納され、前記磁性体基板に直流磁
    界を印加する磁石と、 前記中心導体及び前記コンデンサに導通し、各一端が前
    記磁性ヨークから外部へ引出される入力端子及び出力端
    子とを備え、 前記磁性ヨークの内底面上には、前記コンデンサ及び前
    記中心導体組立体の少なくとも何れかを位置決めするた
    めの位置決めパターンが絶縁被膜により形成されている
    ことを特徴とする非可逆回路素子。
12. 【請求項１２】 前記絶縁被膜は、２００℃以上の耐熱
    性を有する材料からなることを特徴とする請求項１１記
    載の非可逆回路素子。
13. 【請求項１３】 前記絶縁被膜の厚さは、３μｍ以上、
    １００μｍ以下であることを特徴とする請求項１１、又
    は１２記載の非可逆回路素子。
14. 【請求項１４】 前記磁性ヨーク内に収納され、前記コ
    ンデンサ及び前記中心導体組立体上に配される絶縁材料
    からなるスペーサ部材を備え、 前記スペーサ部材には、前記入力端子及び前記出力端子
    が一体的に成形され、 前記コンデンサ上には、前記入力端子及び前記出力端子
    の各々に対応して一対の端子電極部が設けられ、 前記複数の中心導体は、前記入力端子に接続する中心導
    体と、前記出力端子に接続する中心導体とを含み、 前記入力端子及び前記出力端子の各他端は、対応する前
    記中心導体を介して前記コンデンサ上の各々対応する前
    記端子電極部に電気的に接続することを特徴とする請求
    項１１乃至１３のうちの何れか記載の非可逆回路素子。
15. 【請求項１５】 前記入力端子及び前記出力端子が弾性
    を有する金属板からなり、前記スペーサ部材を前記入力
    端子及び前記出力端子の弾性力に抗して前記コンデンサ
    上に載置することにより、前記入力端子及び前記出力端
    子の各前記他端が、前記対応する中心導体を介して前記
    コンデンサ上の前記対応する端子電極部に押付けられる
    ことを特徴とする請求項１４記載の非可逆回路素子。
16. 【請求項１６】 前記中心導体には、前記磁性ヨークに
    係合する爪部が設けられていることを特徴とする請求項
    １１乃至１５のうちの何れか記載の非可逆回路素子。
17. 【請求項１７】 コンデンサと、 複数の中心導体を互いに電気的絶縁状態にて磁性体基板
    上に交叉させて配してなる中心導体組立体と、 前記磁性体基板に直流磁界を印加する磁石と、 前記コンデンサ及び前記中心導体組立体上に配される絶
    縁材料からなるスペーサ部材と、 前記コンデンサ、前記中心導体組立体、前記磁石及び前
    記スペーサ部材を収納する金属ケースからなる磁性ヨー
    クと、 前記スペーサ部材に一体的に成形され、前記中心導体及
    び前記コンデンサに導通し、且つ各一端が前記磁性ヨー
    クから外部へ引出される入力端子及び出力端子とを備
    え、 前記コンデンサ上には、前記入力端子及び前記出力端子
    の各々に対応して一対の端子電極部が設けられ、 前記複数の中心導体は、前記入力端子に接続する中心導
    体と、前記出力端子に接続する中心導体とを含み、 前記入力端子及び前記出力端子が弾性を有する金属板か
    らなり、前記スペーサ部材を前記入力端子及び前記出力
    端子の弾性力に抗して前記コンデンサ上に載置すること
    により、前記入力端子及び前記出力端子の各前記他端が
    前記対応する中心導体を介して前記コンデンサ上の前記
    対応する端子電極部に押付けられることを特徴とする非
    可逆回路素子。
18. 【請求項１８】 前記スペーサ部材には、前記磁石を収
    納する磁石収納部が設けられていることを特徴とする請
    求項１７記載の非可逆回路素子。