JP5350605B2 - サンプルの作製 - Google Patents
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Description
11 排気エンベロープ
12 上方ネック部分
14 液体金属イオン源
16 集束カラム
18 イオン・ビーム
19 システム制御装置
20 偏向プレート
22 サンプル
24 X−Yステージ
26 下方室
28 イオン・ポンプ
30 ターボ分子および機械ポンピング・システム
32 真空制御装置
34 高電圧電源
36 偏向制御装置および増幅器
38 パターン生成装置
40 帯電粒子検出器
41 走査型電子顕微鏡
42 ビデオ回路
44 ビデオ・モニタ
45 電源および制御
46 気体搬送システム
47 微調整装置
48 精密電気モータ
49 部分
50 薄いプローブ
60 ドア
302 基板
304 サンプル領域
306 穴
502 角度
602 プローブ
604 プローブの先端
700 基板
702 小さい矩形のトレンチ
704 ラメラ
706 より広い矩形のトレンチ
708 穴
810 タブ
1102 サンプル
1104 基板
1106 空洞
1108 プローブ
1110 TEMサンプル・ホルダ
Claims (21)
- 基板からTEMまたはSTEMで観察するためのサンプルを抽出する方法であって、
集束イオン・ビームを使用して、真空室に配置されたサンプルに穴を形成することであって、前記集束イオン・ビームを、垂直でない角度で前記サンプルの表面に向けることにより、前記サンプルの表面に対して垂直でない角度で配向している穴を作成することと、
集束イオン・ビームを使用して、前記基板から前記サンプルを少なくとも部分的に切断することと、
プローブの先端を前記穴に挿入することと、
前記プローブを使用して、前記サンプルを前記基板から取り出し、前記挿入されたプローブが前記サンプルを支持することと、
前記プローブによって支持された前記サンプルを移動することと、
TEMまたはSTEMで前記サンプルを観察することと、
を備える方法。 - 前記サンプルが前記プローブに付着している間、帯電粒子ビームを使用して前記サンプルを処理することをさらに備える請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルが前記プローブに付着している間、帯電粒子ビームを使用して前記サンプルを処理することが、SEM、TEM、またはSTEMを使用して前記サンプルを観測することを含む請求項2に記載の方法。
- 前記サンプルが前記プローブに付着している間、帯電粒子ビームを使用して前記サンプルを処理することが、イオン・ビームを使用して前記サンプルを薄くすることを含む請求項2または3に記載の方法。
- 集束イオン・ビームを使用して、前記サンプルを前記基板から少なくとも部分的に切断することが、集束イオン・ビームを使用して、前記サンプルを前記基板から少なくとも部分的に切断し、次いで残存する付着物を機械的に破壊することを含む請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記残存する付着物を機械的に破壊することが、前記プローブが前記サンプルに挿入されている間、前記プローブを移動させることによって前記残存する付着物を破壊することを含む請求項5に記載の方法。
- 集束イオン・ビームを使用して、サンプルに穴を機械加工することが、前記サンプルを貫通していない穴を機械的に穿孔することを含む請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 集束イオン・ビームを使用して、サンプルに穴を機械加工することが、先細の穴を機械的に穿孔することを含み、プローブの先端を前記穴に挿入することが、先細のプローブの先端を前記穴に挿入することを含む請求項1に記載の方法。
- 集束イオン・ビームを使用して、サンプルに穴を機械加工することが、エッチング促進気体を使用することを含む請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記穴が、前記サンプルが前記基板から分離される前に形成される請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記プローブが、前記サンプルが前記基板から分離された後に挿入される請求項1〜9のいずれかに記載の方法。
- プローブを前記穴に挿入することが、真空室において実施される請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- プローブを前記穴に挿入することが、真空室の外部において実施される請求項1〜11のいずれかに記載の方法。
- 集束イオン・ビームを使用して、前記基板から前記サンプルを少なくとも部分的に切断することが、前記基板または前記ビームを傾けることを含む請求項1〜13のいずれかに記載の方法。
- 集束イオン・ビームを使用して、前記基板から前記サンプルを少なくとも部分的に切断することが、前記ラメラの一方の側においてトレンチをカットし、前記ラメラの反対側においてより広いトレンチをカットすることを含む請求項1〜14のいずれかに記載の方法。
- イオン集束カラムと、
イオン・ビーム・システムを制御するためのコンピュータと、
請求項1のステップを実施するためのコンピュータ命令を記憶するメモリと、
を備えるイオン・ビーム・システム。 - TEMまたはSTEMで観察するために基板からサンプルを抽出する方法であって、
前記基板の厚さより著しく浅い穴を基板に形成することであって、前記穴は前記サンプルの表面に対して垂直でない角度で配向していることと、
前記基板の厚さより著しく薄く、かつ前記穴を備えるサンプルを基板から切り出すことと、
プローブを前記穴に挿入することと、
前記サンプルを前記基板から抽出し、前記プローブが、前記穴に挿入された単一のアームによって前記サンプルを支持することと、
を備える方法。 - 穴を前記基板に形成し、前記サンプルを前記基板から切り出すことが、イオン・ビーム加工を使用して実施される請求項11に記載の方法。
- プローブを前記穴に挿入することが、真空室において実施される請求項11または12に記載の方法。
- プローブを前記穴に挿入することが、真空室の外部において実施される請求項11または12に記載の方法。
- 穴を前記基板に形成することが、複数の穴を前記基板に形成することを含み、サンプルを基板から切り出すことが、複数のサンプルを切り出すことを含む請求項11、12、13、14のいずれかに記載の方法。
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