JP5086706B2 - 平面ビュー・サンプル作製 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 254
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 238000000027 scanning ion microscopy Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- YLJREFDVOIBQDA-UHFFFAOYSA-N tacrine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=C(CCCC3)C3=NC2=C1 YLJREFDVOIBQDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001685 tacrine Drugs 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/32—Polishing; Etching
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31745—Etching microareas for preparing specimen to be viewed in microscopes or analyzed in microanalysers
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
104 サンプル
106 フィンガ
200 TEMサンプル
202 ワーク・ピース
204 イオン・ビーム
206 トレンチ
208 トレンチ
210 ラメラ
212 主表面
216 プローブ
218 タブ
302 格子支持体
304 サンプル・ステージ
310 蒸着前駆気体
312 ノズル
500 ワーク・ピース
502 平面ビュー・サンプル
504 主表面
506A イオン・ビーム・カット
506B イオン・ビーム・カット
508A 側面
508B 側面
510 プローブ
610 FIBシステム
612 上方ネック部分
614 液体金属イオン源
616 集束カラム
618 イオン・ビーム
619 システム制御装置
620 偏向プレート
622 ワーク・ピース
624 ステージ
626 下方チャンバ
630 ターボ分子および機械ポンピング・システム
632 真空制御装置
634 高電圧電源
636 偏向制御装置および増幅器
638 パターン生成装置
640 帯電粒子検出器
641 走査電子顕微鏡
642 ビデオ回路
644 ビデオ・モニタ
645 電源および制御
646 気体送達システム
647 微調整装置
648 精密電気モータ
649 部分
650 薄いプローブ
702 ステップ
704 ステップ
706 ステップ
710 ステップ
712 ステップ
714 ステップ
716 ステップ
720 ステップ
722 ステップ
724 ステップ
726 ステップ
730 ステップ
800 プローブ
802 プローブのシャフト
804 縦軸
806 プローブ先端
808 角度
810 微調整装置
812 固定角度
1002 ウエッジ形背面
Claims (16)
- 帯電粒子ビーム・システムにおいてサンプルを処理する方法であって、
サンプル・ステージ平面を有するサンプル・ステージ上に基板を載置することと、
サンプルを前記基板から切り離すことと、
プローブを前記サンプルに付着し、前記プローブが、シャフト軸を有するシャフトを含み、前記シャフト軸が、前記サンプル・ステージ平面に対してシャフト角度に配向され、前記サンプルが、前記シャフト軸に平行ではない主表面であって、前記サンプル・ステージ平面に相対的に平行な主表面を有することと、
前記プローブに付着させた前記サンプルを所定の配向角度だけ回転させるために、前記シャフトをその軸の周りで第1の回転角度にわたって回転させることと、
を備え、前記所定の配向角度だけ回転させた後に、前記サンプルの前記主表面は前記サンプル・ステージ平面に相対的に垂直である方法。 - 前記プローブが、付着表面を含むプローブ先端を有するプローブを含み、前記付着表面が、前記シャフト軸に対して垂直ではない所定の先端角度に配向され、前記プローブを前記サンプルに付着することが、前記プローブ先端の前記付着表面が前記サンプル表面に平行な状態で前記プローブを付着することを含む請求項1に記載の方法。
- 前記サンプルが前記配向角度だけ回転された後、前記サンプルをサンプル・ホルダに付着することをさらに備える請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記サンプル・ホルダがTEM格子である請求項3に記載の方法。
- 平面ビュー・サンプルを創出するために、イオン・ビームを使用することによって、前記サンプル・ホルダに付着させた前記サンプルを薄くすることをさらに含む請求項3または請求項4に記載の方法。
- 前記TEM格子に付着させている間、TEMまたはSTEMで前記平面ビュー・サンプルを観察することをさらに含む請求項5に記載の方法。
- 前記シャフト角度が45度であり、前記先端角度が45度であり、前記第1の回転角度が180度であり、前記配向角度が90度である請求項2または請求項3に記載の方法。
- 前記シャフト軸を第1の回転角度にわたって回転させることが、前記プローブ先端に付着された前記サンプルを90度の配向角度だけ回転させるために、前記シャフト軸を180度だけ回転させることを含む請求項1、請求項2、または請求項3に記載の方法。
- 前記先端の付着表面が前記サンプルに付着しているとき、前記先端の前記付着表面が、前記サンプル・ステージ平面に平行に配向される請求項2または請求項3に記載の方法。
- 前記TEM格子が垂直に配向される請求項4、請求項5、または請求項6に記載の方法。
- 前記プローブを前記サンプルに付着することが、イオン・ビーム蒸着によって前記プローブを前記サンプルに付着することを含む請求項1、請求項2、または請求項3に記載の方法。
- 前記プローブを前記サンプルに付着することが、接着剤で前記プローブを前記サンプルに付着することを含む請求項1、請求項2、または請求項3に記載の方法。
- サンプルを前記基板から切り離すことが、集束イオン・ビームを使用して前記サンプルを前記基板から切り離すことを含む請求項1、請求項2、または請求項3に記載の方法。
- サンプルを処理する装置であって、
イオン・ビーム・カラムと、
サンプル・ステージ平面を有するサンプル・ステージであって、少なくとも2次元で移動し、垂直軸の周りで回転し、および水平から傾斜させることができる、サンプル・ステージと、
シャフト軸を有するプローブ・シャフトおよび前記プローブ・シャフトの端部にあるプローブ先端を含むプローブであって、前記サンプルは主表面を有し、前記プローブ先端が、前記サンプルに付着するための付着表面を有し、前記付着表面が、前記シャフト軸に対して垂直ではない所定の付着表面角度に配向されるプローブと、
前記プローブを前記シャフト軸に沿って保持および回転させるための微調整装置であって、前記シャフトを前記サンプル・ステージ平面に対して所定のシャフト角度に保持し、微調整装置が所定のシャフト回転角度だけ前記プローブ・シャフトを回転させるとき、前記プローブの付着表面の配向が所定のサンプル配向変更角度によって変化し、前記サンプルの前記主表面は、前記サンプル・ステージ平面と比較して相対的に平行な配向から相対的に垂直な配向へと変化するように、シャフト回転能力を有する微調整装置とを備える装置。 - 前記イオン・ビーム・カラムが、集束イオン・ビーム・カラムである請求項14に記載の装置。
- 前記微調整装置が、前記サンプル・ステージ平面に対して45度に配向された前記シャフト軸を保持し、前記プローブの付着表面が、ほぼ平坦で、前記シャフト軸に対して45度の付着表面角度に配向され、それにより、プローブの付着表面を前記サンプル・ステージ平面と平行に配向させるために、前記微調整装置を前記シャフト軸の周りで回転させることができる請求項14に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/474,519 US7423263B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Planar view sample preparation |
US11/474,519 | 2006-06-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008026312A JP2008026312A (ja) | 2008-02-07 |
JP5086706B2 true JP5086706B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=38535249
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007163546A Active JP5086706B2 (ja) | 2006-06-23 | 2007-06-21 | 平面ビュー・サンプル作製 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7423263B2 (ja) |
EP (1) | EP1870691B1 (ja) |
JP (1) | JP5086706B2 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2006
- 2006-06-23 US US11/474,519 patent/US7423263B2/en active Active
-
2007
- 2007-06-21 JP JP2007163546A patent/JP5086706B2/ja active Active
- 2007-06-22 EP EP07110824.5A patent/EP1870691B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1870691A2 (en) | 2007-12-26 |
EP1870691B1 (en) | 2016-03-16 |
EP1870691A3 (en) | 2008-12-10 |
JP2008026312A (ja) | 2008-02-07 |
US7423263B2 (en) | 2008-09-09 |
US20080073535A1 (en) | 2008-03-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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