JP4942180B2 - 試料作製装置 - Google Patents
試料作製装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4942180B2 JP4942180B2 JP2007032609A JP2007032609A JP4942180B2 JP 4942180 B2 JP4942180 B2 JP 4942180B2 JP 2007032609 A JP2007032609 A JP 2007032609A JP 2007032609 A JP2007032609 A JP 2007032609A JP 4942180 B2 JP4942180 B2 JP 4942180B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- sample
- chamber
- cross
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 49
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 298
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 272
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67213—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明の試料作製装置は、中央に開口部を有する枠状に形成され、上面にウエハを載置可能なホルダ本体と、該ホルダ本体に載置された前記ウエハの外周に当接し、前記ウエハを前記ホルダ本体上で位置決めするガイド部と、前記ホルダ本体の外周部に設けられ、前記ウエハから作製された断面試料を保持する断面試料保持部とを備え、該断面試料保持部は、前記断面試料が固定される板状の試料台と、該試料台を着脱可能に挟持するとともに、前記ホルダ本体に対して着脱可能に設けられた固定台とを備えるウエハホルダと、前記ウエハを保持した前記ウエハホルダを内部に収容するとともに、該内部を真空状態に排気可能な試料室と、該試料室の内部に収容された前記ウエハに荷電粒子ビームを照射してエッチングすることで、前記断面試料を作製可能な荷電粒子ビーム鏡筒と、前記ウエハから作製された前記断面試料を取り出して、前記ウエハホルダの前記試料台まで搬送する採取・搬送手段と、前記断面試料を前記試料台に接着固定する接着手段と、開閉可能な試料室バルブによって前記試料室と接続され、また、開閉可能な外部バルブによって外部と接続されるとともに、内部を真空状態に排気可能なロードロック室とを備え、該ロードロック室の内部には、前記ウエハホルダを、下方に空間を有した状態で配置させるホルダ台と、該ホルダ台に載置された前記ウエハホルダの下方に配置され、上下に進退して、前記ウエハホルダに保持された前記ウエハを上方に持ち上げることが可能なエレベータと、前記ホルダ台と前記試料室の内部との間で、前記ウエハホルダを搬送する内部搬送ロボットとが設けられ、前記試料室の内部に設けられて前記ウエハホルダを支持する試料ステージを備え、該試料ステージは、前記ウエハホルダの前記ホルダ本体と対応する枠状に形成され、該ホルダ本体を吸着保持する第一の静電チャックと、該第一の静電チャックに吸着保持された前記ホルダ本体に載置された前記ウエハを吸着保持可能に前記第一の静電チャックの内側で上方に突出して設けられた第二の静電チャックとを有することを特徴としている。
また、この発明に係る試料作製装置によれば、小型化、軽量化が図られたウエハホルダを使用することで、ウエハを保持したウエハホルダを収容する試料室の小型化を図ることができる。さらに、ウエハホルダの小型化、軽量化を図ることができることで、ウエハホルダを搬送する内部搬送ロボットの小型化を図ることができ、対応するロードロック室の小型化も図ることができる。また、ウエハに荷電粒子ビームを照射してエッチングすることで作製された断面試料は、採取・搬送手段によって採取され、ウエハホルダの試料保持部において試料台まで搬送されて、接着手段によって試料台に固定される。このため、断面試料はウエハとともにウエハホルダに保持されて、同時に搬送することが可能となり、搬送ルートを一系統にすることができるので、搬送ルートの省スペース化を図ることができる。
以上のように、試料室及びロードロック室の小型化を図ることができることで、試料室及びロードロック室を真空状態にする際の排気性能が高まり、また、装置全体として小型化を図ることができる。また、エレベータによってウエハホルダのホルダ本体の開口部からウエハを持ち上げることによって、容易にウエハとウエハホルダとを離脱させることができ、ウエハと断面試料とを同時に搬送する作用と相まって、ウエハの搬送から、断面試料を作製してウエハ及び断面試料を外部へ搬送するまでのスループットの向上も図ることができる。
さらに、この発明に係る試料作製装置によれば、試料室の内部において試料ステージ上で、ウエハホルダ及びウエハは、第一の静電チャック及び第二の静電チャックで静電気力によって吸着保持される。このため、作業者が介在すること無く試料室を真空状態としたまま脱着することができ、塵などの汚染物発生を防止することができる。また、ウエハを広範囲で均一に歪み無く吸着保持することができる。さらに、試料ステージ自体の軽量化を図ることができ、試料ステージの固有振動数を高く設定することができる。このため、汚染物、ウエハの変形、試料ステージの振動にそれぞれ起因する集束イオンビームの分解能の低下を防止することができる。さらに、作業者が介在すること無く脱着できることで、脱着に伴う作業時間の短縮及び作業者によるウエハ等の破損の防止を図ることができる。また、ウエハホルダとウエハとは、第一の静電チャックと第二の静電チャックとで別々に吸着保持される。そして、軽量のウエハを保持する第二の静電チャックについては、必要とする電圧を低く抑えることができる。このため、ウエハに流れる漏れ電流を小さくすることができ、漏れ電流によって照射される集束イオンビームが影響を受けてしまうのを防ぐことができる。また、第二の静電チャックからのウエハの離脱時間を短縮させることができ、スループットの向上を図ることができる。また、第二の静電チャックは、ウエハホルダのホルダ本体が第一の静電チャックに吸着保持された状態で、ウエハを吸着保持可能に上方に突出している。このため、ウエハをウエハホルダに載置された状態のまま、観察面が集束イオンビームの焦点高さとなるように吸着保持することができ、集束イオンビームの分解能の向上をさらに図ることができる。
また、本発明の試料作製装置によれば、上記のような小型化、軽量化されたウエハホルダによって、ウエハとともに作製した断面試料を搬送することができることで、効率良くウエハ及び断面試料を搬送することができるとともに、装置全体の小型化を図ることができる。
2 試料室
2a 内部
3 試料ステージ
3b 第一の静電チャック
3c 第二の静電チャック
4 集束イオンビーム鏡筒(荷電粒子ビーム鏡筒)
5 ガス銃
6 接着手段
7 プローブ(採取・搬送手段)
8 ロードロック室
9 ロボット室
10 ホルダ室
11 試料室バルブ
12 ゲートバルブ
13 外部バルブ
13a ウエハ用バルブ
13b ホルダ用バルブ
14 ホルダ台
17 エレベータ
18 内部搬送ロボット
30 ウエハホルダ
31 ホルダ本体
31a 開口部
31b 上面
31c 外周部
31d 下面
32 ガイド部
33 断面試料保持部
34 試料カセット
35 固定台
36 試料台
S 断面試料
W ウエハ
W1 外周
W2 下面
Claims (4)
- 中央に開口部を有する枠状に形成され上面にウエハを載置可能なホルダ本体と、該ホルダ本体に載置された前記ウエハの外周に当接し前記ウエハを前記ホルダ本体上で位置決めするガイド部と、前記ホルダ本体の外周部に設けられ前記ウエハから作製された断面試料を保持する断面試料保持部とを備え、該断面試料保持部は、前記断面試料が固定される板状の試料台と、該試料台を着脱可能に挟持するとともに前記ホルダ本体に対して着脱可能に設けられた固定台とを備えるウエハホルダと、
前記ウエハを保持した前記ウエハホルダを内部に収容するとともに、該内部を真空状態に排気可能な試料室と、
該試料室の内部に収容された前記ウエハに荷電粒子ビームを照射してエッチングすることで、前記断面試料を作製可能な荷電粒子ビーム鏡筒と、
前記ウエハから作製された前記断面試料を取り出して、前記ウエハホルダの前記試料台まで搬送する採取・搬送手段と、
前記断面試料を前記試料台に接着固定する接着手段と、
開閉可能な試料室バルブによって前記試料室と接続され、また、開閉可能な外部バルブによって外部と接続されるとともに、内部を真空状態に排気可能なロードロック室とを備え、
該ロードロック室の内部には、前記ウエハホルダを、下方に空間を有した状態で配置させるホルダ台と、
該ホルダ台に載置された前記ウエハホルダの下方に配置され、上下に進退して、前記ウエハホルダに保持された前記ウエハを上方に持ち上げることが可能なエレベータと、
前記ホルダ台と前記試料室の内部との間で、前記ウエハホルダを搬送する内部搬送ロボットとが設けられ、
前記試料室の内部に設けられて前記ウエハホルダを支持する試料ステージを備え、
該試料ステージは、前記ウエハホルダの前記ホルダ本体と対応する枠状に形成され、該ホルダ本体を吸着保持する第一の静電チャックと、該第一の静電チャックに吸着保持された前記ホルダ本体に載置された前記ウエハを吸着保持可能に前記第一の静電チャックの内側で上方に突出して設けられた第二の静電チャックとを有することを特徴とする試料作製装置。 - 請求項1に記載の試料作製装置において、
前記断面試料保持部は、前記ホルダ本体の外周部に着脱可能に嵌合された試料カセットを備え、
前記固定台は、前記試料カセットに着脱可能に複数嵌合されていることを特徴とする試料作製装置。 - 請求項1または2に記載の試料作製装置において、
前記ロードロック室の外部バルブは、前記ロードロック室と前記外部との間で前記ウエハを搬送するためのウエハ用バルブと、
前記ロードロック室と前記外部との間で前記ウエハホルダを搬送するためのホルダ用バルブとによって構成されていることを特徴とする試料作製装置。 - 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の試料作製装置において、
前記ロードロック室は、前記ホルダ台及び前記エレベータが収容されたホルダ室と、
前記内部搬送ロボットが収容されたロボット室とで構成され、
前記ホルダ室と前記ロボット室とは、開閉可能なゲートバルブで接続されているとともに、それぞれ独立して内部を真空状態に排気可能であることを特徴とする試料作製装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007032609A JP4942180B2 (ja) | 2006-02-28 | 2007-02-13 | 試料作製装置 |
US11/712,011 US7573047B2 (en) | 2006-02-28 | 2007-02-28 | Wafer holder and sample producing apparatus using it |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006052601 | 2006-02-28 | ||
JP2006052601 | 2006-02-28 | ||
JP2007032609A JP4942180B2 (ja) | 2006-02-28 | 2007-02-13 | 試料作製装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007265971A JP2007265971A (ja) | 2007-10-11 |
JP4942180B2 true JP4942180B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=38638738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007032609A Active JP4942180B2 (ja) | 2006-02-28 | 2007-02-13 | 試料作製装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7573047B2 (ja) |
JP (1) | JP4942180B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2182544A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-05 | FEI Company | Charged-particle optical system with dual specimen loading options |
JP4796120B2 (ja) | 2008-12-11 | 2011-10-19 | 三菱重工業株式会社 | 常温接合装置 |
JP5378830B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-12-25 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置、及びそれを用いた試料の加工方法 |
JP5174750B2 (ja) * | 2009-07-03 | 2013-04-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線画像を安定に取得する方法 |
JP5583263B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-09-03 | ザ ガバニング カウンシル オブ ザ ユニヴァーシティー オブ トロント | 電子顕微鏡用マニピュレーターキャリヤ |
US8445874B2 (en) * | 2010-04-11 | 2013-05-21 | Gatan Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US8653489B2 (en) * | 2010-04-11 | 2014-02-18 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
US8283642B2 (en) * | 2010-04-11 | 2012-10-09 | Gatan, Inc. | Ion beam sample preparation apparatus and methods |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661328A (ja) * | 1992-08-06 | 1994-03-04 | Nec Yamaguchi Ltd | 半導体ウェハー搬送装置 |
JPH07201948A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板搬送治具 |
JPH09199437A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Sumitomo Sitix Corp | 半導体ウェーハ支持装置 |
US6828566B2 (en) * | 1997-07-22 | 2004-12-07 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for specimen fabrication |
JP3547143B2 (ja) * | 1997-07-22 | 2004-07-28 | 株式会社日立製作所 | 試料作製方法 |
JP2002033284A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 縦型cvd用ウェハホルダー |
JP3778008B2 (ja) | 2001-06-12 | 2006-05-24 | 株式会社日立製作所 | 試料作製装置 |
JP2004087174A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Seiko Instruments Inc | イオンビーム装置およびイオンビーム加工方法 |
US7511282B2 (en) * | 2006-05-25 | 2009-03-31 | Fei Company | Sample preparation |
-
2007
- 2007-02-13 JP JP2007032609A patent/JP4942180B2/ja active Active
- 2007-02-28 US US11/712,011 patent/US7573047B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007265971A (ja) | 2007-10-11 |
US7573047B2 (en) | 2009-08-11 |
US20080073562A1 (en) | 2008-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4942180B2 (ja) | 試料作製装置 | |
TWI509725B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP6582676B2 (ja) | ロードロック装置、及び基板処理システム | |
TWI611998B (zh) | 製造基板所用的晶圓承載板與光罩配置 | |
JP5531284B2 (ja) | 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ | |
JP5805851B2 (ja) | リソグラフィシステムにおいて基板を処理する方法 | |
US8191168B2 (en) | Method of preparing a transmission electron microscope sample and a sample piece for a transmission electron microscope | |
TW201222617A (en) | Sample device for charged particle beam | |
US20140209240A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
JP4883712B2 (ja) | ウエハアース機構及び試料作製装置 | |
JP4868312B2 (ja) | 試料作製装置 | |
JP2013190315A (ja) | 被処理物保持機構およびこれを用いたプレートホルダ | |
JP5121667B2 (ja) | 透過電子顕微鏡用試料作製方法 | |
TW201029095A (en) | Room temperature wafer bonding apparatus | |
US11894246B2 (en) | Bonding apparatus and bonding method | |
JP2550787B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
US20080217534A1 (en) | Scanning Electron Microscope | |
JP6581783B2 (ja) | 電子線検査装置 | |
JP3389788B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP5531123B1 (ja) | 接合装置及び接合システム | |
JP2008122166A (ja) | 探針交換方法及び探針交換用冶具 | |
JP4135013B2 (ja) | 試料作製装置 | |
JP2010056255A (ja) | 試料ホルダ、及び試料保持機構を備えた試料搬送機構並びに荷電粒子線装置 | |
JP4027580B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
JP2008089613A (ja) | 試料作製装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4942180 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150309 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |