JP5347074B1 - 極薄銅箔及びその製造方法、極薄銅層、並びにプリント配線板 - Google Patents
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Abstract
【課題】支持銅箔上の極薄銅層の厚み精度を向上させた極薄銅箔を提供する。
【解決手段】支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔であって、極薄銅層を１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔。
【選択図】図２
【解決手段】支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔であって、極薄銅層を１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔。
【選択図】図２
Description
本発明は、極薄銅箔及びその製造方法、極薄銅層、並びにプリント配線板に関する。より詳細には、本発明はファインパターン用途のプリント配線板の材料として使用される極薄銅箔及びその製造方法、極薄銅層、並びにプリント配線板に関する。
近年、半導体回路の高集積化に伴い、プリント配線板にも微細回路が要求されている。一般的な微細回路形成方法は、配線回路を極薄銅層上に形成した後に、極薄銅層を硫酸−過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法（MSAP：Modified−Semi−Additive−Process）である。そのため、極薄銅層の厚みは均一なものが好ましい。
ここで、電解メッキの箔厚精度はアノード−カソード間の極間距離に大きく影響を受ける。一般的な極薄銅層形成方法は、支持銅箔（１２〜７０μｍ）上に剥離層を形成し、さらにその表面に極薄銅層（０．５〜１０．０μｍ）並びに粗化粒子を形成する。支持銅箔形成以降の工程に関しては、従来は図１のような支持銅箔へのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いて行っていた（特許文献１）。
しかしながら、電解メッキで形成した極薄銅層の厚み精度はアノード−カソード間の極間距離に大きく影響を受けるため、このような支持銅箔へのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた場合、電解液並びに運箔テンション等の影響により、極間距離を一定にするのが難しく、厚みのバラツキが大きくなる問題が発生していた。
そこで、本発明は、支持銅箔上の極薄銅層の厚み精度を向上させた極薄銅箔を提供する課題とする。
そこで、本発明は、支持銅箔上の極薄銅層の厚み精度を向上させた極薄銅箔を提供する課題とする。
上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねたところ、支持銅箔以降の工程の運箔方式に着目し、九十九折ではなくドラムを支持媒体とした運箔方式により、一定の極間距離を確保し、極薄銅層の厚み精度を向上させることができることを見出した。
本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔であって、前記極薄銅層を１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔（但し、前記極薄銅層を３ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、前記式で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔を除く）である。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔（但し、前記極薄銅層を３ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、前記式で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔を除く）である。
本発明に係る極薄銅箔の別の一実施形態においては、前記極薄銅層表面に粗化粒子層を有する。
本発明は更に別の一側面において、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の支持銅箔の表面を処理することで、支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔を製造する方法であり、搬送ロールで搬送される支持銅箔の表面に剥離層を形成する工程と、搬送ロールで搬送される前記剥離層が形成された支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより前記剥離層表面に極薄銅層を形成する工程とを含む本発明の極薄銅箔の製造方法である。
本発明の極薄銅箔の製造方法は一実施形態において、前記剥離層を形成する工程は、搬送ロールで搬送される前記支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより前記支持銅箔表面に極薄銅層を形成することで行う。
本発明の極薄銅箔の製造方法は別の一実施形態において、搬送ロールで搬送される前記支持銅箔の極薄銅層表面に、粗化粒子層を形成する工程をさらに含む。
本発明の極薄銅箔の製造方法は更に別の一実施形態において、前記粗化粒子層を形成する工程は、搬送ロールで搬送される前記支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより前記極薄銅層表面に粗化粒子層を形成することで行う。
本発明は更に別の一側面において、支持銅箔上に積層された剥離層上に積層されて、前記支持銅箔及び前記剥離層と共に極薄銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、前記極薄銅層を１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅層（但し、前記極薄銅層を３ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、前記式で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅層を除く）である。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅層（但し、前記極薄銅層を３ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、前記式で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅層を除く）である。
本発明の極薄銅層は一実施形態において、支持銅箔上に積層された剥離層上に積層されて、前記支持銅箔及び前記剥離層と共に極薄銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、表面に粗化粒子層を有する。
本発明は更に別の一側面において、本発明の極薄銅箔を用いて製造されたプリント配線板である。
本発明は更に別の一側面において、本発明の極薄銅層を用いたプリント配線板である。
本発明によれば、支持銅箔上の極薄銅層の厚み精度を向上させた極薄銅箔を提供することができる。
＜１．支持銅箔＞
本発明に用いることのできる支持銅箔は、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
本発明に用いることのできる支持銅箔は、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
本発明に用いることのできる支持銅箔の厚さについても特に制限はないが、支持銅箔としての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば１２μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、支持銅箔の厚みは典型的には１２〜７０μｍであり、より典型的には１８〜３５μｍである。
＜２．剥離層＞
支持銅箔上には剥離層を設ける。剥離層は、ニッケル、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金、クロム等を用いて形成することができる。剥離層は、極薄銅層から支持銅箔を剥がすときに剥離する部分であるが、支持銅箔から銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果を持たせることもできる。
支持銅箔として電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点から低粗度面に剥離層を設けることが好ましい。剥離層はめっき、スパッタリング、ＣＶＤ、物理蒸着等の方法を用いて設けることができる。
また、剥離層としては、キャリア付銅箔において当業者に知られた任意の剥離層とすることができる。例えば、剥離層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎまたはこれらの合金、またはこれらの水和物、またはこれらの酸化物、あるいは有機物の何れか一種以上を含む層で形成することが好ましい。剥離層は複数の層で構成されても良い。なお、剥離層は拡散防止機能を有することができる。ここで拡散防止層とは母材からの元素を極薄銅層側への拡散を防止する働きを有する層である。
支持銅箔上には剥離層を設ける。剥離層は、ニッケル、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金、クロム等を用いて形成することができる。剥離層は、極薄銅層から支持銅箔を剥がすときに剥離する部分であるが、支持銅箔から銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果を持たせることもできる。
支持銅箔として電解銅箔を使用する場合には、ピンホールを減少させる観点から低粗度面に剥離層を設けることが好ましい。剥離層はめっき、スパッタリング、ＣＶＤ、物理蒸着等の方法を用いて設けることができる。
また、剥離層としては、キャリア付銅箔において当業者に知られた任意の剥離層とすることができる。例えば、剥離層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎまたはこれらの合金、またはこれらの水和物、またはこれらの酸化物、あるいは有機物の何れか一種以上を含む層で形成することが好ましい。剥離層は複数の層で構成されても良い。なお、剥離層は拡散防止機能を有することができる。ここで拡散防止層とは母材からの元素を極薄銅層側への拡散を防止する働きを有する層である。
本発明の一実施形態において、剥離層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、又は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層（これらは拡散防止機能をもつ）と、その上に積層されたＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎの元素群から選択された一種以上の元素の水和物または酸化物からなる層とから構成される。なお、各元素の合計付着量は例えば１〜６０００μｇ／ｄｍ2とすることができる。
剥離層はＮｉ及びＣｒの２層で構成されることが好ましい。この場合、Ｎｉ層は銅箔キャリアとの界面に、Ｃｒ層は極薄銅層との界面にそれぞれ接するようにして積層することが好ましい。また、Ｎｉ及びＣｒの２層にＺｎが含まれてもよい。
剥離層は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、ＣＶＤ及びＰＤＶのような乾式めっきにより得ることができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。
＜３．極薄銅層＞
剥離層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的には支持銅箔よりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１０μｍであり、より典型的には１〜５μｍである。
剥離層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的には支持銅箔よりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１０μｍであり、より典型的には１〜５μｍである。
＜４．粗化処理＞
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか一種以上を含む合金からなる層等であってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層（例えば２層以上、３層以上など）で形成されてもよい。
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか一種以上を含む合金からなる層等であってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層（例えば２層以上、３層以上など）で形成されてもよい。
＜５．極薄銅箔＞
極薄銅箔は、支持銅箔と、支持銅箔上に形成された剥離層と、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備える。極薄銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。本発明に係る極薄銅箔の場合、剥離箇所は主として剥離層と極薄銅層の界面である。
極薄銅箔は、支持銅箔と、支持銅箔上に形成された剥離層と、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備える。極薄銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。本発明に係る極薄銅箔の場合、剥離箇所は主として剥離層と極薄銅層の界面である。
＜６．極薄銅箔の製造方法＞
次に、本発明に係る極薄銅箔の製造方法を説明する。図２は、本発明の実施形態１に係る極薄銅箔の製造方法に係る運箔方式を示す模式図である。本発明の実施形態１に係る極薄銅箔の製造方法は、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の支持銅箔の表面を処理することで、支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔を製造する方法である。本発明の実施形態１に係る極薄銅箔の製造方法は、搬送ロールで搬送される支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより支持銅箔表面に極薄銅層を形成する工程と、剥離層が形成された支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより極薄銅層表面に粗化粒子層を形成する工程とを含む。各工程ではドラムにて支持されている支持銅箔の処理面がカソードを兼ねており、このドラムと、ドラムに対向するように設けられたアノードとの間のめっき液中で各電解めっきが行われる。
次に、本発明に係る極薄銅箔の製造方法を説明する。図２は、本発明の実施形態１に係る極薄銅箔の製造方法に係る運箔方式を示す模式図である。本発明の実施形態１に係る極薄銅箔の製造方法は、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の支持銅箔の表面を処理することで、支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔を製造する方法である。本発明の実施形態１に係る極薄銅箔の製造方法は、搬送ロールで搬送される支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより支持銅箔表面に極薄銅層を形成する工程と、剥離層が形成された支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより極薄銅層表面に粗化粒子層を形成する工程とを含む。各工程ではドラムにて支持されている支持銅箔の処理面がカソードを兼ねており、このドラムと、ドラムに対向するように設けられたアノードとの間のめっき液中で各電解めっきが行われる。
本発明では、長尺状の支持銅箔をロール・ツウ・ロール搬送方式で搬送するために、支持銅箔の長さ方向に張力をかけながら搬送している。張力は、各搬送ロールを駆動モーターと接続する等によりトルクをかけることで調整することができる。支持銅箔の搬送張力は０．０１〜０．２ｋｇ／ｍｍが好ましい。搬送張力が０．０１ｋｇ／ｍｍ未満ではドラムとの密着力が弱く、所望の厚みに各層を形成することが困難となる。また、装置の構造にもよるがスリップ等の問題が生じやすく、さらに支持銅箔の巻きが緩くなり、巻きずれ等の問題が生じやすい。一方、搬送張力が０．２ｋｇ／ｍｍ超では、わずかな支持銅箔の位置ズレでもオレシワが発生しやすく、装置管理の観点からも好ましくない。また、巻きが硬く、巻き締まりシワ等が生じやすい。支持銅箔の搬送張力は、より好ましくは０．０２〜０．１ｋｇ／ｍｍである。
実施形態１では、剥離層と粗化粒子層とを、いずれも、ドラムで支持銅箔を支持しながら、電解めっきにより形成しているが、これに限定されない。例えば、実施形態２として、図３に示すように、粗化粒子層の形成を従来の支持銅箔へのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた電解めっきにより形成してもよい。また、実施形態３として、図４に示すように、剥離層及び粗化粒子層の形成を、いずれも従来の支持銅箔へのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた電解めっきにより形成してもよい。ただし、実施形態２および３は、実施形態１にように全ての工程をドラムを用いた運箔方式で行っていないため、実施形態１に比べて、電解めっきの際の極間距離を一定にするのが難しく、剥離層及び／又は粗化粒子層の厚み精度は劣る。
本発明は、上述のように、支持銅箔をドラムで支持することで電解めっきにおけるアノード−カソード間の極間距離が安定する。このため、形成する層の厚みのバラツキが良好に抑制され、厚み精度の高い極薄銅層を有する極薄銅箔の作製が可能となる。
このように作製された極薄銅箔は、重量厚み法にて測定した極薄銅層の厚み精度が３．０％以下、好ましくは２．０％以下であり、極めて厚み精度が良好となっている。なお、下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
ここで、重量厚み法による厚み精度の測定方法を説明する。本発明で用いる重量厚み法は、試料とする極薄銅層を広い領域（１０ｃｍ×１０ｃｍ）で測定するものと、狭い領域（３ｃｍ×３ｃｍ）で測定するものとの２種類があり、本発明の極薄銅層は、いずれの測定法を用いても、厚み精度が３．０％以下と小さく良好となっている。
本発明で用いる重量厚み法を、上述の広い領域（１０ｃｍ×１０ｃｍ）で測定する場合について説明する。まず、支持銅箔並びに極薄銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度支持銅箔の重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係る極薄銅箔又は極薄銅層において、試料とする極薄銅層を上述の広い領域（１０ｃｍ×１０ｃｍ）で測定した厚み精度（％）は、３．０％以下であり、２．５％以下であることがより好ましく、２．０％以下であることが更により好ましく、１．５％以下であることが更により好ましく、１．３％以下であることが更により好ましく、１．０％以下であることが更により好ましい。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係る極薄銅箔又は極薄銅層において、試料とする極薄銅層を上述の広い領域（１０ｃｍ×１０ｃｍ）で測定した厚み精度（％）は、３．０％以下であり、２．５％以下であることがより好ましく、２．０％以下であることが更により好ましく、１．５％以下であることが更により好ましく、１．３％以下であることが更により好ましく、１．０％以下であることが更により好ましい。
次に、本発明で用いる重量厚み法を、上述の狭い領域（３ｃｍ×３ｃｍ）で測定する場合について説明する。まず、支持銅箔並びに極薄銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度支持銅箔の重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた３ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で６点（４ｃｍ間隔）、計６０点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求める。なお、重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係る極薄銅箔又は極薄銅層において、試料とする極薄銅層を上述の狭い領域（３ｃｍ×３ｃｍ）で測定した厚み精度（％）は、３．０％以下であることが好ましく、２．５％以下であることがより好ましく、２．０％以下であることが更により好ましく、１．５％以下であることが更により好ましく、１．３％以下であることが更により好ましく、１．０％以下であることが更により好ましい。このように、上述の広い領域（１０ｃｍ×１０ｃｍ）で測定した厚み精度（％）に加えて、当該狭い領域（３ｃｍ×３ｃｍ）で測定した厚み精度（％）についても制御することで、より厚み精度の高い極薄銅箔又は極薄銅層を得ることができる。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
本発明に係る極薄銅箔又は極薄銅層において、試料とする極薄銅層を上述の狭い領域（３ｃｍ×３ｃｍ）で測定した厚み精度（％）は、３．０％以下であることが好ましく、２．５％以下であることがより好ましく、２．０％以下であることが更により好ましく、１．５％以下であることが更により好ましく、１．３％以下であることが更により好ましく、１．０％以下であることが更により好ましい。このように、上述の広い領域（１０ｃｍ×１０ｃｍ）で測定した厚み精度（％）に加えて、当該狭い領域（３ｃｍ×３ｃｍ）で測定した厚み精度（％）についても制御することで、より厚み精度の高い極薄銅箔又は極薄銅層を得ることができる。
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によって何ら限定されるものではない。
１．極薄銅箔の製造
支持銅箔として、表１に記載の厚さの長尺の支持銅箔を準備した。実施例１、３、５〜７、１０、１３、１５、１６、比較例１、２の銅箔は、電解銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製ＪＴＣ）を用い、実施例２、４、８、９、１１、１２、１４、１７、比較例３、４の銅箔は、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製タフピッチ銅箔（ＪＩＳ−Ｈ３１００−Ｃ１１００））を用いた。この銅箔のシャイニー面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続ラインで以下の条件で表１に記載の剥離層、極薄銅層及び粗化粒子層の各形成処理を行った。ここで、実施例１〜３、１７は上述の図４で示した実施形態３に係る方式で作製したものであり、実施例４〜９は上述の図３で示した実施形態２に係る方式で作製したものであり、実施例１０〜１６は上述の図２で示した実施形態１に係る方式で作製したものである。また、比較例１〜３は、上述の図１で示した従来方式で作製したものである。
支持銅箔として、表１に記載の厚さの長尺の支持銅箔を準備した。実施例１、３、５〜７、１０、１３、１５、１６、比較例１、２の銅箔は、電解銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製ＪＴＣ）を用い、実施例２、４、８、９、１１、１２、１４、１７、比較例３、４の銅箔は、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製タフピッチ銅箔（ＪＩＳ−Ｈ３１００−Ｃ１１００））を用いた。この銅箔のシャイニー面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続ラインで以下の条件で表１に記載の剥離層、極薄銅層及び粗化粒子層の各形成処理を行った。ここで、実施例１〜３、１７は上述の図４で示した実施形態３に係る方式で作製したものであり、実施例４〜９は上述の図３で示した実施形態２に係る方式で作製したものであり、実施例１０〜１６は上述の図２で示した実施形態１に係る方式で作製したものである。また、比較例１〜３は、上述の図１で示した従来方式で作製したものである。
（剥離層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：支持銅箔処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された支持銅箔表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：支持銅箔処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された支持銅箔表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ4：１００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：６．７
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：５Ａ／ｄｍ2
・電解めっき時間：１０秒
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（極薄銅層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：支持銅箔処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：５０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された支持銅箔表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１００ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：８０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ
・電解めっきの浴温：５５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：支持銅箔処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：５０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された支持銅箔表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１００ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：８０ｇ／Ｌ、Ｃｌ：６０ｐｐｍ
・電解めっきの浴温：５５℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（粗化粒子層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：支持銅箔処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された支持銅箔表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：２０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：支持銅箔処理面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：１０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された支持銅箔表面
・極間距離（表１に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：２０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：５０ｇ／Ｌ）
・電解めっきの浴温：４０℃
・電解めっきの電流密度：３０Ａ／ｄｍ2
・支持銅箔搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
２．極薄銅箔の評価
上記のようにして得られた極薄銅箔について、以下の方法で厚み精度の評価を実施した。結果を表１に示す。
上記のようにして得られた極薄銅箔について、以下の方法で厚み精度の評価を実施した。結果を表１に示す。
＜重量厚み法による厚み精度の評価Ａ＞
まず、支持銅箔並びに極薄銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度支持銅箔の重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた３ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で６点（４ｃｍ間隔）、計６０点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
まず、支持銅箔並びに極薄銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度支持銅箔の重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた３ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に１０点、長さ方向で６点（４ｃｍ間隔）、計６０点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
＜重量厚み法による厚み精度の評価Ｂ＞
まず、支持銅箔並びに極薄銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度支持銅箔の重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
まず、支持銅箔並びに極薄銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度支持銅箔の重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
＜回路幅バラツキの評価＞
極薄銅層について、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝２０μｍ／２０μｍ、長さ２００μｍの回路を作成し、１０μｍ間隔で１０点回路幅を測定し、前記測定した１０点の回路幅の平均値並びに標準偏差（σ回路幅）を求め、以下の式によって回路幅バラツキを算出した：
回路幅バラツキ（％／μｍ）＝３σ回路幅（μｍ）×１００／（回路幅の平均値（μｍ）×極薄銅層の厚み（μｍ））
極薄銅層の厚みによって、エッチング時間が変わり、それによって回路幅バラツキも変わると考えられる。そのため、極薄銅層の厚みの影響を小さくするため、３σ回路幅（μｍ）×１００／回路幅の平均値（μｍ）の値を、極薄銅層の厚み（μｍ）の値を除している。
上記回路幅バラツキの算出結果を以下の基準によりａ〜ｇで評価した。
ａ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ未満
ｂ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ以上０．２０％／μｍ未満
ｃ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２０％／μｍ以上０．２５％／μｍ未満
ｄ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２５％／μｍ以上０．２６％／μｍ未満
ｅ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２６％／μｍ以上０．２８％／μｍ未満
ｆ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２８％／μｍ以上０．３０％／μｍ未満
ｇ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．３０％／μｍ以上
極薄銅層について、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝２０μｍ／２０μｍ、長さ２００μｍの回路を作成し、１０μｍ間隔で１０点回路幅を測定し、前記測定した１０点の回路幅の平均値並びに標準偏差（σ回路幅）を求め、以下の式によって回路幅バラツキを算出した：
回路幅バラツキ（％／μｍ）＝３σ回路幅（μｍ）×１００／（回路幅の平均値（μｍ）×極薄銅層の厚み（μｍ））
極薄銅層の厚みによって、エッチング時間が変わり、それによって回路幅バラツキも変わると考えられる。そのため、極薄銅層の厚みの影響を小さくするため、３σ回路幅（μｍ）×１００／回路幅の平均値（μｍ）の値を、極薄銅層の厚み（μｍ）の値を除している。
上記回路幅バラツキの算出結果を以下の基準によりａ〜ｇで評価した。
ａ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ未満
ｂ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．１５％／μｍ以上０．２０％／μｍ未満
ｃ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２０％／μｍ以上０．２５％／μｍ未満
ｄ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２５％／μｍ以上０．２６％／μｍ未満
ｅ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２６％／μｍ以上０．２８％／μｍ未満
ｆ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．２８％／μｍ以上０．３０％／μｍ未満
ｇ：回路幅バラツキ（％／μｍ）が０．３０％／μｍ以上
（評価結果）
実施例１〜１７は重量厚み法（評価Ｂ）による厚み精度は３％以下であるため回路幅バラツキが小さく良好な結果となった。
また、さらに実施例１〜１６は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ａ）による厚み精度も３％以下であるため、厚みバラツキがより良好に抑制されていた。その結果、実施例１〜１６は回路幅バラツキが更に小さく、より良好な結果となった。
比較例１〜４は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ａ及びＢ）による厚み精度がいずれも３％超であり、厚みバラツキが大きかった。
また、表１の結果より、回路幅バラツキａ〜ｇについて、評価ａは重量厚み法による評価Ｂの厚み精度が１．５％以下のときに対応しており、評価ｂは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも２．０％以下のときに対応しており、評価ｃは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも２．５％以下のときに対応しており、評価ｄは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度のうちいずれか一方が２．５％以下のときに対応しており、評価ｅは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも３．０％以下のときに対応しており、評価ｆは重量厚み法による評価Ｂの厚み精度が３．０％以下のときに対応しており、評価ｇは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも３．０％超のときに対応していることが認められる。このため、極薄銅層の厚み精度と、それを用いて作製した回路の幅のバラツキとには密接な相関関係があることがわかる。
実施例１〜１７は重量厚み法（評価Ｂ）による厚み精度は３％以下であるため回路幅バラツキが小さく良好な結果となった。
また、さらに実施例１〜１６は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ａ）による厚み精度も３％以下であるため、厚みバラツキがより良好に抑制されていた。その結果、実施例１〜１６は回路幅バラツキが更に小さく、より良好な結果となった。
比較例１〜４は、極薄銅層について、重量厚み法（評価Ａ及びＢ）による厚み精度がいずれも３％超であり、厚みバラツキが大きかった。
また、表１の結果より、回路幅バラツキａ〜ｇについて、評価ａは重量厚み法による評価Ｂの厚み精度が１．５％以下のときに対応しており、評価ｂは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも２．０％以下のときに対応しており、評価ｃは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも２．５％以下のときに対応しており、評価ｄは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度のうちいずれか一方が２．５％以下のときに対応しており、評価ｅは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも３．０％以下のときに対応しており、評価ｆは重量厚み法による評価Ｂの厚み精度が３．０％以下のときに対応しており、評価ｇは重量厚み法による評価Ａ及びＢの厚み精度がいずれも３．０％超のときに対応していることが認められる。このため、極薄銅層の厚み精度と、それを用いて作製した回路の幅のバラツキとには密接な相関関係があることがわかる。
Claims (10)
- 支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔であって、
前記極薄銅層を１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔
（但し、前記極薄銅層を３ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、前記式で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅箔を除く）。 - 前記極薄銅層表面に粗化粒子層を有する請求項１に記載の極薄銅箔。
- ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状の支持銅箔の表面を処理することで、支持銅箔と、支持銅箔上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えた極薄銅箔を製造する方法であり、
搬送ロールで搬送される支持銅箔の表面に剥離層を形成する工程と、
搬送ロールで搬送される前記剥離層が形成された支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより前記剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、
を含む請求項１又は２に記載の極薄銅箔の製造方法。 - 前記剥離層を形成する工程は、搬送ロールで搬送される前記支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより前記支持銅箔表面に極薄銅層を形成することで行う請求項３に記載の極薄銅箔の製造方法。
- 搬送ロールで搬送される前記支持銅箔の極薄銅層表面に、粗化粒子層を形成する工程をさらに含む請求項３又は４に記載の極薄銅箔の製造方法。
- 前記粗化粒子層を形成する工程は、搬送ロールで搬送される前記支持銅箔をドラムで支持しながら、電解めっきにより前記極薄銅層表面に粗化粒子層を形成することで行う請求項５に記載の極薄銅箔の製造方法。
- 支持銅箔上に積層された剥離層上に積層されて、前記支持銅箔及び前記剥離層と共に極薄銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
前記極薄銅層を１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、下記式：
厚み精度（％）＝３σ×１００／重量厚み測定値の平均値
で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅層
（但し、前記極薄銅層を３ｃｍ角シートとして、重量厚み法にて重量厚み測定値の平均値及び標準偏差（σ）を測定し、前記式で求めた重量厚み精度が３．０％以下である極薄銅層を除く）。 - 支持銅箔上に積層された剥離層上に積層されて、前記支持銅箔及び前記剥離層と共に極薄銅箔を構成するための、電解銅箔による極薄銅層であって、
表面に粗化粒子層を有する請求項７に記載の極薄銅層。 - 請求項１又は２に記載の極薄銅箔を用いて製造されたプリント配線板。
- 請求項７又は８に記載の極薄銅層を用いたプリント配線板。
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