JPH04341596A - 極薄銅張積層板の連続製造装置 - Google Patents
極薄銅張積層板の連続製造装置Info
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- JPH04341596A JPH04341596A JP11355191A JP11355191A JPH04341596A JP H04341596 A JPH04341596 A JP H04341596A JP 11355191 A JP11355191 A JP 11355191A JP 11355191 A JP11355191 A JP 11355191A JP H04341596 A JPH04341596 A JP H04341596A
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 139
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 91
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 46
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- -1 etc.) Polymers 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003556 H2 SO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002677 Pd–Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N Sulfurous acid Chemical compound OS(O)=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007565 Zn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007609 Zn—S Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002198 insoluble material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005070 ripening Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229910006592 α-Sn Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
- H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は極薄銅張積層板の連続製
造装置に関し、更に詳しくは、ファインパターンのプリ
ント配線板の素材である極薄銅張積層板を、高速めっき
法と転写法を組合わせることによって極めて高い生産性
の下で連続的に製造する装置に関する。
造装置に関し、更に詳しくは、ファインパターンのプリ
ント配線板の素材である極薄銅張積層板を、高速めっき
法と転写法を組合わせることによって極めて高い生産性
の下で連続的に製造する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】プリント配線板の素材である銅張積層板
を製造する方法の1つに転写法がある。この転写法で銅
張積層板を製造する際には、まず、導電性の金属シート
や金属単板のような導電基材の表面に、例えば、電解銅
めっき処理を施して前記導電基材の表面に銅を電着する
ことにより、所定厚みの銅箔を形成する。ついで、この
銅箔の表面に、例えばプリプレグ薄帯のような絶縁基材
を熱圧着して、銅箔とプリプレグ薄帯を一体に積層する
。その後、この一体積層体から前記した導電基材のみを
分離して、プリプレグ薄帯側に銅箔を残置せしめる。 かくして、絶縁基材の表面には、銅箔が転写された銅張
積層板が得られる。
を製造する方法の1つに転写法がある。この転写法で銅
張積層板を製造する際には、まず、導電性の金属シート
や金属単板のような導電基材の表面に、例えば、電解銅
めっき処理を施して前記導電基材の表面に銅を電着する
ことにより、所定厚みの銅箔を形成する。ついで、この
銅箔の表面に、例えばプリプレグ薄帯のような絶縁基材
を熱圧着して、銅箔とプリプレグ薄帯を一体に積層する
。その後、この一体積層体から前記した導電基材のみを
分離して、プリプレグ薄帯側に銅箔を残置せしめる。 かくして、絶縁基材の表面には、銅箔が転写された銅張
積層板が得られる。
【0003】ところで、最近は、プリント配線板の高機
能化ということから、このプリント配線板に搭載する各
種素子の高密度実装が要求され、それに伴い微細な回路
パターンを形成できる高密度プリント配線板の研究が進
められている。このような高密度プリント配線板を得る
ためには、その厚みが極めて薄い銅箔、例えば厚みが3
〜12μmの極薄銅箔を備えた極薄銅張積層板を素材と
することが有利である。
能化ということから、このプリント配線板に搭載する各
種素子の高密度実装が要求され、それに伴い微細な回路
パターンを形成できる高密度プリント配線板の研究が進
められている。このような高密度プリント配線板を得る
ためには、その厚みが極めて薄い銅箔、例えば厚みが3
〜12μmの極薄銅箔を備えた極薄銅張積層板を素材と
することが有利である。
【0004】その理由は、この極薄銅張積層板の場合、
銅箔が極薄であるためクイックエッチングが可能となっ
て、ファインな回路パターンであっても、エッチングの
過程でアンダーカットやオーバーハングなどを発生する
ことがなく、安定した品質のプリント配線板を製造する
ことができるからである。このような極薄銅張積層板を
製造する方法に関しては、例えば、米国特許第3,98
4,598号明細書や特表昭61−500840号公報
に記載されている方法、更には特開昭62−27575
0号公報に記載されている方法などが知られている。
銅箔が極薄であるためクイックエッチングが可能となっ
て、ファインな回路パターンであっても、エッチングの
過程でアンダーカットやオーバーハングなどを発生する
ことがなく、安定した品質のプリント配線板を製造する
ことができるからである。このような極薄銅張積層板を
製造する方法に関しては、例えば、米国特許第3,98
4,598号明細書や特表昭61−500840号公報
に記載されている方法、更には特開昭62−27575
0号公報に記載されている方法などが知られている。
【0005】これらの方法は、いずれも、前記した転写
法で極薄銅張積層板を製造する方法である。そして、こ
れら方法のうち、特開昭62−275750号公報に記
載の方法は、極薄銅箔の形成を高速めっき法で行うため
、高い生産性を備えた方法であるということができる。 しかしながら、上記した方法はいずれも連続的に極薄銅
張積層板を製造する方法とはいえず、いわゆるステンレ
ス板のような単板の表面に銅箔を形成するバッチ方法で
ある。
法で極薄銅張積層板を製造する方法である。そして、こ
れら方法のうち、特開昭62−275750号公報に記
載の方法は、極薄銅箔の形成を高速めっき法で行うため
、高い生産性を備えた方法であるということができる。 しかしながら、上記した方法はいずれも連続的に極薄銅
張積層板を製造する方法とはいえず、いわゆるステンレ
ス板のような単板の表面に銅箔を形成するバッチ方法で
ある。
【0006】そのため、これらの方法による極薄銅張積
層板の生産性は高いとはいえず、需要増とも相俟って、
より一層高い生産性の下で連続的に製造することの開発
が要求されはじめている。
層板の生産性は高いとはいえず、需要増とも相俟って、
より一層高い生産性の下で連続的に製造することの開発
が要求されはじめている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の転写
法による極薄銅張積層板の製造がバッチで行われている
という問題を解決し、しかも、高速めっき法を組込むこ
とにより、転写法による極薄銅張積層板を高い生産性の
下で連続的に製造するための装置の提供を目的とする。
法による極薄銅張積層板の製造がバッチで行われている
という問題を解決し、しかも、高速めっき法を組込むこ
とにより、転写法による極薄銅張積層板を高い生産性の
下で連続的に製造するための装置の提供を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、張力が付加されて装置内を
循環走行する金属シートと、前記金属シートの片面に厚
みが3〜12μmの極薄銅箔を高速めっきする高速めっ
き装置と、前記高速めっき装置の下流側に配置され、連
続供給される絶縁基材に前記金属シートの前記極薄銅箔
側を熱圧着して前記極薄銅箔を前記絶縁基材に転写した
のち前記極薄銅箔と前記金属シートを分離する転写・分
離装置を必須として備えている極薄銅張積層板の連続製
造装置において、前記高速めっき装置が、自由回転する
陰極ドラムと、前記陰極ドラムの下方に前記陰極ドラム
と離隔して配置され、その中央部には横幅方向に延びる
スリット孔が形成されていてかつ前記陰極ドラムとの対
向面は前記陰極ドラムの外周面と同一曲率の曲面になっ
ている陽極と、前記陰極ドラムの外周面を圧接した状態
で前記陰極ドラムを回転可能に支持する回転ロールを備
えためっき槽とから成り、前記陰極ドラムの外周面と密
着して前記金属シートを走行させながら前記スリット孔
から銅めっき浴を噴流させて前記金属シートの片面に極
薄銅箔を電解めっきするの極薄銅張積層板の連続製造装
置が提供される。
ために、本発明においては、張力が付加されて装置内を
循環走行する金属シートと、前記金属シートの片面に厚
みが3〜12μmの極薄銅箔を高速めっきする高速めっ
き装置と、前記高速めっき装置の下流側に配置され、連
続供給される絶縁基材に前記金属シートの前記極薄銅箔
側を熱圧着して前記極薄銅箔を前記絶縁基材に転写した
のち前記極薄銅箔と前記金属シートを分離する転写・分
離装置を必須として備えている極薄銅張積層板の連続製
造装置において、前記高速めっき装置が、自由回転する
陰極ドラムと、前記陰極ドラムの下方に前記陰極ドラム
と離隔して配置され、その中央部には横幅方向に延びる
スリット孔が形成されていてかつ前記陰極ドラムとの対
向面は前記陰極ドラムの外周面と同一曲率の曲面になっ
ている陽極と、前記陰極ドラムの外周面を圧接した状態
で前記陰極ドラムを回転可能に支持する回転ロールを備
えためっき槽とから成り、前記陰極ドラムの外周面と密
着して前記金属シートを走行させながら前記スリット孔
から銅めっき浴を噴流させて前記金属シートの片面に極
薄銅箔を電解めっきするの極薄銅張積層板の連続製造装
置が提供される。
【0009】
【作用】本発明装置において、金属シートは弛緩するこ
となく装置内をエンドレスに循環走行し、その過程で片
面には3〜12μmの極薄銅箔が連続的に高速めっきさ
れる。そのため、極薄銅箔の形成に要する時間は通常の
電解めっきの場合に比べて極めて短縮化される。
となく装置内をエンドレスに循環走行し、その過程で片
面には3〜12μmの極薄銅箔が連続的に高速めっきさ
れる。そのため、極薄銅箔の形成に要する時間は通常の
電解めっきの場合に比べて極めて短縮化される。
【0010】そして、この極薄銅箔は、同じく連続的に
供給される絶縁基材と熱圧着されて連続的に一体化され
たのち金属シートのみが分離されることにより絶縁基材
側に転写されて、極薄銅張積層板が連続的に製造される
。分離した金属シートは再び高速めっき装置に回帰して
ここで再び極薄銅箔が形成される。この過程が反復する
ことにより、本発明装置によれば、従来に比べて短い周
期で、しかも連続的に極薄銅張積層板を製造することが
できるようになる。
供給される絶縁基材と熱圧着されて連続的に一体化され
たのち金属シートのみが分離されることにより絶縁基材
側に転写されて、極薄銅張積層板が連続的に製造される
。分離した金属シートは再び高速めっき装置に回帰して
ここで再び極薄銅箔が形成される。この過程が反復する
ことにより、本発明装置によれば、従来に比べて短い周
期で、しかも連続的に極薄銅張積層板を製造することが
できるようになる。
【0011】
【発明の実施例】以下に、好適な実施例を示す添付図面
に基づいて本発明装置とその作用を詳細に説明する。図
1は、本発明の連続製造装置を構成する各要素装置の配
置状態を示す概略構成図である。
に基づいて本発明装置とその作用を詳細に説明する。図
1は、本発明の連続製造装置を構成する各要素装置の配
置状態を示す概略構成図である。
【0012】図において、まず全体の中央には後述する
転写・分離装置1が位置し、その両側に金属シートに極
薄銅箔を形成するためのめっき系A,Bが配置されてい
る。この各めっき系A,Bは左右対称の構成になってい
るので、以後の説明は右側のめっき系Aに関して行う。 なお、めっき系は転写・分離装置1の左右に必ず位置し
なければならないということではなく、左右いずれかに
配置されていてもよい。
転写・分離装置1が位置し、その両側に金属シートに極
薄銅箔を形成するためのめっき系A,Bが配置されてい
る。この各めっき系A,Bは左右対称の構成になってい
るので、以後の説明は右側のめっき系Aに関して行う。 なお、めっき系は転写・分離装置1の左右に必ず位置し
なければならないということではなく、左右いずれかに
配置されていてもよい。
【0013】まず、本発明装置における必須の要素は、
前記した転写・分離装置1,高速めっき装置2、および
これら両装置の間を矢印p方向に循環して走行する金属
シート3である。この金属シート3は、ロール4a,4
b,4c,4dを介してループを描いて循環走行するが
、そのとき、図示しない張力付加手段によって常時走行
方向への張力が付加されるようになっていて、矢印p方
向への循環走行時には常時緊張した状態にあり走行方向
で弛緩しないようになっている。
前記した転写・分離装置1,高速めっき装置2、および
これら両装置の間を矢印p方向に循環して走行する金属
シート3である。この金属シート3は、ロール4a,4
b,4c,4dを介してループを描いて循環走行するが
、そのとき、図示しない張力付加手段によって常時走行
方向への張力が付加されるようになっていて、矢印p方
向への循環走行時には常時緊張した状態にあり走行方向
で弛緩しないようになっている。
【0014】金属シート3としては、高速めっき装置2
や後述の各要素装置で使用する各種薬品に対して耐薬品
性,耐食性を有し、また適宜な剛性を有する材料のシー
トであることが好ましく、例えば、ハードニング処理が
施されたSUS630のようなステンレス鋼のシートや
、チタンまたはチタン合金のシートが好適である。なお
、ステンレス鋼のシートとしては、更に、SUS301
,SUS631,SUS316などのシートであっても
使用することができる。
や後述の各要素装置で使用する各種薬品に対して耐薬品
性,耐食性を有し、また適宜な剛性を有する材料のシー
トであることが好ましく、例えば、ハードニング処理が
施されたSUS630のようなステンレス鋼のシートや
、チタンまたはチタン合金のシートが好適である。なお
、ステンレス鋼のシートとしては、更に、SUS301
,SUS631,SUS316などのシートであっても
使用することができる。
【0015】循環走行する金属シート3は、高速めっき
装置2でその片面に厚み3〜12μmの極薄銅箔が形成
される。この高速めっき装置2においては、走行する金
属シート3の片面を陰極面とし、この陰極面から離隔し
て鉛合金,チタンまたはチタン合金のような不溶性材料
から成る陽極をその面が前記陰極面と平行になるように
対向配置し、この陰極面と陽極面との間隙に所定の銅め
っき浴を強制的に供給することにより、前記陰極面、す
なわち金属シート3の片面に連続的に極薄銅箔が形成さ
れる。
装置2でその片面に厚み3〜12μmの極薄銅箔が形成
される。この高速めっき装置2においては、走行する金
属シート3の片面を陰極面とし、この陰極面から離隔し
て鉛合金,チタンまたはチタン合金のような不溶性材料
から成る陽極をその面が前記陰極面と平行になるように
対向配置し、この陰極面と陽極面との間隙に所定の銅め
っき浴を強制的に供給することにより、前記陰極面、す
なわち金属シート3の片面に連続的に極薄銅箔が形成さ
れる。
【0016】このときの金属シート3の面と陽極面との
面間隔は3〜30mmに設定されることが好ましい。こ
の面間隔が3mm未満の場合は、両面がわずかでも相互
に平行になっていないときには、形成される極薄銅箔の
厚みが不均一になりやすく、均一な厚みの極薄銅箔を連
続的に形成することが困難となる。また面間隙が30m
mを超える場合は、めっき時に電流効率が低下してしま
うからである。
面間隔は3〜30mmに設定されることが好ましい。こ
の面間隔が3mm未満の場合は、両面がわずかでも相互
に平行になっていないときには、形成される極薄銅箔の
厚みが不均一になりやすく、均一な厚みの極薄銅箔を連
続的に形成することが困難となる。また面間隙が30m
mを超える場合は、めっき時に電流効率が低下してしま
うからである。
【0017】この高速めっき装置2で用いる銅めっき浴
としては、金属銅濃度が0.20〜2.0モル/l,好
ましくは0.35〜0.98モル/l,最も好ましくは
1.4〜1.6モル/lであり、硫酸濃度が50〜22
0g/lである硫酸銅めっき浴が好適なものである。ま
た、ピロリン酸銅めっき浴等の通常のめっき浴を使用す
ることもできる。
としては、金属銅濃度が0.20〜2.0モル/l,好
ましくは0.35〜0.98モル/l,最も好ましくは
1.4〜1.6モル/lであり、硫酸濃度が50〜22
0g/lである硫酸銅めっき浴が好適なものである。ま
た、ピロリン酸銅めっき浴等の通常のめっき浴を使用す
ることもできる。
【0018】この銅めっき浴は、金属シート3に対する
接液スピードが2.6〜20m/secとなるように、
図示しない供給手段を用いて金属シートと陽極との間隙
に強制的に供給され、また電流密度は15〜400A/
dm2 が好適である。この接液スピードが2.6m/
sec より遅い場合は、金属シートに形成される極薄
銅箔にめっき焼けが生じ、極薄銅箔の物性が低下する虞
れがあり、また20m/sec より速くすることは、
設備的に困難であり、工業的とはいえない。そして、電
流密度が15A/dm2 より低い場合は、金属シート
3の走行速度を遅くしなければ均一な厚みの極薄銅箔を
形成できないので経済的に不利となり、また400A/
dm2 より高い場合は、金属銅がコブ状に析出する虞
れがあり平滑な極薄銅箔を形成できなくなる。
接液スピードが2.6〜20m/secとなるように、
図示しない供給手段を用いて金属シートと陽極との間隙
に強制的に供給され、また電流密度は15〜400A/
dm2 が好適である。この接液スピードが2.6m/
sec より遅い場合は、金属シートに形成される極薄
銅箔にめっき焼けが生じ、極薄銅箔の物性が低下する虞
れがあり、また20m/sec より速くすることは、
設備的に困難であり、工業的とはいえない。そして、電
流密度が15A/dm2 より低い場合は、金属シート
3の走行速度を遅くしなければ均一な厚みの極薄銅箔を
形成できないので経済的に不利となり、また400A/
dm2 より高い場合は、金属銅がコブ状に析出する虞
れがあり平滑な極薄銅箔を形成できなくなる。
【0019】なお、金属シート3の表面近傍においては
、供給される銅めっき浴のレイノルズ数(Re)が約2
300以上の乱流となっていることが好ましい。その理
由は、一般に、高電流密度を適用して電解銅めっきを行
うと堆積めっき銅層の銅結晶は粗くなるが、この問題が
前記乱流の形成によって解消され、金属シートの表面に
は、極めて緻密な結晶構造の銅が堆積して、形成された
極薄銅箔にはピンホールがほとんど発生しなくなるから
である。
、供給される銅めっき浴のレイノルズ数(Re)が約2
300以上の乱流となっていることが好ましい。その理
由は、一般に、高電流密度を適用して電解銅めっきを行
うと堆積めっき銅層の銅結晶は粗くなるが、この問題が
前記乱流の形成によって解消され、金属シートの表面に
は、極めて緻密な結晶構造の銅が堆積して、形成された
極薄銅箔にはピンホールがほとんど発生しなくなるから
である。
【0020】また、めっき浴温は45〜70℃であるこ
とが好ましく、より好ましくは60〜65℃となるよう
に設定される。めっき浴温が45℃より低い場合には、
銅イオンの移動速度が低下するため、電極表面に分極層
が生じやすくなってめっき堆積速度が低下し、また浴温
が70℃を超えると、めっき浴の蒸発が激しく進んでめ
っき浴の銅濃度が不安定になるとともに、浴温の高温化
に伴う設備的制限が加わるからである。
とが好ましく、より好ましくは60〜65℃となるよう
に設定される。めっき浴温が45℃より低い場合には、
銅イオンの移動速度が低下するため、電極表面に分極層
が生じやすくなってめっき堆積速度が低下し、また浴温
が70℃を超えると、めっき浴の蒸発が激しく進んでめ
っき浴の銅濃度が不安定になるとともに、浴温の高温化
に伴う設備的制限が加わるからである。
【0021】本発明で用いる高速めっき装置は、図2の
概略図で示したような構造の装置である。図において、
めっき槽2aの内部中央位置には横幅方向(紙面と垂直
の方向)に延びて陽極2b,2bが配置され、めっき槽
2aの上方開口部の両側には横幅方向に延びる回転ロー
ル2c,2cが配置され、このめっき槽2aには自由回
転する金属製のドラムが陰極ドラム2dとして載置され
、この陰極ドラム2dの外周面が前記回転ローロ2c,
2cで圧接されることにより、めっき槽2aの上方開口
部が上記陰極ドラム2dと回転ロール2c,2cで液封
されている。液封はテフロンやゴム製の板でも可能だが
、極薄銅箔表面の損傷を防止することから回転ロールを
用いることが好ましい。また必要に応じ、陰極ドラム2
dの両端付近を例えばテフロン製の板で液封することも
できる。
概略図で示したような構造の装置である。図において、
めっき槽2aの内部中央位置には横幅方向(紙面と垂直
の方向)に延びて陽極2b,2bが配置され、めっき槽
2aの上方開口部の両側には横幅方向に延びる回転ロー
ル2c,2cが配置され、このめっき槽2aには自由回
転する金属製のドラムが陰極ドラム2dとして載置され
、この陰極ドラム2dの外周面が前記回転ローロ2c,
2cで圧接されることにより、めっき槽2aの上方開口
部が上記陰極ドラム2dと回転ロール2c,2cで液封
されている。液封はテフロンやゴム製の板でも可能だが
、極薄銅箔表面の損傷を防止することから回転ロールを
用いることが好ましい。また必要に応じ、陰極ドラム2
dの両端付近を例えばテフロン製の板で液封することも
できる。
【0022】陽極2b,2bの中央には横幅方向に延び
るスリット孔2eが形成されていて、このスリット孔2
eはめっき浴供給管2fと接続している。そして、陽極
2b,2bの上面2g,2gは、陰極ドラム2dの外周
面と同一曲率の曲面になっていて、これら上面2g,2
gと陰極ドラム2dの外周面との間には一定間隔を有す
る間隙2hが形成されている。
るスリット孔2eが形成されていて、このスリット孔2
eはめっき浴供給管2fと接続している。そして、陽極
2b,2bの上面2g,2gは、陰極ドラム2dの外周
面と同一曲率の曲面になっていて、これら上面2g,2
gと陰極ドラム2dの外周面との間には一定間隔を有す
る間隙2hが形成されている。
【0023】矢印p方向で走行してきた金属シート3は
、回転ロール2iで方向転換して陰極ドラム2dの外周
面と密着し、これと接触した状態でめっき槽2aの中に
入り、更に回転ロール2jを通ってめっき槽2aから次
の装置へと走行していく。ここで、めっき浴供給管2f
から銅めっき浴を強制的に供給すると、めっき浴は陽極
2b,2b間のスリット孔2eから間隙2g,2gに均
等に2分された状体で噴流して陰極ドラム2dの外周面
に密着している金属シート3の片面に吹き当り、金属シ
ート3の片面には極薄銅箔が形成される。その後、銅め
っき浴は排出管2k,2kを通ってめっき槽2aから排
出され、またこの高速めっき時に発生するガスは、排ガ
ス管2lから系外に排出される。
、回転ロール2iで方向転換して陰極ドラム2dの外周
面と密着し、これと接触した状態でめっき槽2aの中に
入り、更に回転ロール2jを通ってめっき槽2aから次
の装置へと走行していく。ここで、めっき浴供給管2f
から銅めっき浴を強制的に供給すると、めっき浴は陽極
2b,2b間のスリット孔2eから間隙2g,2gに均
等に2分された状体で噴流して陰極ドラム2dの外周面
に密着している金属シート3の片面に吹き当り、金属シ
ート3の片面には極薄銅箔が形成される。その後、銅め
っき浴は排出管2k,2kを通ってめっき槽2aから排
出され、またこの高速めっき時に発生するガスは、排ガ
ス管2lから系外に排出される。
【0024】この装置2の場合、高速めっきが進行する
過程で、金属シート3は陰極ドラム2dと密着した状態
で走行していくので、たるみなどの弛緩を起こすことが
なく、しかも間隙2g,2gは一定間隔になっているた
め、その片面には厚みが均一な極薄銅箔が安定した状態
で連続的に形成される。また、金属シートと陰極とが摺
動することによって起こる陰極の摩耗や、金属シートと
陰極との密着性の悪さに起因するスパーク,加熱,金属
シートの損傷などの問題も生じなくなる。
過程で、金属シート3は陰極ドラム2dと密着した状態
で走行していくので、たるみなどの弛緩を起こすことが
なく、しかも間隙2g,2gは一定間隔になっているた
め、その片面には厚みが均一な極薄銅箔が安定した状態
で連続的に形成される。また、金属シートと陰極とが摺
動することによって起こる陰極の摩耗や、金属シートと
陰極との密着性の悪さに起因するスパーク,加熱,金属
シートの損傷などの問題も生じなくなる。
【0025】つぎに、転写・分離装置1は、熱圧着手段
1aと冷却手段1bと分離手段1cを、金属シート3の
走行方向に沿って、上記順序に配置することによって構
成されている。この転写・分離装置1においては、装置
1の入口に配置されている回転ロール1d,1dのロー
ル面に、前記した高速めっき装置2でその片面に極薄銅
箔が形成されている金属シート3’と巻出ロール5から
連続的に供給されてくる絶縁基材6とが、前記極薄銅箔
と前記絶縁基材6を重ね合わせるようにして供給される
。
1aと冷却手段1bと分離手段1cを、金属シート3の
走行方向に沿って、上記順序に配置することによって構
成されている。この転写・分離装置1においては、装置
1の入口に配置されている回転ロール1d,1dのロー
ル面に、前記した高速めっき装置2でその片面に極薄銅
箔が形成されている金属シート3’と巻出ロール5から
連続的に供給されてくる絶縁基材6とが、前記極薄銅箔
と前記絶縁基材6を重ね合わせるようにして供給される
。
【0026】ここで、図1で示しためっき系Bも設置さ
れていて、かつ片面板を製造する装置の場合は、めっき
系Aとめっき系Bの境界に、離型フィルム14を巻出ロ
ール15から転写・分離装置1に連続供給する。この離
型フィルム14の片面にはめっき系Aから連続供給され
る絶縁基材が、また離型フィルム14の別の片面にはめ
っき系Bから連続供給される絶縁基材がそれぞれ接着さ
れることになる。両面板を製造する場合には、上記した
離型フィルム14は不要である。
れていて、かつ片面板を製造する装置の場合は、めっき
系Aとめっき系Bの境界に、離型フィルム14を巻出ロ
ール15から転写・分離装置1に連続供給する。この離
型フィルム14の片面にはめっき系Aから連続供給され
る絶縁基材が、また離型フィルム14の別の片面にはめ
っき系Bから連続供給される絶縁基材がそれぞれ接着さ
れることになる。両面板を製造する場合には、上記した
離型フィルム14は不要である。
【0027】また、極薄銅積層板に所定厚みをもたせる
ため、別々の回転ロールから絶縁基材の複数枚を連続供
給してもよい。なお、絶縁基材6は、転写・分離装置1
に供給される前に、予熱しておくことが好ましい。用い
る絶縁基材としては、プリント配線板用として使用され
ているものであれば何であってもよく、例えば、熱硬化
製樹脂積層板(紙−エポキシ樹脂,紙−フェノール樹脂
,ガラス−エポキシ樹脂,不織布−エポキシ樹脂,紙−
不飽和ポリエステル樹脂,ガラス−ポリイミド樹脂など
),熱可塑性絶縁基板(ポリエステル樹脂,ポリフェニ
レンスルファイド樹脂,ポリエーテルサルファイト樹脂
等),ポリイミドフィルムおよびこれらで形成される多
層板をあげることができる。
ため、別々の回転ロールから絶縁基材の複数枚を連続供
給してもよい。なお、絶縁基材6は、転写・分離装置1
に供給される前に、予熱しておくことが好ましい。用い
る絶縁基材としては、プリント配線板用として使用され
ているものであれば何であってもよく、例えば、熱硬化
製樹脂積層板(紙−エポキシ樹脂,紙−フェノール樹脂
,ガラス−エポキシ樹脂,不織布−エポキシ樹脂,紙−
不飽和ポリエステル樹脂,ガラス−ポリイミド樹脂など
),熱可塑性絶縁基板(ポリエステル樹脂,ポリフェニ
レンスルファイド樹脂,ポリエーテルサルファイト樹脂
等),ポリイミドフィルムおよびこれらで形成される多
層板をあげることができる。
【0028】回転ロール1d,1dで重ね合わされた絶
縁基材6と金属シート3’は、ついで熱圧着手段1aに
走行していき、ここで両者が熱圧着されることにより絶
縁基材6と金属シート3’の極薄銅箔が接着して一体化
シートになる。このときに印加する圧力は5〜50Kg
/cm2,加熱温度は100〜300℃,加熱時間は1
0秒〜10分程度であることが好ましい。
縁基材6と金属シート3’は、ついで熱圧着手段1aに
走行していき、ここで両者が熱圧着されることにより絶
縁基材6と金属シート3’の極薄銅箔が接着して一体化
シートになる。このときに印加する圧力は5〜50Kg
/cm2,加熱温度は100〜300℃,加熱時間は1
0秒〜10分程度であることが好ましい。
【0029】印加圧力が5Kg/cm2未満の場合、極
薄銅箔と絶縁基材6との接着強度が低くなり、後述する
分離時に極薄銅箔の絶縁基材6への転写が起こりにくく
、また50Kg/cm2を超える場合は、例えば絶縁基
材中のガラス布などの強化材と極薄銅箔が接触するよう
になり、製造された銅張積層板においてマイグレーショ
ンが起こりやすくなる。
薄銅箔と絶縁基材6との接着強度が低くなり、後述する
分離時に極薄銅箔の絶縁基材6への転写が起こりにくく
、また50Kg/cm2を超える場合は、例えば絶縁基
材中のガラス布などの強化材と極薄銅箔が接触するよう
になり、製造された銅張積層板においてマイグレーショ
ンが起こりやすくなる。
【0030】加熱温度が100℃より低い場合は、圧着
時に絶縁基材を構成する樹脂が充分に軟化せず、また3
00℃より高くなると樹脂の硬化が速く進んでしまい、
いずれにおいても極薄銅箔の絶縁基材への転写が困難と
なる。更に加熱時間が10秒より短いときは絶縁基材を
構成する樹脂が充分に軟化しないため極薄銅箔の絶縁基
材への転写が困難になり、10分を超えて加熱すること
は経済的であるとはいえない。
時に絶縁基材を構成する樹脂が充分に軟化せず、また3
00℃より高くなると樹脂の硬化が速く進んでしまい、
いずれにおいても極薄銅箔の絶縁基材への転写が困難と
なる。更に加熱時間が10秒より短いときは絶縁基材を
構成する樹脂が充分に軟化しないため極薄銅箔の絶縁基
材への転写が困難になり、10分を超えて加熱すること
は経済的であるとはいえない。
【0031】熱圧着手段1aで得られた一体化シートは
、つぎに冷却手段1bに移送され、ここで所望の温度に
まで冷却される。その結果、絶縁基材の構成樹脂は金属
シート3’の極薄銅箔と強固に接着した状態で硬化する
。この一体化シートは、更に分離手段1cに走行してい
き、ここで、金属シート3は図の右方に強制的に循環走
行していくので、極薄銅箔が転写された絶縁基材6’と
極薄銅箔が剥離除去された金属シート3とに分離される
。
、つぎに冷却手段1bに移送され、ここで所望の温度に
まで冷却される。その結果、絶縁基材の構成樹脂は金属
シート3’の極薄銅箔と強固に接着した状態で硬化する
。この一体化シートは、更に分離手段1cに走行してい
き、ここで、金属シート3は図の右方に強制的に循環走
行していくので、極薄銅箔が転写された絶縁基材6’と
極薄銅箔が剥離除去された金属シート3とに分離される
。
【0032】そして、得られた絶縁基材6’は、連続シ
ートのまままたは適当な長さに切断されたのち、図示し
ない本硬化手段で熟成されて目的とする極薄銅張積層板
とする。また分離後の金属シート3は再び高速めっき装
置2へと回帰して、上記した過程を反復する。さて、高
速めっき装置2で形成された極薄銅箔の絶縁基材6への
転写性を高めるためには、高速めっき装置2で形成した
極薄銅箔の表面を粗化して、絶縁基材6との密着性を高
めることが好ましい。
ートのまままたは適当な長さに切断されたのち、図示し
ない本硬化手段で熟成されて目的とする極薄銅張積層板
とする。また分離後の金属シート3は再び高速めっき装
置2へと回帰して、上記した過程を反復する。さて、高
速めっき装置2で形成された極薄銅箔の絶縁基材6への
転写性を高めるためには、高速めっき装置2で形成した
極薄銅箔の表面を粗化して、絶縁基材6との密着性を高
めることが好ましい。
【0033】そのために、高速めっき装置2と転写・分
離装置1との中間に、粗面化装置7を配置することが好
ましい。この粗面化装置7においては、高速めっき装置
2から走行してきた金属シート3’のその極薄銅箔の表
面に樹枝状銅結晶の突起状析出物を電解めっき法で析出
させることにより、極薄銅箔の表面を粗面化する。この
突起状析出物はその平均粒径で1〜5μm程度に調整さ
れる。
離装置1との中間に、粗面化装置7を配置することが好
ましい。この粗面化装置7においては、高速めっき装置
2から走行してきた金属シート3’のその極薄銅箔の表
面に樹枝状銅結晶の突起状析出物を電解めっき法で析出
させることにより、極薄銅箔の表面を粗面化する。この
突起状析出物はその平均粒径で1〜5μm程度に調整さ
れる。
【0034】具体的には、めっき槽の中で、高速めっき
装置2で製造された金属シート3’の極薄銅箔側を陰極
面として走行させ、かつそれと平行するようにチタン極
のような陽極を両極間の距離が10〜50mmとなるよ
うに配置し、この両極間に銅めっき浴を供給して電解め
っき処理を施せばよい。両極間の間隔が10mmより狭
い場合は、析出する銅結晶が粗くなりすぎるため、これ
を用いた極薄銅張積層板は回路パターンの形成時におけ
るエッチングの際に銅残りを起こしやすくなる。また間
隔が50mmを超える場合は、電流効率が低下するので
好ましくない。
装置2で製造された金属シート3’の極薄銅箔側を陰極
面として走行させ、かつそれと平行するようにチタン極
のような陽極を両極間の距離が10〜50mmとなるよ
うに配置し、この両極間に銅めっき浴を供給して電解め
っき処理を施せばよい。両極間の間隔が10mmより狭
い場合は、析出する銅結晶が粗くなりすぎるため、これ
を用いた極薄銅張積層板は回路パターンの形成時におけ
るエッチングの際に銅残りを起こしやすくなる。また間
隔が50mmを超える場合は、電流効率が低下するので
好ましくない。
【0035】この粗面化時におけるめっき条件は、電流
密度が25〜85A/dm2 、金属シート3’の極薄
銅箔に対するめっき浴の接液スピードが0.1〜0.8
m/sec となるようにそれぞれ設定することが好ま
しい。電流密度が25A/dm2 より低い場合は、銅
析出物が細かくなりすぎるため、前記した絶縁基材6へ
の熱圧着時に、極薄銅箔と絶縁基材6との間では充分に
強固な密着強度が得られず、また85A/dm2 より
高い場合は、銅析出物が粗くなりすぎるため、前記した
ようにエッチング時の銅残りが起こりやすくなる。
密度が25〜85A/dm2 、金属シート3’の極薄
銅箔に対するめっき浴の接液スピードが0.1〜0.8
m/sec となるようにそれぞれ設定することが好ま
しい。電流密度が25A/dm2 より低い場合は、銅
析出物が細かくなりすぎるため、前記した絶縁基材6へ
の熱圧着時に、極薄銅箔と絶縁基材6との間では充分に
強固な密着強度が得られず、また85A/dm2 より
高い場合は、銅析出物が粗くなりすぎるため、前記した
ようにエッチング時の銅残りが起こりやすくなる。
【0036】接液スピードが0.1m/sec より遅
い場合は、銅析出物が粗くなりすぎ、また0.8m/s
ec より速いときは逆に細かくなりすぎて、前記した
ような好ましくない問題が起こる。この粗面化装置7で
用いるめっき浴としては、銅イオンと硝酸イオンを含有
するものが好ましい。この硝酸イオンは、析出する銅結
晶を極薄銅箔の上に凹凸状に堆積させるという作用を示
す。
い場合は、銅析出物が粗くなりすぎ、また0.8m/s
ec より速いときは逆に細かくなりすぎて、前記した
ような好ましくない問題が起こる。この粗面化装置7で
用いるめっき浴としては、銅イオンと硝酸イオンを含有
するものが好ましい。この硝酸イオンは、析出する銅結
晶を極薄銅箔の上に凹凸状に堆積させるという作用を示
す。
【0037】すなわち、用いるめっき浴は、例えば、硫
酸銅(CuSO4 ・5H2 O):80〜150g/
l,硫酸(H2 SO4 ):40〜80g/l、およ
び硝酸カリウム(KNO3 ):25〜50g/lの組
成を有するめっき浴が好適である。この粗面化装置7と
しては、例えば図3と図4の概略図で示したような装置
をあげることができる。
酸銅(CuSO4 ・5H2 O):80〜150g/
l,硫酸(H2 SO4 ):40〜80g/l、およ
び硝酸カリウム(KNO3 ):25〜50g/lの組
成を有するめっき浴が好適である。この粗面化装置7と
しては、例えば図3と図4の概略図で示したような装置
をあげることができる。
【0038】すなわち、上部が開口するめっき槽7aの
内部中央位置に、図4で示したような陽極7bが配置さ
れる。陽極7bは、装置7の横幅方向に延びるスリット
孔7cが上面7dに形成されている箱状体であって、そ
の上面7dを取り囲んで一対の側壁7e,7eと他の一
対の側壁7f,7fが立設され、しかも、矢印pで示し
た金属シートの走行方向に位置する一対の側壁7f,7
fの高さは他の一対の側壁7e,7eよりも低くなって
いる。
内部中央位置に、図4で示したような陽極7bが配置さ
れる。陽極7bは、装置7の横幅方向に延びるスリット
孔7cが上面7dに形成されている箱状体であって、そ
の上面7dを取り囲んで一対の側壁7e,7eと他の一
対の側壁7f,7fが立設され、しかも、矢印pで示し
た金属シートの走行方向に位置する一対の側壁7f,7
fの高さは他の一対の側壁7e,7eよりも低くなって
いる。
【0039】その結果、陽極7bの上面7dには液だま
り7gが形成されることになる。めっき槽7aの上部開
口の上に、金属シート3’をその極薄銅箔側を下面にし
かつ極薄銅箔を陰極面にした状態で矢印p方向に走行さ
せる。そして、めっき浴供給管7hから所定のめっき浴
を供給すると、めっき浴はスリット孔7cから流れ出て
液だまり7gを満たし、この上を矢印p方向に走行する
金属シート3’の片面に接触したのち側壁7f,7fの
縁部から溢流していく。その結果、極薄銅箔の表面には
前記した樹枝状の銅結晶が析出してその粗面化が達成さ
れる。使用後のめっき浴は配管7iから系外に除去され
る。
り7gが形成されることになる。めっき槽7aの上部開
口の上に、金属シート3’をその極薄銅箔側を下面にし
かつ極薄銅箔を陰極面にした状態で矢印p方向に走行さ
せる。そして、めっき浴供給管7hから所定のめっき浴
を供給すると、めっき浴はスリット孔7cから流れ出て
液だまり7gを満たし、この上を矢印p方向に走行する
金属シート3’の片面に接触したのち側壁7f,7fの
縁部から溢流していく。その結果、極薄銅箔の表面には
前記した樹枝状の銅結晶が析出してその粗面化が達成さ
れる。使用後のめっき浴は配管7iから系外に除去され
る。
【0040】この装置によれば、金属シート3’の極薄
銅箔の表面は、常時、新鮮で定常流をなすめっき浴に接
触するので、極薄銅箔の表面粗度は全面に亘って均一と
なり、しかもめっき時に発生するガスが極薄銅箔の表面
に滞留することがないので表面にガスピットが発生する
という問題も解消する。つぎに、本発明装置においては
、前記した粗面化装置7と前記転写・分離装置1の中間
に、金属シート3’の走行方向に向かって、熱劣化防止
層形成装置8と防錆処理装置9をこの順序で配置するこ
とが好ましい。
銅箔の表面は、常時、新鮮で定常流をなすめっき浴に接
触するので、極薄銅箔の表面粗度は全面に亘って均一と
なり、しかもめっき時に発生するガスが極薄銅箔の表面
に滞留することがないので表面にガスピットが発生する
という問題も解消する。つぎに、本発明装置においては
、前記した粗面化装置7と前記転写・分離装置1の中間
に、金属シート3’の走行方向に向かって、熱劣化防止
層形成装置8と防錆処理装置9をこの順序で配置するこ
とが好ましい。
【0041】一般にプリント配線板は、そこに形成され
ている所定パターンの導体回路に各種のICチップなど
が半田付けによって実装される。そのため、この半田付
け時に、導体回路やそれと絶縁基材との接着界面におけ
る半田付け個所が部分的に加熱され、銅箔における粗化
面の銅は熱劣化を起こして、その部分が絶縁基材の表面
から剥離するという事態の起こることがある。
ている所定パターンの導体回路に各種のICチップなど
が半田付けによって実装される。そのため、この半田付
け時に、導体回路やそれと絶縁基材との接着界面におけ
る半田付け個所が部分的に加熱され、銅箔における粗化
面の銅は熱劣化を起こして、その部分が絶縁基材の表面
から剥離するという事態の起こることがある。
【0042】熱劣化防止層はこのような事態の発生を防
止して銅箔と絶縁基材との密着性を確保するために形成
される層である。この熱劣化防止層としては、Zn−S
b合金、Zn−Cu合金(黄銅)のようなZn合金系の
めっき層や、Ni−P合金,Ni−Cu合金のようなN
i合金系のめっき層であることが好ましい。
止して銅箔と絶縁基材との密着性を確保するために形成
される層である。この熱劣化防止層としては、Zn−S
b合金、Zn−Cu合金(黄銅)のようなZn合金系の
めっき層や、Ni−P合金,Ni−Cu合金のようなN
i合金系のめっき層であることが好ましい。
【0043】この熱劣化防止層を金属シート3’の極薄
銅箔表面に形成するための装置8としては、走行する金
属シート3’の極薄銅箔側を陰極面として上記した合金
めっきを行うための電解めっき装置が用いられる。それ
に、接着性能などの表面特性を改善することを目的とし
て、銅箔の表面には防錆処理を施すことが好ましい。そ
の処理を行う装置は、具体的にはめっき装置であって走
行する金属シート3’の極薄銅箔側を陰極面とし、ここ
に公知の陰極クロメート処理を施してZn−Cr合金を
電解めっきする装置である。
銅箔表面に形成するための装置8としては、走行する金
属シート3’の極薄銅箔側を陰極面として上記した合金
めっきを行うための電解めっき装置が用いられる。それ
に、接着性能などの表面特性を改善することを目的とし
て、銅箔の表面には防錆処理を施すことが好ましい。そ
の処理を行う装置は、具体的にはめっき装置であって走
行する金属シート3’の極薄銅箔側を陰極面とし、ここ
に公知の陰極クロメート処理を施してZn−Cr合金を
電解めっきする装置である。
【0044】更に、前記した高速めっき装置2の上流側
で、前記転写・分離装置1の下流側には、研磨装置10
を配置して、転写・分離装置1で一体化シートから分離
して回帰してくる金属シート3の表面を研磨することに
より、表面に付着している汚れや酸化皮膜を除去したの
ち、前記高速めっき装置2に回帰させることが好ましい
。この研磨装置10としては、バフ研磨装置が好適であ
る。
で、前記転写・分離装置1の下流側には、研磨装置10
を配置して、転写・分離装置1で一体化シートから分離
して回帰してくる金属シート3の表面を研磨することに
より、表面に付着している汚れや酸化皮膜を除去したの
ち、前記高速めっき装置2に回帰させることが好ましい
。この研磨装置10としては、バフ研磨装置が好適であ
る。
【0045】また、この研磨装置10の直前には、例え
ば、#320〜#800のアランダムを研磨材としスラ
リー濃度が10〜30%のスラリーを2〜5Kg/cm
2の空気圧で1個または複数個のジェットノズルから噴
射する液体ホーニング装置11を配置して、転写・分離
装置1から回帰してきた金属シート3の表面を処理する
ことが好ましい。この場合、スラリーの噴射は上方から
行なう。
ば、#320〜#800のアランダムを研磨材としスラ
リー濃度が10〜30%のスラリーを2〜5Kg/cm
2の空気圧で1個または複数個のジェットノズルから噴
射する液体ホーニング装置11を配置して、転写・分離
装置1から回帰してきた金属シート3の表面を処理する
ことが好ましい。この場合、スラリーの噴射は上方から
行なう。
【0046】この液体ホーニング処理を施すと、金属シ
ート3の表面が適切な表面粗度になり、転写・分離装置
1における絶縁基材6と極薄銅箔との密着力よりも小さ
い範囲で、ここに形成される極薄銅箔と金属シート3の
表面との密着力を高めることができる。その結果、極薄
銅箔の金属シート3からの剥離、すなわち極薄銅箔の絶
縁基材6への転写を非常に円滑に行うことができるよう
になる。
ート3の表面が適切な表面粗度になり、転写・分離装置
1における絶縁基材6と極薄銅箔との密着力よりも小さ
い範囲で、ここに形成される極薄銅箔と金属シート3の
表面との密着力を高めることができる。その結果、極薄
銅箔の金属シート3からの剥離、すなわち極薄銅箔の絶
縁基材6への転写を非常に円滑に行うことができるよう
になる。
【0047】この場合、金属シート3の表面粗度は0.
08〜0.23μm程度にすることが好ましい。更に、
この液体ホーニング装置11の上流側には、残銅除去装
置12を配置することが好ましい。通常、金属シート3
の片面に形成される極薄銅箔の幅は転写・分離装置1で
一体化される絶縁基材6の幅よりも若干広めに設定され
る。 その理由は、絶縁基材6と金属シート3が直接接着して
しまうと両者の分離は極めて困難であり、そのため極薄
銅箔の絶縁基材6への転写が不可能になるからである。
08〜0.23μm程度にすることが好ましい。更に、
この液体ホーニング装置11の上流側には、残銅除去装
置12を配置することが好ましい。通常、金属シート3
の片面に形成される極薄銅箔の幅は転写・分離装置1で
一体化される絶縁基材6の幅よりも若干広めに設定され
る。 その理由は、絶縁基材6と金属シート3が直接接着して
しまうと両者の分離は極めて困難であり、そのため極薄
銅箔の絶縁基材6への転写が不可能になるからである。
【0048】したがって、本発明においても金属シート
3に形成される極薄銅箔の幅は連続供給される絶縁基材
6の幅よりも若干広めに設定されるので、転写・分離装
置1から回帰してくる金属シート3には、その表面の両
側に若干極薄銅箔の一部が残留することになる。残銅除
去装置12は上記した残銅を除去するために配置される
ものであって、具体的には、硫酸・過酸化水素から成る
銅エッチャントを転写・分離装置1から走行してきた金
属シート3の表面に噴射するエッチング装置である。
3に形成される極薄銅箔の幅は連続供給される絶縁基材
6の幅よりも若干広めに設定されるので、転写・分離装
置1から回帰してくる金属シート3には、その表面の両
側に若干極薄銅箔の一部が残留することになる。残銅除
去装置12は上記した残銅を除去するために配置される
ものであって、具体的には、硫酸・過酸化水素から成る
銅エッチャントを転写・分離装置1から走行してきた金
属シート3の表面に噴射するエッチング装置である。
【0049】金属シートはその表面の残銅をエッチング
除去され、適切な表面粗度でかつ清浄な表面状態になっ
て、前記高速めっき装置2に回帰し、ここで極薄銅箔が
形成される。このとき、高速めっき装置2と研磨装置1
0の中間に、後述する触媒浴槽13を配置し、金属シー
ト3を一旦この触媒浴槽13に通してから高速めっき装
置2に移送すると、ピンホールがほとんど存在しない極
薄銅箔を形成することができるので好適である。
除去され、適切な表面粗度でかつ清浄な表面状態になっ
て、前記高速めっき装置2に回帰し、ここで極薄銅箔が
形成される。このとき、高速めっき装置2と研磨装置1
0の中間に、後述する触媒浴槽13を配置し、金属シー
ト3を一旦この触媒浴槽13に通してから高速めっき装
置2に移送すると、ピンホールがほとんど存在しない極
薄銅箔を形成することができるので好適である。
【0050】金属シートは通常金属材料のインゴットを
シート状に圧延して製造されているが、この圧延加工時
に表面にオイルピットのような気孔が発生する。また金
属材料の溶製時には非金属介在物や金属間化合物などの
組織欠陥が不可避的に発生してこれが金属シートの表面
に露出する。このような組織欠陥は、マトリックスであ
る金属と導電性が相違しているので、結局、この組織欠
陥が露出している金属シートの表面の導電性はばらつく
ことになり、そのため銅の電着状態が均一でなくなり、
形成された極薄銅箔にはピンホールが発生するようにな
る。
シート状に圧延して製造されているが、この圧延加工時
に表面にオイルピットのような気孔が発生する。また金
属材料の溶製時には非金属介在物や金属間化合物などの
組織欠陥が不可避的に発生してこれが金属シートの表面
に露出する。このような組織欠陥は、マトリックスであ
る金属と導電性が相違しているので、結局、この組織欠
陥が露出している金属シートの表面の導電性はばらつく
ことになり、そのため銅の電着状態が均一でなくなり、
形成された極薄銅箔にはピンホールが発生するようにな
る。
【0051】これらの表面欠陥のうち、オイルピットな
どは前記した研磨装置10によって除去することも可能
であるが、しかし後者の組織欠陥は金属シート3の組織
そのものに係る欠陥であるため、単なる研磨等の物理的
手段で除去することはできない。触媒浴槽13は、後述
する触媒浴で上記金属シート3の表面を処理することに
より、金属シート3の表面を後述の貴金属成分で被覆し
、もって露出している非金属介在物や金属間化合物を隠
蔽するために配置される。
どは前記した研磨装置10によって除去することも可能
であるが、しかし後者の組織欠陥は金属シート3の組織
そのものに係る欠陥であるため、単なる研磨等の物理的
手段で除去することはできない。触媒浴槽13は、後述
する触媒浴で上記金属シート3の表面を処理することに
より、金属シート3の表面を後述の貴金属成分で被覆し
、もって露出している非金属介在物や金属間化合物を隠
蔽するために配置される。
【0052】用いる触媒浴は、Pd,Pt,Ru,Rh
,Au,Agの群から選ばれる少なくとも1種の貴金属
を必須成分として含有し、プラスチックスのような非導
電性材料の表面に無電解めっきを施すときに使用される
ものでよい。この触媒浴には、コロイド型,溶液型,塩
添加型の3つのタイプがある。本発明においては、これ
ら3つのタイプのいずれをも使用することができるが、
とくにコロイド型のものが取扱やすいので好適である。 また、触媒浴に含有される貴金属としては、Pdが比較
的安価で、かつ入手しやすいので好ましい。上記貴金属
の濃度は100〜150ppmであることが好ましい。
,Au,Agの群から選ばれる少なくとも1種の貴金属
を必須成分として含有し、プラスチックスのような非導
電性材料の表面に無電解めっきを施すときに使用される
ものでよい。この触媒浴には、コロイド型,溶液型,塩
添加型の3つのタイプがある。本発明においては、これ
ら3つのタイプのいずれをも使用することができるが、
とくにコロイド型のものが取扱やすいので好適である。 また、触媒浴に含有される貴金属としては、Pdが比較
的安価で、かつ入手しやすいので好ましい。上記貴金属
の濃度は100〜150ppmであることが好ましい。
【0053】例えば、Pd−Sn系触媒浴のコロイドタ
イプのものはPdCl2 とSnCl2 と多量のHC
lとからなるもので、Sn2+の還元力により生成する
金属Pdがα−Sn酸の保護コロイドとしてコロイド状
に浴内に分散しているものである。例えば、コロイド型
の触媒浴で金属シートの表面を処理すると、前記した貴
金属のコロイド粒子が金属シート3の表面に均一に吸着
される。その結果、金属シート3の表面に露出していた
非金属介在物や金属間化合物はこれらコロイド粒子によ
って被覆される。そして、その後、貴金属を取巻く保護
コロイドを例えば塩酸洗浄,水洗などの処理により除去
すれば、金属シート3の全面は微細な貴金属粒子で被覆
された状態になる。その結果、金属シート3の表面にお
いては、導電性のばらつきが解消されて、吸着する貴金
属微粒子の作用で均質な導電性が付与されることになる
。
イプのものはPdCl2 とSnCl2 と多量のHC
lとからなるもので、Sn2+の還元力により生成する
金属Pdがα−Sn酸の保護コロイドとしてコロイド状
に浴内に分散しているものである。例えば、コロイド型
の触媒浴で金属シートの表面を処理すると、前記した貴
金属のコロイド粒子が金属シート3の表面に均一に吸着
される。その結果、金属シート3の表面に露出していた
非金属介在物や金属間化合物はこれらコロイド粒子によ
って被覆される。そして、その後、貴金属を取巻く保護
コロイドを例えば塩酸洗浄,水洗などの処理により除去
すれば、金属シート3の全面は微細な貴金属粒子で被覆
された状態になる。その結果、金属シート3の表面にお
いては、導電性のばらつきが解消されて、吸着する貴金
属微粒子の作用で均質な導電性が付与されることになる
。
【0054】そして、高速めっき装置2においては、こ
の吸着している貴金属粒子が電着銅結晶の成長核として
作用するが、この貴金属粒子は極めて微細であるため、
電着銅は大きな結晶として成長しずらくなる。すなわち
、金属シート3の表面に形成される極薄銅箔は、微細結
晶の集合体となるため、ピンホールの発生は有効に阻止
されるようになる。
の吸着している貴金属粒子が電着銅結晶の成長核として
作用するが、この貴金属粒子は極めて微細であるため、
電着銅は大きな結晶として成長しずらくなる。すなわち
、金属シート3の表面に形成される極薄銅箔は、微細結
晶の集合体となるため、ピンホールの発生は有効に阻止
されるようになる。
【0055】上記した装置においては、転写・分離装置
1から回帰してきた金属シート3は、残銅除去装置12
によってその表面に残留している銅成分がエッチング除
去され、ついで、液体ホーニング装置11によってその
表面が適切な表面粗度に研磨されたのち、研磨装置10
によって表面が清浄に研磨される。研磨後の金属シート
3は、触媒浴槽13を通過し、この過程で金属シート3
の表面に露出している非金属介在物などの組織欠陥は触
媒浴の作用で隠蔽されて均一な導電性を備えた表面とな
り、高速めっき装置2に走行していく。
1から回帰してきた金属シート3は、残銅除去装置12
によってその表面に残留している銅成分がエッチング除
去され、ついで、液体ホーニング装置11によってその
表面が適切な表面粗度に研磨されたのち、研磨装置10
によって表面が清浄に研磨される。研磨後の金属シート
3は、触媒浴槽13を通過し、この過程で金属シート3
の表面に露出している非金属介在物などの組織欠陥は触
媒浴の作用で隠蔽されて均一な導電性を備えた表面とな
り、高速めっき装置2に走行していく。
【0056】この高速めっき装置2を通過する過程で、
金属シート3の片面には厚みが3〜12μmでかつ厚み
のばらつきもないピンホールフリーの極薄銅箔が形成さ
れる。この極薄銅箔を有する金属シート3’は、粗面化
装置7,熱劣化防止層形成装置8,防錆処理装置9を順
次通過し、この過程で、前記金属シート3’の極薄銅箔
の表面は粗面化され、そこに熱劣化防止層と防錆層が順
次形成される。
金属シート3の片面には厚みが3〜12μmでかつ厚み
のばらつきもないピンホールフリーの極薄銅箔が形成さ
れる。この極薄銅箔を有する金属シート3’は、粗面化
装置7,熱劣化防止層形成装置8,防錆処理装置9を順
次通過し、この過程で、前記金属シート3’の極薄銅箔
の表面は粗面化され、そこに熱劣化防止層と防錆層が順
次形成される。
【0057】ついで、金属シート3’は転写・分離装置
1へと走行していき、その極薄銅箔は巻出ロール5から
連続供給される絶縁基材6と重なり合って回転ロール1
d,1dのロール面に入り、熱圧着手段1aで両者が加
熱圧着されて一体化シートになり、更にこの一体化シー
トは冷却手段1bで冷却されたのち、分離手段1cによ
って分離される。
1へと走行していき、その極薄銅箔は巻出ロール5から
連続供給される絶縁基材6と重なり合って回転ロール1
d,1dのロール面に入り、熱圧着手段1aで両者が加
熱圧着されて一体化シートになり、更にこの一体化シー
トは冷却手段1bで冷却されたのち、分離手段1cによ
って分離される。
【0058】得られた極薄銅箔が転写された絶縁基材6
’は適当な長さに切断されたのち熟成過程に走行してい
き、目的とする極薄銅張積層板となり、一方、極薄銅箔
が剥離除去された金属シート3は再び残銅除去装置12
から始まるループの中を回帰していく。
’は適当な長さに切断されたのち熟成過程に走行してい
き、目的とする極薄銅張積層板となり、一方、極薄銅箔
が剥離除去された金属シート3は再び残銅除去装置12
から始まるループの中を回帰していく。
【0059】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
装置は、装置内を循環走行する金属シートの片面に連続
的に極薄銅箔を高速めっき法で形成し、その極薄銅箔を
連続供給される絶縁基材に転写し、分離された金属シー
トに再び極薄銅箔を形成して、連続的に極薄銅張積層板
を製造することができるので、高速めっき法の採用とい
うことと相俟って、極めて高い生産性の下で、安定した
品質の極薄銅張積層板を製造する装置としてその工業的
価値は大である。
装置は、装置内を循環走行する金属シートの片面に連続
的に極薄銅箔を高速めっき法で形成し、その極薄銅箔を
連続供給される絶縁基材に転写し、分離された金属シー
トに再び極薄銅箔を形成して、連続的に極薄銅張積層板
を製造することができるので、高速めっき法の採用とい
うことと相俟って、極めて高い生産性の下で、安定した
品質の極薄銅張積層板を製造する装置としてその工業的
価値は大である。
【図1】本発明の好適な実施例装置を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図2】本発明の高速めっき装置の1例を示す概略構成
図である。
図である。
【図3】本発明の粗面化装置の1例を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図4】図3の粗面化装置に組込む陽極の1例を示す概
略斜視図である。
略斜視図である。
1 転写・分離装置
1a 熱圧着手段
1b 冷却手段
1c 分離手段
1d 回転ロール
2 高速めっき装置
2a めっき槽
2b 陽極
2c ロール
2d 陰極ドラム
2e スリット孔
2f 銅めっき浴供給管
2g 陽極2bの上面
2h 陰極ドラム2dの外周面と陽極上面2gとの間
隙2i ロール 2j ロール 2k めっき浴排出管 2l 排ガス管 3 金属シート 3’ 極薄銅箔が形成された金属シート4a,4b,
4c,4d ロール 5 絶縁基材の巻出ロール 6 絶縁基材 6’ 極薄銅箔が転写された絶縁基材(極薄銅張積層
板) 7 粗面化装置 7a めっき槽 7b 陽極 7c スリット孔 7d 陽極の上面 7e 側壁 7f 側壁 7g 液だまり 7h めっき浴供給管 7i 側壁7eの縁部 8 熱劣化防止槽形成装置 9 防錆処理装置 10 研磨装置 11 液体ホーニング装置 12 残銅除去装置 13 触媒浴槽 14 離型フィルム 15 離型フィルムの巻出ロール A,B めっき系
隙2i ロール 2j ロール 2k めっき浴排出管 2l 排ガス管 3 金属シート 3’ 極薄銅箔が形成された金属シート4a,4b,
4c,4d ロール 5 絶縁基材の巻出ロール 6 絶縁基材 6’ 極薄銅箔が転写された絶縁基材(極薄銅張積層
板) 7 粗面化装置 7a めっき槽 7b 陽極 7c スリット孔 7d 陽極の上面 7e 側壁 7f 側壁 7g 液だまり 7h めっき浴供給管 7i 側壁7eの縁部 8 熱劣化防止槽形成装置 9 防錆処理装置 10 研磨装置 11 液体ホーニング装置 12 残銅除去装置 13 触媒浴槽 14 離型フィルム 15 離型フィルムの巻出ロール A,B めっき系
Claims (1)
- 【請求項1】 張力が付加されて装置内を循環走行す
る金属シートと、前記金属シートの片面に厚みが3〜1
2μmの極薄銅箔を高速めっきする高速めっき装置と、
前記高速めっき装置の下流側に配置され、連続供給され
る絶縁基材に前記金属シートの前記極薄銅箔側を熱圧着
して前記極薄銅箔を前記絶縁基材に転写したのち前記極
薄銅箔と前記金属シートを分離する転写・分離装置を必
須として備えている極薄銅張積層板の連続製造装置にお
いて、前記高速めっき装置が、自由回転する陰極ドラム
と、前記陰極ドラムの下方に前記陰極ドラムと離隔して
配置され、その中央部には横幅方向に延びるスリット孔
が形成されていてかつ前記陰極ドラムとの対向面は前記
陰極ドラムの外周面と同一曲率の曲面になっている陽極
と、前記陰極ドラムの外周面を圧接した状態で前記陰極
ドラムを回転可能に支持する回転ロールを備えためっき
槽とから成り、前記陰極ドラムの外周面と密着して前記
金属シートを走行させながら前記スリット孔から銅めっ
き浴を噴流させて前記金属シートの片面に極薄銅箔を電
解めっきする極薄銅張積層板の連続製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11355191A JPH04341596A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 極薄銅張積層板の連続製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11355191A JPH04341596A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 極薄銅張積層板の連続製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04341596A true JPH04341596A (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14615167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11355191A Pending JPH04341596A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 極薄銅張積層板の連続製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04341596A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5175992B1 (ja) * | 2012-07-06 | 2013-04-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 極薄銅箔及びその製造方法、並びに極薄銅層 |
JP5347074B1 (ja) * | 2013-01-17 | 2013-11-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 極薄銅箔及びその製造方法、極薄銅層、並びにプリント配線板 |
JP2017137583A (ja) * | 2017-05-08 | 2017-08-10 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、極薄銅層、銅張積層板の製造方法、並びにプリント配線板の製造方法 |
JP2017172047A (ja) * | 2017-05-08 | 2017-09-28 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔及びその製造方法、極薄銅層、銅張積層板の製造方法、並びにプリント配線板の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11355191A patent/JPH04341596A/ja active Pending
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