JP5331321B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5331321B2 JP5331321B2 JP2007226358A JP2007226358A JP5331321B2 JP 5331321 B2 JP5331321 B2 JP 5331321B2 JP 2007226358 A JP2007226358 A JP 2007226358A JP 2007226358 A JP2007226358 A JP 2007226358A JP 5331321 B2 JP5331321 B2 JP 5331321B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- pattern
- resist
- display device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 284
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 195
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 160
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 363
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 105
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 84
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 79
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 69
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 claims description 43
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 30
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 19
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 19
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 19
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 claims 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 74
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 28
- 238000011161 development Methods 0.000 description 24
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 24
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 22
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 18
- 206010042674 Swelling Diseases 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 14
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 14
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LXFUCSMCVAEMCD-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nitric acid;phosphoric acid Chemical compound CC(O)=O.O[N+]([O-])=O.OP(O)(O)=O LXFUCSMCVAEMCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018507 Al—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
図1は本発明の第1の実施形態を説明するものである。図1(a)〜(g)は本実施形態における逆スタガ型TFTの製造方法を順に示すものである。それぞれの図で、上方に示した図はTFT基板の平面図であり、下方に示した図は平面図のI−I’、II−II’、III−III’部の断面図である。I−I’はゲート電極と接続しているゲート配線が延在して液晶パネルの外に引き出され、外部回路と接続される端子(以下、ゲート端子)部を図示するものであり、II−II’は、トランジスタ部を図示するものであり、III−III’はソース電極から延在したデータ配線が液晶パネルの外側に引き出され外部回路と接続される端子(以下、データ端子)部を図示するものである。
図2は本発明の第2の実施形態を説明するものである。図の表示方法は第1の実施形態と同様である。
次に、本発明の第3の実施形態を説明する。図3は本実施形態の平面図である。
次に第4の実施形態について説明する。
第5の実施形態を液晶表示装置の製造工程のうちのゲートパターン形成工程を例として図4を用いて説明する。上方に記載した図は平面図であり、下方に記載した図は平面図I−I’部の断面図である。
次に、第6の実施形態について説明する。説明は第5の実施形態と同じゲートパターン形成で行う。第6の実施形態は、積層膜に適用した場合について開示するものである。
次に、第7の実施形態について、図5を用いて説明する。上方に記載した図は平面図であり、下方に記載した図は平面図のI−I’部の断面図である。
次に、第8の実施形態について図6を用いて説明する。図6の上側の図はTFT基板の平面図を、下側の図は平面図に記載したI−I’、II−II’、III−III’、IV−IV’の断面図である。また図6(c)はエッジ部分の拡大図である。
次に、第9の実施形態として、第1の実施形態乃至第8の実施形態(変形例を含む)で開示した、基板上に第2のレジストパターン14を転写して配置し、印刷基板を加熱する技術について、図8乃至図10を用いて詳細に説明する。図8に本実施形態に使用した凸版反転オフセット印刷装置を示す。
次に第10の実施形態として第1のエッチングが完了し、第2のレジストパターン14を配置する前の前処理技術について説明する。
次に第11の実施形態として、第2のレジストパターンを配置した後から第2のエッチング前までに実施される後処理について説明する。
2 ゲート電極
3 ゲート端子
4 ゲート配線
5 ゲート絶縁膜
6 半導体膜
7 接触膜
8 上層金属膜
9 第1のレジストパターン
10 ドレイン電極
11 ソース電極
12 データ端子
13 データ配線
14 第2のレジストパターン
15 アイランドパターン
16 保護絶縁膜
17 ゲート端子孔
18 データ端子孔
19 画素接続孔
20 画素電極
21 端子保護パターン
22 液晶表示画素領域
23 額縁シール領域
24 額縁第2レジストパターン
25 Al−Nd合金膜
26 Cr膜
51 固定フレーム
52 可動フレーム
53 ブランケット胴
54 ブランケット
55 レジストインク被膜
56 コータ
57 版定盤[2]
58 版定盤[1]
59 ネガ凸版
60 基板定盤[2]
61 基板定盤[1]
62 印刷基板
63 版定盤部
64 版側アライメントマーカ
65 カメラ側アライメントマーカ
66 版アライメント装置[1]手前側
67 版アライメント装置[1]奥側
68 版アライメント装置[2]
69 TFTパターン部位
70 基板定盤部
71 カメラ側アライメントマーカ
72 基板アライメント装置[1]手前側
73 基板アライメント装置[1]奥側
74 基板アライメント装置[2]
75 基板側アライメントマーカ
76 TFTパターン
101 絶縁基板
102 ゲート線
103 ゲート電極
104 ゲートパッド
105 ゲート絶縁膜
106 半導体層
107 接触層
108 データ線
109 ドレイン電極
110 ソース電極
111 データパッド
112 変形前レジストパターン
113 変形後レジストパターン
201 絶縁基板
202 アモルファスシリコン膜
203 n型アモルファスシリコン膜
204 膨潤前パターン
205 膨潤後レジストパターン
206 アイランド
301 膜付基板
302 レジスト膜
303 スリットマスク
304 光
305 スリット部
306 感光した部分
307 感光していない部分
310 絶縁基板
311 ゲート電極
312 ゲート絶縁膜
313 半導体膜
314 接触膜
315 金属膜
316 レジスト膜
317 接触層パターン
318 半導体パターン
319 ソース電極
320 ドレイン電極
401 チャネル部
501 絶縁基板
502 合金単層膜
503 レジストパターン
601 絶縁基板
602 アルミニウム・銅合金単層膜
603 レジストパターン
604 膨潤後レジストパターン
701 ブランケット胴
702 ガラス定盤
703 版定盤
704 固定フレーム
705 可動フレーム
706 ガラス基板
707 凸版
708 ディスペンサー
709 ブレード
710 インキ皮膜
711 凸版部分インキ
712 求める形状のインキ皮膜
801 絶縁基板
802 ゲート絶縁膜
803 半導体膜
804 接触膜
805 上層金属膜
806 第1のレジストパターン
807 第2のレジストパターン
808 データ配線
809 ドレイン配線
Claims (41)
- 薄膜トランジスタが配置される表示画素領域と該表示画素領域周囲の額縁シール領域とを有する表示装置の製造方法であって、
基板の前記表示画素領域に、ゲートパターンを形成する工程と、
前記ゲートパターン上に絶縁膜と半導体膜と接触膜と上層金属膜とをこの順に積層し、第1のレジストパターンを配置する工程と、
前記第1のレジストパターンをマスクとした第1のエッチングで、前記上層金属膜及び前記接触膜を除去して、ドレイン電極とソース電極とデータ端子とデータ配線とを少なくとも含むデータパターン及び前記薄膜トランジスタのチャネル部を形成する工程と、
第2のレジストパターンを、前記チャネル部両側の前記第1のレジストパターンと少なくとも一部が重なり、かつ、前記チャネル部を被覆するように転写する工程と、
前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンをマスクとした第2のエッチングで、前記半導体膜を除去して前記絶縁膜を露出して、前記半導体膜をアイランド状に加工する工程と、
を備え、
前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記表示画素領域と前記表示画素領域周囲の額縁シール領域との間に、前記表示画素領域を囲うように延在するレジストパターンを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第2のレジストパターンは、更に、前記第1のレジストパターンで被覆された前記データ配線又は/及びデータ端子の少なくとも一部を被覆し、かつ、はみ出すように配置され、前記第2のエッチングで、前記データ配線又は/及びデータ端子と前記半導体膜とを階段状に形成することを含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ゲートパターン又は前記データパターンは積層膜であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第2のレジストパターンのはみ出し量が、2種以上の長さであることを特徴とする請求項2または3に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記額縁シール領域に前記第2のレジストパターンを形成することを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第2のレジストパターンは、前記第1のレジストパターンとは重ならない孤立パターンを含み、前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターンは、前記第2のレジストパターンとは重ならない孤立パターンを含み、双方の前記孤立パターンにより、一対の重ね合わせマーカを形成することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターンは、前記第2のレジストパターンとは重ならない孤立パターンを含み、前記孤立パターンにより、製品を認識するためのマーカを形成することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターンは、前記第2のレジストパターンとは重ならない孤立パターンを含み、前記孤立パターンにより、後の工程で使用される重ね合わせマーカを形成することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のエッチングが完了した後に、前記第1のレジストパターンと前記第2のレジストパターンとを共に除去する工程を備えることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のエッチングが完了した後に、前記第1のレジストパターンを残存させ、前記第2のレジストパターンを除去する工程を備えることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターンは、前記データパターンの少なくとも一部を構成する導電膜であることを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のエッチングが完了した後に、前記第1のレジストパターンと前記第2のレジストパターンとを共に残存させることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターンは、前記データパターンの少なくとも一部を構成する導電膜であり、前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第2のレジストパターンは、前記チャネル部に配置される絶縁膜であることを特徴とする請求項12に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第2のレジストパターン材料は、前記第1のレジストパターンと互いに混じあう有機樹脂材料であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第1のレジストパターン材料又は/及び前記第2のレジストパターン材料は、ノボラック樹脂、アクリル樹脂及びそれら混合樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至10、12乃至14のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターン材料は、導電性インク材料であることを特徴とする請求項11に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターン材料は、導電性インク材料であり、前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第2のレジストパターン材料は、絶縁性樹脂からなるインク材料であることを特徴とする請求項13に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記絶縁性樹脂からなるインク材料は、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂及びそれらの混合樹脂のいずれかであることを特徴とする請求項17に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記導電性インク材料は、金、銀、ニッケル及びITOのいずれかを少なくとも含有することを特徴とする請求項16乃至18のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第1のレジストパターン材料又は前記第2のレジストパターン材料は、熱硬化性又は光硬化性が付与されていることを特徴とする請求項14乃至19のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のエッチングが完了し、前記第2のレジストパターンを配置する前に、前記第1のレジストパターンを僅かにエッチングする前処理を実施することを特徴とする請求項1乃至20のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記前処理では、塩基性溶液処理、O2ガスによるアッシング処理、UVランプ処理のいずれか1つを少なくとも含むことを特徴とする請求項21に記載の表示装置の製造方法。
- 前記塩基性溶液処理では、前記塩基性溶液は、TMAH、アミン系溶液、水酸化アルカリ金属水溶液のいずれか1つを少なくとも含むことを特徴とする請求項22に記載の表示装置の製造方法。
- 前記塩基性溶液処理では、前記塩基性薬液は、界面活性材が混合されていることを特徴とする請求項23に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のエッチングが完了し、前記第2のレジストパターンを配置する前に、HMDSの蒸気に曝露する前処理を実施することを特徴とする請求項1乃至20のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第2のレジストパターンを配置した後、前記第2のエッチングの前までに、スカム又はエラーパターンを除去する後処理を実施することを特徴とする請求項1乃至25のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記後処理では、塩基性溶液処理、O2ガスによるアッシング処理、UVランプ処理のいずれか1つを少なくとも含むことを特徴とする請求項26に記載の表示装置の製造方法。
- 前記塩基性溶液処理では、前記塩基性溶液は、TMAH、アミン系溶液、水酸化アルカリ金属水溶液のいずれか1つを少なくとも含むことを特徴とする請求項27に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程では、前記第1のレジストパターンを転写によって形成することを特徴とする請求項1乃至28のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記第1のレジストパターンおよび前記第2のレジストパターンのうち、少なくとも前記第2のレジストパターンを、オフセット印刷又はシール印刷により形成することを特徴とする請求項1乃至29のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、版側アライメントマーカを印刷版に3点以上配置し、かつ、製品のパターン部位よりも外側に配置することを特徴とする請求項30に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、基板アライメント装置及び版アライメント装置は、印刷基板に対して略同じ位置に設置されることを特徴とする請求項30又は31に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、前記第2のレジストパターンの転写位置を決定するためのアライメントマーカとして、前記第1のレジストパターンで形成された基板側アライメントマーカを使用することを特徴とする請求項30乃至32のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、基板側アライメントマーカを印刷基板に3点以上配置し、かつ、製品のパターン部位よりも外側に前記基板側アライメントマーカを配置することを特徴とする請求項30乃至33のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、ブランケット上にレジストインク皮膜を形成する時の前記ブランケットの表面移動速度と、前記ブランケット上に転写前レジストパターンを形成するときの前記ブランケットの表面移動速度と、前記転写前レジストパターンと印刷基板とを接触させて印刷基板上に前記第2のレジストパターンを転写するときの前記ブランケットの表面移動速度と、を略同速度とすることを特徴とする請求項30乃至34のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、画像抜き及び転写は、
(1)一辺の幅が10μm未満のパターンがある場合は、一辺の幅が10μm以下のパターンのうちで最も長いパターンを基準に、該パターンが延在する向きと画像抜き方向及び転写方向とを同一にして画像抜き及び転写を実施し、
(2)10μm以下のパターンが無い場合は、一辺の幅が30μm以下のパターンのうちで最も長いパターンを基準に、該パターンが延在する向きと画像抜き方向及び転写方向とを略同一から略20°傾けて画像抜き及び転写を実施し、
(3)30μm以下のパターンが無い場合は、一辺の幅にかかわらず最も長いパターンを基準に、該パターンが延在する向きと画像抜き方向及び転写方向とを略同一から略45°傾けて画像抜き及び転写を実施することを特徴とする請求項30乃至35のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。 - 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンを同じ基板向きで転写することを特徴とする請求項30乃至36のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷において、前記第1のレジストパターン及び前記第2のレジストパターンを同じ基板向きで、かつ、同じブランケット胴の同じ位置で転写することを特徴とする請求項30乃至36のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記第1のレジストパターンを配置する工程および前記第2のレジストパターンを転写する工程では、前記オフセット印刷は、凸版反転オフセット印刷であることを特徴とする請求項30乃至38のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
- 前記凸版反転オフセット印刷は、版側アライメントマーカをネガ凸版に凹状に形成し印刷基板に転写して配置することを特徴とする請求項39に記載の表示装置の製造方法。
- 前記表示装置が液晶表示装置であることを特徴とする請求項1乃至40のいずれか一に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007226358A JP5331321B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 表示装置の製造方法 |
US12/201,391 US7972949B2 (en) | 2007-08-31 | 2008-08-29 | Electronic component and display device and a method of manufacturing the same |
CN2008102151316A CN101378012B (zh) | 2007-08-31 | 2008-09-01 | 电子部件和显示装置及所述电子部件和显示装置的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007226358A JP5331321B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009058791A JP2009058791A (ja) | 2009-03-19 |
JP5331321B2 true JP5331321B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=40421484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007226358A Expired - Fee Related JP5331321B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | 表示装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7972949B2 (ja) |
JP (1) | JP5331321B2 (ja) |
CN (1) | CN101378012B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102067320B (zh) * | 2009-05-19 | 2014-03-19 | 松下电器产业株式会社 | 柔性半导体装置的制造方法 |
US8815747B2 (en) * | 2010-06-03 | 2014-08-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns on substrates |
CN103098115B (zh) * | 2010-09-03 | 2015-03-25 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板及其制造方法以及显示装置 |
US8586480B1 (en) | 2012-07-31 | 2013-11-19 | Ixys Corporation | Power MOSFET having selectively silvered pads for clip and bond wire attach |
JP6026848B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法及び凸版 |
US9330914B2 (en) | 2013-10-08 | 2016-05-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming line patterns in substrates |
CN104090430B (zh) * | 2014-06-18 | 2017-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 调温遮罩和取向膜预固化装置 |
KR101857414B1 (ko) * | 2016-02-25 | 2018-05-15 | 주식회사 이오테크닉스 | 마킹 위치 보정장치 및 방법 |
CN105908142B (zh) * | 2016-04-15 | 2018-08-14 | 大连交通大学 | 一种高温薄膜应变计及其制作方法 |
CN109856930B (zh) * | 2017-11-30 | 2021-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对准标记、基板及其制作方法、曝光对准方法 |
CN112635553B (zh) * | 2020-12-25 | 2022-09-16 | 广东省科学院半导体研究所 | 薄膜晶体管的制作方法和显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3730002B2 (ja) | 1998-01-07 | 2005-12-21 | 光村印刷株式会社 | 印刷機及び印刷方法 |
US6493048B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-12-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
JP3236266B2 (ja) | 1998-10-27 | 2001-12-10 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法 |
US6255130B1 (en) | 1998-11-19 | 2001-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and a method for manufacturing the same |
JP3616584B2 (ja) | 2000-06-12 | 2005-02-02 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法 |
JP3415602B2 (ja) | 2000-06-26 | 2003-06-09 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法 |
GB0230129D0 (en) | 2002-12-24 | 2003-01-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of fabricating a device |
JP2005159294A (ja) | 2003-09-18 | 2005-06-16 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理方法及びそれに用いる薬液 |
JP2006124546A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 印刷インキ組成物、レジストパターンの形成法、電子部品の製造法及び電子部品 |
JP4542452B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2010-09-15 | 株式会社フューチャービジョン | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2007299779A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | マスクパターンの形成方法およびtftの製造方法 |
-
2007
- 2007-08-31 JP JP2007226358A patent/JP5331321B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-29 US US12/201,391 patent/US7972949B2/en active Active
- 2008-09-01 CN CN2008102151316A patent/CN101378012B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009058791A (ja) | 2009-03-19 |
US7972949B2 (en) | 2011-07-05 |
CN101378012A (zh) | 2009-03-04 |
US20090227057A1 (en) | 2009-09-10 |
CN101378012B (zh) | 2012-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5331321B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
US8563980B2 (en) | Array substrate and manufacturing method | |
JP3616584B2 (ja) | パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法 | |
KR100937173B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판 및 그제조방법 | |
US8633066B2 (en) | Thin film transistor with reduced edge slope angle, array substrate and having the thin film transistor and manufacturing method thereof | |
US7241648B2 (en) | Array substrates for use in liquid crystal displays and fabrication methods thereof | |
JP2003297850A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置 | |
JP2002141512A (ja) | 薄膜のパターニング方法およびそれを用いたtftアレイ基板およびその製造方法 | |
US20060154397A1 (en) | Method for manufacturing a display device and method for forming a pattern | |
US8093110B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor | |
KR101357042B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
US20160011457A1 (en) | Fabrication method of substrate | |
CN104538348A (zh) | 过孔和显示基板的制作方法 | |
JP2010152359A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
KR100532080B1 (ko) | 비정질 인듐 틴 옥사이드 식각용액 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 | |
KR101012718B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 | |
JP4954868B2 (ja) | 導電層を備えた基板の製造方法 | |
US11710747B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display device | |
KR20170037074A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20060123810A (ko) | 금속패턴 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 | |
KR20010011855A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법 | |
JP2006202961A (ja) | 印刷パターンを用いた処理方法及び印刷パターンの製造装置 | |
KR101246718B1 (ko) | 감광성의 금속 패이스트를 이용한 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법 | |
CN111613577A (zh) | 阵列基板制备方法和半透光光罩 | |
KR101174772B1 (ko) | 포토식각공정 및 이를 이용한 액정표시소자의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100317 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100720 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20111110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130322 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5331321 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |