JP5330105B2 - 配線基板内蔵用コンデンサ、配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板に内蔵される配線基板内蔵用コンデンサ及びそのコンデンサを内蔵した配線基板に関するものである。

コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。その一例として、高分子材料製のコア基板内にコンデンサを埋め込むとともに、そのコア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した配線基板が従来提案されている（例えば特許文献１参照）。

上記従来の配線基板の製造方法の一例を以下に説明する。まず、コア主面２０１及びコア裏面２０２の両方にて開口する収容穴部２０３を有する高分子材料製のコア基板２０４を準備する（図９参照）。併せて、一対のコンデンサ主面２０５と４つのコンデンサ側面２０６とを有し、両コンデンサ主面２０５にそれぞれ複数の表層電極２０７を突設したコンデンサ２０８を準備する。次に、コア主面２０１側に粘着テープ２０９を貼り付けるテーピング工程を行い、収容穴部２０３のコア主面２０１側の開口をあらかじめシールする。そして、収容穴部２０３内にコンデンサ２０８を収容する収容工程を行い、コンデンサ主面２０５を粘着テープ２０９の粘着面に貼り付けて仮固定する（図９参照）。次に、収容穴部２０３の内面とコンデンサ側面２０６との隙間を、樹脂絶縁材料からなる充填剤２１０で埋める（図１０参照）。なお、充填剤２１０は、コンデンサ２０８の外表面に接した状態で、コンデンサ２０８をコア基板２０４に固定する機能を有している。この後、コア基板２０４のコア主面２０１及びコア裏面２０２に対して、高分子材料を主体とする樹脂絶縁層の形成及び導体層の形成を交互に行うことで、ビルドアップ層を形成する。その結果、所望の配線基板が得られる。なお、充填剤２１０を構成する樹脂絶縁材料は、ビルドアップ層（樹脂絶縁層）を構成する樹脂絶縁材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

しかしながら、ＩＣチップの動作時に発生する熱などによって充填剤２１０に応力が加わると、コンデンサ２０８の角部（隣接する２つのコンデンサ側面２０６の境界部分）に応力が集中してしまい、充填剤２１０にクラックが発生する可能性がある。このクラックは、充填剤２１０に接するビルドアップ層を破損させる要因となってしまう。そこで、隣接する２つのコンデンサ側面２０６の境界部分に面取り部（図示略）を形成することにより、コンデンサ２０８の角部への応力集中を緩和して充填剤２１０のクラックの発生を防止する技術が提案されている（特許文献２，３参照）。

特開２００５−３９２４３号公報（図４など） 特開２００７−４９１３０号公報（図１，図７など） 特開２００７−１７３６２６号公報（図１，図１２など）

ところが、特許文献２，３に記載の技術においても、コンデンサ主面２０５との他の面（コンデンサ側面２０６及び面取り部）との境界部分２１１に応力が集中してしまい、クラック２１２が発生してしまう（図１１参照）。即ち、充填剤２１０のクラックの発生を確実に防止することができないため、配線基板の信頼性が低下してしまう。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、外表面に接する樹脂絶縁材料でのクラックの発生を確実に防止することができる配線基板内蔵用コンデンサを提供することにある。また、第２の目的は、上記の配線基板内蔵用コンデンサを内蔵した好適な配線基板を提供することにある。

そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有する板状に形成され、誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有し、隣接する２つの前記コンデンサ側面の境界部分に第１面取り部を有するコンデンサ本体を備え、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態で配線基板に内蔵されるコンデンサであって、少なくとも一方の前記コンデンサ主面と、前記複数のコンデンサ側面及び前記第１面取り部との境界部分に、第２面取り部が形成され、前記コンデンサ本体が、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極に接続されていないダミー電極とを交互に積層してなり、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうちいずれか一方にて露出するように配置された第２誘電体積層部とを含んで構成され、前記ダミー電極は、金属材料を用いて形成され、端面の一部が前記第２面取り部に露出していることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサがある。

従って、手段１の配線基板内蔵用コンデンサによると、配線基板に内蔵した場合に樹脂絶縁材料に熱応力が加わったとしても、隣接する２つのコンデンサ側面の境界部分への応力集中が、第１面取り部を設けることによって緩和される。しかも、コンデンサ主面とコンデンサ側面との境界部分、及び、コンデンサ主面と第１面取り部との境界部分への応力集中が、第２面取り部を設けることによって緩和される。これにより、樹脂絶縁材料でのクラックの発生を確実に防止することができる。

特に、配線基板内蔵用コンデンサの長手方向の外形寸法が例えば５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であれば、上記手段１を適用する意義があり好ましい。即ち、配線基板内蔵用コンデンサの長手方向の外形寸法が５ｍｍ以上であれば、上記した境界部分への応力集中が大きくなって、配線基板内蔵用コンデンサの外表面に接する樹脂絶縁材料にクラックが発生しやすくなるため、本発明の課題が生じやすくなる。なお、配線基板内蔵用コンデンサの長手方向の外形寸法が５ｍｍ未満である場合、十分なコンデンサ容量を確保できなくなってしまう。一方、配線基板内蔵用コンデンサの長手方向の外形寸法が４０ｍｍよりも大きい場合、コンデンサ自体の反りが大きくなる等の問題により、信頼性の高い配線基板内蔵用コンデンサの作製が困難になる可能性がある。また、内蔵する配線基板の大型化につながってしまう。

配線基板内蔵用コンデンサを構成する前記誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの高誘電率を有する誘電体セラミックの焼結体を使用することが好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きな配線基板内蔵用コンデンサを実現しやすくなる。また、セラミック誘電体層として、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体を使用してもよいし、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体を使用してもよい。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。

なお、好適な配線基板内蔵用コンデンサの例としては、前記複数の内部電極に電気的に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも一方の前記コンデンサ主面側の端部に電気的に接続された複数の表層電極とを備えるコンデンサなどを挙げることができる。なお、配線基板内蔵用コンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、配線基板内蔵用コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、配線基板内蔵用コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。

また、前記コンデンサ本体は、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極に接続されていないダミー電極とを交互に積層してなり、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうちいずれか一方にて露出するように配置された第２誘電体積層部とを含んで構成され、前記ダミー電極は、金属材料を用いて形成され、端面の一部が前記第２面取り部に露出していることが好ましい。この場合、ダミー電極は複数の誘電体層の間に積層される。このダミー電極は、広面積の電極であることが好ましく、例えば、前記コンデンサ内ビア導体の周囲にてクリアランスを隔てて配置されたプレーン状導体パターン（ベタパターン）としてもよい。このようにすれば、コンデンサ本体の第２誘電体積層部における靭性を向上させることができる。これにより、配線基板への内蔵時に配線基板内蔵用コンデンサの表面に外部応力が加わったとしても、外部応力に起因するコンデンサ本体でのクラックの発生を抑制することができる。また、ダミー電極の一部が第２面取り部に露出しているため、露出部分を表面粗化して微小な凹凸を形成した場合に、上記した樹脂絶縁材料が入り込みやすくなる。その結果、配線基板内蔵用コンデンサと樹脂絶縁材料との接合強度が向上し、ひいては配線基板の信頼性がよりいっそう向上する。

なお、第２誘電体積層部を構成する誘電体層の厚さは、第１誘電体積層部を構成する誘電体層の厚さよりも厚いことが好ましい。このようにすれば、第２誘電体積層部の強度を十分に確保することができる。また、第２誘電体積層部を構成する誘電体層の厚さを、第１誘電体積層部を構成する誘電体層の厚さと等しくてもよい。この場合、同じ厚さのシート材を使用してそれぞれの誘電体層を形成することができるため、製造コストを低減することができる。

前記ダミー電極は、前記内部電極と同じ材料を用いて形成されることが好ましい。このようにすれば、ダミー電極の専用の材料を内部電極の材料とは別に用意しなくても済む。よって、配線基板内蔵用コンデンサの製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板内蔵用コンデンサの低コスト化を図ることが可能となる。しかも、ダミー電極を内部電極と同じ条件（温度、時間）で同時に焼成することができるため、製造コストを抑えることができる。

前記ダミー電極の厚さは、前記内部電極の厚さ以上であることが好ましい。このようにすれば、第２誘電体積層部の強度を十分に確保することができ、その第２誘電体積層部で発生するクラックを確実に防止することができる。

前記内部電極、前記コンデンサ内ビア導体、前記ダミー電極及び前記表層電極としては特に限定されないが、同時焼成法によってこれらの導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層が高誘電率セラミック（例えばチタン酸バリウム等）からなる場合には、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）等やそれらの合金が選択可能である。また、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、導体中の金属粉末として、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）等やそれらの合金が選択可能である。

また、前記第１面取り部及び前記第２面取り部は、平面状の面取り部であってもよいし、曲面状の面取り部であってもよいが、平面状の面取り部であることが好ましい。このようにすれば、曲面状の面取り部を形成する場合よりも、面取り部を高精度にかつ容易に形成することができる。

なお、前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り深さは、前記コンデンサ本体の厚さの２分の１未満であることが好ましい。仮に、第２面取り部の面取り深さがコンデンサ本体の厚さの２分の１以上であると、一方のコンデンサ主面の外周部分に形成された第２面取り部と他方のコンデンサ主面の外周部分に形成された第２面取り部とがつながってしまい、２つの第２面取り部がなす角度が鋭角になる可能性がある。この場合、隣接する２つの第２面取り部の境界部分に応力が集中し、外表面に接する樹脂絶縁材料にクラックが発生するおそれがある。

また、前記第１面取り部及び第２面取り部が平面状の面取り部である場合、前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り深さは、隣接する２つの前記コンデンサ側面のうちいずれか一方のコンデンサ側面を基準とした前記第１面取り部の面取り深さよりも小さいことが好ましい。具体的に言うと、前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り深さは、隣接する２つの前記コンデンサ側面のうちいずれか一方のコンデンサ側面を基準とした前記第１面取り部の面取り深さの４０分の１以上３分の１以下であることが好ましい。このようにすれば、第２面取り部を形成したとしても、コンデンサ本体の体積が小さくなりにくい。これにより、内部電極の面積を小さくしなくても済むため、コンデンサ容量を十分に確保することができる。仮に、上記の第２面取り部の面取り深さが第１面取り部の面取り深さの４０分の１未満であると、第２面取り部を形成したとしても、応力集中を十分に緩和することができない。一方、上記の第２面取り部の面取り深さが第１面取り部の面取り深さの３分の１よりも大きくなると、コンデンサ本体の体積が小さくなり、これに伴って内部電極の面積が小さくなる可能性があるため、コンデンサ容量を十分に確保できなくなる。

また、前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り角度、前記コンデンサ側面を基準とした前記第２面取り部の面取り角度、及び、前記第１面取り部を基準とした前記第２面取り部の面取り角度は、それぞれ９０°未満であることが好ましい。

また、前記第１面取り部及び前記第２面取り部が平面状の面取り部である場合、前記コンデンサ本体は、前記コンデンサ主面、前記コンデンサ側面、前記第１面取り部及び前記第２面取り部からなる１８個以上の平面によって構成された多面体であり、前記コンデンサ主面、前記コンデンサ側面、前記第１面取り部及び前記第２面取り部のうち、隣接する２つの面同士がなす角度が鈍角であることが好ましい。このようにすれば、それぞれの面の境界部分において応力集中が緩和されるため、外表面に接する樹脂絶縁材料でのクラックの発生をより確実に防止することができる。仮に、コンデンサ本体が１８個未満の平面によって構成された多面体であると、隣接する２つの面同士がなす角度を全て鈍角にすることが困難になるため、一部の境界部分に応力が集中してしまう。さらに、コンデンサ本体は、１８個以上３５個未満の平面によって構成された多面体であることがより好ましい。仮に、コンデンサ本体が３５個以上の平面によって構成された多面体であると、より多くの面取り部を形成しなくてはならなくなるため、配線基板内蔵用コンデンサの製造が大変になる。

上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面上にて積層した構造を有する主面側配線積層部と、層間絶縁層及び導体層を前記コア裏面上にて積層した構造を有する裏面側配線積層部と、前記一対のコンデンサ主面のうち一方のコンデンサ主面と前記コア主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された上記手段１に記載の配線基板内蔵用コンデンサとを備え、前記配線基板内蔵用コンデンサの厚さは、前記収容穴部の深さと略同一、または、前記収容穴部の深さよりも小さく設定され、前記コンデンサ本体を樹脂絶縁材料内に埋め込むことにより、前記配線基板内蔵用コンデンサが固定されることを特徴とする配線基板がある。

従って、上記手段２の配線基板によれば、隣接する２つのコンデンサ側面の境界部分への応力集中が、第１面取り部を設けることによって緩和される。しかも、コンデンサ主面とコンデンサ側面との境界部分、及び、コンデンサ主面と第１面取り部との境界部分への応力集中が、第２面取り部を設けることによって緩和される。これにより、配線基板内蔵用コンデンサの外表面に接する樹脂絶縁材料でのクラックの発生を確実に防止することができるため、配線基板の信頼性が向上する。

上記配線基板を構成するコア基板は、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成されており、配線基板内蔵用コンデンサを収容するための収容穴部を有している。この収容穴部は、コア主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。

コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。

また、上記配線基板を構成する主面側配線積層部及び裏面側配線積層部は、高分子材料を主体とする層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。

本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。 セラミックコンデンサを示す概略斜視図。 セラミックコンデンサを示す概略断面図。 コンデンサ形成層部において内部電極とコンデンサ内ビア導体との接続を説明するための概略説明図。 コンデンサ形成層部において内部電極とコンデンサ内ビア導体との接続を説明するための概略説明図。 カバー層部においてダミー電極とコンデンサ内ビア導体との関係を示す概略説明図。 他の実施形態のセラミックコンデンサを示す要部断面図。 他の実施形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。 従来技術における配線基板の製造方法の説明図。 同じく、配線基板の製造方法の説明図。 従来技術における問題点を示す拡大断面図。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０は、略矩形板状のコア基板１１と、コア基板１１のコア主面１２上に形成される主面側ビルドアップ層３１（主面側配線積層部）と、コア基板１１のコア裏面１３上に形成される裏面側ビルドアップ層３２（裏面側配線積層部）とからなる。

本実施形態のコア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板１１は、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃程度（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板１１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。このコア基板１１における複数箇所にはスルーホール導体１６が形成されている。かかるスルーホール導体１６は、コア基板１１のコア主面１２側とコア裏面１３側とを接続導通している。なお、スルーホール導体１６の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体１７で埋められている。また、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。

図１に示されるように、前記主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には３０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂層間絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。ＩＣチップ搭載領域２３は、主面側ビルドアップ層３１の表面に設定されている。また、樹脂層間絶縁層３３，３５内には、それぞれビア導体４３，４７が設けられている。これらのビア導体４３，４７は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。

図１に示されるように、前記裏面側ビルドアップ層３２は、上述した主面側ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有しており、樹脂層間絶縁層３４，３６の熱膨張係数が１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には３０ｐｐｍ／℃程度）となっている。第２層の樹脂層間絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４７を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８がアレイ状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。

前記コア基板１１は、コア主面１２の中央部及びコア裏面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９１を有している。即ち、収容穴部９１は貫通穴である。収容穴部９１内には、セラミックコンデンサ１０１（配線基板内蔵用コンデンサ）が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、第１コンデンサ主面１０２をコア主面１２と同じ側に向けた状態で収容され、主面側ビルドアップ層３１に接するように配置されている。また、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１５．０ｍｍ×横１５．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの矩形平板状である。よって、セラミックコンデンサ１０１の厚さは、収容穴部９１の深さ（本実施形態では１．０ｍｍ）よりも小さく設定されている。

図１に示されるように、収容穴部９１の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、樹脂絶縁材料（本実施形態では熱硬化性樹脂）からなる充填剤９２によって埋められている。この充填剤９２は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定するとともに、セラミックコンデンサ１０１及びコア基板１１の面方向や厚さ方向への変形を自身の弾性変形により吸収する機能を有している。即ち、セラミックコンデンサ１０１は、外表面に充填剤９２が接した状態で配線基板１０に内蔵されている。なお本実施形態において、充填剤９２の完全硬化状態での熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度であり、具体的には２０ｐｐｍ／℃程度となっている。ここで、充填剤９２の完全硬化状態での熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、セラミックコンデンサ１０１は、充填剤９２内に埋め込まれた状態で固定されている。詳述すると、充填剤９２は、収容穴部９１の内面とコンデンサ側面１０６との隙間だけでなく、前記樹脂層間絶縁層３４のコア裏面１３側の面と、第２コンデンサ主面１０３との隙間も埋めている。一方、前記樹脂層間絶縁層３３のコア主面１２側の面には第１コンデンサ主面１０２が密着しているため、両者の間に充填剤９２は存在していない。従って、第１コンデンサ主面１０２側に存在する充填剤９２の体積よりも、第２コンデンサ主面１０３側に存在する充填剤９２の体積のほうが大きくなっている。

図１に示されるように、セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１の第１コンデンサ主面１０２の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１の第１コンデンサ主面１０２内に位置している。

図１〜図３に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１を構成するセラミック焼結体１０４（コンデンサ本体）は、１つの第１コンデンサ主面１０２（図１では上面）、１つの第２コンデンサ主面１０３（図１では下面）、及び、４つのコンデンサ側面１０６を有する略矩形板状をなしている。第１コンデンサ主面１０２及び第２コンデンサ主面１０３は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向において互いに反対側に位置している。本実施形態において、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃未満、具体的には１２〜１３ｐｐｍ／℃程度となっている。なお、セラミック焼結体１０４の熱膨張係数は、３０℃〜２５０℃間の測定値の平均値をいう。

セラミック焼結体１０４は、コンデンサ形成層部１０７（第１誘電体積層部）と、コンデンサ形成層部１０７の上面を覆う上側のカバー層部１０８（第２誘電体積層部）と、コンデンサ形成層部１０７の下面を覆う下側のカバー層部１０９（第２誘電体積層部）とを備える。コンデンサ形成層部１０７は、複数のセラミック誘電体層１０５と、複数の内部電極１４１，１４２とを交互に積層した構造を有している。コンデンサ形成層部１０７に形成されている内部電極は電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２であり、セラミック誘電体層１０５を介してそれら電源用内部電極１４１とグランド用内部電極１４２とが交互に積層配置されている。セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２間の誘電体（絶縁体）として機能する。電源用内部電極１４１及びグランド用内部電極１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成された導体である。

図３〜図６に示されるように、セラミック焼結体１０４には、多数のビア穴１３０が形成されている。これらのビア穴１３０は、セラミック焼結体１０４の厚さ方向に沿って延びてセラミック焼結体１０４を貫通するとともに、全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、ビア穴１３０を４列×４列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。各ビア穴１３０内には、セラミック焼結体１０４の第１コンデンサ主面１０２及び第２コンデンサ主面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、各電源用内部電極１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している（図３，図４参照）。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、各グランド用内部電極１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している（図３，図５参照）。

図１，図３に示されるように、前記カバー層部１０８，１０９は、セラミック焼結体１０４の表層部にて露出するよう配置されている。詳述すると、上側のカバー層部１０８は、前記第１コンデンサ主面１０２にて露出するように配置され、下側のカバー層部１０９は、前記第２コンデンサ主面１０３にて露出するように配置されている。各カバー層部１０８，１０９は、複数のセラミック誘電体層１５３と、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２に電気的に接続されていない広面積のダミー電極１５４とを交互に積層した構造を有する。ダミー電極１５４は、コンデンサ形成層部１０７における内部電極１４１，１４２と同じ材料（ニッケルを主成分とした金属材料）によって形成されるとともに、その内部電極１４１，１４２の厚さ以上の厚さに形成されている。このダミー電極１５４は、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の周囲にクリアランス１５５（円形の抜きパターン）を有するベタパターンとなるよう形成されている（図６参照）。また、セラミック誘電体層１５３は、コンデンサ形成層部１０７におけるセラミック誘電体層１０５と同じ材料（具体的にはチタン酸バリウム）によって形成されるとともに、セラミック誘電体層１０５よりも厚く形成されている。

そして、図１〜図３に示されるように、セラミック焼結体１０４の第１コンデンサ主面１０２上には、複数の主面側電源用電極１１１（表層電極）と複数の主面側グランド用電極１１２（表層電極）とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極１１２は、第１コンデンサ主面１０２上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極１１１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１における第１コンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極１１２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２における第１コンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。

また、セラミック焼結体１０４の第２コンデンサ主面１０３上には、複数の裏面側電源用電極１２１（表層電極）と複数の裏面側グランド用電極１２２（表層電極）とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極１２２は、第２コンデンサ主面１０３上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極１２１は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体１３１における第２コンデンサ主面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極１２２は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体１３２における第２コンデンサ主面１０３側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極１４１に導通しており、グランド用電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極１４２に導通している。

図１に示されるように、第１コンデンサ主面１０２側にある電極１１１，１１２は、ビア導体４３、導体層４２、ビア導体４７、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップ２１の面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。一方、第２コンデンサ主面１０３側にある電極１２１，１２２は、図示しないマザーボードが有する電極（接触子）に対して、ビア導体４３、導体層４２、ビア導体４７、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して電気的に接続される。

図１〜図３に示されるように、電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。これら電極１１１，１１２，１２１，１２２及びコンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、ＩＣチップ２１の略中心部の直下に配置されている。なお本実施形態では、電極１１１，１１２，１２１，１２２の直径が約５００μｍに設定されている。

例えば、マザーボード側から電極１２１，１２２を介して通電を行い、電源用内部電極１４１−グランド用内部電極１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ１０１がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。

図２，図３〜図６に示されるように、前記セラミック焼結体１０４は、四隅（隣接する２つの前記コンデンサ側面１０６の境界部分）に平面状の第１面取り部１６１を有している。なお、隣接する２つのコンデンサ側面１０６のうち一方のコンデンサ側面１０６を基準とした第１面取り部１６１の面取り深さＣ１（図４参照）は、０．５５ｍｍ以上（本実施形態では０．６ｍｍ）となっている。また、コンデンサ側面１０６を基準とした第１面取り部１６１の面取り角度θ１（図４参照）は４５°である。従って、隣接するコンデンサ側面１０６と第１面取り部１６１とがなす角度は、鈍角（１８０°−θ１＝１３５°）である。

図２，図３に示されるように、前記第１コンデンサ主面１０２とコンデンサ側面１０６との境界部分、及び、第１コンデンサ主面１０２と第１面取り部１６１との境界部分には、平面状の第２面取り部１６２が形成されている。また、前記第２コンデンサ主面１０３とコンデンサ側面１０６との境界部分、及び、第２コンデンサ主面１０３と第１面取り部１６１との境界部分にも、平面状の第２面取り部１６３が形成されている。従って、本実施形態のセラミック焼結体１０４は、１つの第１コンデンサ主面１０２、１つの第２コンデンサ主面１０３、４つのコンデンサ側面１０６、４つの第１面取り部１６１、８つの第２面取り部１６２、及び、８つの第２面取り部１６３からなる２６個の平面によって構成された多面体である。

なお、第１コンデンサ主面１０２を基準とした第２面取り部１６２の面取り深さＣ２（図３参照）は、０．１ｍｍとなっている。また、第２コンデンサ主面１０３を基準とした第２面取り部１６３の面取り深さＣ３（図３参照）も、面取り深さＣ２と同様に０．１ｍｍとなっている。即ち、面取り深さＣ２，Ｃ３は、セラミック焼結体１０４の厚さ（本実施形態では０．８ｍｍ）の２分の１未満である。また、面取り深さＣ２，Ｃ３は、面取り深さＣ１（０．６ｍｍ）の６分の１である。

図２，図３に示されるように、第１コンデンサ主面１０２を基準とした第２面取り部１６２の面取り角度θ２（図３参照）、及び、第２コンデンサ主面１０３を基準とした第２面取り部１６３の面取り角度θ３（図３参照）は、それぞれ４５°である。従って、隣接する第１コンデンサ主面１０２と第２面取り部１６２とがなす角度は、鈍角（１８０°−θ２＝１３５°）であり、隣接する第２コンデンサ主面１０３と第２面取り部１６３とがなす角度も、鈍角（１８０°−θ３＝１３５°）である。また、コンデンサ側面１０６を基準とした第２面取り部１６２の面取り角度θ４（図３参照）、及び、コンデンサ側面１０６を基準とした第２面取り部１６３の面取り角度θ５（図３参照）も、それぞれ４５°である。従って、隣接するコンデンサ側面１０６と第２面取り部１６２とがなす角度は、鈍角（１８０°−θ４＝１３５°）であり、隣接するコンデンサ側面１０６と第２面取り部１６３とがなす角度も、鈍角（１８０°−θ５＝１３５°）である。さらに、第１面取り部１６１を基準とした第２面取り部１６２の面取り角度θ６（図２参照）、及び、第１面取り部１６１を基準とした第２面取り部１６３の面取り角度θ７（図２参照）も、それぞれ４５°である。従って、隣接する第１面取り部１６１と第２面取り部１６２とがなす角度は、鈍角（１８０°−θ６＝１３５°）であり、隣接する第１面取り部１６１と第２面取り部１６３とがなす角度も、鈍角（１８０°−θ７＝１３５°）である。なお本実施形態では、隣接する第２面取り部１６２同士がなす角度や、隣接する第２面取り部１６３同士がなす角度も、鈍角であるため、セラミック焼結体１０４において隣接する２つの面がなす角度は全て鈍角となっている。

本実施形態のセラミックコンデンサ１０１は、以下のように作製される。即ち、厚さが７μｍ程度であるセラミックの第１グリーンシートを形成するとともに、厚さが３０μｍ程度であるセラミックの第２グリーンシートを形成する。そして、第１グリーンシートに内部電極用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極１４１となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極１４２となるグランド用内部電極部とが形成される。また、第２グリーンシートにダミー電極用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後にダミー電極１５４となるダミー電極部が形成される。

次に、支持体（図示略）の上に第２グリーンシートを積層し、後に上側のカバー層部１０８となる部位を形成する。なお、支持体と密着する１層目の第２グリーンシートには、ダミー電極部が形成されていない。次に、第２グリーンシートの第１面側（即ちカバー層部１０８となる部位の下面）に、電源用内部電極部が形成された第１グリーンシートとグランド用内部電極部が形成された第１グリーンシートとを交互に積層し、後にコンデンサ形成層部１０７となる部位を形成する。さらに、第１グリーンシートの第２面側（即ちコンデンサ形成層部１０７となる部位の下面）に第２グリーンシートを積層し、後に下側のカバー層部１０９となる部位を形成する。これにより、各グリーンシートが一体化され、正方形状の製品領域（セラミックコンデンサ１０１となるべき部分）が平面方向に沿って縦横に複数配列された構造のグリーンシート積層体が形成される（積層工程）。

次に、レーザー加工機を用いてレーザー加工を行うことにより、グリーンシート積層体にビア穴１３０を多数個貫通形成する（穴開け工程）。さらに、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、各ビア穴１３０内に、ビア導体用ニッケルペーストを充填する（ビア充填工程）。そして、グリーンシート積層体の上面上に表層電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように表層電極部を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上に表層電極用ニッケルペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように表層電極部を形成する。

この後、前記積層工程よりもさらに高い温度、圧力でシート積層方向に押圧力を付与することにより、グリーンシート積層体をより確実に一体化させる。次に、前記製品領域の外形線に沿ってレーザー加工を行うことにより、後の焼成工程後に製品領域同士を分割するためのブレーク溝を形成する。それと同時に、製品領域の外形線どうしが交差する部分（即ち製品領域の角部）に対してレーザー加工を行うことにより、セラミックコンデンサ１０１において隣接する２つのコンデンサ側面１０６の境界部分に第１面取り部１６１を形成するための貫通孔を形成する。

次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに還元雰囲気下にて所定時間で所定時間焼成を行う（焼成工程）。このときの焼成温度は、チタン酸バリウムが焼結しうる温度である１３００℃に設定される。その結果、第１グリーンシート中及び第２グリーンシート中のチタン酸バリウムが焼結してセラミック焼結体１０４となる。それと同時に、電源用内部電極部中及びグランド用内部電極中のニッケルが焼結して内部電極１４１，１４２となり、ダミー電極部中のニッケルが焼結してダミー電極１５４となり、表層電極部中のニッケルが焼結して電極１１１，１１２，１２１，１２２となる。また、ビア導体用ニッケルペースト中のニッケルが焼結してコンデンサ内ビア導体１３１，１３２となる。

次に、サンドペーパーを取り付けた研磨機により、第１コンデンサ主面１０２と、コンデンサ側面１０６及び第１面取り部１６１との境界部分に第２面取り部１６２を形成するとともに、第２コンデンサ主面１０３と、コンデンサ側面１０６及び第１面取り部１６１との境界部分に第２面取り部１６３を形成する。なお、焼成後の研磨処理によって第１面取り部１６１を面取り部１６２，１６３と同様に形成してもよい。また、グリーンシート積層体にＶ字刃やＵ字刃を押し当てたり、レーザー加工を行ったりすることによって、第２面取り部１６２，１６３を形成するようにしてもよい。

次に、得られたセラミック焼結体１０４が有する各電極１１１，１１２，１２１，１２２に対して電解銅めっき（厚さ２０μｍ程度）を行う。その結果、各電極１１１，１１２，１２１，１２２の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ１０１が平面方向に沿って縦横に複数配列された構造の板状パネルが完成する。そして、板状パネルをブレーク溝に沿って切断することにより、製品領域どうしが分割され、複数ピースのセラミックコンデンサ１０１となる。

このセラミックコンデンサ１０１を配線基板１０に内蔵する際には、まず、収容穴部９１を有するコア基板１１を従来周知の手法により作製して準備する。そして、そのコア基板１１の収容穴部９１内にセラミックコンデンサ１０１を収容し、その収容穴部９１の内面とセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間に、熱硬化性樹脂製の充填剤９２を充填する。その後、加熱処理を行うと、充填剤９２が硬化して、セラミックコンデンサ１０１が収容穴部９１内に固定される。

さらに、従来周知の手法に基づいてコア基板１１のコア主面１２の上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア基板１１のコア裏面１３の上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。その結果、コア基板１１及びビルドアップ層３１，３２からなる配線基板１０が完成する。

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態では、ＩＣチップ２１の動作時に発生する熱などによって充填剤９２に応力が加わる。この場合、隣接する２つのコンデンサ側面１０６の境界部分だけでなく、コンデンサ主面１０２，１０３とコンデンサ側面１０６との境界部分にも応力が集中してしまう。また、第２コンデンサ主面１０３側に存在する充填剤９２は、第１コンデンサ主面１０２側に存在する充填剤９２よりも体積が大きいために、より大きな応力が加わる。ゆえに、第２コンデンサ主面１０３とコンデンサ側面１０６との境界部分には、特に応力が集中しやすい傾向にある。

そこで本実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、第１面取り部１６１に加えて第２面取り部１６２，１６３をセラミック焼結体１０４に形成している。このため、充填剤９２に応力が加わった場合に、隣接する２つのコンデンサ側面１０６の境界部分への応力集中が、第１面取り部１６１を設けることによって緩和される。しかも、コンデンサ主面１０２，１０３とコンデンサ側面１０６との境界部分への応力集中や、コンデンサ主面１０２，１０３と第１面取り部１６１との境界部分への応力集中が、第２面取り部１６２，１６３を設けることによって緩和される。これにより、充填剤９２でのクラックの発生を確実に防止することができるため、配線基板１０の信頼性が向上する。

（２）本実施形態のセラミック焼結体１０４では、隣接する２つの面がなす角度が全て鈍角となっている。このため、セラミック焼結体１０４の外表面に応力が集中しやすい部分が存在しなくなる。これにより、充填剤９２にクラックがよりいっそう発生しにくくなるため、配線基板１０の信頼性がよりいっそう向上する。

（３）本実施形態では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

（４）本実施形態では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、上記ＩＣチップ搭載領域２３においては、主面側ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。

なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、第１コンデンサ主面１０２と、コンデンサ側面１０６及び第１面取り部１６１との境界部分に第２面取り部１６２が形成されるとともに、第２コンデンサ主面１０３と、コンデンサ側面１０６及び第１面取り部１６１との境界部分に第２面取り部１６３が形成されていた。しかし、第２面取り部１６２，１６３のいずれか一方を省略してもよい。なお、この場合、応力が集中しやすい第２面取り部１６３を省略するよりも、第２面取り部１６３に比べて応力集中が少ない第２面取り部１６２を省略するほうが好ましい。

・上記実施形態の第１面取り部１６１及び第２面取り部１６２，１６３は、平面状の面取り部であったが、曲面状の面取り部であってもよい。このようにすれば、面取り部に「角」が存在しなくなるので、応力集中をより確実に緩和することができる。しかし、曲面状の面取り部を高精度に形成することは困難であるため、面取り部は上記実施形態のように平面状であることが好ましい。

・図７に示すセラミックコンデンサ３０１のように、端面の一部が第２面取り部１６２，１６３に露出するダミー電極３０２をカバー層部１０８，１０９に設けてもよい。この場合、ダミー電極３０２の露出部分を表面粗化して微小な凹凸３０３を形成すれば、配線基板１０に内蔵した場合に、セラミック焼結体１０４の外表面に接する充填剤９２が凹凸３０３に入り込みやすくなる。その結果、セラミックコンデンサ３０１と充填剤９２との接合強度が向上し、ひいては配線基板１０の信頼性がよりいっそう向上する。また、ダミー電極３０２が内部電極１４１，１４２よりも厚く形成され、しかもダミー電極３０２の露出部分が斜めに切断された状態になっている。これにより、ダミー電極３０２の端面の露出面積が大きくなるため、セラミックコンデンサ３０１と充填剤９２との接合強度がよりいっそう向上する。さらに、内部電極１４１，１４２の外周部分をコンデンサ側面１０６の近傍に近づけてもよい。なお、内部電極１４１，１４２の外周部分は、コンデンサ側面１０６に露出していない。このようにすれば、内部電極１４１，１４２の面積を大きくすることができるため、セラミックコンデンサ３０１の高容量化を図ることができる。また図示しないが、内部電極１４１，１４２が形成されるセラミック誘電体層１０５上に、内部電極１４１，１４２とは電気的に絶縁されたダミー電極層を内部電極１４１，１４２の周囲を覆うように形成し、ダミー電極層の端面をコンデンサ側面１０６に露出させてもよい。

・上記実施形態の配線基板１０では、コア基板１１のコア主面１２及びコア裏面１３にて開口する収容穴部９１にセラミックコンデンサ１０１が内蔵され、セラミックコンデンサ１０１が主面側ビルドアップ層３１に接するように配置されていたが、これに限定されるものではない。例えば、収容穴部９１をコア基板１１のコア主面１２のみにて開口する有底の凹部（非貫通穴）とし、そこにセラミックコンデンサ１０１を内蔵してもよい。この場合、セラミックコンデンサ１０１は、収容穴部９１の底面に接するように配置される。

・上記実施形態のカバー層部１０８，１０９は、複数のセラミック誘電体層１５３とダミー電極１５４とを交互に積層した構造を有していた。しかし、ダミー電極１５４を省略し、カバー層部１０８，１０９をセラミック誘電体層１５３のみによって構成してもよい。

・上記実施形態では、カバー層部１０８，１０９のセラミック誘電体層１５３がコンデンサ形成層部１０７のセラミック誘電体層１０５よりも厚く形成され、カバー層部１０８，１０９のダミー電極１５４がコンデンサ形成層部１０７の内部電極１４１，１４２よりも厚く形成されていた。しかし、セラミック誘電体層１５３の厚さをセラミック誘電体層１０５の厚さと等しく設定するとともに、ダミー電極１５４の厚さを内部電極１４１，１４２の厚さと等しく設定してもよい。このようにすれば、同じ厚さのグリーンシートを積層してセラミック焼結体１０４を焼成することができるため、その製造コストを抑えることができる。また、ダミー電極１５４の配置間隔が短くなるので、カバー層部１０８，１０９の靭性をよりいっそう向上させることができる。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、セラミック焼結体１０４の第１コンデンサ主面１０２側にカバー層部１０８が設けられるとともに、セラミック焼結体１０４の第２コンデンサ主面１０３側にカバー層部１０９が設けられていた。しかし、カバー層部１０８，１０９は、第１コンデンサ主面１０２側にのみ設けられていてもよいし、第２コンデンサ主面１０３側にのみ設けられていてもよいし、どちら側にも設けられていなくてもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１では、第１コンデンサ主面１０２及び第２コンデンサ主面１０３の両方に表層電極（電極１１１，１１２，１２１，１２２）が形成されていたが、これに限定されるものではない。例えば、図８に示すセラミックコンデンサ３１１のように、第１コンデンサ主面１０２側のみに表層電極（電極１１１，１１２）が形成されていてもよい。

・上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１はコア基板１１内に収容されていた。しかし、上記実施形態のセラミックコンデンサ１０１などよりも薄いセラミックコンデンサ（例えば、厚さ０．０８ｍｍ）を形成し、そのセラミックコンデンサを例えば主面側ビルドアップ層３１内に収容してもよい。

この場合、コア基板１１のコア主面１２上に樹脂シート（未硬化状態の樹脂層間絶縁層３３）をラミネートし、樹脂シートが硬化する前に、マウント装置（ヤマハ発動機株式会社製）を用いて、セラミックコンデンサを樹脂シート上に配置する。このとき、加圧しながらセラミックコンデンサの一部（第２コンデンサ主面１０３側の電極１２１，１２２）を樹脂シート内に潜り込ませるようにする。これにより、セラミックコンデンサが位置決めされる。その後、樹脂シートを硬化させて樹脂層間絶縁層３３とする。さらに、樹脂層間絶縁層３５及び導体層４２を交互に形成すれば、主面側ビルドアップ層３１が完成する。

このようにすれば、セラミックコンデンサがコア基板１１内に収容される場合に比べて、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサとを電気的に接続する導通経路（コンデンサ接続配線）が短くなる。これにより、配線のインダクタンス成分の増加が防止されるため、セラミックコンデンサによりＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができ、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。

・上記実施形態では、配線基板１０のパッケージ形態はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。

次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した各実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。

（１）厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有する板状に形成され、誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有し、隣接する２つの前記コンデンサ側面の境界部分に第１面取り部を有するコンデンサ本体を備え、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態で配線基板に内蔵されるコンデンサであって、少なくとも一方の前記コンデンサ主面と、前記複数のコンデンサ側面及び前記第１面取り部との境界部分に、第２面取り部が形成され、前記第２面取り部は、前記コンデンサ本体の表面研磨、または、前記コンデンサ本体に対するレーザー加工を行うことによって形成されることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。

（２）技術的思想（１）において、前記コンデンサは、長手方向の外形寸法が５ｍｍ以上４０ｍｍ以下であることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。

（３）技術的思想（１）または（２）において、前記第１面取り部及び前記第２面取り部は、平面状の面取り部であり、前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り深さは、隣接する２つの前記コンデンサ側面のうちいずれか一方のコンデンサ側面を基準とした前記第１面取り部の面取り深さの４０分の１以上３分の１以下であることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。

（４）厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有する板状に形成され、誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有し、隣接する２つの前記コンデンサ側面の境界部分に第１面取り部を有するコンデンサ本体を備え、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態で配線基板に内蔵されるコンデンサであって、少なくとも一方の前記コンデンサ主面と、前記複数のコンデンサ側面及び前記第１面取り部との境界部分に、第２面取り部が形成され、前記コンデンサ本体が、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極に接続されていないダミー電極とを交互に積層してなり、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうちいずれか一方にて露出するように配置された第２誘電体積層部とを含んで構成され、前記ダミー電極は、金属材料を用いて前記内部電極よりも厚く形成され、端面の一部が前記第２面取り部に露出する一方、前記内部電極は、外周面が前記コンデンサ側面、前記第１面取り部及び前記第２面取り部のいずれにも露出していないことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。

１０…配線基板
１１…コア基板
１２…コア主面
１３…コア裏面
３１…主面側配線積層部としての主面側ビルドアップ層
３２…裏面側配線積層部としての裏面側ビルドアップ層
３３〜３６…層間絶縁層としての樹脂層間絶縁層
４２…導体層
９１…収容穴部
９２…樹脂絶縁材料としての充填剤
１０１，３０１，３１１…配線基板内蔵用コンデンサとしてのセラミックコンデンサ
１０２…コンデンサ主面としての第１コンデンサ主面
１０３…コンデンサ主面としての第２コンデンサ主面
１０４…コンデンサ本体としてのセラミック焼結体
１０５，１５３…誘電体層としてのセラミック誘電体層
１０６…コンデンサ側面
１０７…第１誘電体積層部としてのコンデンサ形成層部
１０８，１０９…第２誘電体積層部としてのカバー層部
１１１…表層電極としての主面側電源用電極
１１２…表層電極としての主面側グランド用電極
１２１…表層電極としての裏面側電源用電極
１２２…表層電極としての裏面側グランド用電極
１３１…コンデンサ内ビア導体としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…コンデンサ内ビア導体としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極としての電源用内部電極
１４２…内部電極としてのグランド用内部電極
１５４，３０２…ダミー電極
１６１…第１面取り部
１６２，１６３…第２面取り部
Ｃ１，Ｃ３…第１面取り部の面取り深さ
Ｃ２…第２面取り部の面取り深さ
θ２，θ３，θ４，θ５，θ６，θ７…面取り角度

Claims (8)

1. 厚さ方向において互いに反対側に位置する一対のコンデンサ主面と複数のコンデンサ側面とを有する板状に形成され、誘電体層を介して複数の内部電極が積層配置された構造を有し、隣接する２つの前記コンデンサ側面の境界部分に第１面取り部を有するコンデンサ本体を備え、外表面に樹脂絶縁材料が接した状態で配線基板に内蔵されるコンデンサであって、
   少なくとも一方の前記コンデンサ主面と、前記複数のコンデンサ側面及び前記第１面取り部との境界部分に、第２面取り部が形成され、
   前記コンデンサ本体が、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極とを交互に積層してなる第１誘電体積層部と、複数の前記誘電体層と複数の前記内部電極に接続されていないダミー電極とを交互に積層してなり、前記コンデンサ本体の前記一対のコンデンサ主面のうちいずれか一方にて露出するように配置された第２誘電体積層部とを含んで構成され、
   前記ダミー電極は、金属材料を用いて形成され、端面の一部が前記第２面取り部に露出している
   ことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
2. 前記第２面取り部は、平面状の面取り部であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
3. 前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り深さは、前記コンデンサ本体の厚さの２分の１未満であることを特徴とする請求項２に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
4. 前記第１面取り部は、平面状の面取り部であり、
   前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り深さは、隣接する２つの前記コンデンサ側面のうちいずれか一方のコンデンサ側面を基準とした前記第１面取り部の面取り深さよりも小さいことを特徴とする請求項２または３に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
5. 前記コンデンサ主面を基準とした前記第２面取り部の面取り角度、前記コンデンサ側面を基準とした前記第２面取り部の面取り角度、及び、前記第１面取り部を基準とした前記第２面取り部の面取り角度は、それぞれ９０°未満であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
6. 前記第１面取り部は、平面状の面取り部であり、
   前記コンデンサ本体は、前記コンデンサ主面、前記コンデンサ側面、前記第１面取り部及び前記第２面取り部からなる１８個以上の平面によって構成された多面体であり、
   前記コンデンサ主面、前記コンデンサ側面、前記第１面取り部及び前記第２面取り部のうち、隣接する２つの面同士がなす角度が鈍角である
   ことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
7. 前記コンデンサは、
   前記複数の内部電極に電気的に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、
   前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも一方の前記コンデンサ主面側の端部に電気的に接続された複数の表層電極と
   を備え、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサである
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
8. コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、
   層間絶縁層及び導体層を前記コア主面上にて積層した構造を有する主面側配線積層部と、
   層間絶縁層及び導体層を前記コア裏面上にて積層した構造を有する裏面側配線積層部と、
   前記一対のコンデンサ主面のうち一方のコンデンサ主面と前記コア主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサと
   を備え、
   前記配線基板内蔵用コンデンサの厚さは、前記収容穴部の深さと略同一、または、前記収容穴部の深さよりも小さく設定され、
   前記コンデンサ本体を樹脂絶縁材料内に埋め込むことにより、前記配線基板内蔵用コンデンサが固定される
   ことを特徴とする配線基板。

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