ところで、一般的な配線基板は、配線基板となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用配線基板を分割することによって得られるようになっている。しかし、多数個取り用配線基板によって得られる配線基板の数(取り数)が多くなると、収容穴部203の数も多くなるため、樹脂絶縁層210の一部で埋めるべき容積も増加する。よって、コア主面201上に樹脂絶縁層210を形成したとしても、樹脂絶縁層210の一部で隙間A1を十分に埋めることが困難になり、ボイドが生じやすい。ゆえに、ボイドを起点として、コンデンサ208とコア基板204(またはビルドアップ層)との間などにクラックが発生しやすくなり、配線基板の信頼性が低下する可能性がある。
なお、隙間A1を完全に埋め尽くすためには、樹脂絶縁層210を厚くする必要がある。ところで近年では、配線基板の肉薄化が要求されているが、樹脂絶縁層210を厚くすると配線基板の肉厚化につながるため好ましくない。また、ビルドアップ層の形成時において、樹脂絶縁層210には、同樹脂絶縁層210を貫通してコンデンサ主面205に突設された表層電極207を露出させるビア孔がレーザーによって形成される。しかし、上記のように樹脂絶縁層210を厚くすると、ビア孔を形成する際のレーザーの出力調整が困難になるため、表層電極207を露出させることができない可能性がある。この場合、ビア孔内にビア導体を形成したとしても、コンデンサ208とビルドアップ層とを電気的に接続できず、配線基板の信頼性が低下してしまう。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、信頼性に優れた部品内蔵配線基板及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の部品内蔵配線基板に好適な配線基板内蔵用コンデンサを提供することにある。
そして上記課題を解決するための手段(手段1)としては、コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容された部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されていることを特徴とする部品内蔵配線基板がある。
従って、手段1の部品内蔵配線基板によると、部品を樹脂被覆層で覆うことにより、収容穴部と部品との間に生じる隙間が小さくなるため、収容穴部と部品との間に多量の層間絶縁層を充填しなくても済むようになる。その結果、コア主面に接する層間絶縁層を厚くしなくても、層間絶縁層の一部で上記の隙間を十分に埋めることができるため、ボイドの発生等を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。
上記部品内蔵配線基板を構成するコア基板は、例えばコア主面及びその反対側に位置するコア裏面を有する板状に形成されており、部品を収容するための収容穴部を有している。この収容穴部は、コア主面側のみにて開口する非貫通穴であってもよく、あるいはコア主面側及びコア裏面側の両方にて開口する貫通穴であってもよい。また、部品は、完全に埋設された状態で収容穴部に収容されていてもよいし、一部分が収容穴部の開口部から突出した状態で収容穴部に収容されていてもよい。
コア基板を形成する材料は特に限定されないが、好ましいコア基板は高分子材料を主体として形成される。コア基板を形成するための高分子材料の具体例としては、例えば、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料を使用してもよい。
上記部品内蔵配線基板を構成する部品は、部品主面、部品裏面及び部品側面を有している。部品の形状は、任意に設定することが可能であるが、例えば、部品主面の面積が部品側面の面積よりも大きい板状であることが好ましい。このようにすれば、収容穴部内に部品を収容した際に、収容穴部の内壁面と部品側面との距離が小さくなるため、部品側面を覆う樹脂被覆層をそれ程厚くしなくても済む。また、部品の平面視での形状としては、複数の辺を有する平面視多角形状であることが好ましい。平面視多角形状としては、例えば、平面視略矩形状、平面視略三角形状、平面視略六角形状などを挙げることができるが、特には、一般的な形状である平面視略矩形状であることが好ましい。ここで、「平面視略矩形状」とは、平面視で完全な矩形状のみをいうのではなく、角部が面取りされた形状や、辺の一部が曲線となっている形状も含むものとする。
なお、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子(ICチップ)、半導体製造プロセスで製造されたMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。
また、好適なコンデンサの例としては、チップコンデンサや、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体と、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記部品主面側の端部に接続された複数の表層電極とを備えるコンデンサなどを挙げることができる。なお、コンデンサは、前記複数のコンデンサ内ビア導体が全体としてアレイ状に配置されたビアアレイタイプのコンデンサであることが好ましい。このような構造であれば、コンデンサのインダクタンスの低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすくなり、ひいては部品内蔵配線基板全体の小型化も図りやすくなる。しかも、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。
コンデンサを構成する前記誘電体層としては、セラミック誘電体層、樹脂誘電体層、セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層などが挙げられる。前記セラミック誘電体層としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などといった高温焼成セラミックの焼結体が好適に使用されるほか、ホウケイ酸系ガラスやホウケイ酸鉛系ガラスにアルミナ等の無機セラミックフィラーを添加したガラスセラミックのような低温焼成セラミックの焼結体が好適に使用される。この場合、用途に応じて、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどの誘電体セラミックの焼結体を使用することも好ましい。誘電体セラミックの焼結体を使用した場合、静電容量の大きなコンデンサを実現しやすくなる。また、前記樹脂誘電体層としては、エポキシ樹脂、接着剤を含んだ四フッ化エチレン樹脂(PTFE)などの樹脂が好適に使用される。さらに、前記セラミック−樹脂複合材料からなる誘電体層としては、セラミックとして、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが好適に使用され、樹脂材料として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステルなどの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂、及び、ニトリルブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、フッ素ゴムなどのラテックスが好適に使用される。
前記内部電極層、前記コンデンサ内ビア導体、前記表層電極としては特に限定されないが、例えば誘電体層がセラミック誘電体層である場合にはメタライズ導体であることが好ましい。なお、メタライズ導体は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ導体及びセラミック誘電体層を形成する場合、メタライズ導体中の金属粉末は、セラミック誘電体層の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック誘電体層がいわゆる高温焼成セラミック(例えばアルミナ等)からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等やそれらの合金が選択可能である。セラミック誘電体層がいわゆる低温焼成セラミック(例えばガラスセラミック等)からなる場合には、メタライズ導体中の金属粉末として、銅(Cu)または銀(Ag)等やそれらの合金が選択可能である。
前記部品を構成する樹脂被覆層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂被覆層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂にガラスフィラーを添加した材料等を使用してもよい。
ここで、樹脂被覆層の厚さは、例えば200μm以上800μm以下であることが好ましく、特には500μm程度であることが好ましい。仮に、樹脂被覆層の厚さが200μm未満であると、収容穴部と部品との間に生じる隙間があまり小さくならないため、収容穴部と部品との間に多量の層間絶縁層を充填しなければならなくなる。一方、樹脂被覆層の厚さが800μmよりも大きいと、部品が大きくなりすぎるため、収容穴部内に部品を収容できなくなる可能性がある。
なお、前記樹脂被覆層は、少なくとも部品側面を覆っている。ここで、前記部品が例えば平面視略矩形状である場合、即ち、部品側面が4つ存在する場合、前記樹脂被覆層は、1つの部品側面のみを覆っていてもよいし、2つ以上の部品側面を覆っていてもよい。また、前記樹脂被覆層は、前記部品側面のみを覆っていてもよいし、前記部品主面及び前記部品側面のみを覆う一方、前記部品裏面を覆わなくてもよいし、前記部品裏面及び前記部品側面を覆う一方、前記部品主面を覆わなくてもよいし、前記部品主面、前記部品裏面及び前記部品側面の全てを覆っていてもよい。特に、前記樹脂被覆層は、前記部品主面及び前記部品側面を覆う一方、前記部品裏面を覆わないことが好ましい。仮に、樹脂被覆層によって覆われる面が部品側面のみであると、収容穴部と部品との間に生じる空間(隙間)があまり小さくならないため、収容穴部内に充填される層間絶縁層の量が増大してしまう。一方、樹脂被覆層が部品裏面までも覆ってしまうと、上記の空間は小さくなるものの、樹脂被覆層を硬化状態にしておかないと部品が動いてしまうおそれがある。
ここで、部品主面を覆う樹脂被覆層の表面は、部品主面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品主面と平行でないと、部品主面に接する層間絶縁層の上面(層間絶縁層において部品主面とは反対側に位置する面)を平坦にすることが困難になる。同様に、部品裏面を覆う樹脂被覆層の表面も、部品裏面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品裏面と平行でないと、部品主面がコア主面に対して傾斜した状態となってしまい、部品主面に接する層間絶縁層の上面を平坦にすることが困難になる。また、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面は、部品側面と平行に配置されることが好ましい。仮に、部品側面と平行でないと、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面が収容穴部の内壁面に対して傾斜した状態となってしまい、部品側面を覆う樹脂被覆層の表面と収容穴部の内壁面との隙間に層間絶縁層の一部を上手く充填できなくなる可能性がある。
なお、上記部品内蔵配線基板を構成する配線積層部は、高分子材料を主体とする層間絶縁層及び導体層を積層した構造を有している。なお、配線積層部は、前記コア主面及び前記部品主面上にのみ形成されるが、さらに前記コア裏面及び前記部品裏面上にも配線積層部と同じ構造の積層部が形成されていてもよい。このように構成すれば、コア主面及び部品主面上に形成された配線積層部のみではなく、コア裏面及び部品裏面上に形成された積層部にも電気回路を形成できるため、部品内蔵配線基板のよりいっそうの高機能化を図ることができる。
層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。層間絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質PTFE等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
なお、前記層間絶縁層が熱硬化性樹脂である場合、前記樹脂被覆層も熱硬化性樹脂であることが好ましい。このようにすれば、加熱を行うだけで、層間絶縁層の形成と同時に、層間絶縁層と樹脂被覆層とを密着させて部品を固定することができる。これにより、部品の組み込み時の工程が簡略化されるため、部品内蔵配線基板を容易に製造できるとともに、低コスト化を図ることができる。
また、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ材料によって形成されていてもよいし、前記層間絶縁層とは異なる材料によって形成されていてもよいが、前記層間絶縁層と同じ材料によって形成されることが好ましい。このようにすれば、樹脂被覆層の形成に際して層間絶縁層とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。また、層間絶縁層の形成と同時に部品の固定が行われるため、部品の組み込み時の工程が簡略化される。よって、配線基板を容易に製造でき、この場合も低コスト化を図ることができる。さらに、層間絶縁層と樹脂被覆層とを一体化させやくなるため、部品をより確実に固定することができる。
さらに、上記部品内蔵配線基板が手段1の構成を有する場合、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ熱膨張係数を有する材料によって形成されていることが好ましい。このようにすれば、樹脂被覆層と層間絶縁層との間に熱膨張係数差が生じにくくなるため、両者の間でのデラミネーションの発生を防止できる。ゆえに、部品内蔵配線基板の信頼性がよりいっそう高くなる。
ここで、「熱膨張係数」とは、厚み方向(Z方向)に対して垂直な方向(XY方向)の熱膨張係数のことを意味し、0℃〜100℃の間のTMA(熱機械分析装置)にて測定した値のことをいう(以下、同じ)。「TMA」とは、熱機械的分析をいい、例えばJPCA−BU01に規定されるものをいう。
また、本発明の課題を解決するための別の手段(手段2)としては、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、少なくとも前記コンデンサ側面が未硬化状態の樹脂被覆層によって覆われていることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサがある。
従って、手段2によると、上記手段1の部品内蔵配線基板に好適な配線基板内蔵用コンデンサを提供することができる。
また、樹脂被覆層が未硬化状態であるため、樹脂被覆層で覆った部品を収容穴部内に収容し、収容穴部の内壁面と部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に層間絶縁層の一部を充填する際に、樹脂被覆層が層間絶縁層に馴染んで接着されやすくなる。
なお、未硬化状態としては、全く硬化していない状態や、半硬化状態などが挙げられるが、半硬化状態(例えばBステージ)であることがよい。仮に、樹脂被覆層が全く硬化していないと、樹脂被覆層に覆われた部品の取り扱いが困難になる。また、樹脂被覆層が変形しやすいため、樹脂被覆層に覆われた部品を収容穴部内に収容したとしても、収容穴部の内壁面と部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間を層間絶縁層の一部で十分に埋めるという本発明の目的を達成できなくなる可能性がある。
手段1の部品内蔵配線基板を製造するのに好適な方法(手段3)としては、上記手段1に記載の部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記部品側面が樹脂被覆層によって覆われている部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア基板の収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面及び前記部品主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。
従って、手段3の製造方法によると、樹脂被覆層で覆った部品を収容穴部内に収容する収容工程を行うことにより、収容穴部と部品との間に生じる隙間が小さくなる。このため、固定工程において、収容穴部の内壁面と部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に多量の層間絶縁層を充填しなくても済むようになる。その結果、コア主面に接する層間絶縁層を厚くしなくても、層間絶縁層の一部で上記の隙間を十分に埋めることができるため、ボイド等の発生を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を得ることができる。
以下、部品内蔵配線基板の製造方法について説明する。
部品準備工程では、手段1に記載の部品を、従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。なお、部品準備工程は、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を形成する樹脂被覆層形成工程を含んでいる。ここで、樹脂被覆層を形成する方法としては、樹脂を塗布することによって樹脂被覆層を形成する方法や、樹脂シートを貼付することによって樹脂被覆層を形成する方法などが挙げられる。なお、前記部品準備工程において準備される部品は、前記部品主面及び前記部品側面が前記樹脂被覆層によって覆われる一方、前記部品裏面が前記樹脂被覆層によって覆われていなくてもよいし、前記部品主面、前記部品裏面及び前記部品側面が前記樹脂被覆層によって覆われており、前記樹脂被覆層が硬化状態であってもよい。
続く収容工程では、前記コア基板の収容穴部内に前記部品を収容する。続く固定工程では、前記コア主面及び前記部品主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記部品を固定する。なお、樹脂被覆層が未硬化状態であれば、樹脂被覆層が層間絶縁層に馴染んで接着されやすくなり、部品が確実に固定される。その結果、部品内蔵配線基板が完成する。なお、層間絶縁層が熱硬化性樹脂である場合、樹脂を硬化する工程としては、未硬化状態の層間絶縁層を加熱することなどが挙げられる。
以下、本発明の部品内蔵配線基板を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
図1に示されるように、本実施形態の部品内蔵配線基板(以下「配線基板」という)10は、ICチップ搭載用の配線基板である。配線基板10は、略矩形板状のコア基板11と、コア基板11のコア主面12(図1では上面)上に形成される第1ビルドアップ層31(配線積層部)と、コア基板11のコア裏面13(図1では下面)上に形成される第2ビルドアップ層32とからなる。
コア基板11のコア主面12上に形成された第1ビルドアップ層31は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層33,35(いわゆる層間絶縁層)と、銅からなる導体層42とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層33,35の熱膨張係数は、10〜60ppm/℃程度(具体的には20ppm/℃程度)となっている。なお、樹脂絶縁層33,35の熱膨張係数は、30℃〜ガラス転移温度(Tg)間の測定値の平均値をいう。また、第2層の樹脂絶縁層35の表面上における複数箇所には、端子パッド44がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂絶縁層35の表面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト37の所定箇所には、端子パッド44を露出させる開口部46が形成されている。端子パッド44の表面上には、複数のはんだバンプ45が配設されている。各はんだバンプ45は、矩形平板状をなすICチップ21の面接続端子22に電気的に接続されている。なお、各端子パッド44及び各はんだバンプ45からなる領域は、ICチップ21を搭載可能なICチップ搭載領域23である。ICチップ搭載領域23は、第1ビルドアップ層31の表面39に設定されている。また、樹脂絶縁層33,35内には、それぞれビア導体43,47が設けられている。これらのビア導体43,47は、導体層42及び端子パッド44を相互に電気的に接続している。
図1に示されるように、コア基板11のコア裏面13上に形成された第2ビルドアップ層32は、上述した第1ビルドアップ層31とほぼ同じ構造を有している。即ち、第2ビルドアップ層32は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる2層の樹脂絶縁層34,36と、導体層42とを交互に積層した構造を有しており、樹脂絶縁層34,36の熱膨張係数が10〜60ppm/℃程度(具体的には20ppm/℃程度)となっている。第2層の樹脂絶縁層36の下面上における複数箇所には、ビア導体43を介して導体層42に電気的に接続されるBGA用パッド48が格子状に形成されている。また、樹脂絶縁層36の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、BGA用パッド48を露出させる開口部40が形成されている。BGA用パッド48の表面上には、図示しないマザーボードとの電気的な接続を図るための複数のはんだバンプ49が配設されている。そして、各はんだバンプ49により、図1に示される配線基板10は図示しないマザーボード上に実装される。
図1に示されるように、本実施形態のコア基板11は、縦25mm×横25mm×厚さ1.0mmの平面視略矩形板状である。コア基板11は、平面方向(XY方向)における熱膨張係数が10〜30ppm/℃程度(具体的には18ppm/℃)となっている。なお、コア基板11の熱膨張係数は、0℃〜ガラス転移温度(Tg)間の測定値の平均値をいう。コア基板11は、ガラスエポキシからなる基材161と、基材161の上面及び下面に形成され、シリカフィラーなどの無機フィラーを添加したエポキシ樹脂からなるサブ基材164と、同じく基材161の上面及び下面に形成され、銅からなる導体層163とによって構成されている。また、コア基板11には、複数のスルーホール導体16がコア主面12、コア裏面13及び導体層163を貫通するように形成されている。かかるスルーホール導体16は、コア基板11のコア主面12側とコア裏面13側とを接続導通するとともに、導体層163に電気的に接続している。なお、スルーホール導体16の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体17で埋められている。スルーホール導体16の上端は、樹脂絶縁層33の表面上にある導体層42の一部に電気的に接続されており、スルーホール導体16の下端は、樹脂絶縁層34の下面上にある導体層42の一部に電気的に接続されている。また、コア基板11のコア主面12及びコア裏面13には、銅からなる導体層41がパターン形成されており、各導体層41は、スルーホール導体16に電気的に接続されている。さらに、コア基板11は、コア主面12の中央部及びコア裏面13の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部90を1つ有している。即ち、収容穴部90は貫通穴である。
そして、収容穴部90内には、図2〜図4等に示す配線基板内蔵用コンデンサであるセラミックコンデンサ101(部品)が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ101は、コンデンサ主面102をコア基板11のコア主面12と同じ側に向け、かつ、収容穴部90の内壁面91とコンデンサ側面106とを対峙させた状態で収容されている。本実施形態のセラミックコンデンサ101は、縦10.0mm×横10.0mm×厚さ0.8mmの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ101は、コア基板11においてICチップ搭載領域23の真下の領域に配置されている。なお、ICチップ搭載領域23の面積(ICチップ21において面接続端子22が形成される面の面積)は、セラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ101の厚さ方向から見た場合、ICチップ搭載領域23は、セラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102内に位置している。
図1〜図4等に示されるように、本実施形態のセラミックコンデンサ101は、いわゆるビアアレイタイプのコンデンサである。セラミックコンデンサ101を構成するセラミック焼結体104は、部品主面である1つのコンデンサ主面102(図1では上面)、部品裏面である1つのコンデンサ裏面103(図1では下面)、及び、部品側面である4つのコンデンサ側面106を有する板状物である。本実施形態において、セラミック焼結体104の熱膨張係数は、15ppm/℃未満、具体的には12〜13ppm/℃程度となっている。なお、セラミック焼結体104の熱膨張係数は、30℃〜250℃間の測定値の平均値をいう。
セラミック焼結体104は、セラミック誘電体層105(誘電体層)を介して電源用内部電極層141(内部電極層)とグランド用内部電極層142(内部電極層)とを交互に積層配置した構造を有している。また、セラミック誘電体層105は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142間の誘電体(絶縁体)として機能する。電源用内部電極層141及びグランド用内部電極層142は、いずれもニッケルを主成分として形成された層であって、セラミック焼結体104の内部において一層おきに配置されている。
図1〜図4に示されるように、セラミック焼結体104には、多数のビアホール130が形成されている。これらのビアホール130は、セラミック焼結体104をその厚さ方向に貫通するとともに、セラミック焼結体104の全面にわたって格子状(アレイ状)に配置されている。各ビアホール130内には、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102及びコンデンサ裏面103間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体131,132が、ニッケルを主材料として形成されている。各電源用コンデンサ内ビア導体131は、各電源用内部電極層141を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、各グランド用内部電極層142を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体131及び各グランド用コンデンサ内ビア導体132は、全体としてアレイ状に配置されている。本実施形態では、説明の便宜上、コンデンサ内ビア導体131,132を5列×5列で図示したが、実際にはさらに多くの列が存在している。
そして図2等に示されるように、セラミック焼結体104のコンデンサ主面102上には、複数の主面側電源用電極111(表層電極)と複数の主面側グランド用電極112(表層電極)とが突設されている。なお、各主面側グランド用電極112は、コンデンサ主面102上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。主面側電源用電極111は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体131におけるコンデンサ主面102側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用電極112は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体132におけるコンデンサ主面102側の端面に対して直接接続されている。
また、セラミック焼結体104のコンデンサ裏面103上には、複数の裏面側電源用電極121(表層電極)と複数の裏面側グランド用電極122(表層電極)とが突設されている。なお、各裏面側グランド用電極122は、コンデンサ裏面103上において個別に形成されているが、一体に形成されていてもよい。裏面側電源用電極121は、複数の電源用コンデンサ内ビア導体131におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用電極122は、複数のグランド用コンデンサ内ビア導体132におけるコンデンサ裏面103側の端面に対して直接接続されている。よって、電源用電極111,121は電源用コンデンサ内ビア導体131及び電源用内部電極層141に導通しており、グランド用電極112,122はグランド用コンデンサ内ビア導体132及びグランド用内部電極層142に導通している。
そして図1に示されるように、コンデンサ主面102側にある電極111,112は、ビア導体47、導体層42、ビア導体43、端子パッド44、はんだバンプ45及びICチップ21の面接続端子22を介して、ICチップ21に電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面103側にある電極121,122は、図示しないマザーボードが有する電極(接触子)に対して、ビア導体47、導体層42、ビア導体43、BGA用パッド48及びはんだバンプ49を介して電気的に接続される。
図2等に示されるように、電極111,112,121,122は、ニッケルを主材料として形成され、表面が図示しない銅めっき層によって全体的に被覆されている。これら電極111,112、121,122及びコンデンサ内ビア導体131,132は、ICチップ21の略中心部の直下に配置されている。なお本実施形態では、電極111,112,121,122の直径が約500μmに設定され、ピッチの最小長さが約580μmに設定されている。
例えば、マザーボード側から電極121,122を介して通電を行い、電源用内部電極層141−グランド用内部電極層142間に電圧を加えると、電源用内部電極層141に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層142に例えばマイナスの電荷が蓄積する。その結果、セラミックコンデンサ101がコンデンサとして機能する。また、セラミックコンデンサ101では、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体131及びグランド用コンデンサ内ビア導体132を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
図1〜図4等に示されるように、前記セラミック焼結体104は樹脂被覆層151によって覆われている。具体的に言うと、樹脂被覆層151は、1つの前記コンデンサ主面102全体と、4つの前記コンデンサ側面106全体とを覆っている。一方、樹脂被覆層151は、前記コンデンサ裏面103を完全に覆っておらず、裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122が露出した状態になっている。なお、コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の厚さは500μmに設定されている。また、樹脂被覆層151は、前記樹脂絶縁層33と同じ材料(即ち、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂)によって形成されている。これにより、樹脂被覆層151の熱膨張係数も、樹脂絶縁層33の熱膨張係数と同じ値となっており、具体的には、10〜60ppm/℃程度(具体的には20ppm/℃程度)に設定されている。また、樹脂被覆層151の熱膨張係数は、セラミック焼結体104の熱膨張係数よりも大きい値に設定されている。
図1等に示されるように、前記収容穴部90の内壁面91と、セラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の表面との隙間は、前記コア主面12に接する前記樹脂絶縁層33の一部である樹脂充填部33aによって埋められている。この樹脂充填部33aは、セラミックコンデンサ101をコア基板11に固定する機能を有している。なお、セラミックコンデンサ101は、平面視略正方形状をなしており、四隅に面取り寸法0.55mm以上(本実施形態では面取り寸法0.6mm)の面取り部を有している。これにより、温度変化に伴う樹脂充填部33aの変形時において、セラミックコンデンサ101の角部への応力集中を緩和できるため、樹脂充填部33aのクラックの発生を防止できる。
次に、本実施形態の配線基板10の製造方法について述べる。
コア基板準備工程では、コア基板11の中間製品を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
コア基板11の中間製品は以下のように作製される。まず、縦350mm×横375mm×厚み0.6mmの基材161の両面に銅箔162が貼付された銅張積層板(図5参照)を準備する。次に、銅張積層板の両面の銅箔162のエッチングを行って導体層163を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする(図6参照)。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔162をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離する。次に、基材161の上面及び下面と導体層163とを粗化した後、基材161の上面及び下面に、無機フィラーが添加されたエポキシ樹脂フィルム(厚さ80μm)を熱圧着により貼付し、サブ基材164を形成する(図7参照)。
次に、上側のサブ基材164の上面及び下側のサブ基材164の下面に、それぞれ導体層41(例えば、50μm)をパターン形成する。具体的には、上側のサブ基材164の上面及び下側のサブ基材164の下面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。次に、基材161及びサブ基材164からなる積層体に対してルータを用いて孔あけ加工を行い、収容穴部90となる貫通孔を所定位置に形成し、コア基板11の中間製品を得る(図8参照)。なお、コア基板11の中間製品とは、コア基板11となるべき領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した構造の多数個取り用コア基板である。
また、部品準備工程(コンデンサ準備工程)では、セラミックコンデンサ101を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。
セラミックコンデンサ101は以下のように作製される。即ち、セラミックのグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層141となる電源用内部電極部と、グランド用内部電極層142となるグランド用内部電極部とが形成される。次に、電源用内部電極部が形成されたグリーンシートとグランド用内部電極部が形成されたグリーンシートとを交互に積層し、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシートを一体化してグリーンシート積層体を形成する。
さらに、レーザー加工機を用いてグリーンシート積層体にビアホール130を多数個貫通形成し、図示しないペースト圧入充填装置を用いて、ビア導体用ニッケルペーストを各ビアホール130内に充填する。次に、グリーンシート積層体の上面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の上面側にて各導体部の上端面を覆うように主面側電源用電極111及び主面側グランド用電極112を形成する。また、グリーンシート積層体の下面上にペーストを印刷し、グリーンシート積層体の下面側にて各導体部の下端面を覆うように裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122を形成する。
この後、グリーンシート積層体の乾燥を行い、各電極111,112,121,122をある程度固化させる。次に、グリーンシート積層体を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体104となる。
次に、得られたセラミック焼結体104が有する各電極111,112,121,122に対して無電解銅めっき(厚さ10μm程度)を行う。その結果、各電極111,112,121,122の上に銅めっき層が形成され、セラミックコンデンサ101が完成する。
続くコンデンサ配置工程では、完成したセラミックコンデンサ101のコンデンサ主面102を粗化した後、マウント装置(ヤマハ発動機株式会社製)を用いて、複数のセラミックコンデンサ101を、コンデンサ主面102を上にした状態で治具(図示略)にセットする。詳述すると、治具上には剥離可能な粘着テープ172(基材)が配置されており、各セラミックコンデンサ101は、粘着テープ172の粘着面(離型面)に貼り付けられて仮固定されている(図9参照)。このとき、各セラミックコンデンサ101は、粘着テープ172の粘着面と平行に配置した状態で、粘着面に沿って互いに離間配置されている。
続く樹脂充填工程では、治具にセットされた各セラミックコンデンサ101に、未硬化状態の樹脂被覆層151であるエポキシ樹脂フィルム173(厚さ400μm)をラミネートする(図10,図11参照)。このとき、エポキシ樹脂フィルム173の一部は、互いに隣接するセラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106間に充填される。なお、この状態のものは、樹脂被覆層151を有するセラミックコンデンサ101となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した配線基板内蔵用コンデンサ集合体174であると把握することができる。さらに、レーザー加工機を用いて配線基板内蔵用コンデンサ集合体174を分割する。具体的には、配線基板内蔵用コンデンサ集合体174を、互いに隣接するセラミックコンデンサ101のコンデンサ側面106間に充填された樹脂被覆層151の部分(図11の一点鎖線参照)で分割して個片化する。その際、各コンデンサ側面106にそれぞれ厚さ500μmの樹脂被覆層151が形成されるように切断する。その結果、コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106が樹脂被覆層151によって覆われる一方、コンデンサ裏面103が樹脂被覆層151によって覆われていないセラミックコンデンサ101が多数個同時に得られる。そして、この時点で、粘着テープ172を剥離する。
続く収容工程では、マウント装置(ヤマハ発動機株式会社製)を用いて、複数の収容穴部90内にそれぞれセラミックコンデンサ101を収容する(図12参照)。このとき、各収容穴部90のコア裏面13側開口は、剥離可能な粘着テープ171でシールされている。この粘着テープ171は、支持台(図示略)によって支持されている。かかる粘着テープ171の粘着面には、セラミックコンデンサ101が貼り付けられて仮固定されている。
次に、従来周知の手法に基づいてコア主面12の上に第1ビルドアップ層31を形成するとともに、コア裏面13の上に第2ビルドアップ層32を形成する。具体的には、まず固定工程を実施する。即ち、コア主面12及びコンデンサ主面102に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂絶縁層33を形成する(図13参照)。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマー(LCP:Liquid Crystalline Polymer)を被着してもよい。併せて、樹脂絶縁層33の一部である樹脂充填部33aにより、収容穴部90の内壁面91とコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の表面との隙間を埋める。その後、加熱処理を行うと、樹脂絶縁層33(樹脂充填部33a)及び樹脂被覆層151が硬化して、セラミックコンデンサ101がコア基板11に固定される。そして、この時点で、粘着テープ171を剥離する。
次に、コア裏面13及びコンデンサ裏面103に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、樹脂絶縁層34を形成する(図14参照)。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。続く露出工程では、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体47が形成されるべき位置にそれぞれビア孔181,182を形成する(図15参照)。具体的には、樹脂絶縁層33と、コンデンサ主面102を覆う樹脂被覆層151とを貫通するビア孔181を形成し、主面側電源用電極111及び主面側グランド用電極112を露出させる。同様に、樹脂絶縁層34を貫通するビア孔182を形成し、裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122を露出させる。
さらに、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、コア基板11及び樹脂絶縁層33,34を貫通する貫通孔191を所定位置にあらかじめ形成しておく(図16参照)。そして、樹脂絶縁層33,34、ビア孔181,182の内面、及び、貫通孔191の内面に対する無電解銅めっきを行った後にエッチングレジストを形成し、次いで電解銅めっきを行う。さらに、エッチングレジストを除去してソフトエッチングを行う。これにより、樹脂絶縁層33上及び樹脂絶縁層34上に導体層42がパターン形成される(図17参照)。これと同時に、貫通孔191内にスルーホール導体16が形成されるとともに、各ビア孔181,182の内部にビア導体47が形成される。
その後、穴埋め工程を実施する。具体的には、スルーホール導体16の空洞部を絶縁樹脂材料(エポキシ樹脂)で穴埋めし、閉塞体17を形成する(図18参照)。
次に、樹脂絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビア導体43が形成されるべき位置にビア孔183,184を有する樹脂絶縁層35,36を形成する(図18参照)。なお、感光性エポキシ樹脂を被着する代わりに、絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、ビア導体43が形成されるべき位置にビア孔183,184が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記ビア孔183,184の内部にビア導体43を形成するとともに、樹脂絶縁層35上に端子パッド44を形成し、樹脂絶縁層36上にBGA用パッド48を形成する。
次に、樹脂絶縁層35,36上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト37,38を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト37,38に開口部40,46をパターニングする。さらに、端子パッド44上にはんだバンプ45を形成し、かつ、BGA用パッド48上にはんだバンプ49を形成する。なお、この状態のものは、配線基板10となるべき製品領域を平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用配線基板であると把握することができる。さらに、多数個取り用配線基板を分割すると、個々の製品である配線基板10が多数個同時に得られる。
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態の配線基板10によれば、セラミックコンデンサ101を樹脂被覆層151で覆うことにより、収容穴部90とセラミックコンデンサ101との間に生じる隙間が小さくなるため、収容穴部90とセラミックコンデンサ101との間に多量の樹脂絶縁層33(樹脂充填部33a)を充填しなくても済むようになる。その結果、コア主面12に接する樹脂絶縁層33を厚くしなくても、樹脂絶縁層33の一部(樹脂充填部33a)で上記の隙間を十分に埋めることができるため、ボイドの発生等を防止することができる。ゆえに、信頼性に優れた配線基板10を得ることができる。
また、コア主面12に接する樹脂絶縁層33を厚くしなくても済むため、露出工程において、樹脂絶縁層33にレーザー孔あけ加工を行ってビア孔181を形成する際に、レーザーの出力調整がそれ程困難にはならない。よって、コンデンサ主面102上にある主面側電源用電極111及び主面側グランド用電極112を確実に露出させることができる。その結果、セラミックコンデンサ101と第1ビルドアップ層31とを確実に電気的に接続できるため、配線基板10の信頼性が向上する。
(2)本実施形態では、収容穴部90の内壁面91とコンデンサ側面106を覆う樹脂被覆層151の表面との隙間を埋める樹脂充填部が、樹脂絶縁層33の一部を構成する樹脂充填部33aであるため、樹脂充填部の形成に際して樹脂絶縁層33とは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板10の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板10の低コスト化を図ることが可能となる。
(3)例えば、樹脂被覆層151によってコンデンサ裏面103を完全に覆う場合、部品準備工程の段階で樹脂被覆層151を硬化状態にしておかないと、セラミックコンデンサ101が動いてしまうおそれがある。
一方、本実施形態の樹脂被覆層151は、コンデンサ裏面103を完全に覆っておらず、裏面側電源用電極121及び裏面側グランド用電極122が露出した状態になっている。従って、部品準備工程の段階で樹脂被覆層151を硬化状態にしなくても済み、樹脂被覆層151は、固定工程において樹脂絶縁層33(樹脂充填部33a)と同時に硬化される。これにより、配線基板10の製造時の工程が簡略化されるため、配線基板10を容易に製造できるとともに、低コスト化を図ることができる。
(4)本実施形態では、セラミックコンデンサ101がICチップ搭載領域23に搭載されたICチップ21の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ101とICチップ21とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ101によるICチップ21のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ICチップ21とセラミックコンデンサ101との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
(5)本実施形態では、ICチップ搭載領域23がセラミックコンデンサ101の真上の領域内に位置しているため、ICチップ搭載領域23に搭載されるICチップ21は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ101によって支持される。よって、上記ICチップ搭載領域23においては、第1ビルドアップ層31が変形しにくくなるため、ICチップ搭載領域23に搭載されるICチップ21をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するICチップ21のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ICチップ21として、熱膨張差による応力(歪)が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい10mm角以上の大型のICチップや、脆いとされるLow−k(低誘電率)のICチップを用いることができる。
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態のセラミックコンデンサ101は、コンデンサ主面102全体とコンデンサ側面106全体とが樹脂被覆層151によって覆われる一方、コンデンサ裏面103は樹脂被覆層151によって完全に覆われていなかった。しかし、図19に示されるように、コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106に加え、コンデンサ裏面103も樹脂被覆層151によって完全に覆われたセラミックコンデンサ195としてもよい。この場合、セラミックコンデンサ101の移動を防止するために、樹脂被覆層151は硬化状態に設定される。
・上記実施形態のセラミックコンデンサ101は、4つのコンデンサ側面106が樹脂被覆層151によって覆われていたが、1つのコンデンサ側面106のみが樹脂被覆層151によって覆われていてもよいし、2つまたは3つのコンデンサ側面106が樹脂被覆層151によって覆われていてもよい。また、樹脂被覆層151は、同樹脂被覆層151が覆う面(コンデンサ主面102及びコンデンサ側面106)を完全に覆っていてもよいし、樹脂被覆層151が覆う面の一部のみを覆っていてもよい。
・上記実施形態の配線基板10は、コア基板11内にセラミックコンデンサ101を収容するとともに、ICチップ搭載領域23上にICチップ21を搭載することにより構成されていた。しかし、図20,図21に示されるように、コア基板11内にICチップ211を部品として収容するとともに、ICチップ搭載領域23上にセラミックコンデンサ212を搭載した配線基板213としてもよい。なお、ICチップ211は、部品主面である1つのチップ主面215、部品裏面である1つのチップ裏面216、及び、部品側面である4つのチップ側面217を有している。ICチップ211は、チップ裏面216全体とチップ側面217全体とが樹脂被覆層219によって覆われる一方、チップ主面215は樹脂被覆層219によって覆われていない。また、チップ主面215上の複数箇所には面接続端子218が突設されている。なお、ICチップ211は、コア基板11のコア主面12とチップ主面215とを同じ側に向けた状態で収容される(図21参照)。
・また、図20に示される配線基板213は、ICチップ211から第1ビルドアップ層31の表面39上に搭載される電子部品(図示略)に対して信号を送るためのシグナル配線214を有していてもよい。なお、シグナル配線214は、導体層42、ビア導体43,47及び端子パッド44からなる配線である。
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
(1)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容した部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されており、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ熱膨張係数を有する材料によって形成されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。
(2)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容した部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されており、前記樹脂被覆層は、前記層間絶縁層と同じ材料によって形成されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。
(3)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に収容された部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備え、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層の表面との隙間を前記コア主面に接する層間絶縁層の一部で埋めることにより、前記部品が固定されており、前記層間絶縁層の熱膨張係数が前記樹脂被覆層の熱膨張係数以上に設定されるとともに、前記樹脂被覆層の熱膨張係数が前記部品の熱膨張係数よりも大きく設定されていることを特徴とする部品内蔵配線基板。
(4)離型面を有する基材と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記コンデンサ裏面を前記離型面と平行に配置した状態で前記離型面に沿って互いに離間配置される複数のコンデンサと、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に充填された未硬化状態の樹脂被覆層とを備えることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ集合体。
(5)離型面を有する基材と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有する複数のコンデンサとを備える配線基板内蔵用コンデンサ集合体の製造方法であって、前記基材を準備する基材準備工程と、前記コンデンサ裏面を前記離型面と平行に配置した状態で、前記複数のコンデンサを前記離型面に沿って互いに離間配置するコンデンサ配置工程と、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に未硬化状態の樹脂被覆層を充填する樹脂充填工程とを含むことを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ集合体の製造方法。
(6)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面、部品裏面及び部品側面を有するとともに、少なくとも前記部品側面を覆う樹脂被覆層を有する部品と、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記部品主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備える部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記部品側面が未硬化状態の樹脂被覆層によって覆われている部品を準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面とを対峙させた状態で、前記コア基板の収容穴部内に前記部品を収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面及び前記部品主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記部品側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層と前記樹脂被覆層とを硬化させて前記部品を固定する固定工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
(7)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、前記複数の内部電極層に接続される複数のコンデンサ内ビア導体、前記複数のコンデンサ内ビア導体における少なくとも前記コンデンサ主面側の端部に接続された複数の表層電極、及び、少なくとも前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層を備えるコンデンサと、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記コンデンサ主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備えるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、少なくとも前記コンデンサ主面及び前記コンデンサ側面が樹脂被覆層によって覆われているコンデンサを準備する部品準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記部品準備工程後、前記コア主面と前記コンデンサ主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面とを対峙させた状態で、前記コア基板の収容穴部内に前記コンデンサを収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面、及び、前記コンデンサ主面を覆う樹脂被覆層上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記コンデンサを固定する固定工程と、前記固定工程後、前記層間絶縁層と、前記コンデンサ主面を覆う樹脂被覆部とを貫通するビア孔を形成して、前記コンデンサ主面上の前記複数の表層電極を露出させる露出工程とを含むことを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。
(8)コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、コンデンサ主面、コンデンサ裏面及びコンデンサ側面を有するとともに、誘電体層を介して複数の内部電極層が積層配置された構造を有し、少なくとも前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層を有するコンデンサと、層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記コンデンサ主面上にて積層した構造を有する配線積層部とを備えるコンデンサ内蔵配線基板の製造方法であって、前記コア基板を準備するコア基板準備工程と、前記コンデンサを準備するコンデンサ準備工程と、前記コア基板準備工程及び前記コンデンサ準備工程後、前記コア主面と前記コンデンサ主面とを同じ側に向け、かつ、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面とを対峙させた状態で、前記収容穴部内に前記コンデンサを収容する収容工程と、前記収容工程後、前記コア主面及び前記コンデンサ主面上に前記層間絶縁層を積層するとともに、前記収容穴部の内壁面と前記コンデンサ側面を覆う樹脂被覆層との隙間に前記コア主面に接する層間絶縁層の一部を充填した後、前記コア主面に接する層間絶縁層を硬化させて前記コンデンサを固定する固定工程とを含み、前記コンデンサ準備工程では、離型面を有する基材と、前記コンデンサ裏面を前記離型面と平行に配置した状態で前記離型面に沿って互いに離間配置される複数の前記コンデンサと、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に充填された未硬化状態の樹脂被覆層とを備える配線基板内蔵用コンデンサ集合体を、互いに隣接するコンデンサの前記コンデンサ側面間に充填された前記樹脂被覆層の部分で分割して個片化し、複数のコンデンサを得ることを特徴とするコンデンサ内蔵配線基板の製造方法。