JP5326605B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
図3において、1〜4は、例えばMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ)からなるスイッチング素子S1〜S4である。5は直流電源、6はトランス(変圧器)、7は位相シフト制御信号生成器、8は負荷電流検出器、10〜13は整流ダイオード、14は平滑インダクタ、15は平滑コンデンサ、16は負荷である。
図3の電力変換器は、スイッチング素子S1,S2を交互にオン・オフさせるととともに、素子S3,S4をスイッチング素子S1,S2に対して位相差をもって交互にオン・オフさせる。
この位相差によってトランス6の電圧時間積、すなわち負荷16に与える出力電圧を調整する。さらに、位相シフト制御方式により、ZVS(零電圧スイッチング)が行なわれ、スイッチング損失が低減される。なお、位相シフト制御方式に対して、S1とS4またはS2とS3を同時にオン・オフし、S1とS4 の制御信号とS2とS3の制御信号を交互に生成し、制御信号のパルス幅で出力電圧を調整する方式をハードスイッチング方式という。ただし、この制御方式ではZVSが成立しない。
一方、負荷電流値が大きい場合には、スイッチング素子S1と並列にMOSFET内で生成されている寄生容量(図3に図示せず)を急速に充電し、スイッチング素子S1の電圧が上昇するので、スイッチング素子S1のボディ・ダイオードに電流が流れることはなく、逆回復も発生しない。つまり、軽負荷時または無負荷時に位相シフト制御方式を適用すると逆回復が発生し、MOSFET内部の損失が増加して、電力変換装置の効率を低下させる原因となる。
その第1は、MOSFETを駆動するゲート抵抗の抵抗値を大きくして、逆回復時の電流・電圧変化を遅くする方法である。
第2は、ドレイン−ソース間にCRスナバ回路などを挿入してdv/dtを抑制する方法である。
その他、耐量の大きいMOSFETを使用することも可能であるが、dv/dt耐量が大きなMOSFETはオン抵抗も大きいため、MOSFETの導通損失が増加するという問題が発生する。
この方法では、一次側は常にパルス幅制御となるので、スイッチング素子の逆回復は発生しないが、通過素子数が多くなり(特に二次側の通過素子数が多い)、導通損失が増加するという問題がある。
前記負荷に流れる電流値が所定の電流値以下のときには、前記半導体スイッチング素子の制御方式をハードスイッチング方式とし、
前記負荷に流れる電流値が所定の電流値を超えたときには、前記半導体スイッチング素子の制御方式を位相シフト方式に切り替える切替手段を備えることを特徴とする。
この負荷電流検出器が検出した負荷電流値の大きさによって前記半導体スイッチング素子の制御方式を決定する制御方式判定器と、
この制御方式判定器が決定した前記制御方式を受けて前記半導体スイッチング素子の制御信号を生成するスイッチング素子制御信号生成器と、を備えることができる(請求項2の発明)。
図1において、1〜4は例えばMOSFETなどのスイッチング素子S1〜S4であるのは図3と同様であり、5〜16も同様である。従って本発明の一実施形態に係る電力変換装置の制御方式は、スイッチング素子制御信号生成器7Aと制御方式判定器9とを設けた点が特徴である。
また、図2のGs1〜Gs4は図1のスイッチング素子S1〜S4のゲート駆動電圧波形、Vs1〜Vs4はスイッチング素子S1〜S4のドレイン−ソース間電圧波形、Vtは図1のトランス6の一次巻線電圧波形である。
すなわち、期間t1ではスイッチング素子S1,S4がオンしてS1→トランス6→S4の経路で電流が流れ、トランス6の一次側巻線電圧Vtは+Edとなる。また、期間t3ではスイッチング素子S2,S3がオンしてスイッチング素子S3→トランス6→スイッチング素子S2の経路で期間t1とは逆方向の電流が流れ、トランス6の一次側巻線電圧Vtは−Edとなる。
負荷16に供給される電力が大きい場合、すなわち定格電流値に対する負荷電流値の割合が100%,75%,50%となる重負荷の場合には、負荷電流検出器8で検出される負荷電流値が大きい。このため制御方式判定器9は、位相シフト方式を選択するとともに、制御信号生成器7Aでは検出される電流値に応じて基準パルスの位相をずらす量を決めて、スイッチング素子S1〜S4のオン・オフ制御を行なう。
ハードスイッチング方式では、スイッチング素子S1〜S4(MOSFET)全てがオフ状態となる期間が長く、オフした後はスイッチング素子S1,S2およびスイッチング素子S3,S4がそれぞれ持つ寄生容量の比によって、直流電源5の電圧Edを1/2ずつ分担する。
Claims (2)
- 半導体スイッチング素子を有し、直流入力電圧を交流電圧に変換するインバータを、変圧器を介して整流ダイオードと接続して負荷に電力を供給する電力変換装置において、
前記負荷に流れる電流値が所定の電流値以下のときには、前記半導体スイッチング素子の制御方式をハードスイッチング方式とし、
前記負荷に流れる電流値が所定の電流値を超えたときには、前記半導体スイッチング素子の制御方式を位相シフト方式に切り替える切替手段を備えることを特徴とする電力変換装置。 - 前記切替手段は、前記負荷に流れる電流値を検出する負荷電流検出器と、
この負荷電流検出器が検出した負荷電流値の大きさによって前記半導体スイッチング素子の制御方式を決定する制御方式判定器と、
この制御方式判定器が決定した前記制御方式を受けて前記半導体スイッチング素子の制御信号を生成するスイッチング素子制御信号生成器と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
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