JP5644125B2 - 直流−直流変換回路の起動方法 - Google Patents
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Description
図9はトランス9の1次側がフルブリッジ構成の直流−直流変換回路であり、1次側のブリッジを構成するスイッチング素子1乃至4としてMOSFETが用いられ、またトランスの2次側では整流素子7及び8が用いられている。またコンデンサ13乃至16はスイッチング素子1乃至4の、コンデンサ17及び18は整流素子7及び8の寄生キャパシタンスである。
図10は、図9の直流−直流変換回路の起動時のスイッチング素子1乃至4の駆動信号であるゲート信号及びトランス9の1次側の電圧値Vt1の変化を示す図である。
この恐れを回避するため、図13のように、予めパルス幅を広げたゲート信号で直流−直流変換回路を起動すると、出力電圧V 0 が接続されている装置の耐圧電圧を超過し、装置を破損してしまう恐れがある。例えば、スイッチング素子1及び4が同時にオンとなると、電圧Vt1には正の電圧が印加される。ここで、寄生キャパシタンス17及び18の電圧はゼロであるため、トランス9の各巻線電圧もゼロであり、コイル5には直流電源11の入力電圧が印加され、コイル5を流れる電流が急激に上昇する。次にコイル5に蓄えられたエネルギーはコイル5と寄生キャパシタンス18の共振動作により寄生キャパシタンス18に移り、寄生キャパシタンス18の電圧はトランス9の2次側電圧の2倍まで上昇する。次に寄生キャパシタンス18に蓄えられたエネルギーは、トランス9の2次側および直流リアクトル10を介して出力コンデンサ12に移り、出力電圧V 0 が大きく上昇する。
上記課題を鑑み、本発明は出力電圧をオーバーシュートさせることなく、またスイッチング素子のボディダイオードを逆回復させることがない、直流−直流変換回路の起動方法を提供することを課題とする。
図1は直流−直流変換回路の起動方法の第1の実施形態を説明するための図で、直流−直流変換回路の起動時のトランスの1次側でブリッジを構成するスイッチング素子に加えるゲート信号及びトランスの1次側の電圧値Vt1の変化を示している。
分な時間が確保されている。
スイッチング素子1及び2のゲート信号に対してスイッチング素子3及び4のゲート信号の位相を図1の場合より進めると、図2のように電圧Vt1のパルス幅22が図1のパルス幅21より増加する。よって、位相を徐々に増やすことにより電圧Vt1のパルス幅を徐々に大きくしてゆくことができるので、出力電圧V 0 をオーバーシュートさせることなく、0Vから目標電圧までを上昇させることができる。
第1の実施形態の起動方法では、上記したようにスイッチング素子3及び4のゲート信号の位相を徐々にずらしてゆく。したがって、スイッチング素子1及び4のゲート信号とスイッチング素子2及び3のゲート信号がそれぞれ同じ位相となるまで位相をずらすと、それ以上出力電圧V 0 を大きくすることが出来なくなる。この場合に対処したのが第2の実施形態の起動方法である。
位相シフト動作において、トランス9の1次側に発生する電圧Vt1のパルス幅が最大となり、これ以上電圧Vt1のパルス幅を増加できない状態まで位相がずれたら、図4に示すようにスイッチング素子1乃至4の各ゲート信号のパルス幅を広げ、トランス9の1次側の回路はPWM動作を行う。これにより、図4に示すように出力電圧V 0 をより高い値にすることが出来るので、出力電圧V 0 の目標電圧として第1の実施形態の起動方法より高い値を設定することができる。
直流−直流変換回路の起動時には出力電圧V 0 は0Vから開始し、ゲート信号の位相シフトによって徐々に値を大きくする。そしてトランス9の1次側の電圧Vt1のパルス幅が最大まで増加し、ゲート信号の位相シフトによって上昇できる出力電圧V 0 を最大値V1に達すると、次にゲート信号のパルス幅を変更するPWM動作を行う。これによって、出力電圧V 0 を目標電圧まで上昇させている。
第3の実施形態では、まず第1の実施形態と同様にスイッチング素子1と2に対してスイッチング素子3と4の位相を徐々にずらしてゆくことによって徐々に出力電圧V 0 を上げてゆく。
図7に示すように、出力電圧V 0 が目標電圧に達すると、スイッチング素子1及び4が同時にオンとなっている期間オンとする信号を、スイッチング素子1及び4の新たなゲート信号とする。またそれと共にスイッチング素子2及び3が同時にオンとなっている期間オンとする信号を、スイッチング素子2及びスイッチング素子3の新たなゲート信号とする。そして以降この新たなゲート信号でスイッチング素子1乃至4を駆動させてPWM動作を行う。
同図に示すように、第3の実施形態の起動方法では、第1の実施形態と同様、出力電圧V 0 が目標電圧に達するまではゲート信号の位相シフト動作を行う。
5 コイル
7、8 整流回路
9 トランス
10 直流リアクトル
11 直流電源
12 出力コンデンサ
13、14、15、16、17、18 スナバコンデンサ
19a、19b 出力端子
Claims (3)
- それぞれボディダイオードを含んだ第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子を直列に接続した第1の上下アーム直列回路と、それぞれボディダイオードを含んだ第3のスイッチング素子と第4のスイッチング素子を直列に接続した第2の上下アーム直列回路を直流電源に対して並列に接続してフルブリッジを構成し、前記第1の上下アーム直列回路の内部接続点とトランスの1次側の一端を接続し、前記第2の上下アーム直列回路の内部接続点と前記トランスの1次側の他端を接続し、前記トランスの2次側に整流素子を接続する構成を有し、直流出力を得る直流−直流変換回路の起動方法であって、
前記第1のスイッチング素子を導通比50%未満の第1の駆動信号でオンし、前記第2のスイッチング素子を導通比50%未満の第2の駆動信号で前記第1のスイッチング素子がオフしている期間にオン、また前記第1のスイッチング素子と前記第2のスイッチング素子の前記第1、第2の駆動信号に対して位相がずれた導通比50%未満の第3、第4の駆動信号でそれぞれ前記第3のスイッチング素子と前記第4のスイッチング素子をオン駆動し、
前記第1乃至第4のスイッチング素子をオン駆動する前に前記上下アーム直列回路の各スイッチング素子を同時にオフし、前記上下アーム直列回路の各スイッチング素子の主端子間電圧が前記ボディダイオードの順方向電流が流れない電圧値まで上昇する時間を確保できる導通比50%未満でオンするようにし、
前記位相のずらす量を増やしてゆくことによって、前記直流出力の出力電圧値を徐々に大きくしてゆく
ことを特徴とする起動方法。 - 前記出力電圧値が第1の値に達したら、前記第1乃至第4の駆動信号のパルス幅を増やしてゆくことによって、前記出力電圧値を目標値まで大きくしてゆくことを特徴とする請求項1に記載の起動方法。
- 前記出力電圧値が目標値に達したならば、前記第1のスイッチング素子と前記第4のスイッチング素子が同時にオンとなっている期間をオンとする信号を新たな前記第1の駆動信号及び第4の駆動信号とすると共に、前記第2のスイッチング素子と前記第3のスイッチング素子が同時にオンとなっている期間をオンとする信号を新たな前記第2の駆動信号及び第3の駆動信号とすることを特徴とする請求項2に記載の起動方法。
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