JP5309907B2 - レジスト塗布方法 - Google Patents
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Description
前記基板(W)を所定の回転速度で回転させ、前記レジスト(80、81)の滴下位置を、前記基板(W)の外周側から中央に移動させながら供給する第1のレジスト供給工程と、
前記第1のレジスト供給工程の後に、前記基板を前記所定の回転速度よりも高速の第2の回転速度で回転させ、前記レジストを滴下して供給する第2のレジスト供給工程と、を含み、
前記第2のレジスト供給工程の前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給することを特徴とする。
前記レジスト供給工程の前に、有機溶剤を含む薬液(70)を前記基板(W)の表面に滴下して供給する前処理工程を更に含むことを特徴とする。
前記基板を所定の回転速度で回転させ、前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給する第1のレジスト供給工程と、
前記第1のレジスト供給工程の後に、前記基板を前記所定の回転速度よりも高速の第2の回転速度で回転させ、前記レジストを滴下して供給する第2のレジスト供給工程とを含み、
前記第1のレジスト供給工程の前に、有機溶剤を含む薬液を前記基板の表面に滴下して供給する前処理工程を更に含み、
前記前処理工程は、前記薬液(70)が供給された状態で、前記所定の回転速度よりも高速かつ前記第2の回転速度よりも低速で前記基板(W)を回転させる工程を含むことを特徴とする。
前記薬液(70)は、前記レジスト(80、81)を溶解する有機溶剤であることを特徴とする。
有機溶剤を含む薬液を前記基板の表面に滴下して供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後に、前記基板を所定の回転速度で回転させ、前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程と、を含み、
前記薬液(70)は、前記レジスト(80、81)よりも低粘度のレジスト液であることを特徴とする。
前記段差は、深さの方が幅よりも大きい溝(40)を含むことを特徴とする。
前記段差は、周辺部との差が0.5μm以上20μm以下の段差を含むことを特徴とする。
前記レジスト(80、81)を滴下する前に、前記レジスト(80、81)を溶解する有機溶剤を前記基板(W)の表面に滴下して供給し、
前記有機溶剤が前記溝(40)内に残留し、前記平坦部(f)は乾燥する半乾燥状態となるように前記基板(W)を500rpm以上1000rpm以下の回転数で回転させ、その後前記レジスト(80、81)を滴下して前記レジスト(80、81)の塗布を行うことを特徴とする。
よりも大幅に遅い速度であり、更に上述の前処理工程の際の基板Wの回転速度1000〔rpm〕以下よりも遅い速度設定である。また、レジスト80の滴下位置は、基板Wの外周側から供給を開始し、それから徐々に中央付近に移動させている。つまり、低速回転をさせながら、外側からレジスト80を供給するということを行っている。
20 配線
30 層間膜
40 溝
45、45a、46、46a、47、47a、48a パターン
50 前処理液供給用ノズル
51 前処理液供給管
52、62 バルブ
53 前処理液供給源
55 支点
60 レジスト供給用ノズル
61 レジスト供給管
63 レジスト供給源
64 アーム
65 駆動部
66 レール
67 移動機構
70 薬液
80、81 レジスト
90 スピンチャック
100 回転駆動部
110 基板収容部
120 排液管
130 制御部
140 ケーシング
150 レジスト塗布装置
160 スプレーノズル
170 塗布ムラ
180 気泡
190 空洞
Claims (8)
- 段差を有する基板の表面に、レジストを滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
前記基板を所定の回転速度で回転させ、前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給する第1のレジスト供給工程と、
前記第1のレジスト供給工程の後に、前記基板を前記所定の回転速度よりも高速の第2の回転速度で回転させ、前記レジストを滴下して供給する第2のレジスト供給工程と、を含み、
前記第2のレジスト供給工程の前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給することを特徴とするレジスト塗布方法。 - 前記第1のレジスト供給工程の前に、有機溶剤を含む薬液を前記基板の表面に滴下して供給する前処理工程を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレジスト塗布方法。
- 段差を有する基板の表面に、レジストを滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
有機溶剤を含む薬液を前記基板の表面に滴下して供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後に、前記基板を所定の回転速度で回転させ、前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給する第1のレジスト供給工程と、
前記第1のレジスト供給工程の後に、前記基板を前記所定の回転速度よりも高速の第2の回転速度で回転させ、前記レジストを滴下して供給する第2のレジスト供給工程と、を含み、
前記前処理工程は、前記薬液が供給された状態で、前記所定の回転速度よりも高速かつ前記第2の回転速度よりも低速で前記基板を回転させる工程を含むことを特徴とするレジスト塗布方法。 - 前記薬液は、前記レジストを溶解する有機溶剤であることを特徴とする請求項2又は3に記載のレジスト塗布方法。
- 段差を有する基板の表面に、レジストを滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
有機溶剤を含む薬液を前記基板の表面に滴下して供給する前処理工程と、
前記前処理工程の後に、前記基板を所定の回転速度で回転させ、前記レジストの滴下位置を、前記基板の外周側から中央に移動させながら供給するレジスト供給工程と、を含み、
前記薬液は、前記レジストよりも低粘度のレジスト液であることを特徴とするレジスト塗布方法。 - 前記段差は、深さの方が幅よりも大きい溝を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のレジスト塗布方法。
- 前記段差は、周辺部との差が0.5μm以上20μm以下の段差を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載のレジスト塗布方法。
- 溝と平坦部を有する基板の表面に、レジストを滴下して塗布するレジスト塗布方法であって、
前記レジストを滴下する前に、前記レジストを溶解する有機溶剤を前記基板の表面に滴下して供給し、
前記有機溶剤が前記溝内に残留し、前記平坦部は乾燥する半乾燥状態となるように前記基板を500rpm以上1000rpm以下の回転数で回転させ、その後前記レジストを前記基板に滴下して前記レジストの塗布を行うことを特徴とするレジスト塗布方法。
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