JP2610337B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JP2610337B2 JP2610337B2 JP4437089A JP4437089A JP2610337B2 JP 2610337 B2 JP2610337 B2 JP 2610337B2 JP 4437089 A JP4437089 A JP 4437089A JP 4437089 A JP4437089 A JP 4437089A JP 2610337 B2 JP2610337 B2 JP 2610337B2
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置などの微細加工に使用されるレジストのド
ライエッチングによるパターン形成方法に関し、多層レ
ジスト法での下層レジスト層の加工（エッチング）を行
なう際、アンダーカットの発生を防止するか極力小さく
して高精度のパターンを形成することを目的とし、 多層レジスト法でパターンを形成する方法において、上
層レジスト層をパターニングした後、下層レジスト層の
有機物のドライエッチング工程で、エッチングガスとし
て酸素ガスと、プラズマ中で酸素と反応する金属化合物
ガスあるいは硫黄の酸化物又は塩化物のガスとを含むガ
スを用いることを特徴とするパターン形成方法に構成す
る。
ライエッチングによるパターン形成方法に関し、多層レ
ジスト法での下層レジスト層の加工（エッチング）を行
なう際、アンダーカットの発生を防止するか極力小さく
して高精度のパターンを形成することを目的とし、 多層レジスト法でパターンを形成する方法において、上
層レジスト層をパターニングした後、下層レジスト層の
有機物のドライエッチング工程で、エッチングガスとし
て酸素ガスと、プラズマ中で酸素と反応する金属化合物
ガスあるいは硫黄の酸化物又は塩化物のガスとを含むガ
スを用いることを特徴とするパターン形成方法に構成す
る。
本発明は、レジストのパターン形成方法に関し、より
詳しくは、半導体装置などの微細加工に使用されるレジ
ストのドライエッチングによるパターン形成方法に関す
る。本発明は、また、多層レジスト法の改善に関する。
詳しくは、半導体装置などの微細加工に使用されるレジ
ストのドライエッチングによるパターン形成方法に関す
る。本発明は、また、多層レジスト法の改善に関する。
半導体装置の製造工程が進むにつれて半導体基板上に
は段差が生じ、そのような段差のある状態で半導体基板
の微細加工を単層レジストを用いて精度高く行なうこと
は困難である。そこで、段差のある半導体基板を高精度
に微細加工するためのレジストパターンが３層レジスト
法や２層レジスト法の多層レジスト法で形成されてい
る。
は段差が生じ、そのような段差のある状態で半導体基板
の微細加工を単層レジストを用いて精度高く行なうこと
は困難である。そこで、段差のある半導体基板を高精度
に微細加工するためのレジストパターンが３層レジスト
法や２層レジスト法の多層レジスト法で形成されてい
る。
３層レジスト法によってレジストパターンを形成する
には、まず、第1A図に示すように、段差のある基板の被
エッチング物層（例えば、アルミニウム層）１上に有機
物層（下層レジスト層）２を段差を覆って平坦な表面と
なるのに十分な厚さで形成する。下層レジスト層２上に
酸化シリコン、窒化シリコンなどの中間層３を形成す
る。そして、中間層３の上にパターン形成用レジストの
上層レジスト層４を形成する。次に、第1B図に示すよう
に、上層レジスト層４を露光・現像して所定パターン形
状にする。そして、パターン形状の上層レジスト層４を
マスクとして、第1C図に示すように、中間層３をRIE
（リアクティブイオンエッチング）などの異方性ドライ
エッチングによって選択エッチングして所定パターン形
状にする。それから、中間層３をマスクとしてRIEなど
によって下層レジスト層２を第1D図に示すように所定パ
ターン形状に選択エッチングするわけであるが、実際の
エッチングでは第３図に示すように中間層３の端部の下
にアンダーカット（幅:l）が生じて当初設定のマスクパ
ターンに対して寸法の変動したパターン形状になってし
まう。なお、残っていた上層レジスト層１はエッチング
時に同時にエッチングされた消失する。このようにして
得たパターン形状の下層レジスト層２をマスクとして被
エッチング物層（Al層）１をドライエッチングしたとき
には、寸法変化したパターンにエッチングされるので、
加工寸法に変動が生じて高精度の微細加工としては不十
分である。
には、まず、第1A図に示すように、段差のある基板の被
エッチング物層（例えば、アルミニウム層）１上に有機
物層（下層レジスト層）２を段差を覆って平坦な表面と
なるのに十分な厚さで形成する。下層レジスト層２上に
酸化シリコン、窒化シリコンなどの中間層３を形成す
る。そして、中間層３の上にパターン形成用レジストの
上層レジスト層４を形成する。次に、第1B図に示すよう
に、上層レジスト層４を露光・現像して所定パターン形
状にする。そして、パターン形状の上層レジスト層４を
マスクとして、第1C図に示すように、中間層３をRIE
（リアクティブイオンエッチング）などの異方性ドライ
エッチングによって選択エッチングして所定パターン形
状にする。それから、中間層３をマスクとしてRIEなど
によって下層レジスト層２を第1D図に示すように所定パ
ターン形状に選択エッチングするわけであるが、実際の
エッチングでは第３図に示すように中間層３の端部の下
にアンダーカット（幅:l）が生じて当初設定のマスクパ
ターンに対して寸法の変動したパターン形状になってし
まう。なお、残っていた上層レジスト層１はエッチング
時に同時にエッチングされた消失する。このようにして
得たパターン形状の下層レジスト層２をマスクとして被
エッチング物層（Al層）１をドライエッチングしたとき
には、寸法変化したパターンにエッチングされるので、
加工寸法に変動が生じて高精度の微細加工としては不十
分である。
一方、２層レジスト法によってレジストパターンを形
成するには、第2A図に示すように、段差のある基板の被
エッチング物層（例えば、Al層）１上に耐ドライエッチ
ング性有機物（下層レジスト層）７を平坦表面となるよ
うに厚く形成する。３層レジスト法での中間層およびパ
ターン形成用上層レジスト層の役割を兼ねた上層レジス
ト層（例えば、感光性シリコン含有レジスト層）８を下
層レジスト層７の上に形成する。次に、第2B図に示すよ
うに、上層レジスト層８を露光・現像して所定パターン
形状にする。そして、パターン形状の上層レジスト層８
をマスクとしてRIEなどによって下層レジスト層７を第2
C図に示すように所定パターン形状にするわけである
が、実際のエッチングでは第４図に示すようにアンダー
カット（幅:l）が生じて設定マスクパターンに対して寸
法変動したパターン形状になってしまう。したがって、
３層レジスト法の場合と同様に得られた下層レジスト層
７は高精度の微細加工には不十分である。
成するには、第2A図に示すように、段差のある基板の被
エッチング物層（例えば、Al層）１上に耐ドライエッチ
ング性有機物（下層レジスト層）７を平坦表面となるよ
うに厚く形成する。３層レジスト法での中間層およびパ
ターン形成用上層レジスト層の役割を兼ねた上層レジス
ト層（例えば、感光性シリコン含有レジスト層）８を下
層レジスト層７の上に形成する。次に、第2B図に示すよ
うに、上層レジスト層８を露光・現像して所定パターン
形状にする。そして、パターン形状の上層レジスト層８
をマスクとしてRIEなどによって下層レジスト層７を第2
C図に示すように所定パターン形状にするわけである
が、実際のエッチングでは第４図に示すようにアンダー
カット（幅:l）が生じて設定マスクパターンに対して寸
法変動したパターン形状になってしまう。したがって、
３層レジスト法の場合と同様に得られた下層レジスト層
７は高精度の微細加工には不十分である。
例えば、下層レジスト層にノボラック系樹脂（東京応
化工業製のOFPR−800）を、中間層にSiO2を、上層レジ
スト層に下層と同じノボラック系樹脂を使用した場合
で、下層レジスト層を平行平板型カソードカップルRIE
装置にて酸素（O2）ガスをエッチングガスとしてプラズ
マ発生下でエッチングすると、第５図に示す結果が得ら
れた。第５図からわかるように、アンダーカット量
（ｌ）が減少してゆくがなくならない。さらに、上述の
RIEの代わりにより低圧で放電可能なECR装置にて酸素ガ
スでエッチングを行なうと、第６図に示す結果が得られ
た。第６図中、黒丸●印および黒三角▲印はECR装置の
基板ホルダーに高周波バイアスを印加した場合で、白丸
○印および白三角△印は無バイアスの場合である。第６
図からわかるように、低圧側でアンダーカットのないエ
ッチングが可能となるが、エッチング速度は非常に遅く
なって実用的でない。
化工業製のOFPR−800）を、中間層にSiO2を、上層レジ
スト層に下層と同じノボラック系樹脂を使用した場合
で、下層レジスト層を平行平板型カソードカップルRIE
装置にて酸素（O2）ガスをエッチングガスとしてプラズ
マ発生下でエッチングすると、第５図に示す結果が得ら
れた。第５図からわかるように、アンダーカット量
（ｌ）が減少してゆくがなくならない。さらに、上述の
RIEの代わりにより低圧で放電可能なECR装置にて酸素ガ
スでエッチングを行なうと、第６図に示す結果が得られ
た。第６図中、黒丸●印および黒三角▲印はECR装置の
基板ホルダーに高周波バイアスを印加した場合で、白丸
○印および白三角△印は無バイアスの場合である。第６
図からわかるように、低圧側でアンダーカットのないエ
ッチングが可能となるが、エッチング速度は非常に遅く
なって実用的でない。
上述したように従来の多層レジスト法ではパターンマ
スク（下層レジスト層）の加工精度を十分に良くできな
いため、被エッチング物の加工精度も微細加工では不十
分であるといった欠点を生じていた。本発明は、多層レ
ジスト法での下層レジスト層の加工（エッチング）を行
なう際にアンダーカットの発生を防止するか極力小さく
して高精度のパターンを形成することを目的とする。
スク（下層レジスト層）の加工精度を十分に良くできな
いため、被エッチング物の加工精度も微細加工では不十
分であるといった欠点を生じていた。本発明は、多層レ
ジスト法での下層レジスト層の加工（エッチング）を行
なう際にアンダーカットの発生を防止するか極力小さく
して高精度のパターンを形成することを目的とする。
上述の目的が、多層レジスト法でパターンを形成する
方法において、上層レジスト層をパターニングした後、
下層レジスト層の有機物のドライエッチング工程で、エ
ッチングガスとして酸素ガスと、 プラズマ中で酸素と反応する金属化合物ガスあるいは硫
黄の酸化物又は塩化物のガスとを含むガスを用いること
を特徴とするパターン形成方法によって達成される。
方法において、上層レジスト層をパターニングした後、
下層レジスト層の有機物のドライエッチング工程で、エ
ッチングガスとして酸素ガスと、 プラズマ中で酸素と反応する金属化合物ガスあるいは硫
黄の酸化物又は塩化物のガスとを含むガスを用いること
を特徴とするパターン形成方法によって達成される。
金属化合物ガスの例としては、四塩化チタン（TiC
l4）、塩化アルミニウム（AlCl3）、臭化アルミニウム
（AlBr3）、ヨウ化アルミニウム（AlI3）、塩化モリブ
デン、フッ化タングステンなどのガスがあり、そして、
硫黄の酸化物又は塩化物のガス（ハロゲン化合物のガ
ス）としては二酸化硫黄（SiO2）、塩化硫黄（S2Cl2,SC
l2）などのガスである。
l4）、塩化アルミニウム（AlCl3）、臭化アルミニウム
（AlBr3）、ヨウ化アルミニウム（AlI3）、塩化モリブ
デン、フッ化タングステンなどのガスがあり、そして、
硫黄の酸化物又は塩化物のガス（ハロゲン化合物のガ
ス）としては二酸化硫黄（SiO2）、塩化硫黄（S2Cl2,SC
l2）などのガスである。
本発明では、酸素ガスの他に（ａ）金属化合物のガス
又は（ｂ）硫黄の酸化物又は塩化物のガスを含むエッチ
ングガスで下層レジスト層の有機物をRIE,ECRなどのプ
ラズマ発生を伴なうドライエッチング法によってエッチ
ングする。その際に、添加ガスの金属化合物ないし硫黄
酸化物又は塩化物が反応を起こして下層レジスト層のエ
ッチング箇所側壁のみにチタン化合物、アルミニウム化
合物、硫黄化合物などの膜が堆積し、これが側壁保護の
働きをしてアンダーカットを防止し、あっても非常に小
さくできる。
又は（ｂ）硫黄の酸化物又は塩化物のガスを含むエッチ
ングガスで下層レジスト層の有機物をRIE,ECRなどのプ
ラズマ発生を伴なうドライエッチング法によってエッチ
ングする。その際に、添加ガスの金属化合物ないし硫黄
酸化物又は塩化物が反応を起こして下層レジスト層のエ
ッチング箇所側壁のみにチタン化合物、アルミニウム化
合物、硫黄化合物などの膜が堆積し、これが側壁保護の
働きをしてアンダーカットを防止し、あっても非常に小
さくできる。
添加するガスの量は酸素量に対して５〜20vol％が好
ましく、5vol％未満では保護膜形成効果が不十分であ
り、一方、20vol％を越えると有機物エッチング速度が
低下しエッチングが防げられる。
ましく、5vol％未満では保護膜形成効果が不十分であ
り、一方、20vol％を越えると有機物エッチング速度が
低下しエッチングが防げられる。
酸素と上述した金属化合物の添加ガスとに加えて水蒸
気（H2O）を２〜5vol％（酸素量に対して）加えること
は好ましい。この水蒸気添加によって化合物膜の堆積が
促進され、少ないとその効果は小さく、多すぎるとエッ
チング速度の低下を招く。
気（H2O）を２〜5vol％（酸素量に対して）加えること
は好ましい。この水蒸気添加によって化合物膜の堆積が
促進され、少ないとその効果は小さく、多すぎるとエッ
チング速度の低下を招く。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例によって本
発明を詳しく説明する。
発明を詳しく説明する。
例１ 第1A図に示すように、シリコン基板（図示せず）に形
成した段差のあるアルミニウム層（被エッチング層）１
の上に、下層レジスト層２をノボラック系樹脂レジスト
のOFREM−800のスピンコート塗布し、200℃、30分のベ
ーク処理で形成した。その上にSiO2を中間層３としてス
パッタリングで形成し、さらにその上にOFPR−800の上
層レジスト層４をスピンコート塗布し、200℃、30分の
ベーク処理を施こした。
成した段差のあるアルミニウム層（被エッチング層）１
の上に、下層レジスト層２をノボラック系樹脂レジスト
のOFREM−800のスピンコート塗布し、200℃、30分のベ
ーク処理で形成した。その上にSiO2を中間層３としてス
パッタリングで形成し、さらにその上にOFPR−800の上
層レジスト層４をスピンコート塗布し、200℃、30分の
ベーク処理を施こした。
次に、上層レジスト層４を光でパターン露光し、アル
カリ現像液（NMD−3:東京応化工業（株）製）で現像し
て、第1B図に示すようにパターン形状の上層レジスト層
４とした。上層レジスト層４をマスクとして、CF4＋CHF
3ガスを用いたRIEによって中間層３を、第1C図に示すよ
うにエッチングした。
カリ現像液（NMD−3:東京応化工業（株）製）で現像し
て、第1B図に示すようにパターン形状の上層レジスト層
４とした。上層レジスト層４をマスクとして、CF4＋CHF
3ガスを用いたRIEによって中間層３を、第1C図に示すよ
うにエッチングした。
次に、本発明にしたがって、中間層３をマスクとした
下層レジスト層２のエッチングを下記条件にて行なっ
た。
下層レジスト層２のエッチングを下記条件にて行なっ
た。
装置：平行平板型カソードカップルRIE装置 エッチングガス:O2（100cc/min） TiCl4（10cc/min） 圧力:0.03torr パワー:400W このエッチングの結果、第1D図に示すように、上層レ
ジスト層４がエッチング除去されかつ所定のパターン形
状に下層レジスト層２を加工することができた。その際
に、下層レジスト層２にアンダーカットは生じておら
ず、側壁にチタン化合物膜が形成されていた。
ジスト層４がエッチング除去されかつ所定のパターン形
状に下層レジスト層２を加工することができた。その際
に、下層レジスト層２にアンダーカットは生じておら
ず、側壁にチタン化合物膜が形成されていた。
そして、このようにして得た下層レジスト層２のパタ
ーンマスクを用いて、エッチングガス（BCl3＋Cl2＋SiC
l4）によるRIEでアルミニウム層１を高精度に加工（エ
ッチング）できた。
ーンマスクを用いて、エッチングガス（BCl3＋Cl2＋SiC
l4）によるRIEでアルミニウム層１を高精度に加工（エ
ッチング）できた。
例２ 例１と同じ材料、構成でかつ同じ工程を経て、第1C図
に示すように、中間層３をパターニングした。そして、
本発明にしたがって、下層レジスト層２のエッチングを
下記条件にて行なった。
に示すように、中間層３をパターニングした。そして、
本発明にしたがって、下層レジスト層２のエッチングを
下記条件にて行なった。
装置:ECRエッチング装置 エッチングガス:O2（30cc/min） TiCl4（5cc/min） 圧力:1×10-3torr マイクロ波パワー:1KW 高周波バイアス（基板ホルダー）:100W（13.53M Hz） このエッチングの結果、第1D図に示すように、アンダ
ーカットなしで下層レジスト層２を加工することができ
た。下層レジスト層２の側壁上にチタン化合物膜が付着
していた。
ーカットなしで下層レジスト層２を加工することができ
た。下層レジスト層２の側壁上にチタン化合物膜が付着
していた。
例３ 例１と同じ材料、構成でかつ同じ工程を経て、第1C図
に示すように、中間層３をパターニングした。そして、
本発明にしたがって、下層レジスト層２のエッチングを
下記条件にて行なった。エッチングガスに硫黄塩化物ガ
スを添加使用した。
に示すように、中間層３をパターニングした。そして、
本発明にしたがって、下層レジスト層２のエッチングを
下記条件にて行なった。エッチングガスに硫黄塩化物ガ
スを添加使用した。
装置：平行平板型カソードカップルRIE装置 エッチングガス:O2（30cc/min） S2Cl2（5cc/min） 圧力:0.03torr パワー:400W このエッチングの結果、第1D図に示すように、アンダ
ーカットなしで下層レジスト層２を加工することができ
た。下層レジスト層２の側壁上に硫黄化合物膜が付着し
ていた。
ーカットなしで下層レジスト層２を加工することができ
た。下層レジスト層２の側壁上に硫黄化合物膜が付着し
ていた。
例４ 例１と同じ材料、構成でかつ同じ工程を経て、第1C図
に示すように、中間層３をパターニングした。そして、
本発明にしたがって、下層レジスト層２のエッチングを
下記条件にて行なった。例２の場合でエッチングガスに
硫黄塩化物ガスを添加使用した。
に示すように、中間層３をパターニングした。そして、
本発明にしたがって、下層レジスト層２のエッチングを
下記条件にて行なった。例２の場合でエッチングガスに
硫黄塩化物ガスを添加使用した。
装置:ECRエッチング装置 エッチングガス:O2（30cc/min） S2Cl2（5cc/min） 圧力:1×10-3torr マイクロ波パワー:1KW 高周波バイアス（基板ホルダー）:100W（13.56M Hz） このエッチングの結果、第1D図に示すように、アンダ
ーカットなしで下層レジスト層２を加工することができ
た。下層レジスト層２の側壁上に硫黄化合物膜が付着し
ていた。
ーカットなしで下層レジスト層２を加工することができ
た。下層レジスト層２の側壁上に硫黄化合物膜が付着し
ていた。
例５ 第2A図に示すように、例１と同様にシリコン基板（図
示せず）に形成したアルミニウム層（被エッチング層）
１の上に、下層レジスト層７をノボラック系樹脂レジス
トのOFPR−800のスピンコート塗布し、200℃、30分のベ
ーク処理で形成した。その上に、シリコン含有レジスト
（クロロ×チル化ポリジフェニルシロキサン:SNR）の上
層レジスト層８をスピンコート塗布し、110℃、30分の
ベーク処理を施した。
示せず）に形成したアルミニウム層（被エッチング層）
１の上に、下層レジスト層７をノボラック系樹脂レジス
トのOFPR−800のスピンコート塗布し、200℃、30分のベ
ーク処理で形成した。その上に、シリコン含有レジスト
（クロロ×チル化ポリジフェニルシロキサン:SNR）の上
層レジスト層８をスピンコート塗布し、110℃、30分の
ベーク処理を施した。
次に、上層レジスト層８を電子線露光し、MIBK×IPA
で現像して、第2B図に示すように、レジストパターンを
形成した。
で現像して、第2B図に示すように、レジストパターンを
形成した。
そして、本発明にしたがって、上層レジスト層８をマ
スクとした下層レジスト層７のエッチングを（１）例１
の条件、（２）例２の条件、（３）例３の条件および
（４）例４の条件それぞれで行なった。いずれの場合に
も、エッチングの結果は第2C図に示すようにアンダーカ
ットなしに下層レジスト層７を加工することができた。
スクとした下層レジスト層７のエッチングを（１）例１
の条件、（２）例２の条件、（３）例３の条件および
（４）例４の条件それぞれで行なった。いずれの場合に
も、エッチングの結果は第2C図に示すようにアンダーカ
ットなしに下層レジスト層７を加工することができた。
例６ 例１および２において、エッチングガスに酸素量に対
して5vol％の水蒸気を添加して下層レジスト層をエッチ
ングした場合には、アンダーカットが全く生じることな
く所定レジストパターンを形成することができた。下層
レジスト層の側壁に堆積する金属化合物膜の厚さが例１
および２よりも少し厚くなっていた。なお、この金属化
合物膜はアルミニウム層をエッチングする際に除去され
てしまうので問題はない。
して5vol％の水蒸気を添加して下層レジスト層をエッチ
ングした場合には、アンダーカットが全く生じることな
く所定レジストパターンを形成することができた。下層
レジスト層の側壁に堆積する金属化合物膜の厚さが例１
および２よりも少し厚くなっていた。なお、この金属化
合物膜はアルミニウム層をエッチングする際に除去され
てしまうので問題はない。
上述した例での酸素ガスに添加作用したガスの他に、
AlCl3,AlBr3,AlI3、塩化モリブデンあるいはフッ化タン
グステンがTiCl3の代わりに使用でき、SO2あるいはSCl2
がS2Cl2の代わりに使用できる。
AlCl3,AlBr3,AlI3、塩化モリブデンあるいはフッ化タン
グステンがTiCl3の代わりに使用でき、SO2あるいはSCl2
がS2Cl2の代わりに使用できる。
以上説明した様にに、本発明によれば、多層レジスト
法での下層レジスト層のエッチングに際し、酸素ガスに
金属化合物のガスあるいは硫黄の酸化物又は塩化物のガ
スを添加したエッチングガスとすることで、アンダーカ
ットのない高精度加工のパターン（下層レジスト層パタ
ーン）が得られる。これをマスクとすることで被エッチ
ング物を高精度に加工でき、微細加工を向上させ、半導
体素子の信頼性向上も図れる。
法での下層レジスト層のエッチングに際し、酸素ガスに
金属化合物のガスあるいは硫黄の酸化物又は塩化物のガ
スを添加したエッチングガスとすることで、アンダーカ
ットのない高精度加工のパターン（下層レジスト層パタ
ーン）が得られる。これをマスクとすることで被エッチ
ング物を高精度に加工でき、微細加工を向上させ、半導
体素子の信頼性向上も図れる。
第1A図〜第1D図は、３層レジスト法の工程を説明するレ
ジストパターンの概略断面図であり、 第2A図〜第2C図は、２層レジスト法の工程を説明するレ
ジストパターンの概略断面図であり、 第３図は、従来方法によるレジストパターンの概略断面
図であり、 第４図は、従来方法によるレジストパターンの概略断面
図であり、 第５図は、RIE装置での従来方法での下層レジスト層の
エッチング結果を示すグラフであり、 および、 第６図は、ECR装置での従来方法での下層レジスト層の
エッチング結果を示すグラフである。 １……被エッチング物層、 2,7……下層レジスト層、 ３……中間層、 4,8……上層レジスト層。
ジストパターンの概略断面図であり、 第2A図〜第2C図は、２層レジスト法の工程を説明するレ
ジストパターンの概略断面図であり、 第３図は、従来方法によるレジストパターンの概略断面
図であり、 第４図は、従来方法によるレジストパターンの概略断面
図であり、 第５図は、RIE装置での従来方法での下層レジスト層の
エッチング結果を示すグラフであり、 および、 第６図は、ECR装置での従来方法での下層レジスト層の
エッチング結果を示すグラフである。 １……被エッチング物層、 2,7……下層レジスト層、 ３……中間層、 4,8……上層レジスト層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−125611（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−97951（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−152127（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−293721（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】多層レジスト法でパターンを形成する方法
において、上層レジスト層をパターニングした後、下層
レジスト層の有機物のドライエッチング工程で、エッチ
ングガスとして酸素ガスと、プラズマ中で酸素と反応す
る金属化合物ガスとを含むガスを用いることを特徴とす
るパターン形成方法。 - 【請求項２】前記エッチングガスは、前記酸素ガスの量
に対して２〜５％の水蒸気を含有していることを特徴と
する請求項１記載の方法。 - 【請求項３】多層レジスト法でパターンを形成する方法
において、上層レジスト層をパターニングした後、下層
レジスト層の有機物のドライエッチング工程で、エッチ
ングガスとして酸素ガスと、硫黄の酸化物又は塩化物の
ガスとを含むガスを用いることを特徴とするパターン形
成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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