JP2002184679A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 現像液中に発生するマイクロバブルの発生を
抑制し、フォトレジスト膜のパターン欠陥を低減するこ
とができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 １００〜５００ｒｐｍの速度でウエハ１
１を回転させながら、ウエハ１１に現像液１３を滴下す
る第１の工程と、現像液１３の滴下を停止し、５００〜
１５００ｒｐｍの速度でウエハ１１を回転させる第２の
工程と、ウエハ１１を静止させた状態で、あるいは１０
０ｒｐｍ以下の速度で回転させながら、再び現像液１３
を滴下する第３の工程とを含んでいる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のパタ
ーン欠陥の原因となる気泡の発生を低減できる半導体装
置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造における超微細加工の
一工程として、ウエハ（半導体基板）の表面上に形成さ
れた露光済みのフォトレジスト（感光性材料）膜の現像
処理が行われている。

【０００３】この工程では、ウエハ上に現像液を滴下
し、ウエハを回転させて現像液を拡散させる方法が採用
されている。しかし、現像液がウエハに接触する際や、
現像液滴下後のウエハの回転中に、現像液中にマイクロ
バブル（気泡）を取り込んでしまうことがある。さら
に、滴下前の現像液中にマイクロバブルが含まれている
こともある。このマイクロバブルは、現像を阻害してパ
ターン欠陥を起こす原因になることから、半導体の生産
効率を低下させてしまう。

【０００４】このマイクロバブルを除去して、半導体装
置の生産効率を向上させる製造方法としては、特開平１
０−３３９９５６号公報に開示された製造方法が挙げら
れる。

【０００５】ここで、上記公報に記載された従来の製造
方法を図３に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。

【０００６】図３は、従来の方法により、ウエハ面に形
成された露光済みのレジストの現像処理を行うときの、
現像シーケンスのタイムチャートである。図３におい
て、Ａは、現像液を滴下するノズルのウエハに対する位
置を示しており、はノズルの移動シーケンスを示して
いる。

【０００７】最初に、ウエハを回転させるためのスピン
チャックに、ウエハの中心を固定して、１２０ｒｐｍで
ウエハを回転させる。ノズルは最初ウエハの外３ｍｍ
（−３ｍｍ）の位置にあり、現像液のダミー滴下を１秒
間行って、ウエハ表面の現像液を新しい現像液と入れ替
えている。その後、ノズルは、ウエハの中央部に向かっ
て最初２０ｍｍ／ｓで、次いで、１５０ｍｍ／ｓの速度
で移動を開始する。また、この移動と同時に、Ｂの状態
において、急速にスピンモータの回転速度を、３０００
ｒｐｍ／ｓ、次いで１００００ｒｐｍ／ｓの加速度で回
転速度を上昇させる。

【０００８】０．３秒後に、ノズルがウエハの外周まで
達したところで、ウエハの回転速度は、１０００ｒｐｍ
に達し、この状態で現像液がウエハ外周部に滴下され
て、マイクロバブルを振り切っている。さらに、ノズル
がウエハ中央部に達する時点で、ウエハの回転速度は３
０００ｒｐｍまで上昇しており（Ｃ状態）、この回転速
度を、０．７秒間維持する。

【０００９】上記のＣ状態により、ウエハの中心部に現
像液を滴下し、マイクロバブルの振り切りを行ってい
る。ウエハの中心部に現像液を滴下する際に、１０００
〜３０００ｒｐｍでウエハを回転させているのは、ウエ
ハ上のマイクロバブルの付着を減少させ、高速回転のウ
エハに滴下された際に発生する現像液のミスト（霧）の
飛散が増加しない回転速度であるためである。

【００１０】その後、段階的にウエハの回転速度を落と
して液盛りを行い、正味の現像液滴下時間４．２秒で現
像液の滴下を終了する。さらに、この後、パドル現像方
式により現像を進行させていき、リンス処理により現像
液が除去されて、スピンドライによってウエハを乾燥さ
せる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の製造方法では、マイクロバブルの発生を十
分に抑えることができるまでには至っていない。すなわ
ち、従来の製造方法は、ウエハを１０００〜３０００ｒ
ｐｍという比較的高速で回転させながら現像液を滴下す
るため、現像中にマイクロバブル（気泡）が発生しやす
いという問題を有していた。

【００１２】ウエハ上に滴下された現像液にマイクロバ
ブルが発生する原因としては、現像液を滴下してウエハ
と現像液が接触する際に、現像液に衝撃が与えられてマ
イクロバブルが発生する場合と、元々現像液中にマイク
ロバブルを含んでいた場合とが考えられる。

【００１３】上述した従来の方法では、ウエハ外周部か
ら中央部にノズルを移動させながら現像液を滴下してい
る。しかし、ウエハを回転させているため、現像液は遠
心力を受けてウエハの周辺部に向かって移動する。よっ
て、ノズルから滴下される現像液と、ウエハ上に滴下さ
れた現像液とが、互いに相反する方向に流動しながら衝
突して、マイクロバブルの発生を助長してしまう。

【００１４】さらに、現像液を滴下させながら段階的に
ウエハの回転速度が低下して、液盛りを行い、パドル現
像方式による現像へ移行している。このため、現像液の
滴下時に発生したマイクロバブルや、元々現像液中に含
まれていたマイクロバブルが同一場所にとどまってしま
う。このマイクロバブルのとどまっている部分では、現
像が進行しないため、パターン欠陥が発生するという問
題が生じる。また、現像を進行させている際に、ウエハ
が回転しているために、ウエハの外周部の方が中心部に
比べて単位時間当たりの現像液の接触量が多くなり、外
周部の方が中心部よりも現像が進行してしまい、均一な
現像を行うことができない。

【００１５】本発明は、上記の問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、現像液中に発生するマイクロ
バブルの発生を抑制し、フォトレジスト膜のパターン欠
陥を低減することができる半導体装置の製造方法を提供
することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、上記の課題を解決するために、半導体基板に
現像液を滴下して、半導体基板上に形成されたフォトレ
ジスト膜の現像を行う半導体装置の製造方法において、
１００〜５００ｒｐｍの速度で半導体基板を回転させな
がら、半導体基板に現像液を滴下する第１の工程と、現
像液の滴下を停止し、５００〜１５００ｒｐｍの速度で
半導体基板を回転させる第２の工程と、半導体基板を静
止させたまま、あるいは１００ｒｐｍ以下の速度で回転
させながら、再び現像液を滴下する第３の工程とを含む
ことを特徴としている。

【００１７】本発明によれば、第１の工程において、半
導体基板上に現像液が滴下される際に、５００ｒｐｍ以
下の速度で半導体基板を回転させているために、現像液
が半導体基板に接触する際の衝撃を従来の製造方法に比
べて小さくできる。これにより、現像液滴下時の気泡の
発生を大幅に低減できる。

【００１８】また、半導体基板は、１００ｒｐｍ以上の
回転速度で回転しているために、半導体基板上に滴下さ
れた現像液に遠心力を与え、現像液中に含まれる気泡が
レジスト表面に付着して同一場所にとどまるのを防止で
きるとともに、常に新しい現像液を供給することができ
る。これにより、気泡が同一場所にとどまって現像未進
行の部分ができるのを防ぐことができる。

【００１９】さらに、第２の工程において、一旦現像液
の滴下を停止して、半導体基板の回転速度を５００〜１
５００ｒｐｍに上げて現像液を振り切ることにより、現
像液中に元々存在した気泡が同一場所にとどまって所定
時間経過することで発生するパターン欠陥を低減でき
る。

【００２０】さらに、第３の工程において、半導体基板
を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ以下で回転
させながら、再び現像液を滴下することにより、第１の
工程時と同様に、現像液が半導体基板に接触する際の衝
撃を小さくできる。これにより、現像液が半導体基板に
滴下される際に気泡の発生を低減できる。これに加え
て、半導体基板上から現像液がこぼれない程度の回転速
度であるため、半導体基板上に現像液の液盛りを行うこ
とができる。よって、このままパドル現像へ移行でき
る。

【００２１】従来の製造方法では、高速回転中の半導体
基板上に現像液を滴下後、段階的に回転速度を落として
液盛りを行い、そのままパドル現像へ移行している。こ
の従来の製造方法では、現像液が高速回転中の半導体基
板に接触する時に現像液に気泡が発生しやすい。この現
像液中に発生した気泡がフォトレジスト膜上の同一場所
にとどまり、所定時間経過することにより、現像が進行
しない領域が発生しやすくなる。さらに、従来の製造方
法では、現像進行中に現像液が半導体基板上から振り切
られるような速度で半導体基板を回転させている。これ
により、半導体基板の外周部の方が中心部と比べて、単
位時間当たりの現像液との接触量が多くなり、外周部の
現像が中心部よりも進行してしまい、半導体基板が均一
に現像できなくなる。

【００２２】これに対し本発明では、第１の工程で滴下
した現像液を、第２の工程で一旦振り切って、第３の工
程で再度半導体基板上に現像液を滴下して所定の時間現
像を行っている。これにより、気泡が同一の場所にとど
まることはなく、現像未進行の部分が生じてパターン欠
陥ができるのを防止できる。

【００２３】また、前記第３の工程の半導体基板の回転
速度は、１０〜１００ｒｐｍであることがより好まし
い。

【００２４】これにより、液盛りを行う際に、比較的ゆ
っくりと半導体基板が回転しているため、現像液中に最
初から含まれていた気泡が同一場所にとどまるのを防ぐ
ことができるとともに、現像液を半導体基板上に均一に
液盛りすることができる。よって、半導体基板を静止さ
せて第３の工程を行うよりも、１０〜１００ｒｐｍで回
転させる方がより好ましい。

【００２５】また、第１の工程を３〜５秒間、第２の工
程を３〜５秒間および第３の工程を２〜４秒間行うこと
がより好ましい。

【００２６】これにより、第１の工程における現像液の
滴下、第２の工程における現像液の振り切り、および第
３の工程における現像液の液盛りという各工程の目的を
達成し、さらに製造効率も考慮した最適な製造条件が得
られる。よって、各工程における回転数および時間の両
面について管理することにより、より良好な製造方法を
得ることができる。

【００２７】以上のように、本発明の半導体装置の製造
方法では、従来の製造方法のように高速回転中の半導体
基板上に現像液を滴下しないことで、現像液中に発生す
る気泡の発生を低減できる。さらに、現像液中に元々含
まれている気泡がレジスト上の同一場所にとどまること
がないように、半導体基板を回転させているため、現像
液中の気泡が原因となっておきるフォトレジスト膜のパ
ターン欠陥を低減でき、半導体装置の歩留りの向上、品
質の安定を図ることが可能になる。

【００２８】

【発明の実施の形態】本発明の半導体製造工程における
製造方法に関する実施の一形態について、図１および図
２に基づいて説明すれば以下のとおりである。

【００２９】図１は、本実施形態の半導体装置の製造方
法を概略的に示した説明図である。

【００３０】本実施形態の半導体装置の製造方法は、図
１（ａ）〜（ｄ）に示すように、ウエハ（半導体基板）
１１、スピンチャック（回転体）１２、現像液１３およ
び現像液供給ノズル１４を用いて行われ、続いて、図１
（ｅ）に示すようにリンス液１６およびリンス液供給ノ
ズル１７によって、現像液１３および溶融したフォトレ
ジスト膜１５の洗浄が行われる。

【００３１】ここで、半導体装置の現像工程を示す図１
（ａ）〜（ｅ）の各工程について詳しく説明する。

【００３２】図１（ａ）に示すウエハ１１は、表面にフ
ォトレジスト膜１５が塗布され、露光が終了した状態で
あり、その中心はスピンチャック１２で保持されてい
る。このウエハ１１を３００ｒｐｍの速度で回転させな
がら、ウエハ１１の中心上に誘導された現像液供給ノズ
ル１４より現像液１３が滴下されて、ウエハ１１上の全
面に現像液１３が行き渡る（第１の工程）。

【００３３】次に、図１（ｂ）に示すように、現像液供
給ノズル１４から現像液１３の滴下が一旦停止されると
ともに、ウエハ１１の回転速度を１０００ｒｐｍに上げ
て、ウエハ１１上の現像液１３が遠心力によって振り切
られる（第２の工程）。

【００３４】続いて、ウエハ１１の回転速度を５０ｒｐ
ｍまで落として、図１（ｃ）に示すように、現像液供給
ノズル１４から再び現像液１３がウエハ１１上に滴下さ
れる（第３の工程）。

【００３５】その後、図１（ｄ）に示すように、現像液
１３を表面張力により、ウエハ１１の表面に保持して静
止したまま所定の時間、フォトレジスト膜１５の現像が
パドル現像方式により行われる。

【００３６】さらに、図１（ｅ）に示すように、図１
（ｄ）の終了後、再び回転させたウエハ１１上にリンス
液供給ノズル１７からリンス液１６が滴下されて、現像
液１３および溶解したフォトレジスト膜１５が洗い流さ
れる。

【００３７】なお、前記パドル現像方式とは、前記図１
（ｄ）のように、現像液１３の表面張力を利用してウエ
ハ１１上に現像液１３を液盛りし、ウエハ１１を静止さ
せた状態で現像を行う現像方式の一種である。

【００３８】本実施形態の半導体装置の製造方法では、
上記のように、スピンチャック１２上に保持したウエハ
１１を、３００ｒｐｍの速度で回転させながら現像液１
３を滴下し、一旦現像液１３の滴下を停止した後、回転
速度を１０００ｒｐｍにしてウエハ１１上の現像液１３
を振り切る。その後、５０ｒｐｍの回転速度でウエハ１
１を回転させながら現像液１３を滴下させている。

【００３９】上記のような方法によって、半導体装置の
製造が行われることにより、第１の工程において、ウエ
ハ１１上に現像液１３が滴下される際に、現像液１３が
ウエハ１１に接触する際の衝撃を従来の製造方法に比べ
て小さくできる。これにより、現像液１３の滴下時のマ
イクロバブルの発生を大幅に低減できる。また、ウエハ
１１は、３００ｒｐｍの回転速度で回転しているため
に、現像液１３中のマイクロバブルを同一場所にとどま
らせることなく、常に新しい現像液１３を供給できる。

【００４０】また、第１の工程において現像液１３を滴
下することにより現像が始まり、フォトレジスト膜１５
の表面が現像される。これにより、第３の工程におい
て、液盛りを行って現像を進行させる際に、フォトレジ
スト膜１５表面を塗れ性（親水性）の高い状態にするこ
とができる。よって、第３の工程時に、滴下前の現像液
１３中にマイクロバブルが含まれていても、マイクロバ
ブルが同一場所にとどまる可能性を低くし、マイクロバ
ブルが同一場所にとどまって現像未進行の部分ができる
の防ぐことができる。

【００４１】本実施形態においては、第１の工程におい
て、ウエハ１１を３００ｒｐｍで回転させている例につ
いて説明したが、１００〜５００ｒｐｍの範囲であれ
ば、上記と同様の効果を得ることができる。

【００４２】ウエハ１１の回転速度を、上記範囲に限定
したのは、以下の理由からである。第１の工程における
ウエハ１１の回転を１００ｒｐｍ以上とした場合、現像
液１３中に元々含まれているマイクロバブルがウエハ１
１表面に形成されたフォトレジスト膜１５上の同一場所
にとどまることはない。よって、現像未進行部分である
パターン欠陥の発生を防止できる。ただし、ウエハ１１
を２５０ｒｐｍ以上で回転させることがより好ましい。
また、５００ｒｐｍ以下とした場合、現像液１３滴下時
に現像液１３とウエハ１１が接触する際、現像液１３に
対して大きな衝撃が与えられて生じるマイクロバブルの
発生を抑制できる。ただし、ウエハ１１を３５０ｒｐｍ
以下で回転させることがより好ましい。

【００４３】さらに、第２の工程において、一旦現像液
１３の滴下を停止して、ウエハ１１の速度を１０００ｒ
ｐｍに上げて現像液１３を振り切ることにより、現像液
１３中に元々存在したマイクロバブルが同一場所にとど
まって所定時間経過することで発生するパターン欠陥を
低減できる。

【００４４】本実施形態においては、第２の工程におい
て、ウエハ１１を１０００ｒｐｍで回転させている例に
ついて説明したが、５００〜１５００ｒｐｍの範囲であ
れば、上記と同様の効果を得ることができる。

【００４５】第２の工程におけるウエハ１１の回転速度
を５００ｒｐｍ以上としたのは、５００ｒｐｍが、第１
の工程でウエハ１１上に滴下した現像液１３が十分に振
り切るための最低の回転速度であるためである。ただ
し、第２の工程において、ウエハ１１を８００ｒｐｍ以
上で回転させることがより好ましい。この残存した現像
液１３中にマイクロバブルが含まれていると、フォトレ
ジスト膜１５表面に付着して同一場所にとどまり、パタ
ーン欠陥が発生してしまう。よって、第２の工程では、
パターン欠陥の発生要因であるマイクロバブルを十分に
振り切ることができる。

【００４６】また、第２の工程の目的は、第１の工程で
滴下された現像液１３をウエハ１１上から振り切ること
であるため、５００ｒｐｍ以上の回転速度であれば目的
は達成できる。しかし、第２の工程のウエハ１１の回転
速度を敢えて１５００ｒｐｍ以下としたのは、現像液１
３と溶解したレジストが霧状のミストとなり、ウエハ１
１上に飛散してパターン欠陥の発生を防止するためであ
る。上記ミスト中には、溶解したレジストがパーティク
ルとなって含まれており、ウエハ１１上に飛散するとパ
ターン欠陥となるため、ミストの発生のない程度の回転
数でウエハ１１を回転させることが重要となる。なお、
１２００ｒｐｍ以下でウエハ１１を回転させることが、
ミストの発生を抑えるためにはより好ましい回転速度で
ある。

【００４７】さらに、第３の工程において、ウエハ１１
を５０ｒｐｍで回転させながら、再び現像液１３を滴下
することにより、第１の工程時と同様に、現像液１３が
ウエハ１１に接触する際の衝撃を小さくできる。これに
より、現像液１３がウエハ１１に滴下される際のマイク
ロバブルの発生を低減できる。これに加えて、ウエハ１
１は、ウエハ１１上から現像液１３がこぼれない程度の
回転速度で回転しているため、ウエハ１１上に現像液１
３の液盛りを行うことができる。よって、このままパド
ル現像へ移行できる。なお、ウエハ１１が静止した状態
であっても、滴下された現像液１３中にマイクロバブル
が混入する恐れはなく、液盛りを行うことができる。

【００４８】本実施形態においては、第３の工程におい
て、ウエハ１１を５０ｒｐｍで回転させている例につい
て説明したのは、上記の効果を得るための最適な回転速
度であるためであるが、ウエハ１１の回転速度が１００
ｒｐｍ以下であれば、ウエハ１１を静止させた状態であ
っても、上記と同様の効果を得ることができる。

【００４９】第３の工程におけるウエハ１１の回転速度
を、１００ｒｐｍ以下としたのは、１００ｒｐｍより速
くウエハ１１を回転させながら現像液１３を滴下する
と、現像液１３に与えられる遠心力が大き過ぎてウエハ
１１上から振り切られてしまい、液盛りを行うことがで
きないためである。また、第３の工程の目的は、パドル
現像へ移行する前段階の液盛りを行うことであるため、
ウエハ１１を静止させた状態であってもよいことは言う
までもない。しかし、１０〜１００ｒｐｍの範囲でゆっ
くりと回転させることにより、現像液１３中に含まれる
少量のマイクロバブルに遠心力を与え、同一場所にとど
まるのをさらに確実に防止できる。さらに、現像液１３
をウエハ１１上により均一に液盛りすることができる。

【００５０】なお、上記第３の工程において、静止した
状態も含んでいるのは、ウエハ１１が静止した状態であ
っても、滴下された現像液１３中にマイクロバブルが発
生する恐れはなく、液盛りも行うことができるためであ
る。さらに、上述したように、第１の工程で滴下された
現像液１３によってフォトレジスト膜１５の表面が塗れ
性の高い状態となっている。これにより、現像液１３中
に滴下前から存在したマイクロバブルがフォトレジスト
膜１５表面に付着して、同一場所にとどまる可能性が低
くなる。よって、第３の工程で液盛りを行っても、パタ
ーン欠陥が発生することはない。

【００５１】ここで、上記本実施形態の製造方法におい
て、ウエハ１１の回転速度と経過時間との関係を図２に
基づいて説明すれば、以下のとおりである。

【００５２】図２に示したように、上記第１の工程にお
いて、ウエハ１１を３００ｒｐｍで回転させながら、現
像液１３が約４秒間（好ましくは、３〜５秒間）、ウエ
ハ１１上に滴下される。

【００５３】次に、上記第２の工程において、現像液１
３の滴下が停止され、ウエハ１１を１０００ｒｐｍで約
４秒間（好ましくは３〜５秒間）回転させて、ウエハ１
１上に滴下された現像液１３が振り切られる。

【００５４】さらに、上記第３の工程において、ウエハ
１１を５０ｒｐｍで回転させながら、ウエハ１１上に現
像液１３が約４秒間（好ましくは２〜４秒間）滴下され
て、ウエハ１１の全面に現像液１３の液盛りが行われ
る。

【００５５】そして、ウエハ１１の回転を停止して、現
像液１３の表面張力により現像液１３がフォトレジスト
膜１５上にとどまって、所定の時間現像が行われる。

【００５６】上記の工程が終了後、ウエハ１１を回転さ
せながらリンス液１６がリンス液供給ノズル１７から滴
下され、現像液１３および溶解したフォトレジスト膜１
５を洗い流して現像が終了する。

【００５７】従来の製造方法では、ウエハ１１を１００
０〜３０００ｒｐｍの高速で回転させながら、現像液１
３を滴下後、段階的に回転速度を落として液盛りを行
い、そのままパドル現像方式による現像へ移行してい
る。よって、現像液１３の滴下時に現像液１３内にマイ
クロバブルが発生し易いとともに、フォトレジスト膜１
５上の同一場所にとどまり、所定時間の経過により、現
像の進行しない領域が発生することになる。

【００５８】しかし、本実施形態の製造方法では、前述
したように、前記第１の工程において、ウエハ１１を３
００ｒｐｍの低速で回転させながら、現像液１３が滴下
されている。よって、従来の製造方法よりも、現像液１
３の滴下時における、現像液１３とウエハ１１との接触
時の衝撃が小さく、現像液１３中に混入するマイクロバ
ブルの数を大幅に低減できる。また、第３の工程におい
ても、さらに低速の５０ｒｐｍでウエハ１１を回転させ
ているため、このウエハ１１上に現像液１３を滴下して
もマイクロバブルが発生しにくい。

【００５９】さらに、上記第２の工程において、現像液
１３の滴下を一旦停止して、ウエハ１１を１０００ｒｐ
ｍで高速回転させるため、現像液１３は、ウエハ１１上
から振り切られる。よって、滴下前に現像液１３内に存
在したマイクロバブルがあったとしても、ウエハ１１上
にとどまることはない。これにより、マイクロバブルが
所定時間、同一場所にとどまって現像が進行しない領域
を発生させるのを防止できる。

【００６０】以上より、フォトリソグラフ工程において
現像する際に、現像液１３中のマイクロバブルがフォト
レジスト膜１５上に付着して、部分的に発生するフォト
レジスト膜１５のパターン欠陥数を飛躍的に低減し、半
導体装置の歩留り向上および品質の安定を達成すること
が可能になる。

【００６１】また、フォトレジスト膜１５の塗布と露光
が終了したウエハ１１を低速回転させながら現像液１３
を滴下する第１の工程と、現像液１３の滴下を停止する
とともにウエハ１１を高速回転させてウエハ１１上の現
像液１３を除去する第２の工程と、ウエハ１１を低速回
転させながら、若しくは、静止させた状態で現像液１３
を滴下する製造方法であってもよい。

【００６２】

【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法は、上記
のように、１００〜５００ｒｐｍの速度で半導体基板を
回転させながら、半導体基板に現像液を滴下する第１の
工程と、現像液の滴下を停止し、５００〜１５００ｒｐ
ｍの回転速度で半導体基板を回転させる第２の工程と、
半導体基板を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ
以下の回転速度以下で回転させながら、再び現像液を滴
下する第３の工程とを含む構成である。

【００６３】上記の構成によれば、第１の工程におい
て、半導体基板上に現像液が滴下される際に、現像液が
半導体基板に接触する際の衝撃を小さくでき、現像液の
滴下時の気泡の発生を大幅に低減できるという効果を奏
する。

【００６４】さらに、第２の工程において、一旦現像液
の滴下を停止させ、半導体基板の回転速度を上げて現像
液を振り切ることにより、現像液中に元々存在した気泡
が同一場所にとどまって所定時間経過することで発生す
るパターン欠陥を低減できるという効果を奏する。

【００６５】さらに、第３の工程において、半導体基板
を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ以下で回転
させながら、再び現像液を滴下することにより、第１の
工程時と同様に、現像液が半導体基板に接触する際の衝
撃を小さくできる。これにより、現像液が半導体基板に
滴下される際に気泡の発生を低減できる。さらに、半導
体基板上から現像液がこぼれない程度の回転速度である
ため、半導体基板上に現像液の液盛りを行うことができ
るという効果を奏する。よって、このままパドル現像へ
移行できる。

【００６６】また、第３の工程の半導体基板の回転速度
は、１０〜１００ｒｐｍであることがより好ましく、上
述したような現像液中の気泡の発生の低減と、気泡が原
因となって発生する現像未進行部分である半導体装置の
パターン欠陥を、より確実に防止でき、現像が均一に行
われた半導体装置を提供できるという効果を奏する。

【００６７】また、第１の工程を３〜５秒間、第２の工
程を３〜５秒間および第３の工程を２〜４秒間行うこと
がより好ましい。それゆえ、第１の工程における現像液
の滴下、第２の工程における現像液の振り切り、および
第３の工程における現像液の液盛りという各工程の目的
を達成し、さらに製造効率も考慮した最適な製造条件が
得られる。よって、各工程における回転数および時間の
両面について管理することにより、より良好な製造方法
を得ることができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態である半導体装置の製造
方法を概略的に示した説明図である。

【図２】上記製造方法における現像液の滴下とウエハの
回転速度と経過時間との関係を示すグラフである。

【図３】従来の製造方法によりレジストの現像処理を行
う際の現像シーケンスを示すタイムチャートである。

【符号の説明】

１１ ウエハ（半導体基板） １２ スピンチャック（回転体） １３ 現像液 １４ 現像液供給ノズル １５ フォトレジスト膜 １６ リンス液 １７ リンス液供給ノズル

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板に現像液を滴下して、半導体基
   板上に形成されたフォトレジスト膜の現像を行う半導体
   装置の製造方法において、 １００〜５００ｒｐｍの速度で半導体基板を回転させな
   がら、半導体基板に現像液を滴下する第１の工程と、 現像液の滴下を停止し、５００〜１５００ｒｐｍの速度
   で半導体基板を回転させる第２の工程と、 半導体基板を静止させた状態で、あるいは１００ｒｐｍ
   以下の速度で回転させながら、再び現像液を滴下する第
   ３の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
2. 【請求項２】前記第３の工程の半導体基板の回転速度
   は、１０〜１００ｒｐｍであることを特徴とする請求項
   １に記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】上記第１の工程を３〜５秒間、第２の工程
   を３〜５秒間および第３の工程を２〜４秒間行うことを
   特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造
   方法。