JP5304956B2 - Ｒｆｉｄチップパッケージ及びｒｆｉｄタグ - Google Patents

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Description

本発明は、ＲＦＩＤチップパッケージ、特にＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）システムにおいて、ＲＦＩＤチップとそのアンテナとの間に介在されるＲＦＩＤチップパッケージ及びＲＦＩＤタグに関する。
近年、物品の情報管理システムとして、誘導磁界を発生するリーダライタと、物品に付されたＲＦＩＤタグとを電磁界を利用した非接触方式で通信し、所定の情報を伝達するＲＦＩＤシステムが実用化されている。ここで、ＲＦＩＤタグは、所定の情報を記憶し、所定のＲＦ信号を処理するＲＦＩＤチップと、ＲＦ信号の送受信を行うアンテナとで構成されている。
ところで、ＲＦＩＤシステムにおいては、ＲＦ信号が微弱であるため、例えば、特許文献１，２に記載されているように、ＲＦＩＤチップには多段チャージポンプなどの昇圧回路が備えられており、ＲＦＩＤチップの入出力インピーダンスは極めて高くなっている。それゆえ、アンテナにおいても、その入出力インピーダンスをＲＦＩＤチップの入出力インピーダンスに整合させる必要があり、アンテナの設計が難しく、特に小型化や広帯域化が困難であるという問題点を有していた。
特開２００５−２０２９４３号公報 特開２００９−１３０８９６号公報
そこで、本発明の目的は、高いインピーダンス特性を有するＲＦＩＤチップを低いインピーダンス特性のアンテナに好適に整合させることができ、アンテナ設計の困難性を解消できる、ＲＦＩＤチップを含むＲＦＩＤチップパッケージ及びＲＦＩＤタグを提供することにある。
本発明の第１の形態であるＲＦＩＤチップパッケージは、
昇圧回路を備え、ＵＨＦ帯のＲＦ信号を処理するＲＦＩＤチップと、
前記ＲＦＩＤチップに接続され、少なくとも一つのインダクタンス素子を含む給電回路と、
を備え、
前記ＲＦＩＤチップは第１入出力端子と第２入出力端子とからなる平衡型の入出力端子を有し、
前記給電回路は、前記第１入出力端子に接続された第１端子と、前記第２入出力端子に接続された第２端子と、アンテナ素子の第１接続部に接続された第３端子と、前記アンテナ素子の第２接続部に接続された第４端子と、をそれぞれ有し、
さらに、前記給電回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に接続された第１インダクタンス素子と、前記第３端子と前記第４端子との間に接続された第２インダクタンス素子と、を有し、
前記給電回路の前記第３端子と前記第４端子における入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωであること、
を特徴とする。
本発明の第２の形態であるＲＦＩＤタグは、
接続部を有するアンテナ素子と、該接続部に接続されたＲＦＩＤチップパッケージとを有するＲＦＩＤタグであって、
前記ＲＦＩＤチップパッケージは、昇圧回路を備え、ＵＨＦ帯のＲＦ信号を処理するＲＦＩＤチップと、該ＲＦＩＤチップに接続され、少なくとも一つのインダクタンス素子を含む給電回路と、を備え、
前記ＲＦＩＤチップは第１入出力端子と第２入出力端子とからなる平衡型の入出力端子を有し、
前記給電回路は、前記第１入出力端子に接続された第１端子と、前記第２入出力端子に接続された第２端子と、アンテナ素子の第１接続部に接続された第３端子と、前記アンテナ素子の第２接続部に接続された第４端子と、をそれぞれ有し、
さらに、前記給電回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に接続された第１インダクタンス素子と、前記第３端子と前記第４端子との間に接続された第２インダクタンス素子と、を有し、
前記給電回路の前記第３端子と前記第４端子における入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωであること、
を特徴とする。
前記ＲＦＩＤチップパッケージにおいて、ＲＦＩＤチップは昇圧回路を備えており、入出力インピーダンスのリアクタンス成分が−２００Ω程度になっている。給電回路はこのＲＦＩＤチップに接続され、かつ、アンテナが接続されるアンテナ端子の入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωとされている。それゆえ、アンテナをダイポール型やパッチ型など一般的な形で整合をとることが容易になり、アンテナの設計に大きな自由度が生じて広帯域化が容易になる。また、ＲＦＩＤチップを測定する際の測定系のインピーダンスは一般的に５０Ωに設計されているため、ＲＦＩＤチップの測定も容易になる。
本発明によれば、高いインピーダンス特性を有するＲＦＩＤチップを低いインピーダンス特性のアンテナに好適に整合させることができ、アンテナ設計の困難性を解消でき、ＲＦＩＤチップパッケージが小型化する。
一実施例であるＲＦＩＤチップパッケージを示す斜視図である。 第１例である給電回路を示す等価回路図である。 第１例である給電回路を構成する積層体を各基材層ごとに分解して示す平面図である。 第２例である給電回路を示す等価回路図である。 第２例である給電回路を構成する積層体を各基材層ごとに分解して示す平面図である。 第３例である給電回路を示す等価回路図である。 第１例である給電回路のインピーダンス整合特性を示すスミスチャート図である。 ＲＦＩＤタグの第１実施例を示し、（Ａ）は分解斜視図、（Ｂ）は断面図である。 ＲＦＩＤタグの第２実施例を示す分解斜視図である。
以下、本発明に係るＲＦＩＤチップパッケージ及びＲＦＩＤタグの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各図において、共通する部品、部分は同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
（ＲＦＩＤチップパッケージ、図１参照）
一実施例であるＲＦＩＤチップパッケージは、図１に示すように、給電回路を内蔵した積層体からなる給電回路基板１０上にＲＦＩＤチップ５０を搭載したものである。なお、ＲＦＩＤチップ５０は給電回路基板１０に内蔵あるいは基板１０に形成した凹所（図示せず）に収容されていてもよい。
ＲＦＩＤチップ５０は、例えばＵＨＦ帯のＲＦ信号を処理するもので、クロック回路、ロジック回路、メモリ回路などを含み、必要な情報がメモリされている。また、チャージポンプなどの昇圧回路をも含み、入出力インピーダンスは実部が２０Ω、虚部が−２００Ω程度である。ＲＦＩＤチップ５０は、その裏面に一対の入出力用端子電極及び一対の実装用端子電極が設けられている。入出力用端子電極は給電回路基板１０の上面に設けた給電端子電極２０ａ，２０ｂに、実装用端子電極は給電回路基板１０の上面に設けた実装用端子電極２０ｃ，２０ｄに、それぞれ、金属バンプなどを介して電気的に接続される。なお、金属バンプの材料としては、Ａｕ、はんだなどを用いることができる。
給電回路は、少なくとも一つのインダクタンス素子を含み、好ましくはキャパシタンス素子をも含み、積層体からなる給電回路基板に内蔵されている。そして、アンテナ端子電極の入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωとされている。以下に、給電回路について第１例、第２例、第３例を詳述する。
（給電回路の第１例、図２及び図３参照）
図２に示すように、第１例である給電回路１５Ａは、ＲＦＩＤチップ５０に接続される二つの給電端子電極２０ａ，２０ｂと、図示しないアンテナに接続されるアンテナ端子電極２１ａ，２１ｂとを備え、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２とを有している。インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１は端子電極２０ａ，２１ａ間に直列に接続されている。インダクタンス素子Ｌ２はインダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１との接続点と端子電極２０ｂとキャパシタンス素子Ｃ２との接続点に接続されている。キャパシタンス素子Ｃ２は端子電極２０ｂ，２１ｂ間に直列に接続されている。
インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は互いに電磁界結合しており、インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１とは、及び、インダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２とは、それぞれ、電磁界を介して結合しており、それぞれの素子によって共振回路を形成している。また、図３を参照して説明するように、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を形成するそれぞれのコイルパターンも線間容量を持っている。
給電回路１５Ａは、ＲＦＩＤチップ５０から発信されて端子電極２０ａ，２０ｂから入力された所定の周波数を有する高周波信号を端子電極２１ａ，２１ｂからアンテナに伝達し、かつ、アンテナで受信した高周波信号を前記とは逆方向にＲＦＩＤチップ５０に供給する。給電回路１５Ａが所定の共振周波数を有し、端子電極２１ａ，２１ｂの入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωとされている。それゆえ、ＲＦＩＤチップ５０からの実部が２０Ω、虚部が−２００Ωの入力インピーダンスがほぼ実部が５０Ω、虚部が０Ωの出力となるので、アンテナに対するインピーダンスが整合されることになる。また、ＲＦＩＤチップ５０を測定する際の測定系のインピーダンスは一般的に５０Ωに設計されているため、ＲＦＩＤチップ５０の測定も容易になる。
次に、給電回路１５Ａを内蔵した積層体（給電回路基板１０）の構造について図３を参照して説明する。積層体は各基材層３１ａ〜３１ｋからなり、基材層３１ａ〜３１ｊは誘電体又は磁性体からなるセラミックシートであり、基材層３１ｋは転写用シートである。図３において、各電極や各導体は各基材層３１ａ〜３１ｋ上に形成され、基材層３１ａを基材層３１ｂの上に重ね、さらに基材層３１ｃ，３１ｄ…上に重ねるという順序で積層する。最下層に重ねた基材層（転写シート）３１ｋは積層後に剥離することにより、端子電極２０ａ〜２０ｄを積層体の下面に露出させる。
詳しくは、基材層３１ａ上にはアンテナに接続される端子電極２１ａ，２１ｂ及びビアホール導体２９ｃが形成され、基材層３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ上にはそれぞれ容量電極２２ａ〜２２ｆ及びビアホール導体２９ｄ，２９ｅ，２９ｆが形成されている。基材層３１ｅ〜３１ｊ上にはループ状導体２３ａ〜２３ｆ，２４ａ〜２４ｄ及びビアホール導体２９ａ，２９ｂ，２９ｇが形成されている。基材層３１ｋ上には端子電極２０ａ〜２０ｄ及びビアホール導体２９ｈが形成されている。
前記各基材層３１ａ〜３１ｋを積層することにより、図２に示した等価回路が形成される。即ち、容量電極２２ａ，２２ｃ，２２ｅにてキャパシタンス素子Ｃ１が形成され、容量電極２２ｂ，２２ｄ，２２ｆにてキャパシタンス素子Ｃ２が形成される。また、ループ状導体２３ａ〜２３ｆがビアホール導体２９ａを介して形成されるコイルパターンにてインダクタンス素子Ｌ１が形成され、ループ状導体２４ａ〜２４ｄがビアホール導体２９ｂを介して形成されるコイルパターンにてインダクタンス素子Ｌ２が形成される。
以上のごとく、給電回路基板１０に内蔵された給電回路１５Ａのインピーダンス整合特性を、図７のスミスチャートに示す。ＲＦＩＤチップ５０の入出力インピーダンスは実部が２０Ω、虚部が−２００Ωであり、アンテナ側（変換後）のインピーダンスは実部が５０Ω、虚部が０Ωである。
ところで、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は、それぞれを構成するコイルパターンがそれぞれの巻回軸が平行になるように積層体内に隣接して配置されており、それぞれのコイルパターンはある瞬間における磁束の向きが同方向になるように巻回されている（図３の矢印参照）。但し、逆方向になるように巻回されていてもよい。また、各コイルパターンの開口は、通過する磁束がキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２に導かれるように容量電極２２ｅ，２２ｆで覆われている。即ち、インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１、及び、インダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２とは、それぞれ、電磁界を介して結合している。また、アンテナ端子電極２１ａ，２１ｂにキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２を接続することでＥＳＤに強いＲＦＩＤチップパッケージを実現できる。
（給電回路の第２例、図４及び図５参照）
図４に示すように、第２例である給電回路１５Ｂは、ＲＦＩＤチップ５０に接続される二つの給電端子電極２０ａ，２０ｂと、図示しないアンテナに接続されるアンテナ端子電極２１ａ，２１ｂとを備え、インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７を有している。インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６は端子電極間に直列に接続されている。インダクタンス素子Ｌ７はインダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６の接続点と端子電極２０ｂ，２１ｂとの間に接続されている。インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７はそれぞれ互いに電磁界結合している。また、図５を参照して説明するように、インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７を形成するそれぞれのコイルパターンも線間容量を持っており、共振回路を形成している。
給電回路１５Ｂの機能は第１例である給電回路１５Ａと基本的には同様であり、ＲＦＩＤチップ５０から発信されて端子電極２０ａ，２０ｂから入力された所定の周波数を有する高周波信号を端子電極２１ａ，２１ｂからアンテナに伝達し、かつ、アンテナで受信した高周波信号を前記とは逆方向にＲＦＩＤチップ５０に供給する。給電回路１５Ｂが所定の共振周波数を有し、端子電極２１ａ，２１ｂの入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωとされている。それゆえ、ＲＦＩＤチップ５０からの実部が２０Ω、虚部が−２００Ωの入力インピーダンスがほぼ実部が５０Ω、虚部が０Ωの出力となるので、アンテナに対するインピーダンが整合されることになる。
次に、給電回路１５Ｂを内蔵した積層体（給電回路基板１０）の構造について図５を参照して説明する。基材層４１ａ〜４１ｏは誘電体又は磁性体からなるセラミックシートであり、基材層４１ｐは転写用シートである。また、各基材層４１ａ〜４１ｐの積層順序も前記第１例と同様であり、最下層に重ねた基材層（転写シート）４１ｐは積層後に剥離することにより、端子電極２０ａ〜２０ｄを積層体の下面に露出させる。
詳しくは、基材層４１ａ上にはアンテナに接続される端子電極２１ａ，２１ｂ及びビアホール導体４３ｃ，４３ｇが形成され、基材層４１ｂ上にはビアホール導体４３ｃ，４３ｇが形成されている。基材層４１ｃ〜４１ｎ上にはそれぞれループ状導体４２ａ〜４２ｌ及びビアホール導体４３ａ，４３ｂ，４３ｄ，４３ｇが形成され、基材層４１ｏ上にはビアホール導体４３ｅ，４３ｆが形成されている。基材層４１ｐ上には端子電極２０ａ〜２０ｄ及びビアホール導体４３ｅ，４３ｆが形成されている。
前記各基材層４１ａ〜４１ｐを積層することにより、図４に示した等価回路が形成される。即ち、ループ状導体４２ｄの一部とループ状導体４２ｅ〜４２ｌがビアホール導体４３ｂを介して形成されるコイルパターンにてインダクタンス素子Ｌ５が形成される。ループ状導体４２ａ〜４２ｃとループ状導体４２ｄの一部がビアホール導体４３ａを介して形成されるコイルパターンにてインダクタンス素子Ｌ６が形成される。さらに、基材層４１ｆ上に形成されたループ状導体４２ｄの一部がインダクタンス素子Ｌ７を形成する。また、図４に示す線路４５ａはビアホール導体４３ｄ，４３ｆによって形成され、線路４５ｂはビアホール導体４３ｇと基材層４１ｆのビアホール導体４３ｄによって形成される。
以上のごとく給電回路基板１０に内蔵された給電回路１５Ｂのインピーダンス整合特性は図７のスミスチャートと基本的には同様である。
（給電回路の第３例、図６参照）
図６に示すように、第３例である給電回路１５Ｃは、前記第２例である給電回路１５Ｂからインダクタンス素子Ｌ７を省略し、インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６の接続点と端子電極２０ｂ，２１ｂを結ぶ線路４５ａ，４５ｂとを線路４５ｃにて接続したものである。インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６は互いに電磁界結合しており、それぞれのコイルパターンが線間容量を持って共振回路を形成している。この給電回路１５Ｃの作用、機能は前記第２例である給電回路１５Ｂと基本的に同様である。
ところで、前記インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６は、ともにＲＦＩＤチップとアンテナとのインピーダンスを整合させる機能を有している。特に、インダクタンス素子Ｌ５は、ＲＦＩＤチップ側に直列に挿入されたインダクタンスである。このインダクタンスは、主に、インピーダンスチャート上の虚数軸方向にインピーダンスを動かすという機能を有する。一方、インダクタンス素子Ｌ６は、アンテナ側に直列に挿入されたインダクタンスであり、アンテナ側の二つの端子２１ａ，２１ｂを跨るように配置されている。このインダクタンスは、主に、アドミッタンスチャート上の虚数軸上にインピーダンスを動かすという機能を有する。インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６に前記機能を持たせることにより、インピーダンスを効率よくマッチングさせることができる。
特に、インダクタンス素子Ｌ５のインダクタンス値をインダクタンス素子Ｌ６のインダクタンス値よりも大きくすることにより、ＲＦＩＤチップ側のインピーダンス（入出力インピーダンス）が例えば実部が２０Ω程度、虚部が−２００Ω程度となるような場合であっても、これを比較的簡単な構成で５０Ωに近づけることができる。
また、インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６は互いに電磁界（主に磁界）を介して結合していることが好ましい。これにて、必要なインダクタンス値を小さなパターンで得ることができる。また、インダクタンス素子Ｌ５，Ｌ６のコイルパターンを各コイルパターンに生じる磁界が同相（各コイルパターンに生じる磁界の向きが同じ）となるように巻回、配置することにより、各コイルの磁界が強め合うことになり、各コイルのサイズが小さくても大きなインダクタンス値を得ることができ、ＲＦＩＤチップと給電回路基板とによって（アンテナを接続しなくても）数ｃｍ以下の近距離での通信が可能になる。
（ＲＦＩＤタグの第１実施例、図８参照）
第１実施例であるＲＦＩＤタグ６０Ａについて図８を参照して説明する。このＲＦＩＤタグ６０Ａは、基材フィルム６１上にダイポール型アンテナとして機能する第１放射素子６５及び第２放射素子６６を薄膜導体又は厚膜導体として設け、ＲＦＩＤチップ５０を搭載した給電回路基板１５を第１放射素子６５及び第２放射素子６６に接続したものである。具体的には、第１及び第２放射素子６５，６６の接続部６５ａ，６６ａに給電回路基板１５の裏面に設けたアンテナ端子電極２１ａ，２１ｂ（第３端子２１ａ、第４端子２１ｂ）が導電性接合材６７ａ，６７ｂを介して接続されている。給電回路基板１５の表面に設けた給電端子電極２０ａ，２０ｂ（第１端子２０ａ、第２端子２０ｂ）は、ＲＦＩＤチップ５０の入出力用端子電極に導電性接合材６８ａ，６８ｂを介して接続されている。
（ＲＦＩＤタグの第２実施例、図９参照）
第２実施例であるＲＦＩＤタグ６０Ｂについて図９を参照して説明する。このＲＦＩＤタグ６０Ｂは、基材フィルム６１上にループ型アンテナとして機能する放射素子７０を薄膜導体又は厚膜導体として設け、ＲＦＩＤチップ５０を搭載した給電回路基板１５を放射素子７０の接続部７０ａ，７０ｂに接続したものである。給電回路基板１５とＲＦＩＤチップ５０及び接続部７０ａ，７０ｂとの接続関係は前記第１実施例であるＲＦＩＤタグ６０Ａと同様である。
（他の実施例）
なお、本発明に係るＲＦＩＤチップパッケージ及びＲＦＩＤタグは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できることは勿論である。
以上のように、本発明は、ＲＦＩＤチップパッケージ及びＲＦＩＤタグに有用であり、特に、高いインピーダンス特性を有するＲＦＩＤチップを低いインピーダンス特性のアンテナに好適に結合できる点で優れている。
１０…給電回路基板
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ…給電回路
３１ａ〜３１ｋ，４１ａ〜４１ｐ…基材層
２０ａ，２０ｂ…給電端子電極
２１ａ，２１ｂ…アンテナ端子電極
２３ａ〜２３ｆ，２４ａ〜２４ｄ…ループ状導体
４２ａ〜４２ｌ…ループ状導体
５０…ＲＦＩＤチップ
６０Ａ，６０Ｂ…ＲＦＩＤタグ
６５，６６，７０…放射素子
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７…インダクタンス素子
Ｃ１，Ｃ２…キャパシタンス素子

Claims (9)

  1. 昇圧回路を備え、ＵＨＦ帯のＲＦ信号を処理するＲＦＩＤチップと、
    前記ＲＦＩＤチップに接続され、少なくとも一つのインダクタンス素子を含む給電回路と、
    を備え、
    前記ＲＦＩＤチップは第１入出力端子と第２入出力端子とからなる平衡型の入出力端子を有し、
    前記給電回路は、前記第１入出力端子に接続された第１端子と、前記第２入出力端子に接続された第２端子と、アンテナ素子の第１接続部に接続された第３端子と、前記アンテナ素子の第２接続部に接続された第４端子と、をそれぞれ有し、
    さらに、前記給電回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に接続された第１インダクタンス素子と、前記第３端子と前記第４端子との間に接続された第２インダクタンス素子と、を有し、
    前記給電回路の前記第３端子と前記第４端子における入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωであること、
    を特徴とするＲＦＩＤチップパッケージ。
  2. 前記第１インダクタンス素子のインダクタンス値は前記第２インダクタンス素子のインダクタンス値よりも大きいこと、を特徴とする請求項１に記載のＲＦＩＤチップパッケージ。
  3. 前記第１インダクタンス素子及び前記第２インダクタンス素子は互いに電磁界を介して結合していること、を特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＲＦＩＤチップパッケージ。
  4. 前記給電回路は前記第１及び第２インダクタンス素子を有する給電回路基板に配置されており、
    前記ＲＦＩＤチップは前記給電回路基板に搭載又は内蔵されていること、
    を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＲＦＩＤチップパッケージ。
  5. 前記給電回路基板は複数の基材層を積層してなる積層体として構成され、
    前記第１及び第２インダクタンス素子は前記基材層に設けたループ状導体を巻回してコイルパターンとして構成したものであること、
    を特徴とする請求項４に記載のＲＦＩＤチップパッケージ。
  6. 前記第１インダクタンス素子は第１のコイルパターン、前記第２インダクタンス素子は第２のコイルパターンにてそれぞれ構成され、
    前記第１及び第２のコイルパターンはそれぞれの巻回軸がほぼ平行になるように前記積層体内に隣接して配置されていること、
    を特徴とする請求項５に記載のＲＦＩＤチップパッケージ。
  7. 前記第１のコイルパターン及び前記第２のコイルパターンは、各コイルパターンに生じる磁界が同相となるように、それぞれ巻回、配置されていること、を特徴とする請求項６に記載のＲＦＩＤチップパッケージ。
  8. 前記給電回路は、さらにキャパシタンス素子を有しており、
    前記キャパシタンス素子は前記基材層に互いに対向するように設けた容量電極にて構成されていること、
    を特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれかに記載のＲＦＩＤチップパッケージ。
  9. 接続部を有するアンテナ素子と、該接続部に接続されたＲＦＩＤチップパッケージとを有するＲＦＩＤタグであって、
    前記ＲＦＩＤチップパッケージは、昇圧回路を備え、ＵＨＦ帯のＲＦ信号を処理するＲＦＩＤチップと、該ＲＦＩＤチップに接続され、少なくとも一つのインダクタンス素子を含む給電回路と、を備え、
    前記ＲＦＩＤチップは第１入出力端子と第２入出力端子とからなる平衡型の入出力端子を有し、
    前記給電回路は、前記第１入出力端子に接続された第１端子と、前記第２入出力端子に接続された第２端子と、アンテナ素子の第１接続部に接続された第３端子と、前記アンテナ素子の第２接続部に接続された第４端子と、をそれぞれ有し、
    さらに、前記給電回路は、前記第１端子と前記第２端子との間に接続された第１インダクタンス素子と、前記第３端子と前記第４端子との間に接続された第２インダクタンス素子と、を有し、
    前記給電回路の前記第３端子と前記第４端子における入出力インピーダンスのリアクタンス成分がほぼ０Ωであること、
    を特徴とするＲＦＩＤタグ。
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