KR101085690B1

KR101085690B1 - 탄화규소 단결정의 성장법

Info

Publication number: KR101085690B1
Application number: KR1020097023496A
Authority: KR
Inventors: 유끼오 데라시마; 야스유끼 후지와라
Original assignee: 도요타지도샤가부시키가이샤
Priority date: 2007-11-27
Filing date: 2008-11-18
Publication date: 2011-11-22
Also published as: CN101796227B; JP2009126770A; JP4277926B1; US20100236472A1; DE112008003497T5; WO2009069564A1; US8685163B2; CN101796227A; KR20090129514A; DE112008003497B4

Abstract

본 발명은, 흑연 도가니 내에서 가열된 Si를 융해한 융액에 탄화규소 결정을 접촉시켜 단결정 기판 상에 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 상기 융액 내에, Cr 및 X(X는 Ni 및 Co 중 적어도 1종임)의 원소를 전체 조성 중의 각각의 원소의 비율로서 Cr이 30 내지 70at.％, X가 1 내지 25at.％가 되는 범위로 하여 첨가한 Si-Cr-X-C 융액으로부터 탄화규소 단결정을 석출 및 성장시키는 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정의 성장법이다. 용액법에 의한 결정 성장층 표면의 모폴로지의 향상을 실현할 수 있다.

단열재, 흑연 도가니, 탄화수소 단결정, 열전대, 고주파 코일

Description

탄화규소 단결정의 성장법 {PROCESS FOR GROWING SINGLE-CRYSTAL SILICON CARBIDE}

본 발명은 용액법에 의한 새로운 탄화규소 단결정의 성장법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 새로운 융액(용액이라고 하는 경우도 있음)을 이용한, 용액법에 의한 것이며, 결정 성장 표면의 모폴로지의 향상을 실현하고 또한 성장 속도가 비교적 큰 탄화규소 단결정의 성장법에 관한 것이다.

탄화규소(SiC) 단결정은, 열적, 화학적으로 매우 안정적이며, 기계적 강도도 우수하고, 방사선에도 강하고, 게다가 Si에 비해 높은 절연 파괴 전압, 높은 열전도율 등의 우수한 물성을 갖고, 불순물의 첨가에 의해 p, n 전도형의 전자 제어도 용이하게 할 수 있는 동시에, 넓은 금제대폭(禁制帶幅)(6H형의 단결정 SiC에서 약 3.0eV, 4H형의 단결정 SiC에서 약 3.3eV)을 갖는다고 하는 특징을 구비하고 있다. 따라서, 규소(Si)나 갈륨비소(GaAs) 등의 기존의 반도체 재료에서는 실현할 수 없는 고온, 고주파, 내전압·내환경성을 실현하는 것이 가능하여, 차세대의 반도체 재료로서 기대가 높아지고 있다.

종래, 탄화규소 단결정의 성장법으로서는, 대표적으로는 기상법, 애치슨(Acheson)법 및 용액법이 알려져 있다.

기상법의 대표예인 승화법 및 화학 기상 성장법(CVD) 중 승화법은 결정에 여러 결함이 발생하고 또한 다결정화되기 쉽고, CVD법은 원료 공급이 가스에 한정되므로 생성되는 결정이 박막이며 벌크 단결정의 제조는 곤란하다.

또한, 애치슨법에서는 원료로서 규석과 코크스를 사용하여 전기로 중에서 가열하므로, 원료 중의 불순물 등에 의해 고순도화가 불가능하다.

그리고 용액법은, 흑연 도가니 중에서 규소 함유 합금을 융해하고, 그 융액 중에 흑연 도가니로부터 탄소를 용해시켜, 저온부에 설치한 씨결정 기판 상에 탄화규소 결정층을 용액 석출에 의해 성장시키는 방법이다. 그리고 용액법은 성장 속도는 낮지만 벌크 단결정을 얻는 방법으로서는 적합한 것이 알려져 있다.

이로 인해, 최근에는 기상법이나 애치슨법에 있어서의 상기한 문제점을 갖지 않는 용액법에 의한 탄화규소 단결정의 성장 방법의 성장 속도를 높이는 검토가 다양해지고 있다.

그리고 일본공개특허 제2000-264790호 공보에는, 천이 금속 중 적어도 1종의 원소와, Si와, C를 포함하는 원료를 용융하여 융액으로 하고, 융액에 단결정의 탄화규소 씨결정을 접촉시키는 동시에, 융액의 온도를 융액의 액상선보다도 낮은 온도의 융액의 상태로 냉각하여, 탄화규소 단결정을 석출 성장시키는 탄화규소 단결정의 제조 방법이 기재되어 있다. 그리고 구체적으로 예시되어 있는 천이 금속은 Fe, Co, Ni(이상 VIII족), Ti, Zr, Hf(이상 IVb족), V, Nb, Ta(이상 Vb족), Cr, Mo 및 W(이상 VIb족)이지만, 구체적으로 개시되어 있는 조성은 천이 금속이 Mo, Cr, Co인 경우뿐이다. 그러나 석출되는 단결정의 품질에 관하여, 측정법이나 확인 수 단에 대해 개시되어 있지 않고, 결정 성장 표면의 매크로 결함에 대해 인식되어 있지 않다.

일본공개특허 제2004-2173호 공보에는, Si와 C와 M(M : Mn 또는 Ti 중 한쪽)을 포함하고 Si와 M의 원자비가, Si_1-XM_X로 나타내고, M이 Mn인 경우는 0.1≤X≤0.7, M이 Ti인 경우는 0.1≤X≤0.25인 합금의 미용해의 C를 함유하지 않는 융액 중에, 탄화규소의 씨결정 기판을 침지하고, 씨결정 기판 주변의 합금 융액의 과냉각에 의해 탄화규소를 과포화 상태로 함으로써 씨결정 기판 상에 탄화규소 씨결정을 성장시키는 탄화규소 단결정의 제조 방법이 기재되어 있다. 또한, 일본공개특허 제2000-264790호 공보에 기재되어 있는 탄화규소 단결정의 제조 방법에 대해, 원료로서 함유한 탄소에 의해 탄화규소가 다결정화되기 쉬운 것이 기재되어 있다.

일본공개특허 제2006-143555호 공보에는, Si와 C와 M(M : Fe 또는 Co 중 한쪽)을 포함하고 M의 몰 농도를 [M], Si의 몰 농도를 [Si]로 하고, [M]/([M]＋[Si])의 값이, M이 Fe인 경우는 0.2 이상 0.7 이하, M이 Co인 경우는 0.05 이상 0.25 이하인 합금의 융액 중에, 탄화규소의 씨결정 기판을 침지하고, 씨결정 기판 주변에 있어서의 합금 융액을 탄화규소의 과포화 상태로 함으로써 씨결정 기판 상에 탄화규소 씨결정을 성장시키는 탄화규소 단결정의 제조 방법이 기재되어 있다. 그러나 결정 성장 표면의 매크로 결함에 대해 인식되어 있지 않다.

일본공개특허 제2007-7986호 공보에는, Si와 Ti와 M(M : Co 및/또는 Mn)과 C를 포함하고, Si와 Ti와 M의 원자비가, Si_xTi_yM_z로 나타내고, 0.17≤y/x≤0.33 또한 0.90≤(y＋z)/x≤1.80을 만족하는 융액, 혹은 Si와 Ti와 M(M : Al)과 C를 포함하고, Si와 Ti와 M의 원자비가, Si_xTi_yM_z로 나타내고, 0.17≤y/x≤0.33 또한 0.33≤(y＋Z)/x≤0.60을 만족하는 융액에, 탄화규소 성장용의 단결정 기판을 접촉시키고, 단결정 기판 주변에 있어서의 융액의 과냉각에 의해 융액에 용해되어 있는 탄화규소를 과포화 상태로 함으로써, 단결정 기판 상에 탄화규소 단결정을 성장시키는 탄화규소 단결정의 제조 방법이 기재되어 있다. 그러나 결정 성장 표면의 매크로 결함에 대해 인식되어 있지 않다.

이상과 같이, 공지 문헌에 기재된 용액법에 의한 탄화규소 벌크 단결정의 성장법에는, 성장 결정 표면의 매크로 결함에 대해 인식되어 있지 않아, 결정 성장층 표면의 모폴로지의 향상을 실현하는 것은 곤란했다.

본 발명자들은, 이 용액법에 의한 탄화규소 단결정의 성장법에 대해 검토한 결과, Si-Cr-C 융액에서 일정량 이상의 Cr을 첨가함으로써 비교적 큰 성장 속도가 얻어지지만, Si-Cr-C 융액에서는 얻어지는 탄화규소 단결정 성장층의 표면이 불안정하여, 미소한 성장 조건의 변동이 성장층의 표면에 악영향을 미치는, 즉 성장 결정 표면의 모폴로지(형태)가 충분하지 않고, 나아가서는 얻어지는 성장 결정의 품질에 영향을 미치는 경우가 있는 것을 발견하였다.

본 발명의 목적은, 용액법에 의한 결정 성장층 표면의 모폴로지의 향상을 실현하는 탄화규소 단결정의 성장 방법을 제공하는 것이다.

본 발명은, 흑연 도가니 내에서 가열된 Si를 융해한 융액에 탄화규소 단결정을 접촉시켜 단결정 기판 상에 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 상기 융액 내에, Cr 및 X(X는 Ni 및 Co 중 적어도 1종임)의 원소를 전체 조성 중의 각각의 원소의 비율로서 Cr이 30 내지 70at.％, X가 1 내지 25at.％가 되는 범위로 하여 첨가한 Si-Cr-X-C 융액으로부터 상기 탄화규소 단결정을 석출 및 성장시키는 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정의 성장법에 관한 것이다.

본 발명에 따르면, 결정 성장층 표면의 모폴로지의 향상을 실현하고 또한 공지 문헌에 기재된 용액법에 비해 성장 속도가 동등 이상으로 탄화규소 단결정을 성장시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 방법을 실시하기 위한 제조 장치의 일 실시 형태를 도시하는 도면이다.

도 2는 각 예에 있어서 탄화규소 단결정의 성장 실험을 행한 장치를 도시하는 도면이다.

도 3A는 제1 비교예에서 얻어진, Si : Cr의 조성비(at.％)가 50 : 50인 경우의 탄화규소 결정의 결정 성장층 표면의 모폴로지의 사진이다.

도 3B는 제1 비교예에서 얻어진, Si : Cr의 조성비(at.％)가 60 : 40인 경우의 탄화규소 결정의 결정 성장층 표면의 모폴로지의 사진이다.

도 4는 제1 실시예에서 얻어진 탄화규소 결정의 결정 성장층 표면의 모폴로지의 사진이다.

본 발명에 대해, 본 발명의 방법을 실시하기 위한 제조 장치의 일 실시 형태를 도시하는 도 1을 참조하여 설명한다.

도 1에 있어서, 탄화규소 단결정 성장은, 단열재(6)에 의해 포위된 흑연 도가니(5)를 반응 용기로서 사용하여 실시한다. 탄화규소 단결정 성장은, 가열 장치로서 고주파 코일(1)에 의해 가열된 융액(2)에 탄화규소 씨결정 지지 부재의 일례인 흑연 막대(3)(흑연축이라고도 함)의 선단부에 탄화규소 단결정으로 이루어지는 단결정 기판(4)을 접착·고정하고, 이것을 융액(2) 중에 침지시켜 단결정 기판(4)을 성장시킴으로써 달성할 수 있다.

본 발명에 있어서는, 용액법에 의한 탄화규소 단결정의 성장법에 있어서, Si 및 C와 함께 Cr 및 X(X는 Ni 및 Co 중 적어도 1종임)의 원소를 전체 조성 중의 각각의 비율로서 Cr이 30 내지 70at.％, X가 1 내지 25at.％(1at.％ 이상, 25at.％ 미만), 적합하게는 3 내지 7at.％가 되는 범위로 하여 첨가한 Si-Cr-X-C 융액으로부터 탄화규소 결정을 석출 성장시키는 것이 필요하다.

Cr과 X를 병용하지 않고, 예를 들어 일본공개특허 제2000-264790호 공보에 구체예로서 개시되어 있는 바와 같은 Mo-Si-C 3원소, Cr-Si-C 3원소, Co-Si-C 3원소에서는, 성장 속도의 개선은 기대할 수 있지만, 석출되는 결정의 품질은 불충분하다.

또한, Si-Cr-X-C 융액에 있어서, Cr이 30at.％ 미만에서는 탄화규소 단결정의 성장 속도가 현저하게 작아지고, 70at.％보다 많으면 탄화규소 단결정의 주위에 다결정을 수반하게 되어 단결정만의 성장을 안정적으로 행하는 것이 어려워지므로 적당하지 않다. 또한, Si-Cr-X-C 융액에 있어서, X가 1at.％ 미만에서는 탄화규소 단결정의 표면의 모폴로지가 향상되지 않고, 25at.％보다 많아지면 얻어지는 탄화규소 결정의 일부 또는 전부가 다결정화되어 버려, 단결정으로서 안정 성장이 곤란해져, 오히려 바람직하지 않다.

본 발명에 있어서, 상기 조성의 Si-Cr-X-C 융액을 사용함으로써 탄화규소 단결정의 성장 속도가 증대하고 또한 결정 표면의 모폴로지가 향상되는 이유로서는, Cr에 의해 융액이 접하는 흑연(도 1에 있어서는 도가니)으로부터 C(탄소)의 용해능을 향상시키고, 이 C가 결과적으로 탄화규소 결정의 원료가 되어, X가 고액 계면의 에너지 또는 융액(용액)의 표면 에너지를 저하시키기 때문이라고 생각된다.

본 발명의 방법에 있어서의 상기 조성의 Si-Cr-X-C 융액을 조제하여 탄화규소 단결정을 얻는 방법으로서는 특별히 제한은 없으며, 예를 들어 우선 Si, Cr 및 X를 원료로 하여 반응 용기인 흑연 도가니에 가하고, 원료를 융해시키고, 생성된 합금의 고상선 온도보다 고온으로 가열하여 융액을 형성한다. 또한, 상기한 Si-Cr-X-C 융액에 있어서의 C의 적어도 일부는 흑연 도가니로부터 융액 중에 용해시킨 것이며, 특히 C의 전부를 흑연 도가니로부터의 용해에 의해 공급하는 것이 바람직하다. 또한, C의 일부를 탄화물이나 탄소를 원료로 하여 함유해도 좋다. 또한, C의 일부를 메탄 등의 탄소 함유 가스를 융액 중에 취입함으로써 공급하는 방법도 들 수 있다.

융액의 가열을 계속하여, 도가니, Si와 Cr와 X로 이루어지는 원료 및 C가 충 분히 용해되고, 생성된 융액 중의 탄소 농도가 융액을 용매로 하는 탄화규소 포화 농도에 가까워져 일정해지면, 탄화규소 성장용의 씨결정 기판을 융액에 접촉시켜, 예를 들어 융액에 5 내지 50℃/㎝ 정도의 온도 구배를 형성하는 온도 구배법 또는 가열 장치를 조작하여 융액을 냉각하는 냉각법에 의해 씨결정 기판 주변의 융액을 2100℃ 이하, 특히 1600 내지 1800℃ 정도의 온도로 과냉각시켜 융액에 용해되어 있는 탄화규소를 과포화 상태로 함으로써, 단결정 기판 상에 탄화규소 단결정을 성장시킨다.

단결정 기판으로서는, 목적으로 하는 탄화규소와 동일한 결정형인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 승화법에 의해 제조된 탄화규소의 단결정을 사용할 수 있다.

본 발명의 방법에 있어서는, 용액법에 있어서의 그 자체 공지의 제조법, 예를 들어 흑연 도가니의 형상, 가열 방법, 가열 시간, 분위기, 승온 속도 및 냉각 속도를 적용할 수 있다.

예를 들어, 가열 방법으로서는 고주파 유도 가열을 들 수 있고, 가열 시간(원료의 함유로부터 SiC 포화 농도에 도달할 때까지의 대강의 시간)으로서는 도가니의 크기에도 의존하지만, 수 시간 내지 10시간 정도(예를 들어, 3 내지 7시간 정도)로, 분위기로서는 희가스, 예를 들어 He, Ne, Ar 등의 불활성 가스나 그들의 일부를 N₂나 메탄 가스로 치환한 것을 들 수 있다.

본 발명의 방법에 의해, 종래 공지의 3성분계(예를 들어, Si-Cr-C 융액계) 혹은 4성분계(예를 들어, Si-Ti-Al-C 융액계, Si-Ti-Mn-C 융액계, Si-Ti-Co-C 융액계)의 용액법에 의한 탄화규소 단결정의 성장법에 비해 동등 이상의 성장 속도로 다결정을 실질적으로 포함하지 않는 탄화규소 단결정, 적합하게는 n-형 탄화규소 단결정을 제조할 수 있다.

게다가, 본 발명의 방법에 의해, 결정 성장층 표면의 모폴로지의 향상을 실현한 탄화규소 단결정을 제조할 수 있다.

본 발명의 방법은, 벌크 단결정의 성장 방법은 물론, 탄화규소 기판 표면으로의 액상 애피택셜 성장층 형성 기술에 있어서도 적용 가능하다.

이하, 본 발명의 실시예를 나타낸다.

이하의 각 예에 있어서, 탄화규소 단결정의 성장 실험을 도 2에 도시하는 흑연 도가니를 반응 용기로 하는 장치를 이용하여 행하였다. 또한, 흑연 막대(3)는 W-Re 열전대(7)를 내장하고, 또한 흑연 도가니(5)에는 방사 온도계(8)를 설치하였다.

흑연 도가니(5)에 Si 다음으로 Cr 및 X를 동시에 가하고, 2 내지 3시간 정도 가열을 계속하여 설정 온도(1800 내지 2100℃)로 유지한 후, 흑연 도가니(5)로부터 C가 용해되어 탄화규소 포화 농도에 도달한 융액(2)에 흑연 막대(3)의 선단부에 장착한 탄화규소 단결정 기판(4)을 침지시켰다. 설정 온도로 유지한 후, 가열 장치인 고주파 코일(1)을 조작하여 융액 온도를 0.8 내지 3.0℃/㎜의 온도 구배를 단결정 기판(4) 및 성장 중인 결정(도시하지 않음)의 전방면에 설치하여 단결정 기판(4) 상에 탄화규소 단결정을 성장시켰다. 성장 시간 경과 후, 융액(2)으로부터 성장 결정을 완전히 끌어올리고 흑연 도가니(5)를 실온까지 서냉하여, 성장한 탄화규소 단결정을 얻었다.

각 실시예에서 얻어진 탄화규소 결정에 대해, 결정 성장층 표면의 모폴로지는 육안 및 현미경에 의해 관찰하였다. 또한, 각 실시예에서 얻어진 탄화규소 결정에 대해 단결정인지 다결정인지는 X선(XRD)에 의해 확인하였다.

제1 비교예

Si 및 Cr의 조성 비율이 각각 45at.％ 및 45at.인 원료를 흑연 도가니 내에 첨가하여, 가열 용해하였다. 일정한 온도로 유지하고, 단결정 기판을 용액 내에 침지시켜 결정 성장을 행하였다. 얻어진 탄화규소 결정은 단결정인 것이 확인되었다.

용액 등의 온도 측정은, 도 2에 도시한 바와 같이 방사 온도계 및 열전대를 이용하여, 방사 온도계는 용액면을 직접 관찰 가능한 용액면 상방의 관찰창에 설치하고, 용액에 접촉시키기 전후의 온도를 측정하는 것이 가능했다. 또한, 단결정 기판이 접착된 흑연 막대의 내측(단결정 기판으로부터 2㎜의 위치)에 열전대를 설치하고, 용액 접촉 직후로부터의 온도를 측정하였다.

탄화규소 단결정의 성장 속도는, 210㎛/h였다.

또한, 결정 성장층 표면의 모폴로지를 도 3A 및 도 3B에 나타낸다. 도 3A는 Si : Cr 조성비 50 : 50at.％를 나타내고, 도 3B는 Si : Cr 조성비 60 : 40at.％를 나타낸다. 도 3A 및 도 3B로부터, Si-Cr-C 융액에 따르면, 탄화규소 단결정의 성장 표면의 모폴로지(상태)는 수많은 스텝이 그 표면에 드러나 있어 모폴로지 불량 인 것을 알 수 있다.

제1 실시예

Si, Cr 및 Ni의 조성 비율이 각각 50at.％, 45at％ 및 5at.％인 원료를 흑연 도가니(5) 내에 첨가하여, 가열 용해하였다. 일정한 온도로 유지하고, 단결정 기판을 용액 내에 침지시켜 결정 성장을 행하였다. 얻어진 탄화규소 결정은 단결정인 것이 확인되었다.

용액 등의 온도 측정, 모폴로지 관찰, 탄화규소 단결정의 성장 속도 측정을 제1 비교예와 마찬가지로 하여 행하였다.

SiC 단결정의 성장 속도는, 240㎛/h였다.

또한, 결정 성장층 표면의 모폴로지를 도 4에 나타낸다. 도 4로부터, Si-Cr-Ni-C 융액에 따르면, 탄화규소 단결정의 성장 표면의 모폴로지가 현저하게 개선되어 있는 것이 확인되었다.

제2 비교예

Al의 비율을 0 내지 10at.％의 범위 내에서 바꾸어 Si, Ti 및 Al의 원료를 흑연 도가니(5) 내에 넣어, 가열 용해하고, 일정한 온도(약 1810℃)로 유지하고, 씨결정을 용액 내에 침지시킨 것 외에는 제1 실시예와 동일하게 하여, 결정 성장을 행하였다.

Si-Ti-Al-C 융액계에서는, 전체 조성 중의 Al의 비율을 바꾸어도 성장 속도는 최고라도 140㎛/h 이하였다.

제2 실시예

Si, Cr 및 Co의 조성 비율이 각각 50at.％, 45at％ 및 5at.％인 원료를 흑연 도가니(5) 내에 첨가하여, 가열 용해하였다. 일정한 온도로 유지하고, 단결정 기판을 용액 내에 침지시켜 결정 성장을 행하였다. 얻어진 탄화규소 결정은 단결정인 것이 확인되었다.

용액 등의 온도 측정, 모폴로지 관찰, 탄화규소 단결정의 성장 속도 측정을 제1 비교예와 동일하게 하여 행하였다.

탄화규소 단결정의 성장 속도가 225㎛/h였다.

또한, 결정 성장층 표면의 모폴로지는 도 4와 동일했다. 이 결과로부터, Si-Cr-Co-C 융액에 따르면, 탄화규소 단결정의 성장 표면의 모폴로지가 현저하게 개선되어 있는 것이 확인되었다.

제3 비교예

Ni를 가하지 않고 Cr의 비율을 3 내지 95at.％의 범위 내에서 바꾸어 Si 및 Cr의 원료를 흑연 도가니(5) 내에 넣어, 가열 용해하고, 일정한 온도(약 1980℃)로 유지하고, 씨결정을 용액 내에 침지시킨 것 외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 결정 성장을 행하였다.

얻어진 탄화규소 결정의 결정 성장층 표면의 모폴로지는 제1 비교예와 마찬가지로 불량이고, 또한 Si와 Cr 합계량 중의 Cr의 비율이 70at.％보다 많으면, 얻어진 탄화규소 결정의 일부 혹은 전체가 다결정화되어 있었다.

본 발명의 탄화규소 단결정의 성장법은, 고온, 고주파, 내전압·내환경성을 실현할 가능성이 있고, 차세대의 반도체 재료로서의 가능성이 있는 탄화규소의 단결정을 얻는 것을 가능하게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 탄화규소 단결정의 성장법은, 탄화규소 성장 결정 표면의 모폴로지의 향상을 가능하게 할 수 있다.

또한, 본 발명의 탄화규소 단결정의 성장법은, 종래 공지의 용액법에 비해 동등 이상의 결정 성장 속도로 탄화규소 단결정을 성장시키는 것을 가능하게 할 수 있다.

Claims

흑연 도가니 내에서 가열된 Si를 융해한 융액에 탄화규소 단결정을 접촉시켜 단결정 기판 상에 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법에 있어서, 상기 융액 내에, Cr 및 X(X는 Ni 및 Co 중 적어도 1종임)의 원소를 전체 조성 중의 각각의 원소의 비율로서 Cr이 30 내지 70at.％, X가 1 내지 25at.％가 되는 범위로 하여 첨가한 Si-Cr-X-C 융액으로부터 상기 탄화규소 단결정을 석출 및 성장시키는 것을 특징으로 하는 탄화규소 단결정의 성장법.
제1항에 있어서, X의 비율이 3 내지 7at.％가 되는 범위로 하여 첨가되는, 탄화규소 단결정의 성장법.
제1항에 있어서, Si, Cr 및 X를 원료로 하여 흑연 도가니에 가하고, 원료를 융해시키고, 생성된 합금의 고상선 온도보다 고온으로 가열하여 상기 융액을 조제하는, 탄화규소 단결정의 성장법.
제1항에 있어서, 상기 융액에 있어서의 C의 적어도 일부는 상기 흑연 도가니로부터 융액 중에 융해시킨 것인, 탄화규소 단결정의 성장법.
제1항에 있어서, C의 전부를 흑연 도가니로부터 공급하는, 탄화규소 단결정 의 성장법.
제1항에 있어서, 상기 단결정 기판은, 목적으로 하는 탄화규소와 동일한 결정형을 갖고 있는, 탄화규소 단결정의 성장법.
제1항에 있어서, 벌크 단결정의 성장에 이용되는, 탄화규소 단결정의 성장법.