JP5296077B2 - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5296077B2 JP5296077B2 JP2010521257A JP2010521257A JP5296077B2 JP 5296077 B2 JP5296077 B2 JP 5296077B2 JP 2010521257 A JP2010521257 A JP 2010521257A JP 2010521257 A JP2010521257 A JP 2010521257A JP 5296077 B2 JP5296077 B2 JP 5296077B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- cell
- incident
- photosensitive
- photosensitive cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 101
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 148
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 17
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/702—SSIS architectures characterised by non-identical, non-equidistant or non-planar pixel layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N7/00—Television systems
- H04N7/16—Analogue secrecy systems; Analogue subscription systems
- H04N7/173—Analogue secrecy systems; Analogue subscription systems with two-way working, e.g. subscriber sending a programme selection signal
- H04N7/17309—Transmission or handling of upstream communications
- H04N7/17318—Direct or substantially direct transmission and handling of requests
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
(式1) L2a=αCi+Cj+Ck
(式2) L2b=βCi+Cj+Ck
同様に、図3(a)〜(c)に示す例では、光感知セル2a、2bがそれぞれ受ける光の量L2a´、L2b´は、それぞれ以下の式3、4で表される。
(式3) L2a´=αCi´+Cj´+Ck´
(式4) L2b´=βCi´+Cj´+Ck´
式2から式1を減じることにより、以下の式5が得られる。
(式5) L2b−L2a=(β−α)Ci
同様に、式4から式3を減じることにより、以下の式6が得られる。
(式6) L2b´−L2a´=(β−α)Ci´
図4は、本発明の第1の実施形態における撮像装置の全体構成を示すブロック図である。図示される撮像装置は、撮像部100と、撮像部100からの信号を受信し映像信号を生成する信号処理部200とを備えている。以下、撮像部100および信号処理部200を説明する。
(式7) S2a=Ws−ΔCis
(式8) S2b=Ws+ΔCis
式8から式7を減じると、以下の式9が得られる。
(式9) S2b−S2a=2ΔCis
式9に示すように、光感知セル2a、2bの差信号から、光感知セル2a、2bが受けるI光の量の差2ΔCiに対応する信号が得られる。
次に本発明の第2の実施形態について、図9A、9Bを参照しながら説明する。本実施形態の撮像装置は、実施形態1の撮像装置と比較して、撮像素子のみが異なり、その他の構成要素は同一である。そのため、実施形態1の撮像装置と異なる点のみを以下、説明する。以下の説明において、実施形態1の撮像装置と重複する構成要素には同一の参照符号を付している。
(式10) S2a=Ws−ΔCis−ΔCjs_bb+ΔCjs_ca
(式11) S2b=Ws−ΔCjs_ca+ΔCisΔCjs_bb
本実施形態において、ΔCjs_bb=ΔCjs_caが成立するため、式10および式11は、それぞれ以下の式12および13に書き換えられる。
(式12) S2a=Ws−ΔCis
(式13) S2b=Ws+ΔCis
式12および式13は、それぞれ実施形態1における式7および式8と同一である。式13から式12を減じることにより、以下の式14が得られる。
(式14) S2b−S2a=2ΔCis
式14に示すように、光感知セル2a、2bの差信号から、光感知セル2a、2bが受けるI光の量の差2ΔCiに対応する信号が得られる。
次に本発明の第3の実施形態について、図11を参照しながら説明する。本実施形態の撮像装置は、実施形態1の撮像装置と比較して、撮像素子のみが異なり、その他の構成要素は同一である。そのため、実施形態1の撮像装置と異なる点のみを以下、説明する。以下の説明において、実施形態1の撮像装置と重複する構成要素には同一の参照符号を付している。
(式15) S2a=Ws−ΔCis−ΔCjs
(式16) S2b=Ws+2ΔCis−ΔCjs
(式17) S2c=Ws−ΔCis+2ΔCjs
式16から式15を減じることにより、以下の式18が得られる。
(式18) S2b−S2a=3ΔCis
また、式17から式15を減じることにより、以下の式19が得られる。
(式19) S2c−S2a=3ΔCjs
式18に示すように、光感知セル2a、2bの差信号から、光感知セル2a、2bが受けるI光の量の差3ΔCiに対応する信号3ΔCisが得られる。また、式19に示すように、光感知セル2a、2cの差信号から、光感知セル2a、2cが受けるJ光の量の差3ΔCjに対応する信号3ΔCjsが得られる。
2a、2b、2c、2d 撮像素子の光感知セル
4 分光要素アレイ
11 マイクロレンズ
12 インナーレンズ
13 赤(R)以外を反射するダイクロイックミラー
14 緑(G)のみを反射するダイクロイックミラー
15 青(B)のみを反射するダイクロイックミラー
16 従来のマイクロプリズム
23、24、25 従来技術における撮像素子の光感知部
31 透光性の樹脂
32 G光透過のダイクロイックミラー
33 R光透過のダイクロイックミラー
34 G光透過の有機色素フィルタ
35 R光透過の有機色素フィルタ
36 マイクロレンズ
37 金属層
100 撮像部
101 光学レンズ
102 光学板
103 撮像素子
103a 撮像面
104 信号発生及び画素信号受信部
200 信号処理部
201 メモリ
202 色信号生成部
203 ビデオインターフェース部
Claims (11)
- 2次元状に配列された複数の画素と、
各画素に入射する光のうち、少なくとも1つの色成分の光を分光する分光要素アレイであって、前記複数の画素に含まれる2つの画素の差信号が各画素に入射する光に含まれる前記色成分の光の量に比例するように前記色成分の光を分光する分光要素アレイと、
各画素に入射する光に含まれる前記色成分の光の量に対する前記差信号の割合と前記差信号に基づいて前記色成分の光の量に応じた色信号を生成する信号処理部と、
を備える撮像装置。 - 固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の撮像面に像を形成する光学系と、
前記固体撮像素子から出力される電気信号を処理する信号処理部と、
を備える撮像装置であって、
前記固体撮像素子は、
複数の光感知セルを含む光感知セルアレイと
複数の分光要素を含む分光要素アレイと、
を有し、
前記光感知セルアレイおよび前記分光要素アレイは、複数の単位要素から構成され、
前記複数の単位要素の各々は、
第1の光感知セルと、
第2の光感知セルと、
前記第1の光感知セルに対向して配置された分光要素と、
を有し、
前記分光要素アレイが存在しないと仮定した場合に前記複数の光感知セルの各々に入射する光を各光感知セルのセル入射光とするとき、
前記分光要素アレイは、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる第1の色成分に相当する第1波長域の光の量に対して第1の割合に相当する量の前記第1波長域の光線を前記第1の光感知セルに入射させ、第2の割合に相当する量の前記第1波長域の光線を前記第2の光感知セルに入射させるように構成され、
前記第1の光感知セルは、受けた光の量に応じた第1の光電変換信号を出力し、
前記第2の光感知セルは、受けた光の量に応じた第2の光電変換信号を出力し、
前記信号処理部は、前記第1の割合および前記第2の割合に基づいて、前記第1の光電変換信号と前記第2の光電変換信号との差分演算を含む処理により、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第1波長域の光の量に対応する色信号を出力する撮像装置。 - 前記信号処理部は、メモリを有し、
前記メモリに、前記第1の割合および前記第2の割合を示す情報が格納されている、請求項2に記載の撮像装置。 - 前記分光要素は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第1波長域の光線の一部を前記第2の光感知セルに入射させ、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第1波長域の光線の他の少なくとも一部を前記第1の光感知セルに入射させる、請求項2または3に記載の撮像装置。
- 前記分光要素は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第1波長域の光線のうち、前記第2の光感知セルに入射させる光線を除く前記第1波長域の光線を前記第1の光感知セルに入射させる、請求項4に記載の撮像装置。
- 前記分光要素は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる光線のうち、前記第2の光感知セルに入射させる光線を除く光線を前記第1の光感知セルに入射させる、請求項5に記載の撮像装置。
- 前記分光要素を第1の分光要素とするとき、
前記複数の単位要素の各々は、
第3の光感知セルと、
第4の光感知セルと、
前記第3の光感知セルに対向して配置された第2の分光要素と、
を有し、
前記分光要素アレイは、前記第3の光感知セルのセル入射光に含まれる第2の色成分に相当する第2波長域の光の量に対して第3の割合に相当する量の前記第2波長域の光線を前記第3の光感知セルに入射させ、第4の割合に相当する量の前記第2波長域の光線が前記第4の光感知セルに入射させるように構成され、
前記第3の光感知セルは、受けた光の量に応じた第3の光電変換信号を出力し、
前記第4の光感知セルは、受けた光の量に応じた第4の光電変換信号を出力し、
前記信号処理部は、前記第3の割合および前記第4の割合に基づいて、前記第3の光電変換信号と前記第4の光電変換信号との差分演算を含む処理により、前記第3の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2波長域の光の量に対応する色信号を出力する請求項2から6のいずれかに記載の撮像装置。 - 前記分光要素を第1の分光要素とするとき、
前記複数の単位要素の各々は、前記第2の光感知セルに対向して配置された第2の分光要素を有し、
前記第1の分光要素は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる第2の色成分に相当する第2波長域の光線の一部を前記第2の光感知セルに入射させ、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2波長域の光線の残りと、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる第3の色成分に相当する第3波長域の光線とを前記第1の光感知セルに入射させ、
前記第2の分光要素は、前記第2の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2波長域の光線の一部を前記第1の光感知セルに入射させ、前記第2の光感知セルのセル入射光に含まれる残りの光線を前記第2の光感知セルに入射させ、
前記第1の分光要素が前記第2の光感知セルに入射させる前記第2波長域の光の量は前記第2の分光要素が前記第1の光感知セルに入射させる前記第2波長域の光の量に等しい、請求項5に記載の撮像装置。 - 前記分光要素を第1の分光要素とするとき、
前記複数の単位要素の各々は、前記第2の光感知セルに対向して配置された第2の分光要素を有し、
前記第1の分光要素は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる第2の色成分に相当する第2波長域の光線の一部を、隣接する第1の隣接単位要素に含まれる第3の光感知セルに入射させ、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2波長域の光線の残りと、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる第3の色成分に相当する第3波長域の光線とを前記第1の光感知セルに入射させ、
前記第2の分光要素は、前記第2の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2波長域の光線の一部を前記第1の光感知セルおよび隣接する第2の隣接単位要素に含まれる第4の光感知セルにそれぞれ等量ずつ入射させ、前記第2の光感知セルのセル入射光に含まれる残りの光線を前記第2の光感知セルに入射させ、
前記第1の分光要素が前記第3の光感知セルに入射させる前記第2波長域の光の量は、前記第2の分光要素が前記第1の光感知セルおよび前記第4の光感知セルに入射させる前記第2波長域の光の量の合計に等しい、請求項5に記載の撮像装置。 - 前記分光要素を第1の分光要素とするとき、
前記複数の単位要素の各々は、
第3の光感知セルと、
前記第2の光感知セルに対向して配置された第2の分光要素と、
前記第3の光感知セルに対向して配置された第3の分光要素と、
前記第1の光感知セルに対向して配置された第4の分光要素と、
を有し、
前記第1の分光要素は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる第3の色成分に相当する第3波長域の光線を前記第1の光感知セルに入射させ、
前記第4の分光要素は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる第2の色成分に相当する第2波長域の光線の一部を前記第3の光感知セルに入射させ、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる残りの前記第2波長域の光線と、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第3波長域の光線とを前記第1の光感知セルに入射させ、
前記第2の分光要素は、前記第2の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2波長域の光線の一部を前記第3の光感知セルに入射させ、前記第2の光感知セルのセル入射光に含まれる残りの光線を前記第2の光感知セルに入射させ、
前記第3の分光要素は、前記第3の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第1波長域の光線の一部を前記第2の光感知セルに入射させ、前記第3の光感知セルのセル入射光に含まれる残りの光線を前記第3の光感知セルに入射させ、
前記第1の分光要素が前記第2の光感知セルに入射させる前記第1波長域の光の量は、前記第3の分光要素が前記第2の光感知セルに入射させる前記第1波長域の光の量に等しく、
前記第1の分光要素が前記第3の光感知セルに入射させる前記第2波長域の光の量は、前記第2の分光要素が前記第3の光感知セルに入射させる前記第2波長域の光の量に等しく、
前記第3の光感知セルは、受けた光の量に応じた第3の光電変換信号を出力し、
前記信号処理部は、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2波長域の光の量に対する前記第3の光感知セルが受ける前記第2波長域の光の量の割合に基づいて、前記第1の光電変換信号と前記第3の光電変換信号との差分演算を含む処理によって、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる前記第2の色成分の光の量に対応する色信号を出力する請求項5に記載の撮像装置。 - 複数の光感知セルを含む光感知セルアレイと
複数の分光要素を含む分光要素アレイと、
を備える固体撮像素子であって、
前記光感知セルアレイおよび前記分光要素アレイは、複数の単位要素から構成され、
前記複数の単位要素の各々は、
第1の光感知セルと、
第2の光感知セルと、
前記第1の光感知セルに対向して配置された分光要素と、
を有し、
前記分光要素アレイが存在しないと仮定した場合に前記複数の光感知セルの各々に入射する光を各光感知セルのセル入射光とするとき、
前記分光要素アレイは、前記第1の光感知セルのセル入射光に含まれる可視光の一部の色成分である第1の色成分の光の量に対して第1の割合に相当する量の前記第1の色成分の光を前記第1の光感知セルに入射させ、第2の割合に相当する量の前記第1の色成分の光を前記第2の光感知セルに入射させるように構成され、
前記第1の光感知セルは、受けた光の量に応じた第1の光電変換信号を出力し、
前記第2の光感知セルは、受けた光の量に応じた第2の光電変換信号を出力する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010521257A JP5296077B2 (ja) | 2009-01-14 | 2010-01-05 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009005475 | 2009-01-14 | ||
JP2009005475 | 2009-01-14 | ||
PCT/JP2010/000026 WO2010082455A1 (ja) | 2009-01-14 | 2010-01-05 | 撮像装置 |
JP2010521257A JP5296077B2 (ja) | 2009-01-14 | 2010-01-05 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010082455A1 JPWO2010082455A1 (ja) | 2012-07-05 |
JP5296077B2 true JP5296077B2 (ja) | 2013-09-25 |
Family
ID=42339707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010521257A Active JP5296077B2 (ja) | 2009-01-14 | 2010-01-05 | 撮像装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8289422B2 (ja) |
JP (1) | JP5296077B2 (ja) |
KR (1) | KR20110115072A (ja) |
CN (1) | CN101971636B (ja) |
TW (1) | TWI500330B (ja) |
WO (1) | WO2010082455A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5237998B2 (ja) * | 2010-07-12 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 |
EP2439716B1 (en) | 2010-09-16 | 2013-11-13 | Ricoh Company, Ltd. | Object identification device, moving object controlling apparatus having object identification device and information presenting apparatus having object identification device |
JP2012093248A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Ricoh Co Ltd | 分光画像撮像装置 |
CN102959961B (zh) * | 2011-06-16 | 2016-01-20 | 松下电器(美国)知识产权公司 | 固体摄像元件、摄像装置及信号处理方法 |
US8860855B2 (en) * | 2011-10-31 | 2014-10-14 | Panasonic Intellectual Property Corporation Of America | Solid-state image sensor with dispersing element that disperses light according to color component, image capture device and signal processing method |
CN103477436B (zh) | 2011-12-19 | 2017-05-17 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
CN103404152B (zh) * | 2011-12-26 | 2016-11-23 | 松下电器(美国)知识产权公司 | 固体摄像元件、摄像装置、以及信号处理方法 |
WO2013164901A1 (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-07 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5885608B2 (ja) * | 2012-07-23 | 2016-03-15 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP6094832B2 (ja) * | 2012-09-03 | 2017-03-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
US9332235B2 (en) * | 2013-12-10 | 2016-05-03 | Visera Technologies Company Limited | Imaging capture apparatus having plurality of image sensors generating respective image signals based on emitted light areas |
KR102159166B1 (ko) | 2014-05-09 | 2020-09-23 | 삼성전자주식회사 | 색분리 소자 및 상기 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서 |
KR102276434B1 (ko) * | 2014-07-03 | 2021-07-09 | 삼성전자주식회사 | 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서 및 상기 이미지 센서를 포함하는 촬상 장치 |
KR102299714B1 (ko) | 2014-08-18 | 2021-09-08 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터 격리층을 구비하는 이미지 센서 및 상기 이미지 센서의 제조 방법 |
KR102323204B1 (ko) | 2014-08-22 | 2021-11-08 | 삼성전자주식회사 | 선명한 색 구현이 가능한 이미지 센서 및 그 제조방법 |
KR102340346B1 (ko) | 2014-08-26 | 2021-12-16 | 삼성전자주식회사 | 칼라 필터 어레이 및 그 제조 방법 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR102316447B1 (ko) | 2014-08-28 | 2021-10-22 | 삼성전자주식회사 | 광 이용 효율이 향상된 이미지 센서 |
KR102307458B1 (ko) | 2014-10-20 | 2021-09-30 | 삼성전자주식회사 | 색분리 소자 및 그 제조 방법 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR102409389B1 (ko) | 2015-10-06 | 2022-06-15 | 삼성전자주식회사 | 색분리 소자를 포함하는 이미지 센서 |
EP3812801B1 (en) | 2019-10-23 | 2024-06-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor including color separating lens array and electronic device including the image sensor |
CN112701132A (zh) | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 三星电子株式会社 | 图像传感器和包括该图像传感器的电子装置 |
US11682685B2 (en) | 2019-10-24 | 2023-06-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Color separation element and image sensor including the same |
US11652121B2 (en) | 2019-11-28 | 2023-05-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Color separation element and image sensor including the same |
CN113257846A (zh) | 2020-02-11 | 2021-08-13 | 三星电子株式会社 | 图像传感器和包括图像传感器的电子设备 |
CN114447009A (zh) | 2020-10-30 | 2022-05-06 | 三星电子株式会社 | 包括分色透镜阵列的图像传感器和包括该图像传感器的电子装置 |
CN114447006A (zh) | 2020-10-30 | 2022-05-06 | 三星电子株式会社 | 包括分色透镜阵列的图像传感器和包括图像传感器的电子设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005167356A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Canon Inc | 撮像素子 |
JP2007259232A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2007282054A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5990467A (ja) | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
US6882364B1 (en) | 1997-12-02 | 2005-04-19 | Fuji Photo Film Co., Ltd | Solid-state imaging apparatus and signal processing method for transforming image signals output from a honeycomb arrangement to high quality video signals |
US6300612B1 (en) | 1998-02-02 | 2001-10-09 | Uniax Corporation | Image sensors made from organic semiconductors |
JP2000151933A (ja) | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Nec Corp | 撮像素子及びその製造方法 |
TW469733B (en) * | 2000-01-07 | 2001-12-21 | Dynacolor Inc | Method of dynamically modulating image brightness and image catching device using the method |
JP4652634B2 (ja) | 2001-08-31 | 2011-03-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP3742775B2 (ja) | 2002-02-21 | 2006-02-08 | 富士フイルムマイクロデバイス株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2010058545A1 (ja) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | パナソニック株式会社 | 撮像装置 |
US8208052B2 (en) * | 2008-12-19 | 2012-06-26 | Panasonic Corporation | Image capture device |
JPWO2010100896A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2012-09-06 | パナソニック株式会社 | 撮像装置および両面照射型固体撮像素子 |
KR20120039501A (ko) * | 2009-07-24 | 2012-04-25 | 파나소닉 주식회사 | 촬상 장치 및 고체 촬상 소자 |
JP5237998B2 (ja) * | 2010-07-12 | 2013-07-17 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 |
-
2010
- 2010-01-05 WO PCT/JP2010/000026 patent/WO2010082455A1/ja active Application Filing
- 2010-01-05 JP JP2010521257A patent/JP5296077B2/ja active Active
- 2010-01-05 US US12/919,520 patent/US8289422B2/en active Active
- 2010-01-05 KR KR1020107018088A patent/KR20110115072A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-01-05 CN CN2010800012386A patent/CN101971636B/zh active Active
- 2010-01-12 TW TW099100652A patent/TWI500330B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005167356A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Canon Inc | 撮像素子 |
JP2007259232A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2007282054A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、カメラおよび信号処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101971636A (zh) | 2011-02-09 |
KR20110115072A (ko) | 2011-10-20 |
US20110007179A1 (en) | 2011-01-13 |
TW201031225A (en) | 2010-08-16 |
WO2010082455A1 (ja) | 2010-07-22 |
US8289422B2 (en) | 2012-10-16 |
TWI500330B (zh) | 2015-09-11 |
JPWO2010082455A1 (ja) | 2012-07-05 |
CN101971636B (zh) | 2013-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5296077B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5331107B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5325117B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP6410203B1 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
JP5503459B2 (ja) | 固体撮像素子および撮像装置 | |
JP5113249B2 (ja) | 撮像装置 | |
WO2011010455A1 (ja) | 撮像装置および固体撮像素子 | |
JP5237998B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 | |
JP5997149B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、および信号処理方法 | |
JP5894573B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 | |
WO2010100897A1 (ja) | 固体撮像素子および撮像装置 | |
JP5852006B2 (ja) | 固体撮像素子、撮像装置および信号処理方法 | |
WO2013164901A1 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130521 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5296077 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |