JP5271861B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5271861B2 JP5271861B2 JP2009233125A JP2009233125A JP5271861B2 JP 5271861 B2 JP5271861 B2 JP 5271861B2 JP 2009233125 A JP2009233125 A JP 2009233125A JP 2009233125 A JP2009233125 A JP 2009233125A JP 5271861 B2 JP5271861 B2 JP 5271861B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- semiconductor chip
- semiconductor device
- assembly jig
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 689
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 97
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 231
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 199
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 199
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 110
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 95
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 55
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 21
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 19
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 15
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 101100533625 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) drc-4 gene Proteins 0.000 description 7
- 101150033482 SLD2 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100533627 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) drc1 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/03—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02165—Reinforcing structures
- H01L2224/02166—Collar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/143—Digital devices
- H01L2924/1433—Application-specific integrated circuit [ASIC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
本実施の形態では、例えばDC−DCコンバータに用いる半導体装置に本発明を適用した場合の一例について説明する。
本発明の一実施の形態の半導体装置について、図面を参照して説明する。
図3および図4は、本実施の形態の半導体装置SM1の斜視図であり、図5は、半導体装置SM1の上面図(平面図)であり、図6は半導体装置SM1の下面図(底面図、裏面図、平面図)であり、図7〜図12は半導体装置SM1の断面図(側面断面図)であり、図13〜図16は、半導体装置SM1の平面透視図である。このうち、図3は、半導体装置SM1を斜め上方から見た場合の斜視図に対応し、図4は、半導体装置SM1を斜め下方から見た場合の斜視図に対応する。また、図13のA1−A1線の断面が図7にほぼ対応し、図13のA2−A2線の断面が図8にほぼ対応し、図13のB1−B1線の断面が図9にほぼ対応し、図13のB2−B2線の断面が図10にほぼ対応し、図13のB3−B3線の断面が図11にほぼ対応し、図13のB4−B4線の断面が図12にほぼ対応する。また、図13は、半導体装置SM1において、封止樹脂部MRを透視した状態が示され、図14は、図13において、更にゲート端子TGLおよびソース端子TSLを外した(透視した)状態が示され、図15は、図14において、更に半導体チップCPLを外した(透視した)状態が示され、図16は、図15において、更にゲート端子TGHおよびソース・ドレイン端子TSDを外した(透視した)状態が示されている。なお、理解を簡単にするために、図13〜図16では、封止樹脂部MRの外形を二点鎖線で示してある。また、平面図に示される符号Xは第1方向、符号Yは第1方向Xに直交(交差)する第2方向を示している。以下では、第1方向XをX方向と呼び、第2方向YをY方向と呼ぶ場合もある。
本実施の形態の半導体装置SM1で用いられている半導体チップCPH,CPLの構成例について説明する。
図18は、本実施の形態の半導体装置SM1の製造工程(組立工程)を示す製造プロセスフロー図である。図19は、本実施の形態の半導体装置SM1の製造工程(組立工程)に用いられるリードフレームLF1の全体平面図であり、図20はリードフレームLF1の要部平面図である。図21は、本実施の形態の半導体装置SM1の製造工程(組立工程)に用いられるリードフレームLF2の全体平面図であり、図22はリードフレームLF2の要部平面図である。図23は、本実施の形態の半導体装置SM1の製造工程(組立工程)に用いられるリードフレームLF3の全体平面図であり、図24はリードフレームLF3の要部平面図である。図20、図22および図24は、平面図であるが、図面を見やすくするために(リードフレームLF1,LF2,LF3の形状を分かりやすくするために)、リードフレームLF1,LF2,LF3にハッチングを付してある。また、図25は、本実施の形態の半導体装置SM1の製造工程(組立工程)に用いられる組立治具41の全体平面図(上面図)であり、図26は組立治具41の要部平面図(部分拡大平面図)であり、図27〜図31は組立治具41の要部断面図である。図26は、平面図であるが、図面を見やすくするために(支持面SF1a,SF1b,SF1cおよびピン42のレイアウトを分かりやすくするために)、支持面SF1a,SF1b,SF1cおよびピン42にそれぞれハッチングを付してある。また、図32〜図72は、本実施の形態の半導体装置SM1の製造工程中の平面図(全体平面図または要部平面図)または断面図(要部断面図)である。
図95および図96は、本実施の形態の半導体装置SM1を実装基板(配線基板)PCBに実装した状態を示す要部断面図である。図95は、上記図9に対応する断面が示され、図96は、上記図12に対応する断面が示されている。
上記ステップS8のモールド工程(すなわち封止樹脂部MRの形成工程)について、更に詳細に説明する。
次に、上記組立体WKの作製工程について更に詳細に説明する。
図99は、組立治具41の変形例を示す平面図(要部平面図)であり、上記図26に対応するものである。図100は、図99の組立治具41上にリードフレームLF1,LF2,LF3が配置された状態(上記ステップS6まで行った状態)を示す平面図(要部平面図)であり、上記図57に対応するものである。図101は、図100のC9−C9線の断面図であり、図102は、図100のC2−C2線の断面図(すなわち上記図59に対応する断面図)が示されている。なお、図99および図100は平面図であるが、図面を見やすくする(突出部71a,71b,72a,72b,72cのレイアウトを分かりやすくする)ために、突出部71a,71b,72a,72b,72cにハッチングを付してある。
21 半導体基板
21a 基板本体
21b エピタキシャル層
22 フィールド絶縁膜
23 半導体領域
24 半導体領域
25 溝
26 ゲート絶縁膜
27 ゲート電極
27a ゲート引き出し用の配線部
28 絶縁膜
29a,29b コンタクトホール
30G ゲート配線
30S ソース配線
31 半導体領域
32 保護膜
33 開口部
34 金属層
41,41a 組立治具
42,42a,42b,42c ピン
43,44 段差部
52 ピン
53,54 段差部
61a,61b 矢印
71a,71b,72a,72b,72c 突出部
81 押さえ部材
91 突起部
92 位置
93 側面
94 隙間
BEH,BEL 裏面ドレイン電極
CAV キャビティ
Cin 入力コンデンサ
Cout 出力コンデンサ
CPH,CPL 半導体チップ
CTC 制御回路
D ドレイン
Dp1,Dp2 寄生ダイオード
DR1,DR2 ドライバ回路
ET1,ET2 端子
GND 基準電位
H1,H2,H3,H4,H5,H6 高さ
I1,I2 電流
Iout 出力電流
L コイル
LF1,LF2,LF3 リードフレーム
LD 負荷
MD1 金型(上金型)
MD2 金型(下金型)
MR 封止樹脂部
MRa,MRb 主面
OP,OP1,OP2,OP2a,OP2b,OP2c 開口部
PCB 実装基板
PDGH,PDGL ゲートパッド電極
PDSH,PDSL ソースパッド電極
PWL1 p型ウエル
QH1,QL1 パワーMOS(パワーMOSFET)
RG1,RG1a,RG1b 単位領域
S ソース
SD1,SD2,SD3,SD4 辺
SF1a,SF1b,SF1c,SF2a,SF2b,SF2c 支持面
SLD,SLDa,SLDb,SLDc,SLDd,SLD2 半田
SM1 半導体装置
T1,T2,T3,T4,T5 厚み
T11,T12,T13,T21,T22,T23,T24,T25 厚み
T31,T32 間隔
TB1,TB2 タイバー
TE1,TE2,TE3,TE4,TE5 端子
TDH ドレイン端子
TGH ゲート端子
TGL ゲート端子
TSD ソース・ドレイン端子
TSL ソース端子
UT1,UT1a,UT1b 単位領域
VIN 入力電源
VDIN
Vout 出力電圧
W1,W2,W3,W4,W5,W6 幅
WK,WKa 組立体
Claims (21)
- (a)チップ搭載部を有する第1フレームと、第1リード端子部を有する第2フレームと、第1主面および前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第1半導体チップとを用意する工程、
(b)組立治具上に前記第1フレームを配置する工程、
(c)前記第1フレームの前記チップ搭載部上に第1半田を介して前記第1半導体チップを、前記第1半導体チップの前記第1主面が前記チップ搭載部と対向するように配置する工程、
(d)前記第1半導体チップの前記第2主面上に第2半田を介して前記第1リード端子部が配置されるように、前記組立治具上に前記第2フレームを配置する工程、
(e)前記(a)、(b)、(c)および(d)工程の後、前記組立治具上に前記第1および第2フレームが配置された状態で半田リフロー用の熱処理を行って、前記第1半導体チップの前記第1主面と前記第1フレームの前記チップ搭載部とを前記第1半田を介して接合し、前記第1半導体チップの前記第2主面と前記第2フレームの前記第1リード端子部とを前記第2半田を介して接合する工程、
(f)前記(e)工程の後、下金型および上金型を用いて、前記第1半導体チップ、前記第1フレームの前記チップ搭載部および前記第2フレームの前記第1リード端子部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
を有し、
前記下金型は、前記第1フレームの前記チップ搭載部を配置するための第1面と、前記下金型および前記上金型によって形成されるキャビティに隣接する位置で前記第1面よりも突出して前記第2フレームの一部を配置するための第2面とを有しており、
前記(f)工程では、前記下金型の前記第1面上に前記第1フレームの前記チップ搭載部を配置し、前記下金型の前記第2面と前記上金型とで前記第2フレームの一部を挟んだ状態で、前記下金型および前記上金型によって形成される前記キャビティ内に前記封止樹脂部形成用の樹脂材料を注入することにより、前記封止樹脂部が形成され、
前記組立治具は、前記第1フレームの前記チップ搭載部が配置される第1支持面と、前記第1支持面よりも突出しかつ前記組立治具上に配置された前記第2フレームを支持するための第2支持面とを有しており、
前記下金型における前記第1面を基準にした前記第2面の高さと、前記組立治具における前記第1支持面を基準にした前記第2支持面の高さとが同じであり、
前記第2フレームにおける前記(f)工程で前記下金型の前記第2面と前記上金型とで挟まれる部分が、前記(d)工程で前記組立治具の前記第2支持面上に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程で用意された前記第1フレームおよび前記第2フレームは、それぞれ金属材料からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程の後、
(g)前記第1および第2フレームから前記チップ搭載部および前記第1リード端子部を分離する工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記(g)工程の後、
(h)前記封止樹脂部から外方に突出する前記第1リード端子部のアウタリード部を折り曲げ加工する工程、
を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記(h)工程よりも前の段階では、前記チップ搭載部および前記第1リード端子部は平坦であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程では、前記第1フレームの前記チップ搭載部が前記下金型の前記第1面に接触した状態で前記封止樹脂部が形成され、
前記チップ搭載部の下面は前記封止樹脂部から露出することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2フレームの前記第1リード端子部のアウタリード部が、前記(f)工程で前記下金型の前記第2面と前記上金型とで挟まれ、かつ、前記(d)工程で前記組立治具の前記第2支持面上に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1および第2フレームのそれぞれは、前記半導体装置を製造するための単位領域が第1の方向に複数連結された多連のフレームであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1および第2フレームのそれぞれは、前記第1の方向の中央付近に位置決め用の孔が形成されており、
前記組立治具には、前記第1および第2フレームの前記位置決め用の孔に対応する位置に、位置決め用の第1突起部が形成されており、
前記(b)工程では、前記第1フレームの前記位置決め用の孔に前記組立治具の前記第1突起部が挿入されるように、前記組立治具上に前記第1フレームが配置され、
前記(d)工程では、前記第2フレームの前記位置決め用の孔に前記組立治具の前記第1突起部が挿入されるように、前記組立治具上に前記第2フレームが配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項9記載の半導体装置の製造方法において、
前記組立治具は、更に第2突起部を有しており、
前記第2突起部は、前記組立治具上に配置された前記第1および第2フレームの前記第1の方向の両端部付近に位置し、前記第1および第2フレームの前記第1方向に交差する第2方向の移動を規制することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2突起部は、前記第1および第2フレームの前記第1方向の伸縮は規制しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項11記載の半導体装置の製造方法において、
前記(a)工程では、第2リード端子部を有する第3フレームと、第3主面および前記第3主面とは反対側の第4主面を有する第2半導体チップとを更に用意し、
前記(d)工程後で、前記(e)工程前に、
(d1)前記第2フレームの前記第1リード端子部上に第3半田を介して前記第2半導体チップを、前記第2半導体チップの前記第3主面が前記第1リード端子部と対向するように配置する工程、
(d2)前記第2半導体チップの前記第4主面上に第4半田を介して前記第2リード端子部が配置されるように、前記組立治具上に前記第3フレームを配置する工程、
を更に有し、
前記(e)工程では、前記組立治具上に前記第1、第2および第3フレームが配置された状態で前記半田リフロー用の熱処理を行うことで、前記第1半導体チップの前記第1主面と前記第1フレームの前記チップ搭載部とが前記第1半田を介して接合され、前記第1半導体チップの前記第2主面と前記第2フレームの前記第1リード端子部とが前記第2半田を介して接合され、前記第2半導体チップの前記第3主面と前記第2フレームの前記第1リード端子部とが前記第3半田を介して接合され、前記第2半導体チップの前記第4主面と前記第3フレームの前記第2リード端子部とが前記第4半田を介して接合され、
前記下金型は、前記キャビティに隣接する位置に、前記第1および第2面よりも突出しかつ前記第3フレームの一部を配置するための第3面を更に有しており、
前記(f)工程では、前記下金型の前記第1面上に前記第1フレームの前記チップ搭載部を配置し、前記下金型の前記第2面と前記上金型とで前記第2フレームの一部を挟み、かつ前記下金型の前記第3面と前記上金型とで前記第3フレームの一部を挟んだ状態で、前記下金型および前記上金型によって形成される前記キャビティ内に前記封止樹脂部形成用の樹脂材料を注入することで、前記封止樹脂部が形成され、
前記組立治具は、前記第1および第2支持面よりも突出しかつ前記組立治具上に配置された前記第3フレームを支持するための第3支持面を更に有しており、
前記下金型における前記第1面を基準にした前記第3面の高さと、前記組立治具における前記第1支持面を基準にした前記第3支持面の高さとが同じであり、
前記第3フレームにおける前記(f)工程で前記下金型の前記第3面と前記上金型とで挟まれる部分が、前記(d2)工程で前記組立治具の前記第3支持面上に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記(g)工程では、前記第1、第2および第3フレームから前記チップ搭載部、前記第1リード端子部および前記第2リード端子部が分離され、
前記(h)工程では、前記封止樹脂部から外方に突出する前記第1リード端子部のアウタリード部および前記第2リード端子部のアウタリード部を折り曲げ加工することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項13記載の半導体装置の製造方法において、
前記(h)工程よりも前の段階では、前記チップ搭載部、前記第1リード端子部および前記第2リード端子部は平坦であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項14記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3フレームの前記第2リード端子部のアウタリード部が、前記(f)工程で前記下金型の前記第3面と前記上金型とで挟まれ、かつ、前記(d)工程で前記組立治具の前記第3支持面上に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項15記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程では、前記第2フレームの前記第1リード端子部の互いに反対側の面に、前記第1半導体チップの前記第2主面と前記第2半導体チップの前記第3主面とがそれぞれ半田接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項16記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1フレームは、前記第2フレームおよび前記第3フレームよりも厚いことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項17記載の半導体装置の製造方法において、
前記上金型における前記下金型の前記第2面および前記第3面に対向する位置に第3突起部が形成されており、
前記(f)工程で前記下金型の前記第2および第3面と前記上金型とで前記第1および第2リード端子部のアウタリード部を挟んだ際に、前記上金型の前記第3突起部により、前記第1および第2リード端子部のアウタリード部の一部を押しつぶすことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項18記載の半導体装置の製造方法において、
前記(e)工程では、前記組立治具上に配置された前記第3フレームを押さえ部材で押さえながら、前記半田リフロー用の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)チップ搭載部を有する第1フレームと、第1リード端子部を有する第2フレームと、第1主面および前記第1主面とは反対側の第2主面を有する第1半導体チップと、第3主面および前記第3主面とは反対側の第4主面を有する第2半導体チップとを用意する工程、
(b)組立治具上に前記第1フレームを配置する工程、
(c)前記第1フレームの前記チップ搭載部上に第1半田を介して前記第1半導体チップを、前記第1半導体チップの前記第1主面が前記チップ搭載部と対向するように配置する工程、
(d)前記第1半導体チップの前記第2主面上に第2半田を介して前記第1リード端子部が配置されるように、前記組立治具上に前記第2フレームを配置する工程、
(e)前記第2フレームの前記第1リード端子部上に第3半田を介して前記第2半導体チップを、前記第2半導体チップの前記第3主面が前記第1リード端子部と対向するように配置する工程、
(f)前記第2半導体チップの前記第4主面上に第4半田を介して前記第2リード端子部が配置されるように、前記組立治具上に前記第3フレームを配置する工程、
(g)前記(a)、(b)、(c)、(d)、(e)および(f)工程の後、前記組立治具上に前記第1、第2および第3フレームが配置された状態で半田リフロー用の熱処理を行って、前記第1半導体チップの前記第1主面と前記第1フレームの前記チップ搭載部とを前記第1半田を介して接合し、前記第1半導体チップの前記第2主面と前記第2フレームの前記第1リード端子部とを前記第2半田を介して接合し、前記第2半導体チップの前記第3主面と前記第2フレームの前記第1リード端子部とを前記第3半田を介して接合し、前記第2半導体チップの前記第4主面と前記第3フレームの前記第2リード端子部とを前記第4半田を介して接合する工程、
(h)前記(g)工程の後、下金型および上金型を用いて、前記第1半導体チップ、前記第2半導体チップ、前記第1フレームの前記チップ搭載部、前記第2フレームの前記第1リード端子部および前記第3フレームの前記第2リード端子部を封止する封止樹脂部を形成する工程、
を有し、
前記下金型は、前記第1フレームの前記チップ搭載部を配置するための第1面と、前記下金型および前記上金型によって形成されるキャビティに隣接する位置で前記第1面よりも突出して前記第2フレームの一部を配置するための第2面と、前記キャビティに隣接する位置で前記第1および第2面よりも突出して前記第3フレームの一部を配置するための第3面とを有しており、
前記(h)工程では、前記下金型の前記第1面上に前記第1フレームの前記チップ搭載部を配置し、前記下金型の前記第2面と前記上金型とで前記第2フレームの一部を挟み、かつ前記下金型の前記第3面と前記上金型とで前記第3フレームの一部を挟んだ状態で、前記下金型および前記上金型によって形成される前記キャビティ内に前記封止樹脂部形成用の樹脂材料を注入することにより、前記封止樹脂部が形成され、
前記組立治具は、前記第1フレームの前記チップ搭載部が配置される第1支持面と、前記第1支持面よりも突出しかつ前記組立治具上に配置された前記第2フレームを支持するための第2支持面と、前記第1および第2支持面よりも突出しかつ前記組立治具上に配置された前記第3フレームを支持するための第3支持面とを有しており、
前記下金型における前記第1面を基準にした前記第2面の高さと、前記組立治具における前記第1支持面を基準にした前記第2支持面の高さとが同じであり、
前記下金型における前記第1面を基準にした前記第3面の高さと、前記組立治具における前記第1支持面を基準にした前記第3支持面の高さとが同じであり、
前記第2フレームにおける前記(h)工程で前記下金型の前記第2面と前記上金型とで挟まれる部分が、前記(d)工程で前記組立治具の前記第2支持面上に配置され、
前記第3フレームにおける前記(h)工程で前記下金型の前記第3面と前記上金型とで挟まれる部分が、前記(f)工程で前記組立治具の前記第3支持面上に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項20記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2フレームの前記第1リード端子部のアウタリード部が、前記(h)工程で前記下金型の前記第2面と前記上金型とで挟まれ、かつ、前記(d)工程で前記組立治具の前記第2支持面上に配置され、
前記第3フレームの前記第2リード端子部のアウタリード部が、前記(h)工程で前記下金型の前記第3面と前記上金型とで挟まれ、かつ、前記(f)工程で前記組立治具の前記第3支持面上に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009233125A JP5271861B2 (ja) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
US12/898,820 US8017440B2 (en) | 2009-10-07 | 2010-10-06 | Manufacturing method for semiconductor devices |
US13/220,763 US8569111B2 (en) | 2009-10-07 | 2011-08-30 | Manufacturing method for semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009233125A JP5271861B2 (ja) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011082323A JP2011082323A (ja) | 2011-04-21 |
JP5271861B2 true JP5271861B2 (ja) | 2013-08-21 |
Family
ID=43823484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009233125A Expired - Fee Related JP5271861B2 (ja) | 2009-10-07 | 2009-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8017440B2 (ja) |
JP (1) | JP5271861B2 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5271861B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2013-08-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8426950B2 (en) * | 2010-01-13 | 2013-04-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Die package including multiple dies and lead orientation |
CN102593108B (zh) * | 2011-01-18 | 2014-08-20 | 台达电子工业股份有限公司 | 功率半导体封装结构及其制造方法 |
JP5813963B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-11-17 | ローム株式会社 | 半導体装置、および、半導体装置の実装構造 |
US9000576B2 (en) * | 2011-04-22 | 2015-04-07 | Cyntec Co., Ltd. | Package structure and manufacturing method thereof |
JP2013093504A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および冶具 |
DE112012006875T5 (de) | 2012-09-04 | 2015-06-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung |
JP5943795B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2016-07-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5966921B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2016-08-10 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
US9274140B2 (en) * | 2013-02-20 | 2016-03-01 | Silicon Laboratories Inc. | Multi-purpose integrated circuit device contactor |
US9123708B2 (en) * | 2013-03-01 | 2015-09-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor chip package |
CN105009266B (zh) * | 2013-03-08 | 2018-05-08 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP6076865B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2017-02-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
JP6238121B2 (ja) * | 2013-10-01 | 2017-11-29 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP6354285B2 (ja) * | 2014-04-22 | 2018-07-11 | オムロン株式会社 | 電子部品を埋設した樹脂構造体およびその製造方法 |
JP6316708B2 (ja) * | 2014-08-26 | 2018-04-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10541193B2 (en) * | 2014-10-03 | 2020-01-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Lead frame and method for manufacturing semiconductor device |
EP3104411A4 (en) * | 2015-04-28 | 2017-12-06 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor module |
JP6631114B2 (ja) * | 2015-09-17 | 2020-01-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の計測方法 |
US20170133316A1 (en) * | 2015-09-25 | 2017-05-11 | Tesla Motors, Inc. | Semiconductor device with stacked terminals |
JP6721346B2 (ja) * | 2016-01-27 | 2020-07-15 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN108701687B (zh) | 2016-02-03 | 2021-07-09 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
JP6240343B1 (ja) * | 2016-02-03 | 2017-11-29 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR102576764B1 (ko) * | 2016-10-28 | 2023-09-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비대칭 칩 스택들을 가지는 반도체 패키지 |
CN109287128B (zh) * | 2017-05-19 | 2022-07-01 | 新电元工业株式会社 | 芯片模块的制造方法 |
JP7453761B2 (ja) * | 2019-08-21 | 2024-03-21 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
US11901309B2 (en) * | 2019-11-12 | 2024-02-13 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment |
DE112020007132T5 (de) * | 2020-04-27 | 2023-03-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117858A (ja) | 1984-11-14 | 1986-06-05 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置 |
JP3871486B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2007-01-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP2003188341A (ja) | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
JP2003318361A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7485489B2 (en) * | 2002-06-19 | 2009-02-03 | Bjoersell Sten | Electronics circuit manufacture |
JP4438489B2 (ja) * | 2004-04-13 | 2010-03-24 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体装置 |
WO2006114825A1 (ja) * | 2005-04-06 | 2006-11-02 | Renesas Technology Corp. | 半導体装置の製造方法 |
JP5145966B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2013-02-20 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール |
JP5271861B2 (ja) * | 2009-10-07 | 2013-08-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2009
- 2009-10-07 JP JP2009233125A patent/JP5271861B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-06 US US12/898,820 patent/US8017440B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-30 US US13/220,763 patent/US8569111B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011082323A (ja) | 2011-04-21 |
US8017440B2 (en) | 2011-09-13 |
US20110081750A1 (en) | 2011-04-07 |
US8569111B2 (en) | 2013-10-29 |
US20110312134A1 (en) | 2011-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5271861B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5443837B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8040708B2 (en) | Semiconductor device | |
KR101360163B1 (ko) | 다중 다이들 및 공통 노드 구조를 포함하는 반도체 다이 패키지 | |
US7679173B2 (en) | Semiconductor device including a DC-DC converter | |
US7777315B2 (en) | Dual side cooling integrated power device module and methods of manufacture | |
JP5870200B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
WO2013021647A1 (ja) | 半導体モジュール、半導体モジュールを備えた半導体装置、および半導体モジュールの製造方法 | |
US20080023807A1 (en) | Dual side cooling integrated power device package and module and methods of manufacture | |
TWI452662B (zh) | 雙邊冷卻整合電源裝置封裝與模組及製造方法 | |
JP2008160163A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置 | |
US10504823B2 (en) | Power semiconductor device with small contact footprint and the preparation method | |
JP5676413B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US8198134B2 (en) | Dual side cooling integrated power device module and methods of manufacture | |
CN116598211A (zh) | 电子器件及其封装方法 | |
JP2019102749A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2016076730A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005026623A (ja) | 半導体接続用マイクロジョイント端子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120724 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130416 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130513 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5271861 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |