JP5252770B2 - イメージセンサーパッケージの組立方法 - Google Patents
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Description
まず、複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設け、前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有し、前記イメージセンサーの周りを取り囲むように内部空洞を有する形状のハウジングが、前記イメージセンサーの配列に対応するように相互連結されたハウジングストリップを設ける。そして、窓の役割を行う透明カバー板を設ける。
以後に、前記基板に前記ハウジングストリップを付着し、前記ハウジングストリップの上に前記開口を密封する透明カバー板を付着した後、切削してそれぞれのイメージセンサーパッケージに分離する。
そのようなイメージセンサーパッケージに鏡筒を組立て、鏡筒の開口内にレンズ部を挿入できる。
また、前記ハウジングの開口に整列されるレンズ部が挿入される鏡筒が、複数の相互連結された鏡筒ストリップを設け、それぞれのイメージセンサーパッケージに分離する前に、前記ハウジングストリップの上及び/または及び前記窓の上に前記鏡筒ストリップを付着できる。
前記鏡筒ストリップは、前記レンズ部が単にスライディングして前記鏡筒に挿入されるように、鏡筒の開口内側面が滑らかに備えられ、前記透明カバー板の表面に対して垂直であるシリンダ状の鏡筒が相互連結されるように射出成形されうる。
また、それぞれのイメージセンサーパッケージに分離するステップは、前記カバー板を切削するステップ、及び前記カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップを含んで行われ得る。
この時、前記カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように前記切削ステップが行われ得る。または、前記カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面と同一面上に位置するように、前記切削ステップが行われ得る。
また、前記鏡筒ストリップを付着する前に、前記カバー板を切削するステップを更に行い得る。前記鏡筒ストリップを切削するステップは、下部の前記ハウジングストリップ部分及び前記基板部分を続けて切削して、切削面が同一面上に位置するように行われ得る。
前記窓は、前記鏡筒及び前記ハウジングの外形より小さなサイズを有するが、前記開口より大きくて前記ハウジング上に位置しうる。
また、IRフィルタ窓をそれぞれ分離された状態で組立てうる。または、IRフィルタ窓を、それぞれ分離された状態ではない、一つの大きなカバー板状にハウジングストリップ上に組立てることによって、分離されたIR−フィルタ窓を個別に挿入する過程に比べて工程効率を向上させうる。
本発明の実施形態では、基板上に付着されたイメージセンサー、イメージセンサーを保護するように導入されて開口を有するハウジング、開口を覆う窓を備えるイメージセンサーパッケージ及びその組立方法を提示する。また、窓及び/またはハウジング上に付着された鏡筒を備えるイメージセンサー及びその組立方法を提示する。また、鏡筒にスライディング挿入されるレンズ部が、レンズと、レンズとイメージセンサーの活性面との距離及びレンズの間の距離を維持調節するスペーサとを備えるように構成するところを提示する。
そのように、複数のイメージセンサーを同時にパッケージングするために、個別イメージセンサーのための複数ハウジングが相互連結された形態、すなわち、ハウジングのストリップを形成してハウジング組立に利用するところを提示する。
また、鏡筒の組立時に、個別イメージセンサーに該当する複数の鏡筒が相互連結された形態、すなわち、鏡筒のストリップを形成して、窓及び/またはハウジング上に付着し、その後にそれぞれ切って分離するところを提示する。
また、鏡筒ストリップが組立てられた状態、及び/または鏡筒ストリップを切ってそれぞれ分離された状態の鏡筒内に、レンズ及びスペーサが相互付着されたレンズ部をスライディングさせて、窓の上にレンズ部を付着する。
図1A及び図1Bを参照すれば、本発明の実施形態に係るイメージセンサーパッケージは、基板100上に複数のイメージセンサー200の活性面201が上方に向かうように配列付着された構造を含む。配列されるイメージセンサー200は、例えば、CMOSイメージセンサー、CCDイメージセンサーまたは焦電セラミックをCMOS素子上に導入したCMOSイメージセンサーでありうる。
そのような複数のイメージセンサー200は基板100上に配列付着される。そのような付着のために、それぞれのイメージセンサー200と基板100との間には接着層(図示せず)が導入されうる。また、イメージセンサー200は、基板100上に備えられた連結パッド101にボンディングされたボンディングワイヤー103によって、電気的に外部の基板100と連結されうる。それにも拘わらず、そのような接着層の導入またはボンディングワイヤー103の形成等は、電子部品パッケージングの多様な方法により変形されうる。
図2A及び図2Bを参照すれば、イメージセンサー200を保護するハウジング310を組立てる時、基板100上に複数のイメージセンサー200のそれぞれに該当するそれぞれのハウジング310が連結されたハウジングストリップ300を利用する。それぞれのハウジング310が相互連結されたハウジングストリップ300を基板100上に組立てることによって、複数のハウジング310は、一度にそれぞれのイメージセンサー200の周りの基板100上に同時に付着されて組立てられる。
図3を参照すれば、イメージセンサー(図1Aの200)の活性面201に光がハウジングの開口311を介して入射されることを許容するが、ハウジング(図2Aの310)の内部に位置するイメージセンサー200を外部から密閉させるために、イメージセンサーパッケージの窓が導入される。本発明の実施形態で窓は、大型ガラス板状のカバー板400をハウジングストリップ300に付着することで、ハウジングストリップ300に組立てられる。したがって、それぞれのイメージセンサーに個別的に組立てられずに、大型板状のそのままに複数のハウジング310の開口311を一度に密閉するように、ハウジングストリップ300に組立てられる。
そのように準備されたイメージセンサー200が配列された基板100、ハウジングストリップ300及びカバー板400を、それぞれのハウジング310がそれぞれのイメージセンサー200に整列させて相互付着させる。この時、ハウジングストリップ300の上面303はカバー板400と接触し、下面304は基板100に接触して、ハウジングストリップ300がカバー板400を支持する。
図4A及び図4Bを参照すれば、イメージセンサー200が配列された基板100にハウジングストリップ300及びカバー板400を順次に組立てる。
図4A及び図4Bを参照すれば、基板100、ハウジングストリップ300及び/またはカバー板400を接着剤などを利用して組立てる。例えば、図4Bに示されたように、ハウジングストリップ300の基板100に接触する下面304に第1接着層510を形成し、ハウジングストリップ300を基板100に接着させる。ハウジングストリップ300の下面304は、イメージセンサー200の間の露出される基板100に対応するため、下面304に塗布された第1接着層510は、そのような露出された基板100と下面304とを接着して密閉させる。
第1接着層510は、B状態のエポキシ樹脂で形成されることによって、第1接着層510が接着された状態のハウジングストリップ300を取り扱うことが、液状接着剤を導入した場合に比べて容易になる。半固形の第1接着層510によって、ハウジングストリップ300と基板100とが付着された状態で、第1接着層510を簡単にキュアリングして第1接着層510を固体化することで、ハウジングストリップ300と基板100とを固く接着させうる。
この時、接着層510、520を固体化するためのキュアリングは、真空状態を維持し、例えば、真空ポンピングを行って熱加圧する過程で行われることが好ましい。それは、ハウジングストリップ300のそれぞれのハウジング310内の空洞312に、冷たい空気またはガスなどを排出させることで、後続される熱工程中に、空洞312内に捕獲された空気またはガスなどが膨脹することによって、イメージセンサーパッケージに亀裂のような不良が発生することを防止するためである。
図5A及び図5Bを参照すれば、付着過程を通じて組立てられたイメージセンサーパッケージの組立体または集合体600として実際のイメージセンサーパッケージを一次完成できるが、そのような集合体600をブレードなどを使用する切削またはソーイングなどの過程により切って、個別のイメージセンサーパッケージにそれぞれ分離させうる。そのような分離過程は、数回のカッティング過程を含むステップカッティング過程や、一回の切削過程で行われる単一カッティング過程で行われ得る。
この時、第1ブレード610を利用した第1カッティングステップで除去される窓401の間隔を、第2ブレード620のカッティング幅に比べて広くして、分離されたハウジング310の上面303の一部が窓401の外部に露出されるように誘導できる。すなわち、ソーイングステップで、切削のための第1ブレード610が第2ブレード620より広い幅になるようにして、窓401と、それを支持するハウジング310とに段差を形成するか、または階段状になるように誘導する。これは、窓401の上側に鏡筒及び/またはレンズ部が導入される場合、鏡筒及び/またはレンズ部が整列される整列基準を階段状が提供できるためである。
この時、前記したように、二つのブレード610、620を利用せずに、一つのブレードのみを利用して、全体アセンブリを切断して、それぞれのパッケージに分離できる。そのようにすれば、二つのブレード610、620を使用する場合、分離された切削面が階段状に互いに段差を有しうることに対し、全体切削面が同一面の延長面上に位置する。すなわち、二つのブレード610、620を利用する場合、分離された窓の側面である切削面が、分離されたハウジング及び/または基板の切削面に比べて内側に位置して、互いに段差を有しうる。それに対し、一つのブレードを使用して全体アセンブリを切削する場合、分離された窓の側面である切削面と分離されたハウジング及び/または基板の側面である他の切削面は、同一面上に延びる面で形成される。
図6Aを参照すれば、図5A及び図5Bを参照して説明したように、個別イメージセンサーパッケージ601が組立集合体600から分離される。そのようなイメージセンサーパッケージ601は、図6Aに示されたように、チップキャリアとしての基板100上にイメージセンサー200が位置し、基板100上に空洞312を形成するハウジング310が、イメージセンサー200の周縁をリム状に取り囲んで基板100に付着され、ハウジング310の上面303に、ハウジング310の開口311を覆って密閉する窓401が付着されて、ハウジング310により支持される。
そのような図6A及び図6Bに示されたようなイメージセンサーパッケージ601、602を、他のPCBまたはFPCB等に部品としてマウンティングし、接続端子105を介して電気的に連結して、カメラ、バーコードリーダー及びスキャナーのような電子製品を形成できる。
一方、これまで説明したような本発明の実施形態は、図6A及び図6Bに示されたようなイメージセンサーパッケージ601、602の製作に利用されてもよいが、より高級化されたIRフィルタの窓上に、レンズ部が整列導入されるイメージセンサーパッケージの製作に適用されてもよい。
図7A及び図7Bを図6Aと共に参照すれば、図6に示されたようなイメージセンサーパッケージ601上に鏡筒810を付着する。鏡筒810は、鏡筒810のイメージセンサーパッケージ601のハウジング310の露出された上面303との接触面に導入された接着層(図示せず)によって、ハウジング310上に付着される。また、鏡筒810と窓401との接触部分にもそのような接着層が導入されて、鏡筒810を窓401に付着させうる。そのような鏡筒810のハウジング310及び/または窓401への付着には、エポキシ系列の接着剤が使われうる。そのような接着剤は、紫外線(UV)のような特定光によって硬化反応が進行されうる接着物質であることが好ましい。
鏡筒810は、イメージセンサー200の活性面201に整列される開口811を有するように形成され、プラスチックのようなモールド成形が可能な材質で形成されうる。図7Aでは、鏡筒810が個別に分離された状態で、イメージセンサーパッケージ601に組立てられる場合を例示するが、さらにそのような鏡筒810は、ストリップ状にハウジングストリップ300上に組立てられてもよい。
そのような整列されたレンズ部700は、鏡筒810の開口811内へ滑らかにスライディングされて挿入される。レンズ部700を構成する部品は、何れも鏡筒810の開口811にスライディングされて挿入されうる程度の直径を有するように形成され、鏡筒810の内部は、滑らかな側壁表面を有するため、レンズ部700の鏡筒810内にスライディングされて挿入される。そのようなレンズ部700の挿入過程は、レンズ部700を真空吸着器などを利用して取り扱うことにより、汚染されずに行われ得る。
スペーサ730、735は、レンズ部700がイメージセンサーパッケージ601上に組立てられた時、レンズ710、715と活性面201との離隔距離をフォーカスに合わせてあらかじめ設定されたほど維持させる役割を行う。すなわち、第1スペーサ730の厚さは、第1レンズ710と活性面201とのあらかじめ定められた離隔距離を維持するように設定され、この離隔距離はフォーカス距離を基準に定められる。
実質的に、鏡筒810の内側壁は、滑らかな面で形成されたため、スペーサ730、735、またはレンズ710、715は、内側壁にかからずに鏡筒810内に挿入される。したがって、鏡筒810内での相対的なスペーサ730、735、またはレンズ710、715の位置は一定になる。
したがって、複数のイメージセンサーパッケージ601に鏡筒810及びレンズ部700をそれぞれ組立てても、組立てられたレンズ710、715と活性面201との距離は、フォーカスを考慮してあらかじめ設定された距離に一定に維持されうる。これは、追加のフォーカス調節のための過程が組立過程中で省略されうることを意味する。したがって、組立過程がより簡単な過程で行われ得る。
そのように、レンズ部700を鏡筒810内に挿入し、接着剤を利用してレンズ部700を鏡筒810に付着させることによって、図7Bに示されたようなレンズ部700がイメージセンサー200の活性面201に整列されるように組立てられたイメージセンサーパッケージ603が形成されうる。
そのように、そのような鏡筒810は、図7Aに示されたように、それぞれのイメージセンサーパッケージ601に一つずつ組立てられてもよいが、鏡筒810が連結されたストリップ状に窓401及び/またはハウジング310上に、またはカバー板400上に直接的に組立てられてもよい。そのような場合には、まず、鏡筒810が相互連結された状態で射出成形された鏡筒ストリップを設けることが優先される。
図8を参照すれば、図7Aに示されたようなそれぞれの鏡筒810がストリップ状に連結された鏡筒ストリップ800を準備する。そのような鏡筒ストリップ800は、射出成形等で製作されてもよく、鏡筒ストリップ800は、ハウジングストリップ(図2Aの300)と同様に、射出成形に適したプラスチック材質、例えば、ポリカーボネートまたはポリフェニルスルフィドのようなプラスチックで成形されてもよい。
図9は、本発明の実施形態に係る鏡筒ストリップが組立てられるイメージセンサーパッケージの組立体を準備する過程を説明するために概略的に示す断面図である。
図9を参照すれば、図1Aないし図4Bを参照して説明したように、イメージセンサー200が配列された基板100、ハウジングストリップ300及びカバー板400が相互付着された組立体600を準備する。その後に、そのような組立体600のカバー板400をイメージセンサー200別に区画するように、切って分離する。例えば、第1ブレード610を利用する切削ソーイング過程を行って、イメージセンサー200の間に位置するカバー板400の部分を除去して、下部のハウジングストリップ300の上面303を露出させる。
図10を参照すれば、図9に示されたように、分離された窓401により露出されるハウジングストリップ300の上面303に下面が接触されるように、鏡筒ストリップ800を整列して付着する。この時、鏡筒ストリップ800とハウジングストリップ300の上面303との接触面の接着剤、例えば、熱硬化性またはUVにより硬化されうるエポキシ樹脂系列の接着剤によって相互接着される。
図11を参照すれば、組立てられた鏡筒ストリップ800の鏡筒810と鏡筒810との連結部品814に第2ブレード620を整列し、第2ブレード620を利用してその連結部品814を切削ソーイングする。そのような切削ソーイング過程は、下部の基板100を切削するように行われて、それぞれのイメージセンサーパッケージ別に分離する。
図12を参照すれば、図11を参照して説明したような切削ソーイング過程によって、イメージセンサーパッケージの組立体600から、鏡筒810を有するそれぞれのイメージセンサーパッケージ601に分離される。
図7Aを参照して説明したように、そのような鏡筒810が組立てられたイメージセンサーパッケージ601にレンズ部700を組立てる。それにより、図7Bに示されたようなイメージセンサーパッケージ601が完成される。
そのように鏡筒ストリップ800を利用する場合、複数のイメージセンサーパッケージを一度に組立てうる量産上の利点を具現すると共に、組立てられるイメージセンサーパッケージの間の公差が発生する可能性を大きく減らしうる工程上の利点を具現できる。
図13を参照すれば、図1A及び図1Bを引用して説明したように、基板1610上に、活性面1201が上方に向かうようにイメージセンサー1200を付着して配列する。そして、図2A及び図2Bを引用して説明したように、開口1311を備えるそれぞれのハウジング1310が相互連結されたハウジングストリップ1300を形成する。
そのようなハウジングストリップ1300を図4A及び図4Bを引用して説明したように、基板1100に付着する。この時、図3、図4A及び図4Bを引用して説明したものと違って、あらかじめ個別に分離された形態で準備されたそれぞれの窓1401を、それぞれの開口1311上に図14に示されたように配列し、それぞれの窓1401をハウジングストリップ1300の開口1311を密閉するように接着する。
この時、図14に示されたように、それぞれのハウジング1310の開口1311の周りには、そのそれぞれの窓1401が位置する支持部1315が開口1311の内側に突出するように準備されうる。
図16を参照すれば、図7A及び図7Bを引用して説明したように、イメージセンサーパッケージ605上に鏡筒810を接着して組立て、鏡筒810内の開口811内にレンズ部700を挿入して組立てる。それにより、レンズ部700を有するイメージセンサーパッケージ605が完成される。
200 イメージセンサー
201 活性面
300 ハウジングストリップ
310 ハウジング
311 開口
400 カバー板
Claims (26)
- 複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設けるステップと、
前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有し、前記イメージセンサーの周りを取り囲むように内部空洞を有する形状の複数のハウジングが、前記イメージセンサーの配列に対応するように、相互連結されたハウジングストリップを設けるステップと、
前記基板に前記ハウジングストリップを付着し、前記ハウジングストリップ上に前記開口を密封する透明カバー板を付着するステップと、
前記透明カバー板、前記ハウジングストリップ及び前記基板を順次に切削して、それぞれのイメージセンサーパッケージに分離するステップと、
分離された前記イメージセンサーパッケージに前記ハウジングの開口に整列される開口を有する鏡筒を組み立てるステップと、
前記鏡筒の開口内にレンズ部を挿入するステップと、
前記鏡筒の入口部位と前記レンズ部の接触面とを接着するステップと、
を含み、前記分離するステップは、
前記透明カバー板を切削するステップと、
前記透明カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップと、を含み、前記透明カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように、前記切削ステップ
が行われることを特徴とするイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記基板を設けるステップは、
前記イメージセンサーと前記基板との間に他の集積回路チップを積層するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記ハウジングストリップを設けるステップは、
前記ハウジングストリップを射出成形で成形するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記基板に前記ハウジングストリップを付着するステップは、
前記ハウジングストリップの下面を、前記基板の前記イメージセンサーの間の表面に接触させて、接着剤を使用して付着することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記付着するステップは、
半固形の接着剤を、前記ハウジングストリップの前記基板と前記透明カバー板との接触面に塗布するステップと、
前記透明カバー板と前記基板とを前記ハウジングストリップに対して熱加圧して、前記接着剤を硬化させるステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記硬化ステップは、真空ポンピングを伴うことを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 前記分離するステップは、前記ハウジングストリップのハウジングの間の連結部位の中間にブレードを整列して切削するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 前記透明カバー板が切削されて分離された部分は、前記ハウジングストリップ上に位置し、前記開口を覆うように前記透明カバー板が切削されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設けるステップと、
前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有する複数のハウジングが、相互連結されたハウジングストリップを設けるステップと、
前記基板に、前記ハウジングストリップ及び透明カバー板を封着するステップと、
前記透明カバー板、前記ハウジングストリップ及び前記基板を順次に切削して、それぞれのイメージセンサーパッケージに分離するステップと、
分離された前記イメージセンサーパッケージに前記ハウジングの開口に整列される開口を有する鏡筒を組み立てるステップと、
前記鏡筒の開口内にレンズ部を挿入するステップと、
前記鏡筒の入口部位と前記レンズ部の接触面とを接着するステップと、
を含み、
前記分離するステップは、
前記透明カバー板を切削するステップと、
前記透明カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップと、を含み、前記透明カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように、前記切削ステップ
が行われることを特徴とするイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記付着するステップは、
半固形の接着剤を前記ハウジングストリップの前記基板と前記透明カバー板との接触面に塗布するステップと、
前記透明カバー板と前記基板とを前記ハウジングストリップに対して熱加圧して、前記接着剤を硬化させるステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記硬化ステップは、真空ポンピングを伴うことを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 前記鏡筒は、開口の内側面が滑らかに備えられたシリンダ状に、前記透明カバー板が表面に対して垂直に組立てられることを特徴とする請求項9に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 前記レンズ部を挿入するステップは、
前記鏡筒内に挿入されるレンズを設けるステップと、
前記レンズの下に、前記レンズと前記透明カバー板との間を一定間隔離隔させるスペーサを整列するステップと、
前記レンズの上に、前記レンズの縁部の一部を遮光する絞りを整列するステップと、
前記整列された前記スペーサ、前記レンズ及び前記絞りを前記鏡筒に挿入するステップ
と、
前記絞りと、前記鏡筒の内側面の接触部分とを接着剤で接合するステップと、を含むことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記スペーサ、前記レンズ及び前記絞りを接着剤で相互付着させるステップを更に含むことを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 前記レンズ部を挿入するステップは、
前記レンズに第2スペーサを整列させるステップと、
前記第2スペーサ上に第2レンズを整列させるステップと、を更に含むことを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設けるステップと、
前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有する複数のハウジングが相互連結されたハウジングストリップを設けるステップと、
前記基板に、前記ハウジングストリップ及び透明カバー板を封着するステップと、
前記透明カバー板、前記ハウジングストリップ及び前記基板を順次に切削して、それぞれのイメージセンサーパッケージに分離するステップと、
分離された前記イメージセンサーパッケージに開口を有する鏡筒を組立てるステップと、
前記鏡筒の開口内にレンズ部を挿設するステップと、を含み、
前記分離するステップは、
前記透明カバー板を切削するステップと、
前記透明カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップと、を含み、前記透明カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように、前記切削ステップ
が行われることを特徴とするイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設けるステップと、
前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有し、前記イメージセンサーの周りを取り囲むように内部空洞を有する形状の複数のハウジングが前記イメージセンサーの配列に対応するように、相互連結されたハウジングストリップを設けるステップと、
前記基板に前記ハウジングストリップの下面を付着し、前記ハウジングストリップの上面に前記開口を密封する透明カバー板を付着するステップと、
前記ハウジングの開口に整列されるレンズ部が挿入される複数の鏡筒が相互連結された
鏡筒ストリップを設けるステップと、
第1ブレードを利用して前記透明カバー板の一部を切削し、それぞれの前記ハウジングの開口を密封する複数の窓に分離するステップと、
前記鏡筒ストリップの下面を、前記窓により露出される前記ハウジングストリップの上面に付着するステップと、
前記鏡筒ストリップの連結部品に、前記第1ブレードに比べて狭い幅の第2ブレードを整列させて、前記連結部品及び下部の前記基板まで切削して、レンズ部のための鏡筒を有するそれぞれのイメージセンサーパッケージに分離するステップと、を含み、
前記分離するステップは、
前記鏡筒ストリップを設ける以前に、前記透明カバー板を切削するステップと、
前記透明カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップと、を含み、前記透明カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように、前記切削ステップが行われることを特徴とするイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記鏡筒ストリップを設けるステップは、
前記鏡筒の開口内側面が滑らかに備えられ、前記透明カバー板が表面に対して垂直であるシリンダ状の鏡筒が相互連結されるように射出成形するステップを含むことを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記鏡筒ストリップを付着するステップは、
前記鏡筒ストリップと前記ハウジングストリップとの接触面、または前記鏡筒ストリップと前記窓との接触面に接着剤を使用することを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記鏡筒ストリップを付着するステップ以後に、
前記鏡筒の開口内にレンズ部を挿入するステップと、
前記鏡筒の入口部と前記レンズ部の接触面とを接着剤で接着するステップを更に含むことを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設けるステップと、
前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有し、前記イメージセンサーの周りを取り囲むように内部空洞を有する形状の複数のハウジングが、前記イメージセンサーの配列に対応するように相互連結されたハウジングストリップを設けるステップと、
前記基板に前記ハウジングストリップを付着し、前記ハウジングストリップ上に前記開口を密封する透明カバー板を付着するステップと、
前記ハウジングの開口に整列されるレンズ部が挿入される複数の鏡筒が相互連結された鏡筒ストリップを設けるステップと、
前記鏡筒ストリップを前記透明カバー板に整列して付着させるステップと、
前記鏡筒ストリップの連結部品に沿って切削して、レンズ部のための鏡筒を有するそれぞれのイメージセンサーパッケージに分離するステップと、を含み、
前記分離するステップは、
前記鏡筒ストリップを設ける以前に、前記透明カバー板を切削するステップと、
前記透明カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップと、を含み、前記透明カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように、前記切削ステップが行われることを特徴とするイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 前記透明カバー板が切削されて分離された部分は、前記ハウジングストリップ上に位置し、前記開口を覆うように前記透明カバー板が切削されることを特徴とする請求項21に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 前記鏡筒ストリップを切削するステップは、下部の前記ハウジングストリップ部分及び前記基板部分を続けて切削して、切削面が同一面上に位置するように行われることを特徴とする請求項21に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。
- 前記鏡筒ストリップを設けるステップは、
前記鏡筒の開口内側面が滑らかに備えられ、前記透明カバー板が表面に対して垂直であるシリンダ状の鏡筒が相互連結するように、射出成形するステップを含むことを特徴とする請求項21に記載のイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設けるステップと、
前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有する複数のハウジングが相互連結されたハウジングストリップを設けるステップと、
前記ハウジングの開口に整列されるレンズ部が挿入される複数の鏡筒が相互連結された鏡筒ストリップを設けるステップと、
前記基板に前記ハウジングストリップ及び透明カバー板を封着させるステップと、
前記ハウジングストリップの上面が露出するように、前記透明カバー板を切削するステップと、
前記露出されたハウジングストリップの上面に、前記鏡筒ストリップの下面が接触されるように前記鏡筒ストリップを付着するステップと、
前記それぞれのイメージセンサーパッケージに分離するステップと、
前記鏡筒内にレンズ部を挿設するステップと、を含み、
前記分離するステップは、
前記透明カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップと、を含み、前記透明カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削するステップ
が行われることを特徴とするイメージセンサーパッケージの組立方法。 - 複数のイメージセンサーが実装配列された基板を設けるステップと、
前記イメージセンサーの上面に対応する開口を有し、前記イメージセンサーの周りを取り囲むように内部空洞を有する形状の複数のハウジングが、前記イメージセンサーの配列に対応するように相互連結されたハウジングストリップを設けるステップと、
前記基板に、前記ハウジングストリップの下面を付着するステップと、
前記開口を覆って実装する透明カバー板を前記ハウジングストリップ上に付着するステップと、
前記透明カバー板を切削するステップと、
前記透明カバー板の切削により露出される前記ハウジングストリップ部分及び前記基板を切削して個々のイメージセンサーパッケージに分離するステップと、を含み、前記透明カバー板の切削される面が、前記ハウジングストリップ部分及び前記基板の切削される面より内側に位置するように、前記切削ステップが行われ、
前記分離されたイメージセンサーパッケージに前記ハウジングの開口に整列される開口を有する鏡筒を組立てるステップと、
前記鏡筒の開口内にレンズ部を挿入付着するステップと、を含むことを特徴とするイメージセンサーパッケージの組立方法。
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Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100538069B1 (ko) * | 2003-12-16 | 2005-12-20 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 암신호 감소를 위한 이미지센서의 소자분리 방법 |
US7796187B2 (en) | 2004-02-20 | 2010-09-14 | Flextronics Ap Llc | Wafer based camera module and method of manufacture |
US7872686B2 (en) * | 2004-02-20 | 2011-01-18 | Flextronics International Usa, Inc. | Integrated lens and chip assembly for a digital camera |
US7531773B2 (en) | 2005-09-08 | 2009-05-12 | Flextronics Ap, Llc | Auto-focus and zoom module having a lead screw with its rotation results in translation of an optics group |
US7619312B2 (en) * | 2005-10-03 | 2009-11-17 | Sun Microsystems, Inc. | Method and apparatus for precisely aligning integrated circuit chips |
DE102006014247B4 (de) * | 2006-03-28 | 2019-10-24 | Robert Bosch Gmbh | Bildaufnahmesystem und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8092102B2 (en) * | 2006-05-31 | 2012-01-10 | Flextronics Ap Llc | Camera module with premolded lens housing and method of manufacture |
US8013289B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-09-06 | Ether Precision, Inc. | Lens array block for image capturing unit and methods of fabrication |
KR100869703B1 (ko) * | 2006-12-18 | 2008-11-21 | (주)블루버드 소프트 | 바코드 리더 및 그 바코드 리더를 구비한 착용 바코드 리더 |
WO2008100909A2 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-21 | Iskoot, Inc. | Methods and systems for performing authentication and authorization in a user-device environment |
US7825985B2 (en) * | 2007-07-19 | 2010-11-02 | Flextronics Ap, Llc | Camera module back-focal length adjustment method and ultra compact components packaging |
TW200926401A (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-16 | Opcom Inc | Image-sensing IC |
US8216134B2 (en) * | 2007-12-12 | 2012-07-10 | Medtronic, Inc. | Implantable optical sensor and method for manufacture |
WO2009076787A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Heptagon Oy | Optical module for a camera device, baffle substrate, wafer scale package, and manufacturing methods therefor |
TWI505703B (zh) * | 2007-12-19 | 2015-10-21 | Heptagon Micro Optics Pte Ltd | 光學模組,晶圓等級的封裝及其製造方法 |
US8488046B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-07-16 | Digitaloptics Corporation | Configurable tele wide module |
US20090225162A1 (en) * | 2008-03-06 | 2009-09-10 | Lustrous International Technology Ltd. | Monitoring apparatus |
JP5020375B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-09-05 | 京セラ株式会社 | 撮像モジュール |
KR100956380B1 (ko) * | 2008-08-06 | 2010-05-07 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 및 이의 제조방법 |
KR100950917B1 (ko) * | 2008-08-06 | 2010-04-01 | 삼성전기주식회사 | 카메라 모듈 및 이의 제조방법 |
KR20100058345A (ko) * | 2008-11-24 | 2010-06-03 | 삼성전자주식회사 | 카메라 모듈 형성방법 |
US20120012989A1 (en) * | 2009-02-23 | 2012-01-19 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Method of manufacturing semiconductor wafer bonding product, semiconductor wafer bonding product and semiconductor device |
SG173830A1 (en) * | 2009-02-23 | 2011-09-29 | Sumitomo Bakelite Co | Semiconductor wafer bonding product, method of manufacturing semiconductor wafer bonding product and semiconductor device |
US8193599B2 (en) * | 2009-09-02 | 2012-06-05 | Himax Semiconductor, Inc. | Fabricating method and structure of a wafer level module |
JP5771901B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-09-02 | 株式会社リコー | 撮像装置 |
TWI414060B (zh) * | 2010-09-17 | 2013-11-01 | Kingpak Tech Inc | 模造成型之免調焦距影像感測器構裝結構及其製造方法 |
ES2793373T3 (es) * | 2010-12-30 | 2020-11-13 | Alltec Angewandte Laserlicht Tech Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Aparato sensor |
US9640574B2 (en) * | 2010-12-30 | 2017-05-02 | Stmicroelectronics Pte. Ltd. | Image sensor circuit, system, and method |
TWI414062B (zh) * | 2011-02-24 | 2013-11-01 | Kingpaktechnology Inc | 降低透光板傾斜度之影像感測器製造方法 |
US8605211B2 (en) | 2011-04-28 | 2013-12-10 | Apple Inc. | Low rise camera module |
US8710461B2 (en) * | 2011-09-12 | 2014-04-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Assembly for providing an aligned stack of two or more modules and a lithography system or a microscopy system comprising such an assembly |
KR20130030067A (ko) * | 2011-09-16 | 2013-03-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 카메라 모듈 및 그가 설치되어 있는 휴대용 단말기 |
US10078007B2 (en) * | 2011-12-14 | 2018-09-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared sensor |
US8513757B1 (en) | 2012-06-08 | 2013-08-20 | Apple Inc. | Cover for image sensor assembly with light absorbing layer and alignment features |
EP2927959A4 (en) * | 2012-12-03 | 2016-03-09 | Fujifilm Corp | SEMICONDUCTOR IMAGE CAPTURE ELEMENT RETENTION SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR IMAGE CAPTURE DEVICE |
JP5632031B2 (ja) * | 2013-03-06 | 2014-11-26 | セイコーインスツル株式会社 | 電子部品パッケージの製造方法 |
KR20160032221A (ko) * | 2013-07-18 | 2016-03-23 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 발광 디바이스들의 웨이퍼의 다이싱 |
US9826131B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-11-21 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Compact camera module arrangements that facilitate dam-and-fill and similar encapsulation techniques |
US9902092B2 (en) * | 2013-11-26 | 2018-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Vacuum carrier module, method of using and process of making the same |
WO2015175517A1 (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Devices and methods for processing singulated radio-frequency units |
EP3446338A4 (en) | 2016-03-23 | 2019-06-05 | AMS Sensors Singapore Pte. Ltd. | OPTOELECTRONIC MODULE ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING |
DE102016208547A1 (de) * | 2016-05-18 | 2017-11-23 | Robert Bosch Gmbh | Kameramodul für ein Fahrzeug |
WO2017220152A1 (en) | 2016-06-23 | 2017-12-28 | Sandvik Intellectual Property Ab | Wear resistant funnel sheet element for material guide chute |
US10462377B2 (en) | 2016-07-29 | 2019-10-29 | Nokia Of America Corporation | Single-aperture multi-sensor lensless compressive image acquisition |
US20180035046A1 (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Xin Yuan | Block-based lensless compressive image acquisition |
JP6949515B2 (ja) * | 2017-03-15 | 2021-10-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | カメラモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器 |
US20180315894A1 (en) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package and a method of manufacturing the same |
US20190027531A1 (en) * | 2017-07-19 | 2019-01-24 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor module having protective structure |
CN107481946B (zh) * | 2017-08-21 | 2019-09-10 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种cis器件的封装方法及结构 |
WO2019044172A1 (ja) * | 2017-08-29 | 2019-03-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および、撮像装置の製造方法 |
JP6971826B2 (ja) * | 2017-12-18 | 2021-11-24 | 新光電気工業株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US10998361B2 (en) * | 2018-09-22 | 2021-05-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Image-sensor package and associated method |
FR3086459B1 (fr) | 2018-09-25 | 2021-10-29 | St Microelectronics Grenoble 2 | Dispositif electronique comprenant une puce optique et procede de fabrication |
FR3086460B1 (fr) | 2018-09-25 | 2021-10-29 | St Microelectronics Grenoble 2 | Dispositif electronique comprenant une puce optique et procede de fabrication |
KR20230157536A (ko) * | 2019-03-08 | 2023-11-16 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 접속 구조체의 제조 방법, 및 접속 구조체, 그리고 필름 구조체, 및 필름 구조체의 제조 방법 |
JP7252048B2 (ja) * | 2019-04-25 | 2023-04-04 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | センサ装置およびセンサ装置の製造方法 |
CN111816712A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-10-23 | 山东盛品电子技术有限公司 | 一种预制滤波片盖板、光电器件的封装结构及方法 |
KR20220063964A (ko) * | 2020-11-11 | 2022-05-18 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지 |
FR3118294A1 (fr) * | 2020-12-18 | 2022-06-24 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Dispositif optoélectronique |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5400072A (en) | 1988-12-23 | 1995-03-21 | Hitachi, Ltd. | Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip |
US5624512A (en) * | 1992-10-02 | 1997-04-29 | United Technologies Corporation | Method of curing composite articles using conformable vacuum bags |
JP3037163B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2000-04-24 | キヤノン株式会社 | 光学素子支持装置、光学機器及びステッパー |
US6483101B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Molded image sensor package having lens holder |
JP2001245217A (ja) | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Olympus Optical Co Ltd | 小型撮像モジュール |
JP3429246B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2003-07-22 | 株式会社三井ハイテック | リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
US6492774B1 (en) | 2000-10-04 | 2002-12-10 | Lam Research Corporation | Wafer area pressure control for plasma confinement |
US20040012698A1 (en) | 2001-03-05 | 2004-01-22 | Yasuo Suda | Image pickup model and image pickup device |
US6660562B2 (en) | 2001-12-03 | 2003-12-09 | Azimuth Industrial Co., Inc. | Method and apparatus for a lead-frame air-cavity package |
US7074638B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-07-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state imaging device and method of manufacturing said solid-state imaging device |
US20040038442A1 (en) * | 2002-08-26 | 2004-02-26 | Kinsman Larry D. | Optically interactive device packages and methods of assembly |
US20050247990A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Ming-Te Cheng | Image sensor packages and method of assembling the same |
-
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