JP5223001B2 - 磁気センサ - Google Patents
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Description
同一基板に、下側磁気抵抗効果素子と、上側磁気抵抗効果素子とが絶縁中間層を介して積層され、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子はともに、磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性層を介して積層された外部磁場を受けて磁化方向が変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層の前記非磁性層とは反対側の面に形成され、前記固定磁性層との間で磁場中熱処理により交換結合磁界を生じさせる反強磁性層と、を有する積層構造を備えており、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子の少なくともどちらか一方の前記固定磁性層は、複数の磁性層と前記磁性層の間に介在する非磁性中間層との積層フェリ構造で構成されており、前記下側磁気抵抗効果素子を構成する固定磁性層と前記上側磁気抵抗効果素子を構成する固定磁性層の層構成が異なっており、
前記下側磁気抵抗効果素子を構成する前記固定磁性層の前記非磁性層との当接層の磁化方向と、前記上側磁気抵抗効果素子を構成する前記固定磁性層の前記非磁性層との当接層の磁化方向とが反平行になっていることを特徴とするものである。
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子のどちらか一方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が奇数であり、他方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が偶数であることが好ましい。また、前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子のどちらか一方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が3であり、他方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が2であることがより好ましい。これにより、各磁気抵抗効果素子の素子高さを最小限に抑えつつ、固定磁性層からフリー磁性層への漏れ磁界の影響を弱めることができ、検出精度を向上させることができる。また固定磁性層の磁化固定力を強めることができる。
11 基板
13,14 下側磁気抵抗効果素子
15,16 上側磁気抵抗効果素子
17 絶縁中間層
18 保護層
20,21 出力電極
22 入力電極
23,24 グランド電極
25,30,31 導電層
26 下側積層膜
27 上側積層膜
18a,29,33 凹部
41 反強磁性層
42,49 固定磁性層
43 非磁性層
44 フリー磁性層
46,48,50,52,54 (固定磁性層を構成する)磁性層
47,51,53 非磁性中間層
Claims (10)
- 磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、
同一基板に、下側磁気抵抗効果素子と、上側磁気抵抗効果素子とが絶縁中間層を介して積層され、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子はともに、磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性層を介して積層された外部磁場を受けて磁化方向が変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層の前記非磁性層とは反対側の面に形成され、前記固定磁性層との間で磁場中熱処理により交換結合磁界を生じさせる反強磁性層と、を有する積層構造を備えており、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子の少なくともどちらか一方の前記固定磁性層は、複数の磁性層と前記磁性層の間に介在する非磁性中間層との積層フェリ構造で構成されており、前記下側磁気抵抗効果素子を構成する固定磁性層と前記上側磁気抵抗効果素子を構成する固定磁性層の層構成が異なっており、
前記下側磁気抵抗効果素子を構成する前記固定磁性層の前記非磁性層との当接層の磁化方向と、前記上側磁気抵抗効果素子を構成する前記固定磁性層の前記非磁性層との当接層の磁化方向とが反平行になっており、
前記絶縁中間層は、第1の絶縁層、第2の絶縁層及び第3の絶縁層の積層構造で形成されることを特徴とする磁気センサ。 - 前記第1の絶縁層及び前記第3の絶縁層は、Al2O3層で形成され、前記第2の絶縁層は、SiO2層又はSiN層で形成される請求項1記載の磁気センサ。
- 前記第2の絶縁層の膜厚は5000Å以上で20000Å以下である請求項1又は2に記載の磁気センサ。
- 前記第2の絶縁層の膜厚は10000Å以上で15000Å以下である請求項3記載の磁気センサ。
- 前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子がともに積層フェリ構造であり、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子のどちらか一方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が奇数であり、他方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が偶数である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の磁気センサ。 - 前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子のどちらか一方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が3であり、他方の前記固定磁性層を構成する前記磁性層の数が2である請求項5記載の磁気センサ。
- 前記絶縁中間層の表面が平坦化処理されており、前記絶縁中間層の平坦化面上に前記上側磁気抵抗効果素子が形成されている請求項1ないし6のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 前記基板の同一面内に、複数の前記下側磁気抵抗効果素子と、複数の前記上側磁気抵抗効果素子と、入力電極と、グランド電極と、第1の出力電極と、第2の出力電極とが形成され、前記下側磁気抵抗効果素子と前記上側磁気抵抗効果素子とが各電極に接続されてブリッジ回路を構成している請求項1ないし7のいずれか1項に記載の磁気センサ。
- 平面視にて、複数の前記下側磁気抵抗効果素子及び複数の前記上側磁気抵抗効果素子はX方向に並設されており、前記磁気抵抗効果素子を介して、前記X方向に直交するY方向の両側位置の一方に、前記入力電極と前記グランド電極とがX方向に並設され、他方に、前記第1の出力電極と、前記第2の出力電極とがX方向に並設されている請求項8記載の磁気センサ。
- 磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサであって、
同一基板に、下側磁気抵抗効果素子と、上側磁気抵抗効果素子とが絶縁中間層を介して積層され、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子はともに、磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性層を介して積層された外部磁場を受けて磁化方向が変動するフリー磁性層と、前記固定磁性層の前記非磁性層とは反対側の面に形成され、前記固定磁性層との間で磁場中熱処理により交換結合磁界を生じさせる反強磁性層と、を有する積層構造を備えており、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子の少なくともどちらか一方の前記固定磁性層は、複数の磁性層と前記磁性層の間に介在する非磁性中間層との積層フェリ構造で構成されており、前記下側磁気抵抗効果素子を構成する固定磁性層と前記上側磁気抵抗効果素子を構成する固定磁性層の層構成が異なっており、
前記下側磁気抵抗効果素子を構成する前記固定磁性層の前記非磁性層との当接層の磁化方向と、前記上側磁気抵抗効果素子を構成する前記固定磁性層の前記非磁性層との当接層の磁化方向とが反平行になっており、
前記下側磁気抵抗効果素子及び前記上側磁気抵抗効果素子の双方と接続される電極は、前記下側磁気抵抗効果素子から延出して形成された前記下側磁気抵抗効果素子と同じ層構成の下側積層膜及び前記上側磁気抵抗効果素子から延出して形成された前記上側磁気抵抗効果素子と同じ層構成の上側積層膜が前記絶縁中間層を介して積層された積層部を有し、前記電極には、前記上側積層膜の側面から前記下側積層膜まで露出する凹部が設けられ、前記凹部内に埋め込まれた導電層と、前記上側積層膜及び前記下側積層膜とが電気的に接続されていることを特徴とする磁気センサ。
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