JP5151400B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 155
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 170
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 47
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 47
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 25
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 18
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002710 Au-Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
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- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
- H01S2304/12—Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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Description
半導体基板上に設けられた半導体の素子構造に、第1の補助溝を形成する工程と、半導体素子構造に第2の補助溝を形成する工程と、第1の補助溝及び第2の補助溝に沿う分割方向に、半導体基板及び半導体素子構造を分割する工程と、を備え、分割方向において、第2の補助溝が分離して複数設けられると共に、複数の第2の補助溝の内、少なくとも1組の隣接する第2の補助溝間に、少なくとも2つの第1の補助溝が互いに離間されて設けられると共に、分割工程において、2つの第1の補助溝の離間領域を分割する半導体素子の製造方法である。
第2の補助溝が、第1の補助溝より深い溝である。
第1の補助溝が素子構造途中までの深さ、第2の補助溝の深さが基板に達する深さである。
第2の補助溝が、分割方向において、第2の補助溝に隣接する第1の補助溝より長い。
第2の補助溝が、第1の補助溝より幅広である。
第2の補助溝が第1の補助溝に連通する。
分割方向において、第2の補助溝と両端に連通する第1の補助溝を単位とする第1,2の補助溝単位が、離間領域で分離されて複数設けられている。
第2の補助溝がレーザ加工により形成される。
第2の補助溝を形成する工程において、第1の補助溝の上に、第1の補助溝より短い第2の補助溝を形成する。
半導体素子構造が、第1導電型半導体層、活性層、第2導電型半導体層を少なくとも積層したレーザ素子構造である。
第1の補助溝が、上面側の第2導電型半導体層から第1導電型半導体層を露出させて設けられている。
分割工程により、2つの第1の補助溝の離間領域に、レーザ素子の共振器面を形成する。
半導体素子が、窒化物半導体レーザ素子であり、基板がGaN基板であり、2つの第1の補助溝の離間領域にレーザ出射端部を有する。
図1は、レーザ素子の共振器端面を形成する例を示すものであり、共振器方向のリッジ14に対して、それに略垂直な分割位置LBで基板及び半導体素子構造を分割する例を示す。図1(a)は、半導体ウエハの上面一部を模式的に示すものであり、図1(b),(c)は、その模式図のAA断面、BB断面の模式的に示すものである。
すなわち、第2の補助溝が幅広な溝幅であることで、分割、劈開の方向の傾き若しくはそれらの位置のズレに広く対応でき、第1の補助溝がそれより幅狭な溝幅であることで、第2の補助溝による矯正により、第1の補助溝で矯正可能な範囲に導入され、その第2の補助溝より細かな分割、劈開の方向の傾き若しくはその位置ズレの矯正を可能とする。従って、そのような第1,2の補助溝の機能を効果的に結合して、高い精度の分割を実現するには、図1,2C,3,4に示すように、隣接する第1の補助溝16B, 16C(30B, 30C)の離間領域に分割領域1〜3を設けることである。また、同図に示すように、その分割領域を挟む第1の補助溝に隣接して第2の補助溝17(31)を設けることで分割、劈開の広範囲の矯正を可能ならしめ、好ましくは、隣接する第2の補助溝間に、その分割領域を挟む2つの第1の補助溝を設けることである。
ここで、近くに配置とは、図1に示すように第1,2の補助溝が相互に結合する形態の他、図4に示すように隣接する第1,2の補助溝が互いに分離して配置される場合には、配列方向で各溝の離間距離、具体的には第1の補助溝において隣接する第1の補助溝の離間距離、第2の補助溝における隣接する第2の補助溝の離間距離、のいずれか長い方、好ましくは両方に対して、それより短い距離(離間領域4)で、更に好ましくは分割領域1よりも短い距離で、第1,2の補助溝が離間して配置されることである。
また、上述したように、第1の補助溝、第2の補助溝は、その性質の違いにより、各溝の間隔も相違する。具体的には、第2の補助溝は、深溝、若しくは幅広な溝であることで、上述したように、その機能上、その第2の補助溝同士の間隔は、第1の補助溝同士の間隔よりも広くとることができる。溝長さ(分割方向)においても同様に第1,2の補助溝において、その長さを異ならせることができる。具体的には、第1の補助溝は、図2Bのように、また上述したように、その機能上、溝長さを比較的長くする方が良く、また図1,3などに示すように、具体的には第2の補助溝を介して互いに連結された第1の補助溝16B,30C(30B,30C)と残部16A(30A)の両端部間距離を、第2の補助溝より長くする、更に好ましくはそれら溝部の長さの総和を第2の補助溝より長くすることが好ましい。他方、第2の補助溝は、上述したように、その第2の補助溝同士の間隔が広めにとられるため、一つ一つの溝長さは、第1の補助溝より長いことが機能上好ましい。
上述したように、第1,2の補助溝は、各溝の形態、溝幅、溝深さ、により、各機能を有し、それによって、特に第2の補助溝において深溝、若しくは幅広な溝幅、好ましくは両者を備えた溝であることによって、上記結晶性、劈開性に難のある基板、すなわち予定線LBからのズレが大きな基板、において、その修正に効果的に機能する。例えば、後述するレーザ素子の実施形態、実施例における転位束領域、若しくは高転位密度領域などで、それを横断する分割予定線の場合には、その転位束領域横断時に、分割位置の方向が転換されたり、位置が変位したり、することで、その分割ズレの傾向が変化する傾向が観られる。これに対して、第2の補助溝により、その領域における分割ズレ傾向を抑えたり、その領域を分断する溝を設けてそれを抑えたり、することができる。具体的には、その転位束領域に並設して、若しくは一部が重なり合って第2の補助溝を設けて、その領域による分割ズレへの影響を小さく抑えたり、その領域の半分以上、好ましくは全部に重なって、更に好ましくはその領域を分断するように第2の補助溝を設けて、分割がその領域を横断する幅、その影響を小さくしたり、することである。第1の補助溝についてもその転位束、高転位密度領域に対して、それに近接、その上に重なって設けて、その領域による影響を抑えることができるが、上述の通り、その機能は第2の補助溝より小さいため、好ましくは第2の補助溝と組み合わせて用いること、例えば、その領域に対して、一部、好ましくは全部に重なり合って、互いに連通する第1,2の補助溝とを設けること、更に好ましくはその領域を横断する第2の補助溝とそれに連通する第1の補助溝を設けることで、各溝の効果を最大限に引き出すことができ好ましい。
また、図4では、第2の補助溝の長手方向を分割予定線LB方向と異なる方向、具体的にはそれに略垂直な方向としているが、上記転位領域と似通った領域として機能に着目すれば、すなわち分割予定線LB方向への分割補助よりその機能を優先する場合に好ましい形態となる。
第1の補助溝16の幅(分割方向bbに略垂直な方向の長さ)は特に限定されるものではないが、例えば、1〜5μm程度が挙げられる。長さ(分割方向bb)は、特に限定されないが、3〜10μm程度が挙げられる。
また、後述するように第2の補助溝をレーザ加工により形成すると、比較的に分割性、劈開性の強い溝となる傾向にある。具体的には、実施例2などに示すように、3〜80μmの範囲で分割可能であり、好ましくは、3〜50μmの範囲、更に好ましくは5〜40μmの範囲である。この範囲における浅い領域、例えば深さ3μm、では、基板上の半導体素子構造の膜厚と同程度か、それよりも浅くなる場合があるが、そのような場合でも、分割することができる。
各溝の形状は特に限定されないが、平面視において、例えば矩形状、正方形状、円形状楕円形状、三角形などの尖形状、多角形状、など種々の形状とでき、図1,3などに示すように、分割予定線LB方向に長手方向を有する長手形状、例えば長方形状、長楕円形状、トラック形状、尖形状が好ましい。分割断面においては、特に限定されないが、例えば、図1,3に示すように矩形状、台形状が好ましく、その他、多角形状、円形状などとすることもできる。
具体的には、素子領域15間を一部若しくは全部分離する分離溝、分割方向若しくは位置に露出される分割露出領域などを設けることができる。具体的には、図3の例に示すように、第2の補助溝31形成領域の島状部28と、それを囲む囲み溝29B、分割線LBに略垂直な露出領域29Aがある。ここで図3は、図1(a)の領域Cに対応する領域の別形態を示す。露出領域29Aは、素子領域15を分離、具体的には分割線LB方向の素子領域15を互いに分離、する分離溝として機能し、電気的な分離の他、分割時の分離溝、として機能させることができる。特に分割時の分離溝としては、その露出領域29Aにスクライバーなどの罫書きを設けて分割することもできる。また、囲み溝29B、島状部28は、その領域内に第2の補助溝31を設け、その溝形成による上述したような損傷が素子(領域15)へ与える影響を抑える機能を有する。この時、囲み溝は、図示するように溝領域の略全域を囲むことが好ましいが、一部が囲まれる形態、特に素子領域と溝が対向する領域が分断されるように設けられる形態でも良い。島状部28は、図示するように溝部30Aなどにより分離されていても良く、島状部28内の溝領域31から残された領域が保護壁の役割を果たし、上記囲み溝部とこの保護壁とにより、溝加工による汚染、損傷、それによるリークから保護する効果を高められる。このため、島状部も囲み溝部と同様に、溝31の略全域を囲むように、残し島状部があることが好ましく、一部領域に残し島状部が、特に素子領域と溝が対向する領域を分断するように設けられる形態でも良い。また島状部、その残し領域は、囲み溝29B、分離領域29Aと、第2の補助溝との間で、第2の補助溝側に配置されることが好ましい。
図3の例では、各領域、第1の補助溝31、分離領域29は、同一の露出領域として相互に接続されているが、互いに分離されていても良く、後述の実施例では同一工程で形成しているが、別々の工程で形成することもできる。
本発明の窒化物半導体レーザ素子の製造方法を行うために、まず、基板上に、第1導電型窒化物半導体層、活性層及び第2導電型窒化物半導体層が形成された積層体の素子構造を用いる。具体的な構造は、基板の第1主面上に素子構造が設けられ、基板の第2主面に電極が形成される。
その一例として、転位密度が面内でストライプ状に周期的に分布しているもの、極性が異なる領域が分布しているもの、例えば、上記第1領域と第2領域とで、ストライプ状に極性が分断されていてもよい。ここで、低転位密度領域とは、単位面積当たりの転位数が1×107/cm2以下、好ましくは1×106/cm2以下の領域であり、高転位密度領域とは、これよりも転位密度が高い領域であればよい。その基板のストライプ状分布の寸法としては、第1領域の幅は10μm〜500μm、さらに100μm〜500μm、第2領域の幅は2μm〜100μm、10μm〜50μmが挙げられる。ストライプ形状は、ストライプ方向に破線状に各領域が分布しても良い。これらの転位測定はCL観察やTEM観察等で行うことができる。
なお、基板上には、レーザ素子として機能する積層体を形成する前に、バッファ層、中間層等(例えば、AlxGa1−xN(0≦x≦1)等)を設けても良い。
積層体は、第1導電型半導体層及び/又は第2導電型半導体層に光ガイド層を有して、SCH(Separate Confinement Heterostructure)構造とすることができる。第1導電型半導体層の光ガイド層と第2導電型半導体層の光ガイド層とは、互いに組成及び/又は膜厚が異なる構造であってもよい。また、光ガイドは、一方の導電型半導体層側、特に第2導電型層側、両方を省略することもできる。
第1のp型半導体層は、p側電子閉じ込め層として、p型不純物を含有したAlxGa1−xN(0≦x≦0.5)を形成する。第2のp型半導体層は、光ガイド層として、InGaN、AlGaN、GaNで形成できる。第3のp型半導体層は、クラッド層として、p型不純物を含有したAlxGa1−xN(0≦x≦0.5)で形成することができ、その他にGaN若しくはAlGaNと、AlGaNとからなる超格子の多層膜構造であることが好ましい。第4のp型半導体層は、コンタクト層として、p型不純物を含有したAlxGa1−xN(0≦x≦1)で形成できる。なお、第1のp型半導体層、第2のp型半導体層は省略可能である。各層の膜厚は、3nm〜5μm程度が適当である。
露出領域29A, 29Bは、例えば、図1,3(a)に示すように、積層体表面においてレーザ素子を形成する領域15の外縁の一部、全部を囲むように形成される。分離領域29Aは、共振器方向に対して略平行に、素子領域に隣接する片側又は両側の領域に形成される。これにより、例えば、積層体の第2導電型窒化物半導体層は、素子領域15と島状部28とに分離される。素子領域15とは、主に積層体のうちレーザ素子として機能する領域であり、素子構造の積層体を有し、その積層体内に光導波路を有する領域を指す。
露出領域29A, 29Bは、第2導電型窒化物半導体層側から、少なくとも第2導電型窒化物半導体層及び活性層を除去することによって形成される。また、任意に第1導電型窒化物半導体層、さらには基板の一部を除去することにより形成することもできる。これらの層の除去は、リッジの形成と同様に、所望のマスクパターンを形成し、それをマスクとして積層体の厚み方向にエッチングすることにより実現できる。
島状部は、第1の補助溝30Cよりも素子領域外側に配置されることが好ましい。以上のような露出領域は、基板上への積層体形成による応力、ひずみの発生、ウエハに反りの発生に対して、露出領域で積層体を一部除去することによって、それらを緩和することができる。特に、共振器、リッジ24等の素子領域15の中心付近の積層体を除去することによって、クラックの発生を抑制しながら効果的に反りを緩和でき、製造工程上のウエハのハンドリングを円滑に行うことができ、安定した品質のレーザ素子を効率的に製造することが可能となる。
島状部による素子間、素子領域と第2の補助溝間における電気的、物理的分離の作用により、例えば二次分割時や以降の工程でチップ側面にごみの付着等が発生しても、上述したように素子領域と島状部とが絶縁されているため、リーク電流の発生および、その部分からの結晶の破壊を阻止することができる。
さらに、素子領域において、第1の補助溝は、分離露出領域29Aから離間して配置してもよいし、図3に示すように、露出領域に連結するように配置してもよい。リッジ部24から離間して、リッジを挟んで、その共振器端面が設けられる分割領域2を挟んで配置されるが好ましい。
リッジの形成は、窒化物半導体層上にマスクパターンを形成し、このマスクを用いてエッチングすることにより形成することができる。マスクは、例えば、レジスト、SiO2等の酸化膜、SiN等の窒化膜を、例えば、CVD装置等を用いて形成し、この膜をフォトリソグラフィ及びエッチング工程等の公知の方法を利用して、所望の形状に形成することができる。マスクの膜厚は、リッジが形成された後に、リッジ上に残存するマスクが、後の工程でリフトオフ法により除去することができるような膜厚であることが適当である。例えば、0.1〜5.0μm程度が挙げられる。パターニングは、例えば、RIE法等を用いることが好ましく、この際のエッチングは、ハロゲン系ガスを用いて行うことが適している。例えば、Cl2、CCl4、SiCl4及び/又はBCl3等のような塩素系のガス、CF4、CHF3、SiF4等のようなフッ素系等のガスを用いて行うことが適している。その後、マスクパターンを利用して、窒化物半導体層をエッチングすることによりリッジ(図1及び図2中、14参照)を形成する。エッチングは、RIE法を用い、例えば、塩素系のガスを用いることが適している。尚、リッジは、露出領域及び各補助溝の形成前後のいずれの段階で形成してもよい。
また、レーザ素子構造として、リッジ導波路に代えて、若しくはリッジを有して電流狭窄層を用いる構造でもよい。その他のレーザ素子構造を用いることもできる。
また、上述したように、結晶欠陥、転位密度等の比較的多い領域(第1,2領域の分布)を有するような窒化物半導体基板を用いる場合には、それにより意図しない方向への劈開により素子が破損することがあるが、第2の補助溝を設けることにより、このような破損を抑制し、劈開歩留まりを向上させることができる。
第2の補助溝は、基板(ウエハ)上にレーザ素子の素子領域が、共振器方向又はそれに略直交する方向にあるいは格子状に複数形成される場合には、基板全体にわたって、この工程で一度に形成することが好ましい。このように、第2の補助溝を形成する場合には、ウエハ全体の溝形成部分を、ウエハ単位で画像認識することができるために、一回の操作によって、ウエハ上の全部の素子領域に対して第2の補助溝を形成することができる。そのため、加工工程を簡略化し、ウエハ全体に第2の補助溝を形成するのにかかる加工時間の短縮を図ることが可能となる。
任意の段階で、例えば、n電極を形成する前に、基板の第2主面を研磨することが好ましい。さらに、n電極は、基板の第2主面に、部分的又は全面に、n電極を形成することが好ましい。n電極は、例えば、スパッタ法、CVD、蒸着等で形成することができる。n電極の形成には、リフトオフ法を利用することが好ましく、n電極を形成した後、300℃程度以上でアニールを行うことが好ましい。n電極としては、例えば、総膜厚が1μm程度以下で、基板側から、V(膜厚10nm)−Pt(膜厚200nm)−Au(膜厚300nm)、Ti(同10nm)−Al(同500nm)、Ti(同6nm)−Pt(同100nm)−Au(300nm)、その他、Ti−Mo−Pt−Au、Ti−Hf−Pt)−Au、W−Pt−Au、W−Al−W−Au、等の膜が例示される。なお、n電極は、後述するレーザスクライブ溝上及び/又は後述する共振器端面形成のための劈開線又はスクライブ領域等に対向する基板の第2主面領域を露出させてn電極を区画することが好ましい。なお、n電極は、基板の第2主面でなく、この段階又はそれ以降の任意の段階で、第1導電型半導体層の露出領域に形成してもよい。
その後又は任意の段階で、反応容器内において、ウエハを窒素雰囲気中、700℃程度以上の温度でアニールして、p型半導体層を低抵抗化してもよい。
これによって、半導体レーザ素子の1単位を構成するチップを得ることができる。
本発明の実施例1として、以下にレーザ素子の構造、及びその製造方法を説明する。
まず、厚さ400μmのn型GaNからなる半導体基板をMOVPE反応容器内にセットし、以下の窒化物半導体層を積層して、素子構造を形成する。基板表面はC面であり、下記半導体結晶をc軸成長させる。
第1導電型半導体層11として、Siを約1018/cm3ドープしたn−Al0.02Ga0.98Nよりなる第1層、Siを約1018/cm3ドープしたn−In0.04Ga0.96Nよりなる第2層を成長させ、その上にSiを約1018/cm3ドープしたAl0.11Ga0.89Nよりなるn型クラッド層、アンドープのAl0.06Ga0.94Nよりなるn側光ガイド層を成長させる。
次に活性層12として、Siを約1019/cm3ドープしたAl0.15Ga0.85Nよりなる障壁層と、アンドープのIn0.01Ga0.99Nよりなる井戸層と、Al0.15Ga0.85Nよりなる障壁層を成長させて、単一量子井戸(SQW)とする。
次に第2導電型半導体層13として、Mgを約1020/cm3ドープしたp型Al0.30Ga0.70Nよりなるp側電子閉込め層、アンドープAl0.06Ga0.94Nよりなるp側光ガイド層(p側電子閉込め層からのMgの拡散により、Mg濃度が約1017/cm3となる)、2.5nmのアンドープAl0.13Ga0.87N層とMg濃度約1019/cm3からなる2.5nmのAl0.09Ga0.91N層の対を120対、総膜厚0.6μmの超格子層よりなるp側クラッド層、Mgを約1020/cm3ドープした15nmのp型GaNよりなるp側コンタクト層を成長させる。
続いて、p側コンタクト層のリッジ最表面に、リッジよりも幅広のストライプ状で、上記保護膜を覆ってp側オーミック電極を形成し、その上に、p側オーミック電極と電気的に接続したp側パッド電極を形成する。
この例における各寸法は、共振器の長さが約600μm、分離露出領域29Aの幅が約30μm、第2の補助溝の幅(劈開方向)が約60μm、長さ(劈開方向に垂直な方向)が約10μm、第2の補助溝の両端部における第1の補助溝の幅(劈開方向)がそれぞれ約25μm、長さ(劈開方向に垂直な方向)が約1μm(第1の補助溝形成時の長さが約110μm)、補助溝の長手方向における第2の補助溝とリッジ14までの距離を約30μm、リッジを含む素子領域の幅が約140μmとする。
また、基板の裏面を研磨して厚さ約80μmとし、n型GaN基板の裏面(研磨面)にn側オーミック電極を形成する。
その後、GaN基板を、例えば、図1の分割予定線LBに沿って、劈開してウエハをバー状とし、そのレーザバーの劈開面に共振器面が得られる。
その後、共振器方向に略平行な方向に、例えば、図1のリッジ14方向に沿って、素子領域15間領域[図3に示す分離領域29A]で、分割し、バー状のウエハをチップ化する。
このレーザ素子は、第1,2の補助溝による分割工程における不良発生率は、第1の補助溝だけの分割工程のものに比して、その不良率を低く抑えることができ、その他のレーザ素子の特性は両者ともほぼ同等のものとすることができる。
実施例1と同様に、基板上に窒化物半導体層の素子構造を有するウエハを反応容器から取り出し、p側コンタクト層上に所望の形状のマスクパターンを形成し、このマスクパターンを用いて、p側コンタクト層側から、n側クラッド層の途中までエッチングし、補助溝30を形成する。実施例1とは異なり、n側クラッド層の露出領域の形成により、図3に示すように、島状部28と、その島状部28に挟まれて、前記露出領域29Bにより分離され、素片化された3つの第1の補助溝30A〜30Cを形成している。ここで、露出領域29Bは、第2の補助溝31を囲むように設けられ、素子領域15間及び第2の補助溝と素子領域15の間で互いを分離している。ここで、露出領域29Aの幅(劈開方向の長さ)を約30μmとし、露出領域内において、2つの島状部の幅(同上)はそれぞれ約62μm、約12μm幅で形成し、島状部28の長さ(劈開方向に垂直な方向)は、7μmで形成し、溝状の露出領域29及び第1の補助溝30の幅(劈開方向に垂直な方向)は約1μmとする。続いて、実施例1と同様に、リッジ24を形成して、その側面側の埋込層25(図3(b)に図示、図3(a)に不図示)と、その埋込層25及びリッジ24の上にp電極26(図3(a)に図示、図3(b)に不図示)、p電極26上にパッド電極27(同左)を形成する。次に、実施例1と同様に、第2の補助溝31を第1の補助溝の幅方向一部に形成し、その両端部に実施例1と同様の第1の補助溝30B, 30Cを残し、中央部30Aをその第2の補助溝31内として配置し、その両端部の第1の補助溝の幅30B, 30C及び第2の補助溝31とリッジとの距離を実施例1と同様として形成する(図3(a),(b))。
次に、実施例1と同様に、点線で基板及び素子構造を劈開して、共振器端面を有するレーザバーを形成し、その端面に上記誘電体膜等の端面膜を形成し、上記露出領域29Aの中央部で、ここでは大きさの異なる島状部間の溝状の露出領域に沿って、レーザバーを分割して、チップ化して、レーザ素子を作製する。
実施例2において、第2の補助溝を形成せずに、劈開する他は同様にして、レーザ素子を作製する。
このようにして、得られる比較例1のレーザ素子は、上記劈開工程における不良率が、約10〜40%となり、これは、基板の結晶性のバラツキに応じて変化したものと考えられる。最も悪いもので、不良率約60%となるものもある。
一方、上記実施例2においては、第2の補助溝の深さ、長さにも依るが、不良率を5%以下に抑えることができる。その他のレーザ素子の特性、寿命試験、CODレベル、ESD特性は同等のものが得られ、このことから、レーザスクライブによる破損等の影響がほとんど無いことがわかる。
実施例2において、第2の補助溝の深さを約13μm、約23μm、約33μmとし、その他は同様としてレーザ素子と、比較例1の素子を作製し、上記劈開工程の不良率、レーザ素子の上記各特性を評価すると、いずれの深さのレーザ素子も、不良率、各特性は、ほぼ同等のものが得られる。尚、比較例1の素子では、不良率約30%となる。
実施例1において、半導体基板として、転位束領域をストライプ状に分布して有し、2つのリッジを挟んでその領域が配置されるものを用い、第2の補助溝をその領域に対して、それより幅広な溝長さ(分割方向の長さ)に、その領域を分断して設ける他は、実施例1と同様に形成する。
このように、基板面内に、結晶性の大きく異なる領域、それを複数横断する分割において、その領域の両側の素子領域を架橋するような第2の補助溝を形成することにより、その領域横断の分割による悪影響を抑えることができる。
16(16A,16B),30(30A,30B,30C)…第1の補助溝、
17,31…第2の補助溝、
25…埋込層、 26…第2電極、 27…パッド電極(第2電極)、 28…島状部、 29(29A,29B)…露出領域
Claims (7)
- 基板上に、リッジを有する半導体素子構造を形成する工程と、
前記リッジの両側において、前記リッジから離間し、前記リッジと直交する方向に延びる第1の補助溝を形成する工程と、
前記第1の補助溝よりも前記リッジから離れた位置に、前記第1の補助溝に重なり、かつ、前記第1の補助溝よりも深い第2の補助溝を形成する工程と、
前記第1の補助溝及び前記第2の補助溝に沿う方向に、前記基板及び前記半導体素子構造を分割する工程と、を備える半導体素子の製造方法。 - 前記第1の補助溝がエッチングで形成され、前記第2の補助溝がレーザ加工により形成される請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の補助溝が前記半導体素子構造の途中までの深さであり、前記第2の補助溝が前記基板に達する深さである請求項1又は2に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の補助溝が、第1の補助溝より幅広である請求項1乃至3のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1の補助溝は前記第2の補助溝の両端に連通するように設けられている請求項1乃至4のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の補助溝を形成する工程において、第1の補助溝の上に、該第1の補助溝より短い第2の補助溝を形成する請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記基板及び前記半導体素子構造は窒化物半導体からなる請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007286830A JP5151400B2 (ja) | 2007-11-04 | 2007-11-04 | 半導体素子の製造方法 |
KR1020080108460A KR101543466B1 (ko) | 2007-11-04 | 2008-11-03 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US12/289,767 US8062959B2 (en) | 2007-11-04 | 2008-11-03 | Method of manufacturing semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007286830A JP5151400B2 (ja) | 2007-11-04 | 2007-11-04 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009117494A JP2009117494A (ja) | 2009-05-28 |
JP5151400B2 true JP5151400B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=40670098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007286830A Active JP5151400B2 (ja) | 2007-11-04 | 2007-11-04 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8062959B2 (ja) |
JP (1) | JP5151400B2 (ja) |
KR (1) | KR101543466B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014217271A1 (de) | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
WO2023145763A1 (ja) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 京セラ株式会社 | レーザ素子の製造方法および製造装置、レーザ素子並びに電子機器 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101262226B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2013-05-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자의 제조방법 |
JP4793489B2 (ja) | 2009-12-01 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体レーザ素子を作製する方法 |
JP5573192B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2014-08-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4862965B1 (ja) | 2011-01-25 | 2012-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウェハ、半導体バー、半導体ウェハの製造方法、半導体バーの製造方法、半導体素子の製造方法 |
JP5961989B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2016-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
EP2607974A1 (fr) * | 2011-12-22 | 2013-06-26 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Procede de realisation d'un résonateur |
KR101926358B1 (ko) | 2012-02-17 | 2018-12-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 및 조명장치 |
JP2013171883A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
US9704718B2 (en) * | 2013-03-22 | 2017-07-11 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for manufacturing a silicon carbide device and a silicon carbide device |
JP6210415B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2017-10-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 紫外線発光素子の製造方法 |
EP3063794B1 (en) | 2013-10-29 | 2021-05-05 | Lumileds LLC | Separating a wafer of light emitting devices |
KR20160078460A (ko) * | 2013-10-29 | 2016-07-04 | 코닌클리케 필립스 엔.브이. | 반도체 디바이스들의 웨이퍼의 스크라이브 |
KR20150086689A (ko) * | 2014-01-20 | 2015-07-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
DE102014112902A1 (de) * | 2014-09-08 | 2016-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Laserchips |
DE102014117510A1 (de) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
DE102015116712A1 (de) | 2015-10-01 | 2017-04-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP2016189496A (ja) * | 2016-08-10 | 2016-11-04 | ソニー株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP6994835B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2022-01-14 | 株式会社サイオクス | 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板 |
DE102017117136B4 (de) | 2017-07-28 | 2022-09-22 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Laserdioden und Laserdiode |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0864906A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製法 |
JP3885092B2 (ja) | 1996-02-20 | 2007-02-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子およびその共振面の作製方法 |
JP3395631B2 (ja) | 1997-04-17 | 2003-04-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法 |
JP3449201B2 (ja) | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP3604550B2 (ja) | 1997-12-16 | 2004-12-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP3727187B2 (ja) | 1998-07-03 | 2005-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2000058972A (ja) | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP2003017791A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Sharp Corp | 窒化物半導体素子及びこの窒化物半導体素子の製造方法 |
CN1241253C (zh) | 2002-06-24 | 2006-02-08 | 丰田合成株式会社 | 半导体元件的制造方法 |
JP2004165226A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2004031526A (ja) | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 3族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2004165227A (ja) | 2002-11-08 | 2004-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP2004228290A (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004259846A (ja) | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Ogura Jewel Ind Co Ltd | 基板上形成素子の分離方法 |
JP2004303899A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶性基板の劈開方法 |
JP4266694B2 (ja) | 2003-04-28 | 2009-05-20 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子および光学装置 |
JP4873116B2 (ja) | 2003-07-11 | 2012-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法 |
TWI347054B (en) | 2003-07-11 | 2011-08-11 | Nichia Corp | Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device |
JP2006165407A (ja) | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
JP5056142B2 (ja) | 2006-05-11 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 |
-
2007
- 2007-11-04 JP JP2007286830A patent/JP5151400B2/ja active Active
-
2008
- 2008-11-03 KR KR1020080108460A patent/KR101543466B1/ko active IP Right Grant
- 2008-11-03 US US12/289,767 patent/US8062959B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014217271A1 (de) | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
WO2023145763A1 (ja) * | 2022-01-27 | 2023-08-03 | 京セラ株式会社 | レーザ素子の製造方法および製造装置、レーザ素子並びに電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090137098A1 (en) | 2009-05-28 |
JP2009117494A (ja) | 2009-05-28 |
US8062959B2 (en) | 2011-11-22 |
KR20090045877A (ko) | 2009-05-08 |
KR101543466B1 (ko) | 2015-08-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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