JP5144413B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号はそれが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
次に、実施の形態について更に詳述する。
101〜103,201〜203 抵抗
104,204 コンパレータ
105,205 コンパレータ
106,206 判定回路
107,207 チャージポンプ
500 マイクロコンピュータ
501 RAM
502 ROM
503 不揮発性メモリ
504 CPU
601 シーケンサ
602 内部電源回路
603 メモリセルアレイ
604 ロウ系回路
605 カラム系回路
606 CPUとのインタフェース論理
701,702,703 正電圧発生回路
704 負電圧発生回路
Claims (10)
- 不揮発性メモリを含む半導体装置であって、
上記不揮発性メモリは、上記不揮発性メモリの内部回路に供給される電圧を生成可能な内部電源回路を含み、
上記内部電源回路は、伝達された電圧検知信号に基づいて出力電圧レベルを制御可能な電圧生成回路と、
複数の抵抗が直列接続されることで複数のタップが形成され、上記電圧生成回路の出力電圧を分圧して上記複数のタップから出力可能な分圧回路と、
上記分圧回路における第1タップからの出力電圧と、基準電圧とを比較することで上記電圧検知信号を形成する第1コンパレータと、
上記第1タップよりも上記電圧生成回路の出力側に近いところに位置する第2タップからの出力電圧と、上記基準電圧とを比較する第2コンパレータと、
上記第2コンパレータの出力信号に基づいてレーザアタックの有無を判定可能な判定回路と、を含み、
上記判定回路は、上記電圧検知信号に基づいて、上記レーザアタックの有無の判定開始タイミングを決定することを特徴とする半導体装置。 - 上記判定回路は、マスク信号を取り込み、上記マスク信号がアサートされている期間中は、上記第1コンパレータからの電圧検知信号にかかわらず、レーザアタックの有無を判定しない請求項1記載の半導体装置。
- 上記不揮発性メモリのイレーズ動作期間中又はライト動作期間中に上記マスク信号をアサートするシーケンサを含む請求項2記載の半導体装置。
- 不揮発性メモリを含む半導体装置であって、
上記不揮発性メモリは、上記不揮発性メモリの内部回路に供給される電圧を生成可能な内部電源回路を含み、
上記内部電源回路は、伝達された電圧検知信号に基づいて出力電圧レベルを制御可能な電圧生成回路と、
複数の抵抗が直列接続されることでタップが形成され、上記電圧生成回路の出力電圧を分圧して上記タップから出力可能な分圧回路と、
上記分圧回路におけるタップからの出力電圧と、基準電圧とを比較することで上記電圧検知信号を形成するコンパレータと、
上記電圧検知信号をトリガとして、上記分圧回路におけるタップからの出力電圧が上記基準電圧に満たない期間を計測するタイマと、
上記タイマでの計測結果に基づいてレーザアタックの有無を判定可能な判定回路と、を含み、
上記判定回路は、上記電圧検知信号に基づいて、上記レーザアタックの有無の判定開始タイミングを決定することを特徴とする半導体装置。 - 上記判定回路は、マスク信号を取り込み、上記マスク信号がアサートされている期間中は、上記コンパレータからの電圧検知信号にかかわらず、レーザアタックの有無を判定しない請求項4記載の半導体装置。
- 上記不揮発性メモリのイレーズ動作期間中又はライト動作期間中に上記マスク信号をアサートするシーケンサを含む請求項5記載の半導体装置。
- 不揮発性メモリを含む半導体装置であって、
上記不揮発性メモリは、上記不揮発性メモリの内部回路に供給される電圧を生成可能な内部電源回路を含み、
上記内部電源回路は、伝達された電圧検知信号に基づいて出力電圧レベルを制御可能な電圧生成回路と、
それぞれ分離領域によって互いに分離された複数のトランジスタが直列接続されることで複数のタップが形成され、上記電圧生成回路の出力電圧を分圧して上記複数のタップから出力可能な分圧回路と、
上記分圧回路における第1タップからの出力電圧と、基準電圧とを比較することで上記電圧検知信号を形成する第1コンパレータと、
上記第1タップよりも上記電圧生成回路の出力側に近いところに位置する第2タップからの出力電圧と、上記基準電圧とを比較する第2コンパレータと、
上記第2コンパレータの出力信号に基づいてレーザアタックの有無を判定可能な判定回路と、を含み、
上記判定回路は、上記電圧検知信号に基づいて、上記レーザアタックの有無の判定開始タイミングを決定することを特徴とする半導体装置。 - 上記判定回路は、マスク信号を取り込み、上記マスク信号がアサートされている期間中は、上記第1コンパレータからの電圧検知信号にかかわらず、レーザアタックの有無を判定しない請求項7記載の半導体装置。
- 上記不揮発性メモリのイレーズ動作期間中又はライト動作期間中に上記マスク信号をアサートするシーケンサを含む請求項8記載の半導体装置。
- 上記分離領域には、上記電圧生成回路によって生成された電圧が供給される請求項7記載の半導体装置。
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