JP5143436B2 - 熱処理装置 - Google Patents
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Description
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
78 凹部
711〜716 ゾーン
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (3)
- 基板に対して閃光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板に閃光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプの下方に設けられ、前記フラッシュランプから出射された閃光を透過するチャンバー窓を上部に備えるチャンバーと、
基板を保持する熱処理用サセプタを載置し、前記チャンバー内にて前記熱処理用サセプタを介して基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、
を備え、
前記基板は円板形状を有し、
前記熱処理用サセプタは、平面視で前記基板の平面サイズよりも小径の円板形状の凹部を備え、
前記凹部の底面と前記熱処理用サセプタに保持された前記基板とが平行であり、
前記保持手段は、前記熱処理用サセプタに保持された前記基板を閃光照射前に予備加熱するホットプレートを備え、
前記ホットプレートは、前記基板の外縁部を予備加熱する円環形状の外縁部領域と、当該外縁部領域よりも内側の円形の内側領域とに分割され、前記外縁部領域と前記内側領域とを仕切る境界円の直径と前記凹部の直径との差は5mm以内であり、前記外縁部領域の温度が前記内側領域の温度よりも低いことを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記凹部の深さは0.15mm以上2.0mm以下であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1または請求項2記載の熱処理装置において、
前記凹部の直径は、前記基板の直径の80%以上99%以下であることを特徴とする熱処理装置。
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