JP5543123B2 - 熱処理用サセプタおよび熱処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す縦断面図である。熱処理装置1は基板として略円形の半導体ウェハーWにフラッシュ光を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態における熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーWの処理手順は第1実施形態と同様である。第2実施形態が第1実施形態と相違するのは、半導体ウェハーWを水平姿勢に保持して予備加熱を行う保持部の構成である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態における熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーWの処理手順は第1実施形態と同様である。第3実施形態が第1実施形態と相違するのは、半導体ウェハーWを水平姿勢に保持して予備加熱を行う保持部の構成である。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。第4実施形態における熱処理装置の全体構成および半導体ウェハーWの処理手順は第1実施形態と同様である。第4実施形態が第1実施形態と相違するのは、半導体ウェハーWを水平姿勢に保持して予備加熱を行う保持部の構成である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、第1および第4実施形態においてはパイロリティックボロンナイトライドにて形成されたサセプタ72,372に半導体ウェハーWを載置し、第2および第3実施形態においてはパイロリティックボロンナイトライドにて形成された緩衝シート173に半導体ウェハーWを載置していたが、半導体ウェハーWを載置する部材はこれらに限定されるものではない。すなわち、フラッシュランプFLからフラッシュ光を照射する半導体ウェハーWを水平姿勢に載置して支持する基板支持部をパイロリティックボロンナイトライドにて形成する形態であれば良い。
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7,7a,7b,7c,7d 保持部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72,172,272,372 サセプタ
75 ピン
76 抵抗加熱線
173 緩衝シート
174 ウェハガイド
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (5)
- 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を水平姿勢に載置して支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
を備え、
前記基板支持部をパイロリティックボロンナイトライド(PBN)にて形成することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するホットプレートをさらに備え、
前記基板支持部は前記ホットプレートに載置されるサセプタであることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項1記載の熱処理装置において、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射する前に基板を予備加熱するホットプレートと、
前記ホットプレートに載置される石英のサセプタと、
をさらに備え、
前記基板支持部は前記サセプタに載置されるシート部材であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項3記載の熱処理装置において、
基板の端縁部の位置を規制するガイド部をさらに備え、
前記ガイド部をパイロリティックボロンナイトライドにて形成することを特徴とする熱処理装置。 - フラッシュランプから基板にフラッシュ光を照射することによって該基板の熱処理を行うときに該基板を保持する熱処理用サセプタであって、
前記熱処理用サセプタをパイロリティックボロンナイトライドにて形成することを特徴とする熱処理用サセプタ。
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