JP5346484B2 - 熱処理方法および熱処理装置 - Google Patents
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Description
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
31 パルス発生器
32 波形設定部
33 入力部
60 上部開口
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
91 トリガー電極
92 ガラス管
93 コンデンサ
94 コイル
96 スイッチング素子
97 トリガー回路
FL フラッシュランプ
W 半導体ウェハー
Claims (6)
- 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
フラッシュランプに接続されたIGBTのゲートに第1のパルス信号を印加することによって、ピークが第1の発光出力となる出力波形にて基板に光照射を行う第1光照射工程と、
前記IGBTのゲートに第2のパルス信号を印加することによって、前記ピークを過ぎた後に前記第1の発光出力よりも小さな発光出力にて基板に追加の光照射を行う第2光照射工程と、
を備え、
前記第1光照射工程での光照射時間と前記第2光照射工程での光照射時間との合計が1秒以下であり、
前記ピークを過ぎた後に前記第1光照射工程での発光出力が前記第1の発光出力の3分の2以下となったときに前記第2光照射工程による追加の光照射を開始することを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記第1光照射工程での光照射時間は0.1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下であることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項2記載の熱処理方法において、
前記第2光照射工程での光照射時間は5ミリセカンド以上であることを特徴とする熱処理方法。 - 基板に対して光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された基板に光を照射するフラッシュランプと、
前記フラッシュランプに接続されたIGBTと、
前記IGBTのゲートにパルス信号を印加して前記フラッシュランプの発光出力を制御する発光制御手段と、
を備え、
前記発光制御手段は、前記IGBTのゲートに第1のパルス信号を印加することによって、光照射の総時間が1秒以下となる範囲内にて、ピークが第1の発光出力となる出力波形にて基板に光照射を行いつつ、前記IGBTのゲートに第2のパルス信号を印加することによって、前記ピークを過ぎた後に前記第1の発光出力よりも小さな発光出力にて基板に追加の光照射を行うように前記フラッシュランプの発光出力を制御するとともに、前記ピークを過ぎた後に発光出力が前記第1の発光出力の3分の2以下となったときに前記追加の光照射を開始するように前記フラッシュランプの発光出力を制御することを特徴とする熱処理装置。 - 請求項4記載の熱処理装置において、
前記追加の光照射を開始するまでの光照射時間は0.1ミリセカンド以上10ミリセカンド以下であることを特徴とする熱処理装置。 - 請求項5記載の熱処理装置において、
前記追加の光照射を行う時間は5ミリセカンド以上であることを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008106894A JP5346484B2 (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 熱処理方法および熱処理装置 |
US12/421,896 US8145046B2 (en) | 2008-04-16 | 2009-04-10 | Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light irradiation |
US13/293,641 US8498525B2 (en) | 2008-04-16 | 2011-11-10 | Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light irradiation |
US13/657,265 US8861944B2 (en) | 2008-04-16 | 2012-10-22 | Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light irradiation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008106894A JP5346484B2 (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013109017A Division JP5718975B2 (ja) | 2013-05-23 | 2013-05-23 | 熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009260018A JP2009260018A (ja) | 2009-11-05 |
JP5346484B2 true JP5346484B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=41201179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008106894A Active JP5346484B2 (ja) | 2008-04-16 | 2008-04-16 | 熱処理方法および熱処理装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8145046B2 (ja) |
JP (1) | JP5346484B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007030941A1 (en) * | 2005-09-14 | 2007-03-22 | Mattson Technology Canada, Inc. | Repeatable heat-treating methods and apparatus |
WO2008131513A1 (en) | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Mattson Technology Canada, Inc. | Irradiance pulse heat-treating methods and apparatus |
JP5346484B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP2009272402A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5356725B2 (ja) * | 2008-05-13 | 2013-12-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US8559799B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-10-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and method for heating substrate by photo-irradiation |
US9279727B2 (en) | 2010-10-15 | 2016-03-08 | Mattson Technology, Inc. | Methods, apparatus and media for determining a shape of an irradiance pulse to which a workpiece is to be exposed |
JP5797916B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-10-21 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
TWI566300B (zh) | 2011-03-23 | 2017-01-11 | 斯克林集團公司 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
JP5955670B2 (ja) | 2011-09-26 | 2016-07-20 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP6026090B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2016-11-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP5951241B2 (ja) | 2011-12-07 | 2016-07-13 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
DE102011087885B3 (de) * | 2011-12-07 | 2013-02-28 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Blitzlampenanordnung |
JP5931477B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2016-06-08 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP6026749B2 (ja) * | 2012-02-03 | 2016-11-16 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
US9449825B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-09-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Heat treatment apparatus for heating substrate by irradiation with flashes of light, and heat treatment method |
US20150163860A1 (en) * | 2013-12-06 | 2015-06-11 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for uniform irradiation using secondary irradiant energy from a single light source |
KR102446726B1 (ko) | 2015-09-11 | 2022-09-26 | 삼성전자주식회사 | 투명 플레이트 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP6598630B2 (ja) | 2015-10-22 | 2019-10-30 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法 |
JP6942615B2 (ja) | 2017-11-20 | 2021-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0832160B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1996-03-27 | 三菱電機株式会社 | パルス電源装置 |
JP3304894B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2002-07-22 | ウシオ電機株式会社 | フィラメントランプ点灯装置 |
JP4942128B2 (ja) | 2000-03-17 | 2012-05-30 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | レーザーアニーリングおよび急速熱アニーリングにより極めて浅い接合を形成する方法 |
US6376806B2 (en) | 2000-05-09 | 2002-04-23 | Woo Sik Yoo | Flash anneal |
TWI313059B (ja) * | 2000-12-08 | 2009-08-01 | Sony Corporatio | |
JP4092541B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
AU2002350358A1 (en) * | 2001-12-26 | 2003-07-30 | Vortek Indusries Ltd. | Temperature measurement and heat-treating methods and systems |
US6998580B2 (en) | 2002-03-28 | 2006-02-14 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Thermal processing apparatus and thermal processing method |
US6849831B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-02-01 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed processing semiconductor heating methods using combinations of heating sources |
JP4429609B2 (ja) | 2002-06-25 | 2010-03-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
JP2005142344A (ja) | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2005150608A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Seiko Epson Corp | ガラス基板の光処理方法およびデバイス |
JP2006073728A (ja) | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5214153B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2013-06-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
WO2008131513A1 (en) * | 2007-05-01 | 2008-11-06 | Mattson Technology Canada, Inc. | Irradiance pulse heat-treating methods and apparatus |
JP5221099B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2013-06-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
JP4816634B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2011-11-16 | ウシオ電機株式会社 | 基板加熱装置及び基板加熱方法 |
JP5346484B2 (ja) * | 2008-04-16 | 2013-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理方法および熱処理装置 |
JP5356725B2 (ja) * | 2008-05-13 | 2013-12-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US8559799B2 (en) * | 2008-11-04 | 2013-10-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and method for heating substrate by photo-irradiation |
US8461033B2 (en) * | 2009-01-13 | 2013-06-11 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and method for heating substrate by light-irradiation |
-
2008
- 2008-04-16 JP JP2008106894A patent/JP5346484B2/ja active Active
-
2009
- 2009-04-10 US US12/421,896 patent/US8145046B2/en active Active
-
2011
- 2011-11-10 US US13/293,641 patent/US8498525B2/en active Active
-
2012
- 2012-10-22 US US13/657,265 patent/US8861944B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120114316A1 (en) | 2012-05-10 |
JP2009260018A (ja) | 2009-11-05 |
US20090263112A1 (en) | 2009-10-22 |
US8861944B2 (en) | 2014-10-14 |
US8145046B2 (en) | 2012-03-27 |
US8498525B2 (en) | 2013-07-30 |
US20130043229A1 (en) | 2013-02-21 |
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Legal Events
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