JP5132234B2 - 発光モジュール - Google Patents
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Description
本工程では、発光モジュール10の材料となる基板40を用意して、下層の配線層である第1配線層14を形成する。
本工程では、先工程にて形成された第1配線層14の上面に、上層の第2配線層18を形成する。具体的には、第1配線層14を第2絶縁層28にて被覆して、この第2絶縁層28の上面に第2配線層18を形成する。
図7(A)および図7(B)を参照して、次に、各ユニット46同士の間に、分離用の溝を設ける。図7(A)を参照すると、基板40の各ユニット46同士の間には、上面から第1溝54が形成され、下面からは第2溝56が形成されている。両溝の断面は、V型の形状を呈する。
次に、各ユニット46の第2配線層18に発光素子20(LEDチップ)を実装して、電気的に接続する。図8(A)を参照して、発光素子20の下面は、不図示の接合材を介して第2配線層18の上面に実装される。発光素子20は下面に電極を有さないので、接合材としては、樹脂から成る絶縁性接着剤または導電性接着材の両方が採用可能である。発光素子20の固着が終了した後に、発光素子20の上面に設けた各電極と第2配線層18とを金属細線16を経由して接続する。
次に、基板40に設けた各ユニット46の発光素子20を封止樹脂32により封止する。封止樹脂32は、蛍光体が混入されたシリコン樹脂からなり、液状または半固形状の状態で、発光素子20および金属細線16を被覆するように基板40の上面に形成された後に固化される。
次に、第1溝54および第2溝56が形成された箇所で、基板40を各ユニットに分離する。
12 金属基板
14 第1配線層
16 金属細線
18 第2配線層
18A ダイパッド部
18B ボンディングパッド部
24 第1絶縁層
26 接合材
28 第2絶縁層
30 反射枠
32 封止樹脂
36 第1傾斜部
38 第2傾斜部
40 基板
44 導電箔
45 導電箔
46 ユニット
54 第1溝
56 第2溝
Claims (5)
- 銅またはアルミニウムからなる金属基板と、前記金属基板の上面に設けられ、第1配線層を構成する金属よりも熱伝導性に劣る第1絶縁層と、前記第1絶縁層の上面に配置された前記第1配線層と、前記第1配線層を被覆し、前記金属よりも熱伝導性に劣る第2絶縁層と、前記第2絶縁層の上面に配置された第2配線層と、
前記第2配線層から成る複数のダイパッド部にそれぞれ固着された複数の発光素子と、
を具備し、
前記複数のダイパッド部は、前記発光素子よりも大きく形成され、
前記ダイパッド部の下方には、それぞれ個別に分離されて、前記ダイパッド部よりも大きく形成された前記第1配線層が設けられていることを特徴とする発光モジュール。 - 前記第1配線層は、前記第2配線層よりも厚く形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
- 前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、フィラーが充填された樹脂から成ることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光モジュール。
- 前記金属基板の側面は、外側に向かって傾斜する傾斜面を含むことを特徴とする請求項1から請求項3の何れかに記載の発光モジュール。
- 前記第2絶縁層は、前記第2配線層が形成される箇所を除外して除去されることを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載の発光モジュール。
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