JP6592902B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置に関する。
従来、青色光を発光する発光素子と、青色光の一部を吸収することにより励起され、より長波長の光を発する蛍光物質とを用いて白色発光するように構成された発光装置が知られている。このような発光装置において、光の出射方向にかかわらず均一な色調に揃えること、および光度を向上させることが求められている。
例えば、特許文献１には、波長変換材を含む層の上に光拡散材を含む層を形成することにより、色度のむらを抑制することが記載されている。
国際公開２０１３／０１１６２８号
しかしながら、光拡散材を使用すると光取り出し効率の低下が問題となる場合がある。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、色むらを抑制し、かつ光取り出し効率の高い発光装置を提供することを特徴とする。
本発明の発光装置は、配線部を有し、ｘｙ平面上においてｘ方向に延在する一対の横辺と、ｙ方向に延在する一対の縦辺とを有する矩形状の基板と、前記基板の上に載置された発光素子と、前記発光素子及び前記基板の少なくとも一部を被覆し、波長変換部材を含有する封止部材とを備え、前記発光素子は、前記配線部以外の領域に配置されており、前記配線部とワイヤにより電気的に接続されており、平面視において、前記基板上の前記封止部材に被覆される領域は前記矩形状の中心を通り、かつｘ方向に平行な直線によって、第１領域と第２領域とに分けられており、前記配線部は、前記第２領域よりも前記第１領域で面積が大きくなるように配置され、前記発光素子は、前記第１領域よりも前記第２領域で面積が大きくなるように配置され、前記封止部材は、前記ｘ方向において高低差を設けず、ｙ方向に平行な直線を対称軸として線対称に配置されており、前記封止部材の上面は前記基板の表面と平行な面を有さず、かつ前記ｙ方向において前記基板の第２領域側の一端部から第１領域側の他端部へ連続して傾斜するよう高低差を設けており、前記封止部材の最大高さは、前記第１領域側よりも、前記第２領域側において高いことを特徴とする発光装置である。
また、本発明の発光装置の製造方法は、ｘｙ平面上においてｘ方向に延在する一対の横辺と、ｙ方向に延在する一対の縦辺とを有する矩形状の基板の上面において、前記矩形状の中心を通り、かつｘ方向に平行な直線によって分けられる第１領域と第２領域とを有し、前記第１領域において面積が大きくなるように配置された配線部と、前記第２の領域において面積が大きくなるように配置された発光素子とを有する基板が、複数連なってなる集合基板を準備する工程と、前記集合基板上に、複数の前記基板のそれぞれと対応する位置に開口を有するマスクを載置し、前記マスクの上側の一方に、波長変換部材を含有した封止部材を配置し、前記基板の第１領域側から第２領域側へ向かって前記第１領域側より前記第２領域側の封止部材の量が多くなるようにスキージを移動させることにより、前記開口に前記封止部材を、ｙ方向において、前記第１領域よりも前記第２領域に傾斜するように印刷する工程と、前記マスクを除去する工程と、を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
本開示によれば、上記特徴を有することにより、色むらを抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置を実現することができる。
本発明の実施形態に係る発光装置の概略上面図である。 本発明実施形態に係る発光装置の概略断面図である。 本発明実施形態に係る発光装置の概略底面図である。 本発明実施形態に係る発光装置を説明するための模式上面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法を説明するための図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下に説明する実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。図中の「ｘ」方向を「横」方向、「ｙ」方向を「縦」方向、「ｚ」方向を「上下」方向または「高さ（厚さ）」方向ともよぶ。
（実施形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る発光装置を示す概略上面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における概略断面図であり、図３は図１の発光装置の概略底面図である。
本実施形態において、発光装置１００は、配線部１０８を有する基板１０４と、基板１０４の上に載置された発光素子１０２と、発光素子１０２を被覆し、波長変換部材を含有する封止部材１０６とを含む。
基板１０４は、発光素子１０２を載置する台座となる部材である。基板１０４はその表面に発光素子１０２に電力を供給するための導電性部材である配線部１０８を有する。配線部１０８は、平面視において、基板１０４の片側に偏って配置されている。
図４は、図１の発光装置１００を説明するための模式上面図である。本実施形態において、基板１０４及び発光素子１０２は、平面視において矩形であり、基板１０４は辺Ｂ１〜Ｂ４を有している。辺Ｂ１、Ｂ２は互いに略平行な辺であり、ｘ方向に延在している。また、辺Ｂ３、Ｂ４は互いに略平行な辺であり、ｙ方向に延在している。本実施形態においては、Ｂ１〜Ｂ４の長さは全て等しく、平面視において基板１０４は正方形である。
ここで、図４に示すように、辺Ｂ３、Ｂ４の中点を通過し、ｘ軸方向に延在する直線Ｌ１（すなわち、直線Ｌ１は発光素子載置面の中心を通る）を規定したとき、基板１０４の発光素子載置面は直線Ｌ１により領域Ａ１、Ａ２の２つの領域に分けられる。領域Ａ１は、辺Ｂ１を含む領域であり、領域Ａ２は辺Ｂ２を含む領域である。なお、明細書中では、領域Ａ１を第１領域、領域Ａ２を第２領域と記載することがある。
図４に示すように、平面視において、配線部１０８は基板１０４の片側（領域Ａ１）に形成されており、発光素子１０２は領域Ａ１及びＡ２に跨るように領域Ａ２側に多く配置されている。すなわち、配線部１０８は、領域Ａ２（第２領域）よりも領域Ａ１（第１領域）において面積が大きくなるように配置され、発光素子１０２は、領域Ａ１（第１領域）よりも領域Ａ２（第２領域）において面積が大きくなるように配置される。言い換えると、平面視において発光素子１０２の中心は、配線部１０８の少ない方向に位置するように、基板１０４の中心に対し、領域Ａ２側にオフセット配置されている。
配線部１０８は、その表面のほとんどが封止部材１０６に被覆されている。配線部１０８の発光装置の発光に対する反射率を１００％にすることはできないため、基板１０４及び配線部１０８の表面で光吸収が生じることを避けられない。とりわけ、配線部１０８の反射率（発光装置の発光波長、すなわち発光素子または波長変換部材の発光波長における反射率をいう。以下同じ）が基板１０４の反射率よりも低い場合は、配線部１０８に発光素子１０２が近付くほど配線部１０８による光吸収が生じ、光取り出し効率が低下する。なお、配線部１０８の表面の材料として反射率の高い銀を用いることで光取り出し効率の低下は抑制できるが、銀には硫化による変色の問題があるため、硫化の生じない金を用いることが好ましい。しかし、白色ＬＥＤを作る際に用いられる青色の発光素子の場合、金の反射率は銀の反射率よりも低い。
そこで、本実施形態では、配線部１０８の表面の材料として金を用いる一方で、発光素子１０２を配線部１０８から離すように領域Ａ２側に配置する。これにより光吸収が抑制される。しかし、発光素子１０２を基板１０４の中央に対してオフセット配置することで、光が封止部材１０６を通過する際の光路長が取り出し方向によって異なるため、波長変換部材により波長変換される量も異なってしまい、色むらが生じるという新たな問題があった。
本実施形態では、配線部１０８が位置する側よりも発光素子１０２が位置する側、すなわち領域Ａ１よりも領域Ａ２側の封止部材１０６の高さを高くすることにより、発光素子１０２から封止部材１０６の外縁までの距離を各方向で均一化する。これにより、封止部材１０６が低い（薄い）側と高い（厚い）側において波長変換される光の量を均一化し、色ムラを低減させることができる。言い換えると、封止部材１０６の最も高い部分は配線部がより多く配置される領域Ａ１側ではなく、領域Ａ２側に配置されている。
本実施形態では、図１に示すように、発光素子１０２は基板のｙ方向にオフセット配置されているが、ｘ方向においては基板の中央に配置されている。つまり、図４に示すように、平面視において、辺Ｂ１、Ｂ２の中点を通過し、ｙ軸方向に延在する直線Ｌ２を規定したとき、発光素子の中心が直線Ｌ２上にくるように配置されている。よって、ｘ方向にはｙ方向のように封止部材に高低差を設けることなく、直線Ｌ２と直交する断面において、Ｌ２を対称軸として線対称となることが好ましい。
以下、本実施の形態に係る発光装置１００の好ましい形態について説明する。
（基板１０４）
基板１０４は、発光素子１０２を載置する台座となる部材であれば特に限定されない。上面の高さの異なる封止部材１０６を形成しやすいことから、平板状であることが好ましいが、発光素子１０２を載置する部分に凹部を有するものであってもよい。
基板１０４の材料としては、劣化の少ない材料である無機部材であることが好ましく、特にセラミックスが好ましい。セラミックスの材料としては、例えば、アルミナ、ムライト、フォルステライト、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）等が挙げられる。なかでも、安価で、クラックが生じにくいアルミナを含むセラミックスが好ましい。
また、基板１０４は、アルミナ、イットリア、ジルコニア、チタニア、ダイヤモンド、酸化カルシウム、および硫酸バリウムなど無機材料の粒子が互いに一部分で一体化されることで多数の空隙を有する多孔質に形成されているのが好ましい。これにより、空気とこれらの材料間の屈折率差で反射率を向上させることができる。例えば、波長４５０ｎｍにおける反射率が８０％以上のものが好ましく、８５％以上のものがより好ましい。
また、セラミックスの他、本実施形態に適用可能な材料として、樹脂を材料とすることができる。このような樹脂材料としては、脂肪族ポリアミド樹脂、半芳香族ポリアミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリシクロヘキサンテレフタレート、液晶ポリマー、ポリカーボネート樹脂、シンジオタクチックポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂等の熱可塑性樹脂、ポリビスマレイミドトリアジン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ変性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂から形成されてもよい。
本実施形態では、基板１０４は平面視で正方形の外形を有する例を説明したが、これに限定されず、長方形や多角形であってもよい。
（配線部１０８）
基板１０４の表面には、配線部１０８が形成されている。配線部１０８は、発光素子１０２に電力を供給するための導電性部材であれば特に限定されない。配線部１０８は、光吸収を生じるため、電気的接続に必要な大きさを確保しつつ、なるべく小さく形成されることが好ましい。少なくともアノードとカソードの一対備えていればよく、本実施形態では１０８Ａと１０８Ｂの２つの配線部が備えられている。
基板１０４としてセラミックスを用いる場合、配線部１０８は金属層として形成される。例えば、基板１０４の表面に高融点金属からなるメタライズ層を形成して、コファイア法により全体を焼成することで形成してもよいし、焼結した基板１０４上に、各種ペーストを塗布してこれを焼成するというポストファイア法により形成してもよい。また、金属層を基板の表面に形成した後、ドライフィルムレジストやエッチング等により、パターンを形成してもよい。なお、図３に示すように、同時に発光素子載置面の反対側、すなわち基板１０４の裏面側に発光装置の電極端子１０９を形成することもできる。配線部１０８と電極端子１０９は、例えば基板１０４を貫通するスルーホールやビアなどを用いて導通させてもよいし、基板１０４の側面に沿って導電部材を設けることで導通させてもよい。本実施形態では、配線部１０８Ａと電極端子１０９Ａが電気的に接続されており、同様に１０８Ｂと１０９Ｂとが電気的に接続されている。
セラミックスに形成する配線部の材料としては、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｓｎ等を主成分とする金属又は合金層を基板に配置することによって形成される。具体的には、蒸着、スパッタ、印刷法等により、さらに、その上にめっき等により形成することができる。劣化が少なく、ワイヤとの密着性の観点から、Ａｕを主成分とする金属を配線部１０８の最表面に用いることが好ましい。
また、基板１０４の材料として樹脂を用いる場合は、樹脂を半硬化したプリプレグに金属板を張り付けて熱硬化させ、その後フォトリソグラフィー法等を用いて金属板を所望の形状にパターニングすることで配線部を形成することができる。さらに表面をめっきしてもよい。
なお、配線部を形成する際に、合わせて位置決め用のマークや、極性を示すマークを同時に形成してもよい。本実施形態では、配線部１０８が配置されていない領域Ａ２側の角部にカソードマーク３０４が形成されている。
（発光素子１０２）
発光素子１０２は、基板１０４上に配置される。発光素子１０２は、接着剤（図示せず）により基板１０４に接着され、ワイヤ１１２により配線部１０８と電気的に接続される。発光素子１０２としては、例えばＬＥＤ素子等の半導体発光素子を用いることができる。発光素子１０２は通常、透光性基板と、透光性基板の上に積層された半導体層と、半導体層に設けられた正負一対の電極とを含む。なお、基板１０４ではなく、配線部１０８の上に配置されてもよい、
発光素子１０２は、紫外光または可視光を出射するものであってよい。白色光を発生させる発光装置において用いる場合、発光素子１０２は、発光波長が好ましくは４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下、より好ましくは４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である青色発光素子であることが好ましい。青色発光素子を、後述の波長変換部材としての黄色蛍光体と組み合わせて用いることにより、白色発光装置を得ることができる。青色発光素子としては、蛍光体を効率良く励起可能な窒化物半導体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）系の発光素子が特に好ましい。１つの発光装置１００に実装される発光素子１０２は、１個であってよく、あるいは複数であってよいが、１個の場合には発光領域の偏りが顕著になるため、本実施形態では１個の場合に色むら抑制の効果をより発揮することができる。また、平面視における発光素子の面積が大きい場合にも発光領域の偏りが顕著になるため、例えば、発光素子の平面視における一辺の長さが５００μｍ以上の場合に本実施形態における効果をより発揮することができる。
本実施形態において、発光素子１０２は、配線部１０８以外の領域に、いわゆるフェイスアップ実装により配置されており、ワイヤ１１２を介して発光素子の電極と配線部１０８とが電気的に接続されている。
なお、発光素子の他に、図１に示すように、保護素子１１０等を備えていてもよい。
（ワイヤ１１２）
ワイヤ１１２は、発光素子１０２の電極と配線部１０８とを電気的に接続する部材である。ワイヤ１１２として、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｌまたはこれらの合金の金属線を用いることができる。ワイヤ１１２としては、特に、封止部材からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗等に優れるＡｕが好ましい。あるいは、ワイヤ１１２は、光の取り出し効率を高めるために、少なくとも表面がＡｇまたはその合金で構成されてもよい。
（接着剤）
接着剤は、発光素子１０２を基板１０４または配線部１０８に固定する部材である。接着剤としては、絶縁性接着剤または導電性接着剤を用途に応じて適宜選択することができる。絶縁性接着剤として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、またはこれらの変性樹脂やハイブリッド樹脂等を用いることができる。
（封止部材１０６）
封止部材１０６は、電気的絶縁性を有し、発光素子１０２から出射される光を透過可能であり、かつ固化前は流動性を有する材料であれば、特に限定されるものではない。封止部材の透過率は、好ましくは７０％以上である。光透過性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ＴＰＸ樹脂、ポリノルボルネン樹脂、またはこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。中でも、シリコーン樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、固化後の体積収縮が少ないので好ましい。
封止部材の高さ（厚み）は、所望の高さとすることができるが、例えば、３００μｍ〜７００μｍが好ましく、４００μｍ〜６００μｍであることがさらに好ましい。封止部材の厚みが薄いほど、色むらの問題が顕著になるため、例えば、５００μｍ以下の場合に、本実施形態の発光装置の構成とすることにより、より顕著な効果が得られる。なお、「高さ」とは、基板１０４の表面からの高さ（ｚ方向）のことをいい、上述した厚みの数値は、最も高い部分の高さのことをいうものとする。
封止部材の形状としては、図２に示すように、その表面に丸みを帯びた曲面を有し、光取り出し面側に凸となる形状とされていることが好ましい。発光素子１０２からの光をなるべく全反射させないように、その上面が基板１０４の表面と平行な面を有しない、若しくは平行となる面が封止部材の表面全体の７０％以下となるような形状とすることが好ましい。
本実施形態では、封止部材１０６は単一の層として説明しているが、複数層に分割されていてもよい。例えば、発光素子１０２を直接被覆する層に波長変換部材が含有されておらず、その上に配置させる層に波長変換部材が含有されていればよく、発光素子を直接被覆していなくても、発光素子からの光を波長変換可能となるように間接的に被覆していれば、本明細書中では封止部材１０６というものとする。
（波長変換部材）
封止部材１０６は、発光素子１０２が発する光の少なくとも一部により励起されて発光素子の発光波長とは異なる波長の光を発する波長変換部材を含む。
代表的な波長変換部材としては蛍光体や量子ドットが挙げられる。
（蛍光体）
波長変換部材として用いられる蛍光体は、１種類の蛍光体を用いてもよいし、２種類以上の蛍光体を用いてもよい。ＬＥＤ用の蛍光体として公知の蛍光体のいずれを用いてもよい。例えば、粒径及び発光色の異なる第１の蛍光体及び第２の蛍光体の２種類の蛍光体を用いてもよい。このように、発光色の異なる蛍光体を複数種類用いることで、色再現性や演色性を向上させることができる。
蛍光体としては、例えば黄色〜緑色蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ系蛍光体）およびルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ系蛍光体）を用いることができる。緑色蛍光体としては、例えばクロロシリケート蛍光体およびβサイアロン蛍光体を用いることができる。赤色蛍光体としては、例えば（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ等のＳＣＡＳＮ系蛍光体、ＣａＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ等のＣＡＳＮ系蛍光体、ＳｒＡｌＳｉＮ3：Ｅｕ蛍光体、およびＫ2ＳｉＦ6：Ｍｎ等のＫＳＦ系蛍光体等を用いることができるが、これに限られない。
蛍光体の粒径としては特に限定されないが、２μｍ〜５０μｍ程度が好ましく、さらに好ましくは５μｍ〜２０μｍである。なお、蛍光体の粒径が大きいほど発光装置の光取り出し効率は高くなる傾向があるが、色むらは大きくなる傾向にある。
封止部材１０６は、上述の波長変換部材に加えて、フィラー、拡散材等の添加剤を更に含んでよい。例えば、拡散材としては、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2等を用いてよい。
本実施形態では第１の蛍光体としてＬＡＧ蛍光体を用い、第２の蛍光体としてＳＣＡＳＮ蛍光体を用いる。これにより、高演色な発光装置とすることができる。
（発光装置１００の製造方法）
次に、第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法の一例について、図面を参照して説明する。図５及び図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃは第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、第１の実施形態に係る発光装置１００の製造方法は、少なくとも、発光素子１０２が載置された基板１０４上に波長変換部材を含有する封止部材１０６を形成する工程を含んでいればよく、ここで説明する製造方法に限定されない。
本例において使用する基板１０４は、図５に図示するように、複数の基板１０４が連なって配置されてなる板状の集合基板（多数個取り基板ともいう）である。本例では、基板１０４は、個片化の際に分割される位置に溝２０２が設けられている。この溝２０２は、図５に示されるように基板の裏面側に設けられていてもよいし、上面側に設けられていてもよい。これにより、ブレイクによる個片化を容易に行うことができる。なお、溝２０２は形成されていなくてもよい。
基板１０４は、個片化されて１つの発光装置となる各領域において、それぞれ平面視において、発光素子１０２の中心が基板１０４の中心からオフセット配置された発光素子１０２を有している。このような集合基板を準備し、図５に図示するように、それぞれの発光装置１００に１つの封止部材が形成されるように、開口を有するマスク３００を載置する。
次に、マスク３００の上側の一方に、波長変換部材を含有する封止部材を配置し、図６Ａに示すようにマスク３００の一方の端部から他方へ向かって（図６Ａの矢印の方向に）スキージ３０２を移動させることにより、開口に封止部材１０６を埋めるように印刷し、発光素子１０２を封止部材１０６で被覆する。
ここで、スキージ３０２の移動方向は、発光素子１０２のオフセット方向とする。これにより、発光素子がオフセット配置された側の封止部材１０６の量が多くなる。その後、図６Ｂに示すようにマスク３００を除去することで、発光素子１０２側の封止部材１０６の高さが、反対側の封止部材１０６の高さよりも高い封止部材１０６を形成することができる。
最後に、図６Ｃに示すように、溝２０２に沿ってブレイクすることで、個々の発光装置１００を得る。分割方法としては、ブレイクのみならず、レーザによる分割やダイシングによる分割であってもよい。
以上述べた実施形態では、基板を平面視した際に、１つの辺に向かって発光素子をオフセット配置させているが、基板の角方向に向かって発光素子をオフセット配置させてもよいことは言うまでもない。この場合は、配線部１０８は、発光素子が配置された角と対向する角部に配置されることとなり、封止部材１０８は一方の角部において、他方の角部よりも高く形成される。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。まず、集合基板を準備する。集合基板は、後に個片化される各発光装置の基板１０４が複数連なってなる。各基板１０４は、例えば、平面視において１．８５ｍｍ×１．８５ｍｍ、高さ０．３８ｍｍの略矩形状とすることができる。各基板１０４の上面は、上述した辺Ｂ３と辺Ｂ４との中点を通過する直線Ｌ１によって、領域Ａ１と領域Ａ２とに分けられる。なお、集合基板において、各基板１０４は、領域Ａ１及び領域Ａ２の方向がそれぞれ揃うように連なっている。
各基板１０４の上面には、配線部１０８と、発光素子１０２とが配置される。実施例では、１つの発光素子１０２と、正負の配線部１０８とが配置される。発光素子１０２は、例えば、平面視において０．５５ｍｍ×０．５５ｍｍ、高さ約０．１５ｍｍのものを用いることができる。配線部１０８の幅は０．２ｍｍ、基板の上面の約１０％程度とすることができる。
本実施例では、配線部１０８は、領域Ａ１に配置される。発光素子１０２の中心は、平面視において、基板上面の中心から領域Ａ２側に０．１８ｍｍオフセット配置することができる。したがって、平面視において、発光素子１０２の一部は領域Ａ１に配置されるが、その大半は領域Ａ２に配置される。発光素子１０２と配線部１０８との離間距離は、例えば０．３１ｍｍとすることができる。発光素子１０２と配線部１０８とは、ワイヤによって電気的に接続される。本実施例では、配線部１０８上に、例えば平面視０．１５×０．１５ｍｍ、高さ０．１ｍｍの保護素子１１０を載置してもよい。
以上のような基板１０４が複数連なってなる集合基板上に、開口を有するマスク３００を載置する。開口は、マスク３００において、集合基板の基板に対応する位置に設けられる。例えば、平面視で１．６×１．６ｍｍ、高さ０．４ｍｍの開口が複数設けられたマスク３００を用いることができる。それぞれの開口同士は、例えば０．２５ｍｍ間隔で設けられる。開口の径が小さいほど、後述する封止部材１０６の印刷の際に、スキージ３０２の移動方向において、封止部材１０６の高さを高くすることができる。また、マスク３００の表面の粗さは、０．２〜０．３μｍ程度が好ましい。マスク３００の表面の粗さが大きいと、封止部材１０６からマスク３００を除去する際に、封止部材１０６の高低差が大きくなりやすい。マスク３００の表面に表面処理が施されていると、封止部材１０６がマスク開口以外へ回り込むことを防ぐことができる。例えば、硬質膜によって表面がコーティングされたマスクを用いると好適である。
このようなマスク３００の上側の一方に、波長変換部材を含むジメチルシリコーン（粘度１００〜３００Ｐａ・Ｓ）を配置する。そして、スキージ３０２によって、マスク３００の一方の端部から他方、すなわち、領域Ａ２方向へ向かってスキージ３０２を移動させることで、開口に封止部材１０６を埋めるように印刷し、発光素子１０２を封止部材１０６で被覆する。これにより、各開口内の封止部材１０６において、スキージ３０２の移動方向、すなわち、領域Ａ２側の封止部材１０６の量が多くなる。つまり、各開口内の封止部材１０６の高さは、領域Ａ１側に比べて、発光素子１０２が載置される領域Ａ２側の方が高くなる。
印刷する封止部材１０６の粘度が高いほど、スキージ３０２の移動方向において、封止部材１０６の高さを高くすることができる。スキージ３０２は、例えば先端の形状がJ形状のものを用いることで、スキージ３０２の移動方向において、封止部材１０６の量をさらに多くすることができる。また、スキージ３０２を移動方向に傾けて移動させることで、スキージ３０２の移動方向において、封止部材１０６の量をさらに多くすることができる。スキージ３０２の移動速度およびスキージ３０２の封止部材への圧力は特に限定されない。例えば、スキージ３０２の移動速度は１〜５０ｍｍ／ｓとすることができる。
次に、マスク３００を除去する。マスク３００を封止部材１０６から抜く速さを早くすることで、領域Ａ１側と領域Ａ２側における封止部材１０６の高低差を大きくすることができる。例えば、本実施例では速さ０．１ｍｍ／ｓでマスク３００を除去することで、領域Ａ１側と領域Ａ２側における封止部材１０６の高低差を５０〜７０μｍとすることができる。
以上のように、マスク３００を除去することで、各基板上１０４において、領域Ａ２側、すなわち発光素子１０２側の封止部材１０６の高さが、領域Ａ１側、すなわち配線部１０８側の封止部材１０６の高さよりも高い封止部材１０６を形成することができる。
各基板上の封止部材１０６の外形は、例えば、平面視において、上面１．３ｍｍ×１．３ｍｍ、基板側である底面１．５×１．５ｍｍである。封止部材の高さ(厚み)は、例えば０．５ｍｍであり、領域Ａ２側の方が領域Ａ１側よりも５０〜７０μｍ高くなっている。封止部材１０６の底面と側面とがなす角度は、例えば６０°であり、上面と側面とがなす角部は、丸みを帯びた形状となっている。なお、発光素子１０２と封止部材１０６の外縁との離間距離は、０．２６ｍｍ程度とすることができる。
次に、封止部材１０６が形成された集合基板を、上述した方法で個片化することで、発光装置１００を得ることができる。発光装置１００は、平面視で、封止部材１０６の外縁（底面）が基板１０４の外縁よりも内側に配置されており、その離間距離は、０．１２ｍｍとすることができる。
以上、本実施例では、発光装置１００の封止部材１０６を印刷によって形成したが、これに限らない。例えば、ポッティング等で形成してもよい。具体的には、上述したマスク３００を、同様に集合基板上に載置し、各開口内にポッティング等で封止部材を配置する。そして、集合基板とマスク３００とを固定した状態で、領域Ａ２方向へ傾ける。これにより、各開口内に配置された封止部材１０６は、領域Ａ２側へ流動し、発光素子１０２が載置される領域Ａ２側において高さが高くなる。そして、マスク３００を除去し、封止部材が形成された集合基板を個片化することで、上述と同様の発光装置１００を得ることができる。
その他、封止部材１０６は、金型を用いたトランスファー成形や圧縮成形で形成してもよい。具体的には、各基板上の領域Ａ２側（発光素子側）で封止部材１０６の高さが高くなるような金型を使用する。これにより、封止部材１０６の高さをより精度よく制御することができる。
１００…発光装置
１０２…発光素子
１０４…基板
１０６…封止部材
１０８、１０８Ａ、１０８Ｂ…配線部
１０９、１０９Ａ、１０９Ｂ…電極端子
１１０…保護素子
１１２…ワイヤ
２０２…溝
３００…マスク
３０２…スキージ
３０４…カソードマーク
Ａ１、Ａ２…領域
Ｂ１〜Ｂ４…辺

Claims (9)

  1. 配線部を有し、ｘｙ平面上においてｘ方向に延在する一対の横辺と、ｙ方向に延在する一対の縦辺とを有する矩形状の基板と、
    前記基板の上に載置された発光素子と、
    前記発光素子及び前記基板の少なくとも一部を被覆し、波長変換部材を含有する封止部材と
    を備え、
    前記発光素子は、前記配線部以外の領域に配置されており、前記配線部とワイヤにより電気的に接続されており、
    平面視において、前記基板上の前記封止部材に被覆される領域は前記矩形状の中心を通り、かつｘ方向に平行な直線によって、第１領域と第２領域とに分けられており、
    前記配線部は、前記第２領域よりも前記第１領域で面積が大きくなるように配置され、
    前記発光素子は、前記第１領域よりも前記第２領域で面積が大きくなるように配置され、
    前記封止部材は、前記ｘ方向において高低差を設けず、ｙ方向に平行な直線を対称軸として線対称に配置されており、前記封止部材の上面は前記基板の表面と平行な面を有さず、かつ前記ｙ方向において前記基板の第２領域側の一端部から第１領域側の他端部へ連続して傾斜するよう高低差を設けており、
    前記封止部材の最大高さは、前記第１領域側よりも、前記第２領域側において高いことを特徴とする発光装置。
  2. 前記配線部は、前記基板よりも前記発光装置の発光波長における反射率が低い請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記波長変換部材は２種類以上の蛍光体を含む請求項１又は２に記載の発光装置。
  4. 前記封止部材の最大高さは７００μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記配線部上には保護素子が配置されており、前記配線部と前記保護素子とが電気的に接続される請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記発光素子は、前記基板上に１個載置される請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. ｘｙ平面上においてｘ方向に延在する一対の横辺と、ｙ方向に延在する一対の縦辺とを有する矩形状の基板の上面において、前記矩形状の中心を通り、かつｘ方向に平行な直線によって分けられる第１領域と第２領域とを有し、前記第１領域において面積が大きくなるように配置された配線部と、前記第２の領域において面積が大きくなるように配置された発光素子とを有する基板が、複数連なってなる集合基板を準備する工程と、
    前記集合基板上に、複数の前記基板のそれぞれと対応する位置に開口を有するマスクを載置し、前記マスクの上側の一方に、波長変換部材を含有した封止部材を配置し、前記基板の第１領域側から第２領域側へ向かって前記第１領域側より前記第２領域側の封止部材の量が多くなるようにスキージを移動させることにより、前記開口に前記封止部材を、ｙ方向において、前記第１領域よりも前記第２領域に傾斜するように印刷する工程と、
    前記マスクを除去する工程と
    を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
  8. 前記集合基板を、前記基板ごとに個片化する工程を有する請求項７に記載の発光装置の製造方法。
  9. 前記個片化は、前記集合基板に形成された溝に沿って行われる請求項８に記載の発光装置の製造方法。
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