JP5111798B2 - 描画装置、及び描画装置における描画方法 - Google Patents
描画装置、及び描画装置における描画方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5111798B2 JP5111798B2 JP2006185732A JP2006185732A JP5111798B2 JP 5111798 B2 JP5111798 B2 JP 5111798B2 JP 2006185732 A JP2006185732 A JP 2006185732A JP 2006185732 A JP2006185732 A JP 2006185732A JP 5111798 B2 JP5111798 B2 JP 5111798B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- calculation
- main deflection
- unit
- calculation data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
(1)描画しようとするサブフィールド領域(SFi−1)が、電子ビームを走査可能な領域(以下、「窓枠領域」という)に入ったことを、主偏向データ、及びステージの位置情報とに基づき判定する(窓枠判定)。
(2)窓枠領域に入ったことが検知されたら、その時点でのステージの位置情報を取得し、このステージ位置情報、及び主偏向データに基づいて主偏向アンプ駆動用の演算データを演算する(主偏向演算)。
(3)主偏向演算データに基づいて、描画しようとするサブフィールド領域に電子ビームが位置するように主偏向アンプを制御する(主偏向セトリング)。
(4)主偏向セトリングが終了し次第、副偏向データに基づいてサブフィールド領域の描画を開始する(描画)。
(5)描画が終了したら、次に描画すべきサブフィールド領域(SFi)の窓枠判定を行い、以下、当該サブフィールド領域について上記(1)〜(4)を繰り返す。
Claims (8)
- ビームを偏向させて試料上に所望のパターンを描画する描画装置において、
前記ビームを偏向させる偏向器を含むビーム光学系と、
前記偏向器を駆動する駆動部と、
描画したいパターンを示す描画データを複数の分割領域に分割すると共にその複数の分割領域の1つに前記ビームを偏向させるための主偏向データを発生させるデータ発生回路と、
前記試料を載置可能に構成されたステージと、
前記ステージの位置を検出しステージ位置情報を取得する位置検出回路と、
描画しようとする前記分割領域が前記ビームを走査可能な窓枠領域に入ったことを前記主偏向データと前記ステージ位置情報とに基づき判定し判定信号を出力する窓枠判定部と、
前記窓枠判定部と並列に前記主偏向データを入力され前記主偏向データに基づき前記駆動部を駆動するための演算データの演算を、前記窓枠判定部での判定と並行して実行する主偏向演算部と、
前記判定信号が出力されたこと及び描画中の前記分割領域の描画が終了したことを検知して前記主偏向演算部より前記演算データの転送を受けて当該演算データを前記駆動部へ転送する転送制御部と
を備えたことを特徴とする描画装置。 - 前記窓枠判定部及び前記主偏向演算部は、前記主偏向演算部から前記転送制御部へと前記演算データが転送された後、次に描画されるべき前記分割領域に関する前記主偏向データの入力を受けるように構成された請求項1記載の描画装置。
- 前記転送制御部は、前記演算データの補正のため、前記演算データと共に前記演算データの演算時における前記ステージ位置情報を前記主偏向演算部より取得するように構成された請求項1記載の描画装置。
- 前記主偏向演算部は、前記演算データの演算を繰り返し実行し、前記分割領域の描画が終了したと判定される場合には前記演算データを前記転送制御部に向けて転送する一方、前記分割領域の描画が終了していないと判定される場合には前記演算データを破棄することを特徴とする請求項1記載の描画装置。
- ビームを偏向させる偏向器を含むビーム光学系と、前記偏向器を駆動する駆動部と、試料を載置可能に構成されたステージとを少なくとも備えた描画装置による描画方法において、
描画したいパターンを示す描画データを複数の分割領域に分割すると共にその複数の分割領域の1つに前記ビームを偏向させるための主偏向データを発生させるステップと、
前記ステージの位置を検出しステージ位置情報を取得するステップと、
描画しようとする前記分割領域が前記ビームを走査可能な窓枠領域に入ったことを前記主偏向データと前記ステージ位置情報とに基づき判定し判定信号を出力するステップと、
前記判定信号を出力するステップと並列に実行され、前記主偏向データに基づき前記駆動部を駆動するための演算データを演算するステップと、
前記判定信号が出力されたこと及び描画中の前記分割領域の描画が終了したことを検知して前記演算データを前記駆動部へ転送するステップと
を備えたことを特徴とする描画方法。 - 前記演算データが転送された後、その演算データによる描画動作と並行して、次に描画されるべき前記分割領域についての前記主偏向データに基づいて前記判定信号を出力するステップ及び前記演算するステップの実行が開始される
ことを特徴とする請求項5記載の描画方法。 - 前記転送するステップにおいて転送された前記演算データを、その演算がされた時点の前記ステージ位置情報と、現在のステージ位置情報との差に基づいて補正することを特徴とする請求項5記載の描画方法。
- 前記演算データを演算するステップは、前記演算データの演算を繰り返し実行し、前記分割領域の描画が終了したと判定される場合には前記演算データを前記駆動部に向けて転送する一方、前記分割領域の描画が終了していないと判定される場合には前記演算データを破棄することを特徴とする請求項5記載の描画方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006185732A JP5111798B2 (ja) | 2006-07-05 | 2006-07-05 | 描画装置、及び描画装置における描画方法 |
US11/762,491 US7741614B2 (en) | 2006-07-05 | 2007-06-13 | Lithography system and lithography method using the same |
TW096122908A TWI366746B (en) | 2006-07-05 | 2007-06-25 | Lithography system and lithography method using the same |
KR1020070066954A KR100893245B1 (ko) | 2006-07-05 | 2007-07-04 | 묘화 장치 및 묘화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006185732A JP5111798B2 (ja) | 2006-07-05 | 2006-07-05 | 描画装置、及び描画装置における描画方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008016608A JP2008016608A (ja) | 2008-01-24 |
JP5111798B2 true JP5111798B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=38918326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006185732A Active JP5111798B2 (ja) | 2006-07-05 | 2006-07-05 | 描画装置、及び描画装置における描画方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7741614B2 (ja) |
JP (1) | JP5111798B2 (ja) |
KR (1) | KR100893245B1 (ja) |
TW (1) | TWI366746B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5123730B2 (ja) * | 2008-05-01 | 2013-01-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 偏向アンプのセトリング時間検査方法及び偏向アンプの故障判定方法 |
JP5204687B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-06-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5687838B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2015-03-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
TW201224678A (en) * | 2010-11-04 | 2012-06-16 | Orc Mfg Co Ltd | Exposure device |
JP5693981B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
NL2011276A (en) | 2012-09-06 | 2014-03-10 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus and lithographic processing cell. |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152726A (ja) | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Toshiba Corp | 荷電ビーム描画方法 |
JP2501976B2 (ja) * | 1990-08-27 | 1996-05-29 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビ―ム露光装置及び荷電粒子ビ―ムの制御方法 |
JP3169399B2 (ja) * | 1990-09-20 | 2001-05-21 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光装置及びその制御方法 |
US5528048A (en) * | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
JP3260611B2 (ja) * | 1995-12-05 | 2002-02-25 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画制御装置 |
JP3512946B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2004-03-31 | 株式会社東芝 | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
JP2000114137A (ja) | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Advantest Corp | 電子ビーム露光装置及びアライメント方法 |
JP3047294B1 (ja) | 1999-02-26 | 2000-05-29 | 株式会社日立製作所 | 電子ビ―ム描画方法および描画装置、ならびにそれを用いて製作したデバイス |
-
2006
- 2006-07-05 JP JP2006185732A patent/JP5111798B2/ja active Active
-
2007
- 2007-06-13 US US11/762,491 patent/US7741614B2/en active Active
- 2007-06-25 TW TW096122908A patent/TWI366746B/zh active
- 2007-07-04 KR KR1020070066954A patent/KR100893245B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008016608A (ja) | 2008-01-24 |
US7741614B2 (en) | 2010-06-22 |
US20080006778A1 (en) | 2008-01-10 |
TWI366746B (en) | 2012-06-21 |
KR100893245B1 (ko) | 2009-04-17 |
TW200815940A (en) | 2008-04-01 |
KR20080004389A (ko) | 2008-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5111798B2 (ja) | 描画装置、及び描画装置における描画方法 | |
JP5204451B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5037850B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JP5090887B2 (ja) | 電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置 | |
JP2008004597A (ja) | 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP5465923B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画の主偏向セトリング時間の決定方法及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP5697414B2 (ja) | 荷電粒子線描画装置、および、物品の製造方法 | |
US9666410B2 (en) | Charged particle beam device | |
KR101498882B1 (ko) | 하전 입자빔 묘화 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 하전 입자빔 묘화 장치 | |
US7554082B2 (en) | Pattern observation apparatus, pattern observation method, method of manufacturing semiconductor device, and program | |
JP2006318977A (ja) | 電子ビーム描画装置、描画方法、及び描画プログラム | |
JP5686829B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 | |
US7368737B2 (en) | Electron beam writing method, electron beam writing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
US20080001097A1 (en) | Electron beam drawing apparatus, electron beam drawing method, and a semiconductor device manufacturing method | |
US9536705B2 (en) | Method for correcting drift of charged particle beam, and charged particle beam writing apparatus | |
JPH10284392A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
US20080006777A1 (en) | Lithography system and error detection method in same | |
US5590048A (en) | Block exposure pattern data extracting system and method for charged particle beam exposure | |
JP2006165566A (ja) | ビームによる基板露光方法 | |
JP2006165566A5 (ja) | ||
US20090206280A1 (en) | Charged-beam exposure apparatus having an improved alignment precision and exposure method | |
JP2010147066A (ja) | 座標計測装置及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
JPH1154403A (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
JP2017228650A (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2786314B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置の偏向歪補正方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110909 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121010 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5111798 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |