JP5121807B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5121807B2
JP5121807B2 JP2009263067A JP2009263067A JP5121807B2 JP 5121807 B2 JP5121807 B2 JP 5121807B2 JP 2009263067 A JP2009263067 A JP 2009263067A JP 2009263067 A JP2009263067 A JP 2009263067A JP 5121807 B2 JP5121807 B2 JP 5121807B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
semiconductor device
manufacturing
resin layer
electrode pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009263067A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010034609A (ja
Inventor
孝行 谷
治雄 兵藤
隆生 渋谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2009263067A priority Critical patent/JP5121807B2/ja
Publication of JP2010034609A publication Critical patent/JP2010034609A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5121807B2 publication Critical patent/JP5121807B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にパッケージ外形を縮小し、実装面積を低減しコストダウンが可能な半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造においては、ウェハからダイシングして分離した半導体チップをリードフレームに固着し、金型と樹脂注入によるトランスファーモールドによってリードフレーム上に固着された半導体チップを封止し、封止された半導体チップを個々の半導体装置毎に分離するという工程が行われている。このリードフレームには短冊状あるいはフープ状のフレームが用いられており、いずれにしろ１回の封止工程で複数個の半導体装置が同時に封止されている。
図７は、トランスファーモールド工程の状況を示す図である。トランスファーモールド工程では、ダイボンド、ワイヤボンドにより半導体チップ１が固着されたリードフレーム２を、上下金型３Ａ、３Ｂで形成したキャビティ４の内部に設置し、キャビティ４内にエポキシ樹脂を注入することにより、半導体チップ１の封止が行われる。このようなトランスファーモールド工程の後、リードフレーム２を各半導体チップ１毎に切断して、個別の半導体装置が製造される（例えば特開平０５−１２９４７３号）。
この時、図８に示すように、金型３Ｂの表面には多数個のキャビティ４ａ〜４ｆと、樹脂を注入するための樹脂源５と、ランナー６、及びランナー６から各キャビティ４ａ〜４ｆに樹脂を流し込むためのゲート７とが設けられている。これらは全て金型３Ｂ表面に設けた溝である。短冊状のリードフレームであれば、１本のリードフレームに例えば１０個の半導体チップ１が搭載されており、１本のリードフレームに対応して、１０個のキャビティ４と１０本のゲート７、及び１本のランナー６が設けられる。そして、金型３表面には例えばリードフレーム２０本分のキャビティ４が設けられる。
図９は、上記のトランスファーモールドによって製造した半導体装置を示す図である。トランジスタ等の素子が形成された半導体チップ１がリードフレームのアイランド８上に半田等のろう材９によって固着実装され、半導体チップ１の電極パッドとリード１０とがワイヤ１１で接続され、半導体チップ１の周辺部分が上記キャビティの形状に合致した樹脂１２で被覆され、樹脂１２の外部にリード端子１０の先端部分が導出されたものである。
特開平０５−１２９４７３号
従来のパッケージでは、外部接続用のリード端子１０を樹脂１２から突出させるので、リード端子１０の先端部までの距離を実装面積として考慮しなくてはならず、樹脂１２の外形寸法より実装面積の方が遥かに大きくなるという欠点がある。
また、従来のトランスファーモールド技術では、圧力をかけ続けた状態で硬化させることから、ランナー６とゲート７においても樹脂が硬化し、このランナー６等に残った樹脂は廃棄処分となる。そのため、上記のリードフレームを用いた手法では、製造すべき半導体装置個々にゲート７を設けるので、樹脂の利用効率が悪く、樹脂の量に対して製造できる半導体装置の個数が少ないという欠点があった。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の搭載部を有する基板を準備する工程と、
前記搭載部の各々に半導体チップを固着する工程と、前記基板の上を平坦な樹脂層で被覆し、前記各搭載部に固着した半導体チップの各々を共通の樹脂層で被覆する工程と、前記基板の裏面側から、前記搭載部毎に、前記基板と前記樹脂層とをダイシングラインに沿ってダイシングし個々の半導体装置に分離する工程とを具備し、前記基板は、裏面側に第１の電極パターンを備え、前記第１の電極パターンは、前記搭載部の各々間で連結しないとともに、前記ダイシングラインから後退するように構成されており、前記基板は、表面側に第２の電極パターンを備え、前記第２の電極パターンは、前記ダイシングラインから後退する電極部と、一の前記半導体チップにおける前記電極部と他の前記半導体チップにおける前記電極部とを接続する接続部と、を備え、前記第１の電極パターンと前記電極部とは、前記基板に形成されたスルーホールを介して接続されており、前記第１の電極パターン及び前記第２の電極パターンは、電解メッキ法により形成されていること、を特徴とする。
本発明によれば、リードフレームを用いた半導体装置よりも更に小型化できるパッケージ構造を提供できる利点を有する。このとき、リード端子が突出しない構造であるので、実装したときの占有面積を低減し、高密度実装を実現できる。
さらに、キャビティを構成するための金型３Ａ、３Ｂが不要であるので、大幅なコストダウンが可能である利点を有する。
そして、樹脂層３５表面を平坦面に加工した後に、樹脂層３５表面側にダイシングシート５０を貼り付けてダイシングすることにより、電極パターン３１ａ〜３１ｄ表面にダイシングシート５０の粘着剤を付着させることが無い製造方法を提供できるものである。
本発明を説明するための斜視図である 本発明を説明するための（Ａ）平面図（Ｂ）断面図である。 本発明を説明するための平面図である。 本発明を説明するための断面図である。 本発明を説明するための断面図である。 本発明を説明するための斜視図である。 従来例を説明するための断面図である。 従来例を説明するための平面図である。 従来例を説明するための断面図である。
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
第１工程：図１参照
まず、１個の半導体装置に対応する搭載部２０を複数個分、例えば１００個分を縦横に配置した、大判の基板２１を準備する。基板２１は、セラミックやガラスエポキシ等からなる絶縁基板であり、それらが１枚あるいは数枚重ね合わされて、合計の板厚が２００〜３５０μｍと製造工程における機械的強度を維持し得る板厚を有している。
基板２１の各搭載部２０の表面には、タングステン等の金属ペーストの印刷と、金の電解メッキによる導電パターンが形成されている。また、基板２１の裏面側には、外部接続電極としての電極パターンが形成されている。
図２（Ａ）は基板２１の表面に形成した導電パターンを示す平面図、図２（Ｂ）は基板２１の断面図である。
点線で囲んだ各搭載部２０は、例えば長辺×短辺が１．０ｍｍ×０．８ｍｍの矩形形状を有しており、これらは互いに２０〜５０μｍの間隔を隔てて縦横に配置されている。前記間隔は後の工程でのダイシングライン２４となる。導電パターンは、各搭載部２０内においてアイランド部２５とリード部２６を形成し、これらのパターンは各搭載部２０内において同一形状である。アイランド部２５は半導体チップを搭載する箇所であり、リード部２６は半導体チップの電極パッドとワイヤ接続する箇所である。アイランド部２５からは２本の第１の連結部２７が連続したパターンで延長される。これらの線幅はアイランド部２５よりも狭い線幅で、例えば０．１ｍｍの線幅で延在する。第１の連結部２７はダイシングライン２４を超えて隣の搭載部２０のリード部２６に連結する。更に、リード部２６からは各々第２の連結部２８が、第１の連結部２７とは直行する方向に延在し、ダイシングライン２４を越えて隣の搭載部２０のリード部２４に連結する。第２の連結部２８は更に、搭載部２０群の周囲を取り囲む共通連結部２９に連結する。このように第１と第２の連結部２７、２８が延在することによって、各搭載部２０のアイランド部２５とリード部２６とを電気的に共通接続する。
図２（Ｂ）を参照して、第１の絶縁基板２２には、各搭載部２０毎にスルーホール３０が設けられている。スルーホール３０の内部はタングステンなどの導電材料によって埋設されている。そして、各スルーホール３０に対応して、裏面側に外部電極３１を形成する。
図３は、基板２１を裏面側から観測して外部電極３１ａ〜３１ｄのパターンを示した平面図である。これらの外部電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄは、搭載部２０の端から０．０５〜０．１ｍｍ程度後退されており、且つ各々が独立したパターンで形成されている。にもかかわらず、電気的には各スルーホール３０を介して共通連結部２９に接続される。これにより、導電パターンを一方の電極とする電解メッキ法ですべての導電パターン上に金メッキ層を形成することが可能となる。また、ダイシングライン２４を横断するのは線幅が狭い第１と第２の連結部２７、２８だけにすることができる。
第２工程：図４（Ａ）参照
斯様に金メッキ層を形成した基板２１の各搭載部２０毎に、半導体チップ３３をダイボンド、ワイヤボンドする。半導体チップ３３はアイランド部２５表面にＡｇペーストなどの接着剤によって固定し、半導体チップ３３の電極パッドとリード部３２ａ、３２ｂとを各々ワイヤ３４で接続する。半導体チップ３３としては、バイポーラトランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ等の３端子の能動素子を形成している。バイポーラ素子を搭載した場合は、アイランド部２５に接続された外部電極３１ａ、３１ｂがコレクタ端子であり、リード部２６に各々接続された外部電極３１ｃ、３１ｄがベース・エミッタ電極となる。
第３工程：図４（Ｂ）参照
基板２１の上方に移送したディスペンサ（図示せず）から所定量のエポキシ系液体樹脂を滴下（ポッティング）し、すべての半導体チップ３３を共通の樹脂層３５で被覆する。例えば一枚の基板２１に１００個の半導体チップ３３を搭載した場合は、１００個全ての半導体チップ３３を一括して被覆する。前記液体樹脂として例えばＣＶ５７６ＡＮ（松下電工製）を用いた。滴下した液体樹脂は比較的粘性が高く、表面張力を有しているので、その表面が湾曲する。
第４工程：図４（Ｃ）参照
滴下した樹脂層３５を１００〜２００度、数時間の熱処理（キュア）にて硬化させた後に、湾曲面を研削することによって樹脂層３５の表面を平坦面に加工する。研削にはダイシング装置を用い、ダイシングブレード３６によって樹脂層３５の表面が基板２１から一定の高さに揃うように、樹脂層３５表面を削る。この工程では、樹脂層３５の膜厚を０．３〜１．０ｍｍに成形する。平坦面は、少なくとも最も外側に位置する半導体チップ３３を個別半導体装置に分離したときに、規格化したパッケージサイズの樹脂外形を構成できるように、その端部まで拡張する。前記ブレードには様々な板厚のものが準備されており、比較的厚めのブレードを用いて、切削を複数回繰り返すことで全体を平坦面に形成する。
また、滴下した樹脂層３５を硬化する前に、樹脂層３５表面に平坦な成形部材を押圧して平坦且つ水平な面に成形し、後に硬化させる手法も考えられる。
第５工程：図５（Ａ）参照
次に、基板２１を反転し、樹脂層３５の表面にダイシングシート５０（たとえば、商品名：ＵＶシート、リンテック株式会社製）を貼り付ける。先の工程で樹脂層３５表面を平坦且つ基板２１表面に対して水平の面に加工したことによって、樹脂層３５側に貼り付けても基板２１が傾くことなく、その水平垂直の精度を維持することができる。
第６工程：図５（Ｂ）参照
次に、搭載部２０毎に樹脂層３５を切断して各々の半導体装置に分離する。切断にはダイシング装置のダイシングブレード３６を用い、ダイシングライン２４に沿って樹脂層３５と基板２１とを同時にダイシングすることにより、搭載部２０毎に分割した半導体装置を形成する。ダイシング工程においては前記ダイシングブレード３６がダイシングシート５０の表面に到達するような切削深さで切断する。この時には、基板２１の裏面側からも観測可能な合わせマーク（例えば、基板２１の周辺部分に形成した貫通孔や、金メッキ層の一部）をダイシング装置側で自動認識し、これを位置基準として用いてダイシングする。また、電極パターン３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄやアイランド部２５がダイシングブレード３６に接しないパターン設計としている。これは、金メッキ層の切断性が比較的悪いので、金メッキ層のバリが生じるのを極力防止する事を目的にしたものである。従って、ダイシングブレード３６と金メッキ層とが接触するのは、電気的導通を目的とした第１と第２の接続部２７、２８のみである。
図６は、上述の工程によって形成された各半導体装置を示す斜視図である。パッケージの周囲４側面は、樹脂層３５と基板２１の切断面で形成され、パッケージの上面は平坦化した樹脂層３５の表面で形成され、パッケージの下面は第１の絶縁基板２２の裏面側で形成される。
この半導体装置は、縦×横×高さが、例えば、１．０ｍｍ×０．６ｍｍ×０．５ｍｍのごとき大きさを有している。基板２１の上には０．５ｍｍ程度の樹脂層３５が被覆して半導体チップ３３を封止している。半導体チップ３３は約１５０μｍ程度の厚みを有する。アイランド部２５とリード部２６はパッケージの端面から後退されており、第１と第２の接続部２７、２８の切断部分だけがパッケージ側面に露出する。
外部電極３１ａ〜３１ｄは基板２１の４隅に、０．２×０．３ｍｍ程度の大きさで配置されており、パッケージ外形の中心線に対して左右（上下）対象となるようなパターンで配置されている。この様な対称配置では電極の極性判別が困難になるので、樹脂層３５の表面側に凹部を形成するか印刷するなどして、極性を表示するマークを刻印するのが好ましい。
斯かる手法によって形成した半導体装置は、多数個の素子をまとめて樹脂でパッケージングするので、個々にパッケージングする場合に比べて、無駄にする樹脂材料を少なくでき、材料費の低減につながる。また、リードフレームを用いないので、従来のトランスファーモールド手法に比べて、パッケージ外形を大幅に小型化することができる。更に、外部接続用の端子が基板２１の裏面に形成され、パッケージの外形から突出しないので、装置の実装面積を大幅に小型化できるものである。
更に、上記の製造方法は、基板２１側でなく樹脂層３５側にダイシングシート５０を貼り付けてダイシングを行っている。例えば基板２１側に貼り付けた場合は、素子を剥離したときにダイシングシート５０の粘着剤が電極パターン３１ａ〜３１ｄの表面に付着してしまう。このような粘着剤が残った状態で素子を自動実装装置に投入すると、実装時における電極パターン３１ａ〜３１ｄの半田付け性を劣化させる危惧がある。また、電極パターン３１ａ〜３１ｄ表面にゴミが付着することによる弊害も危惧される。本発明によれば、樹脂層３５側に貼り付けることによってこれらの弊害を解消している。
更に、樹脂層３５側にダイシングシート５０を貼り付けるに際して、樹脂層３５の表面を水平且つ平坦面に加工することによって、基板２１側にダイシングシート５０を貼り付けた場合と同じ垂直水平精度を維持することができる。
尚、上記実施例は３端子素子を封止して４個の外部電極を形成した例で説明したが、例えば２個の半導体チップを封止した場合や、集積回路を封止した場合も同様にして実施することが可能である。
２０ 搭載部
２１ 基板
２５ アイランド部
２６ リード部
２７ 第１の連結部
２８ 第２の連結部
２９ 共通連結部
３０ スルーホール
３１ 外部電極
３３ 半導体チップ
３５ 樹脂層

Claims (7)

  1. 複数の搭載部を有する基板を準備する工程と、
    前記搭載部の各々に半導体チップを固着する工程と、
    前記基板の上を平坦な樹脂層で被覆し、前記各搭載部に固着した半導体チップの各々を共通の樹脂層で被覆する工程と、
    前記基板の裏面側から、前記搭載部毎に、前記基板と前記樹脂層とをダイシングラインに沿ってダイシングし個々の半導体装置に分離する工程とを具備し、
    前記基板は、裏面側に第１の電極パターンを備え、
    前記第１の電極パターンは、前記搭載部の各々間で連結しないとともに、前記ダイシングラインから後退するように構成されており、
    前記基板は、表面側に第２の電極パターンを備え、
    前記第２の電極パターンは、前記ダイシングラインから後退する電極部と、一の前記半導体チップにおける前記電極部と他の前記半導体チップにおける前記電極部とを接続する接続部と、を備え、
    前記第１の電極パターンと前記電極部とは、前記基板に形成されたスルーホールを介して接続されており、
    前記第１の電極パターン及び前記第２の電極パターンは、電解メッキ法により形成されていること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記基板は、裏面側に合わせマークを備え、
    前記合わせマークは、前記ダイシングの工程における前記ダイシングラインを認識するために用いられること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 請求項１又は２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記接続部は、前記電極部よりも線幅が狭いこと、を特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記樹脂層は、液体樹脂を滴下する工程と、前記液体樹脂が硬化した後に当該液体樹脂の表面を研削する工程とを経て形成されること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記基板は、前記ダイシング工程において前記樹脂層の上にダイシングテープを貼り付けられること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記樹脂層の表面には、極性を表示するマークが刻印されていること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記基板は、セラミック又はガラスエポキシからなる絶縁基板であること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2009263067A 2009-11-18 2009-11-18 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5121807B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263067A JP5121807B2 (ja) 2009-11-18 2009-11-18 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009263067A JP5121807B2 (ja) 2009-11-18 2009-11-18 半導体装置の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP03138799A Division JP4803855B2 (ja) 1999-02-09 1999-02-09 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010034609A JP2010034609A (ja) 2010-02-12
JP5121807B2 true JP5121807B2 (ja) 2013-01-16

Family

ID=41738640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009263067A Expired - Fee Related JP5121807B2 (ja) 2009-11-18 2009-11-18 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5121807B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5956185B2 (ja) * 2012-02-27 2016-07-27 京セラ株式会社 多数個取り配線基板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0523536U (ja) * 1991-08-31 1993-03-26 太陽誘電株式会社 回路部品
JP3696900B2 (ja) * 1994-07-06 2005-09-21 イビデン株式会社 電子部品の封止用樹脂を研削するための平面研削装置
JP3311914B2 (ja) * 1995-12-27 2002-08-05 株式会社シチズン電子 チップ型発光ダイオード
JPH10284525A (ja) * 1997-04-03 1998-10-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010034609A (ja) 2010-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3819574B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002026182A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3738176B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3877454B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4803855B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3877453B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4073098B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5121807B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4698658B2 (ja) 半導体チップ搭載用の絶縁基板
JP3639509B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3710942B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4215300B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002050590A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4162303B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3738144B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4911635B2 (ja) 半導体装置
JP3877448B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008205515A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091118

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20111117

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120925

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121023

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees