JP3738176B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にリードレスによりパッケージ外形を縮小して実装面積を低減し、大幅なコストダウンが可能な半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造においては、ウェハ上に形成された１個１個の半導体チップの良否が判定され、ウェハからダイシングして分離した良品の半導体チップをリードフレームに固着し、金型と樹脂注入によるトランスファーモールドによってリードフレーム上に固着された半導体チップを封止し、封止された半導体チップを個々の半導体装置毎に分離するという工程が行われている。このリードフレームには短冊状あるいはフープ状のフレームが用いられており、いずれにしろ１回の封止工程で複数個の半導体装置が同時に封止されている。
【０００３】
図１３は、ウェハ上に形成された半導体チップのチェック工程を示す。この工程では、ウェハ上に形成された１個１個の半導体チップ１の良、不良が判定される。まず、ウェハの位置認識がされ、プローブの針１４がチップサイズ分だけ送られて各半導体チップ１の電極パットに接触する。そして、この状態で、あらかじめプログラムされている入力信号波形を入力電極パットから入力し、出力端子から一定の信号波形が出力され、これをテスターが読み取り良、不良の判定がされる。ここで、不良の判定がされた半導体チップ１はマーキングがされ、半導体チップ１がリードフレームに固着される際には、認識用カメラがこのマーキングを認識し不良な半導体チップ１は除かれる。
【０００４】
図１４は、トランスファーモールド工程を示す。トランスファーモールド工程では、ダイボンド、ワイヤボンドにより半導体チップ１が固着されたリードフレーム２を、上下金型３Ａ、３Ｂで形成したキャビティ４の内部に設置し、キャビティ４内にエポキシ樹脂を注入することにより、半導体チップ１の封止が行われる。このようなトランスファーモールド工程の後、リードフレーム２を各半導体チップ１毎に切断して、個別の半導体装置が製造される（例えば特開平０５−１２９４７３号）。
【０００５】
この時、図１５に示すように、金型３Ｂの表面には多数個のキャビティ４ａ〜４ｆと、樹脂を注入するための樹脂源５と、ランナー６、及びランナー６から各キャビティ４ａ〜４ｆに樹脂を流し込むためのゲート７とが設けられている。これらは全て金型３Ｂ表面に設けた溝である。短冊状のリードフレームであれば、１本のリードフレームに例えば１０個の半導体チップ１が搭載されており、１本のリードフレームに対応して、１０個のキャビティ４と１０本のゲート７、及び１本のランナー６が設けられる。そして、金型３表面には例えばリードフレーム２０本分のキャビティ４が設けられる。
【０００６】
トランスファーモールド後に各半導体チップ１はリードフレームから切り離されて、個々の半導体装置に分離される。この個々の半導体装置は、更に、測定工程で特性別（ｈｆｅランク別）に分類されてテーピングされて出荷される。
【０００７】
図１６は、上記のトランスファーモールドによって製造した半導体装置を示す。トランジスタ等の素子が形成された半導体チップ１がリードフレームのアイランド８上に半田等のろう材９によって固着実装され、半導体チップ１の電極パッドとリード１０とがワイヤ１１で接続され、半導体チップ１の周辺部分が上記キャビティの形状に合致した樹脂１２で被覆され、樹脂１２の外部にリード端子１０の先端部分が導出されたものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のトランスファーモールドにより個別の半導体装置を製造する方法では、トランスファーモールド後に個々の半導体装置に分離されてばらばらにされるため、各半導体装置を一定の方向に揃えて個別に特性の測定を行う必要があり、余分な工程で時間を費やしてしまう欠点があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した事情に鑑みて成されたものであり、複数の半導体チップを搭載したセラミックやガラスエポキシ等からなる絶縁基板を粘着シートに貼り付けられた状態で、ダイシングした後に個別の半導体装置に分離することなく、認識用カメラで１個の半導体装置の基板電極を位置認識して、その位置認識した半導体装置およびその周囲に位置する複数個の半導体装置を位置認識しないで特性（ｈｆｅランク別）の判定を行うことに特徴を有する。
【００１０】
また本発明では、セラミックやガラスエポキシ等からなる絶縁基板を使用するため、従来のシリコン基板よりも伸縮率が大きくなり基板間の間隔も微妙にずれを生じるので認識用カメラの視野をマスキングにより半導体装置１個分にすることで、より位置認識の精度を向上させる。また、それだけでなく、位置認識の面積を小さくすることで位置認識時間の短縮を達成することに特徴を有する。
【００１１】
更に本発明では、半導体装置の測定を行う際に使用する認識用カメラとプローブの針の位置を固定し、半導体装置が形成された基板を移動させる。そのことで、位置認識の精度を向上させ、作業スピードも向上させられるので、極めて容易に且つ大量に半導体装置の特性測定を行える。かつ、１個の半導体チップの電極パットを認識し、目標位置からのずれ量を画像処理装置から取り込みそのずれ分を盛り込んで次の半導体チップを移動させることで位置のずれを常に修正しながら位置認識を行うことに特徴を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１３】
本発明の第１の工程は、図１から図３に示すように、複数の搭載部を有する基板を準備することにある。
【００１４】
まず図１に示すように、１個の半導体装置に対応する搭載部２０を複数個分、例えば１００個分を１０行１０列に縦横に配置した大判の基板２１を準備する。基板２１は、セラミックやガラスエポキシ等からなる絶縁基板であり、それらが１枚あるいは数枚重ね合わされて、合計の板厚が２００〜３５０μｍと製造工程における機械的強度を維持し得る板厚を有している。
【００１５】
基板２１の各搭載部２０の表面には、タングステン等の金属ペーストの印刷と、金の電解メッキによる導電パターンが形成されている。また、基板２１の裏面側には、外部接続電極としての電極パターンが形成されている。
【００１６】
図２（Ａ）は基板２１の表面に形成した導電パターンを示す平面図、図２（Ｂ）は基板２１の断面図である。
【００１７】
点線で囲んだ各搭載部２０は、例えば長辺×短辺が１．０ｍｍ×０．８ｍｍの矩形形状を有しており、これらは互いに２０〜５０μｍの間隔を隔てて縦横に配置されている。前記間隔は後の工程でのダイシングライン２４となる。導電パターンは、各搭載部２０内においてアイランド部２５とリード部２６を形成し、これらのパターンは各搭載部２０内において同一形状である。アイランド部２５は半導体チップを搭載する箇所であり、リード部２６は半導体チップの電極パッドとワイヤ接続する箇所である。アイランド部２５からは２本の第１の連結部２７が連続したパターンで延長される。これらの線幅はアイランド部２５よりも狭い線幅で、例えば０．１ｍｍの線幅で延在する。第１の連結部２７はダイシングライン２４を超えて隣の搭載部２０のリード部２６に連結する。更に、リード部２６からは各々第２の連結部２８が、第１の連結部２７とは直行する方向に延在し、ダイシングライン２４を越えて隣の搭載部２０のリード部２４に連結する。第２の連結部２８は更に、搭載部２０群の周囲を取り囲む共通連結部２９に連結する。このように第１と第２の連結部２７、２８が延在することによって、各搭載部２０のアイランド部２５とリード部２６とを電気的に共通接続する。これは金等の電解メッキを行う際に、共通電極とするためである。
【００１８】
図２（Ｂ）を参照して、絶縁基板２１には、各搭載部２０毎にスルーホール３０が設けられている。スルーホール３０の内部はタングステンなどの導電材料によって埋設されている。そして、各スルーホール３０に対応して、裏面側に外部電極３１を形成する。
【００１９】
図３は、基板２１を裏面側から観測して外部電極３１ａ〜３１ｄのパターンを示した平面図である。これらの外部電極３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄは、搭載部２０の端から０．０５〜０．１ｍｍ程度後退されており、且つ各々が独立したパターンで形成されている。にもかかわらず、電気的には各スルーホール３０を介して共通連結部２９に接続される。これにより、導電パターンを一方の電極とする電解メッキ法ですべての導電パターン上に金メッキ層を形成することが可能となる。また、ダイシングライン２４を横断するのは線幅が狭い第１と第２の連結部２７、２８だけにすることができる。
【００２０】
本発明の第２の工程は、図４に示すように、搭載部の各々に半導体チップを固着し、ワイヤーボンディングすることにある。
【００２１】
金メッキ層を形成した基板２１の各搭載部２０毎に、半導体チップ３３をダイボンド、ワイヤボンドする。半導体チップ３３はアイランド部２５表面にＡｇペーストなどの接着剤によって固定し、半導体チップ３３の電極パッドとリード部３２ａ、３２ｂとを各々ワイヤ３４で接続する。半導体チップ３３としては、バイポーラトランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ等の３端子の能動素子を形成している。バイポーラ素子を搭載した場合は、アイランド部２５に接続された外部電極３１ａ、３１ｂがコレクタ端子であり、リード部２６に各々接続された外部電極３１ｃ、３１ｄがベース・エミッタ電極となる。
【００２２】
次に、本発明の第３の工程は、図５に示すように、基板の上を樹脂層で被覆し、各搭載部に固着した半導体チップの各々を共通の樹脂層で被覆することにある。
【００２３】
図５（Ａ）に示すように、基板２１の上方に移送したディスペンサ（図示せず）から所定量のエポキシ系液体樹脂を滴下（ポッティング）し、すべての半導体チップ３３を共通の樹脂層３５で被覆する。例えば一枚の基板２１に１００個の半導体チップ３３を搭載した場合は、１００個全ての半導体チップ３３を一括して被覆する。前記液体樹脂として例えばＣＶ５７６ＡＮ（松下電工製）を用いた。滴下した液体樹脂は比較的粘性が高く、表面張力を有しているので、その表面が湾曲する。
【００２４】
続いて図５（Ｂ）に示すように、滴下した樹脂層３５を１００〜２００度、数時間の熱処理（キュア）にて硬化させた後に、湾曲面を研削することによって樹脂層３５の表面を平坦面に加工する。研削にはダイシング装置を用い、ダイシングブレード３６によって樹脂層３５の表面が基板２１から一定の高さに揃うように、樹脂層３５表面を削る。この工程では、樹脂層３５の膜厚を０．３〜１．０ｍｍに成形する。平坦面は、少なくとも最も外側に位置する半導体チップ３３を個別半導体装置に分離したときに、規格化したパッケージサイズの樹脂外形を構成できるように、その端部まで拡張する。前記ブレードには様々な板厚のものが準備されており、比較的厚めのブレードを用いて、切削を複数回繰り返すことで全体を平坦面に形成する。
【００２５】
また、滴下した樹脂層３５を硬化する前に、樹脂層３５表面に平坦な成形部材を押圧して平坦且つ水平な面に成形し、後に硬化させる手法も考えられる。
【００２６】
次に、本発明の第４の工程は、図６に示すように、基板２１を樹脂層３５を当接させて粘着シート５０を貼り付けることにある。
【００２７】
図６（Ａ）に示すように、基板２１を反転し、樹脂層３５の表面に粘着シート５０（たとえば、商品名：ＵＶシート、リンテック株式会社製）を貼り付ける。先の工程で樹脂層３５表面を平坦且つ基板２１表面に対して水平の面に加工したことによって、樹脂層３５側に貼り付けても基板２１が傾くことなく、その水平垂直の精度を維持することができる。
【００２８】
図６（Ｂ）に示すように、ステンレス製のリング状の金属枠５１に粘着シート５０の周辺を貼り付け、粘着シート５０の中央部分には６個の基板２１が間隔を設けて貼り付けられる。
【００２９】
次に、本発明の第５の工程は、図７に示すように、基板の裏面側から、搭載部毎に、基板と樹脂層とをダイシングして、個々の半導体装置に分離することにある。
【００３０】
図７（Ａ）に示すように、搭載部２０毎に基板および樹脂層３５を切断して各々の半導体装置に分離する。切断にはダイシング装置のダイシングブレード３６を用い、ダイシングライン２４に沿って樹脂層３５と基板２１とを同時にダイシングすることにより、搭載部２０毎に分割した半導体装置を形成する。ダイシング工程においては前記ダイシングブレード３６がダイシングシート５０の表面に到達するような切削深さで切断する。この時には、基板２１の裏面側からも観測可能な合わせマーク（例えば、基板２１の周辺部分に形成した貫通孔や、金メッキ層の一部）をダイシング装置側で自動認識し、これを位置基準として用いてダイシングする。また、電極パターン３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄやアイランド部２５がダイシングブレード３６に接しないパターン設計としている。これは、金メッキ層の切断性が比較的悪いので、金メッキ層のバリが生じるのを極力防止する事を目的にしたものである。従って、ダイシングブレード３６と金メッキ層とが接触するのは、電気的導通を目的とした第１と第２の接続部２７、２８のみである。
【００３１】
図７（Ｂ）に示すように、金属枠５１に周辺を貼り付けられた粘着シート５０に貼り付けられた複数枚の基板２１は１枚ずつダイシングライン２４を認識して、ダイシング装置で縦方向の各ダイシングライン２４に従って分離され、続いて金属枠５１を９０度回転させて横方向の各ダイシングライン２４に従って分離される。ダイシングにより分離された各半導体装置は粘着剤で粘着シート５０にそのままの状態で指示されており、個別にバラバラに分離されない。
【００３２】
次に、本発明の第６の工程は本発明の特徴とする工程であり、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、粘着シート５０に一体に支持されたダイシング後の各半導体装置の特性の測定が行われる。
【００３３】
図８（Ａ）に示すように、粘着シート５０に一体に支持された各半導体装置の基板２１の裏面側に露出した外部電極３１ａ〜３１ｄにプローブの針５２を当てて、各半導体装置の特性パラメータ等を個別に測定して良、不良および特性別（ｈｆｅランク別）の判定を行う。基板２１はセラミックやガラスエポキシ等からなる絶縁基板を用いているので、製造工程での伸縮による基板の大きさのばらつきや粘着シート５０で支持しているための微小な位置ずれを考慮して、外部電極３１ａ〜３１ｄの位置ずれを検出して位置補正をしながらプローブの針５２を外部電極３１ａ〜３１ｄに当てて測定を行う。
【００３４】
図８（Ｂ）に示すように、金属枠５１には複数枚の基板２１が貼り付けられており、ダイシング工程のままの状態で個別の半導体装置を支持されているので、半導体装置の表裏の判別および外部電極のエミッタ、ベース、コレクタ等の種別や方向の判別も不要にできる。この測定は各基板２１毎に矢印方向に１行ずつ順次行われ、端部まで来ると元に戻り次の行に移動する。金属枠５１は１個の半導体装置のサイズ分だけ位置補正をしながら行方向にピッチ送りをし、端部まで来ると列方向に移動して再び行方向にピッチ送りをすることで、極めて容易に且つ大量に行える。
【００３５】
具体的には、図９（Ａ）および（Ｂ）に示すように、認識用カメラ５４は、半導体装置４０ａをカメラ視野５３のセンターに捕らえ位置認識を行う。このとき、カメラ視野５３は複数個の半導体装置４０ａの他にその周辺の半導体装置４０ｂ、４０ｅ等も同時に捕らえる。しかし、この認識用カメラ５４のレンズには、カメラ視野５３のセンターに半導体装置１個分の視野になるようにマスキングが施されている。そのことで、カメラ視野５３は確実に半導体装置４０ａを捕らえることができ、位置認識の精度をより向上させることができる。特に、半導体装置４０の大きさは小さく密集して形成されているので、位置認識が少しずれることで、周囲の半導体装置との同時測定の際に干渉を生じてしまうので、位置認識の精度は重要である。
【００３６】
そして、まず半導体装置４０cの位置認識がされ位置補正した後に、隣接する半導体装置４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅの電極パットにプローブの針５２が当てられ、これらの半導体装置の特性が測定される。このとき、周辺の半導体装置４０ｂ、４０ｄ、４０ｅの位置認識は許容範囲内の位置ずれに有るとみなして省略され、特性の測定のみ行われるので生産性の向上へと繋がる。
【００３７】
次に、半導体装置４０ｂ、４０ｃ、４０ｄ、４０ｅの測定中に次の測定を行う半導体装置４０ａが位置認識され微少な位置ずれを検出する。この位置ずれを補正して次の半導体装置４０ａを含むその周囲に隣接する複数の半導体装置の電極パットにプローブの針５２が当てられ、これらの半導体装置の特性が測定される。この作業を１列繰り返した後、今度は１列飛ばして次の列で同じ作業が行われる。この作業の繰り返しで１つの基板２１の全ての半導体装置４０の特性が測定される。半導体装置４０の測定結果はテスターのメモリーに記憶されており、この測定結果はフロッピーデスクに移されて次の工程での作業に用いられる。
【００３８】
この半導体装置４０の特性を測定する作業では、認識用カメラ５４およびプローブの針５２の位置は固定されている。そして、半導体装置４０が固定されている金属枠５１が移動することで、この作業が行われる。そして、位置認識作業において、１個の半導体装置４０の電極パットを認識し、目標位置からのずれ量を画像処理装置から取り込みそのずれ分を盛り込んで次の半導体装置４０を移動させる。
【００３９】
ここでは、１個の半導体装置を位置認識し、該半導体装置に隣接する４個の半導体装置の特性の測定を行う場合について述べたが、特に４個でなければならない訳ではなく、最大で１０個の半導体装置の特性測定を位置認識なしで行うことができる。
【００４０】
更に、本発明の第７の工程は、図９に示すように、粘着シート５０に一体に支持された各半導体装置を直接キャリアテープ４１に収納することにある。
【００４１】
図１０（Ａ）に示すように、粘着シート５０に一体に支持された測定済みの各半導体装置は測定データを識別してキャリアテープ４１の収納孔に吸着コレット５３により粘着シートから離脱させて収納する。
【００４２】
図１０（Ｂ）に示すように、金属枠５１には複数枚の基板２１が貼り付けられており、ダイシング工程のままの状態で個別の半導体装置を支持しているので、キャリアテープ４１に収納には金属枠５１を必要とされる半導体装置４０のところにだけ移動させれば良く必要最低限の動きで行えるため、極めて容易に且つ大量に行える。
【００４３】
図１１は本工程で用いるキャリアテープの（Ａ）平面図（Ｂ）ＡＡ線断面図（Ｃ）ＢＢ線断面図を示す。テープ本体４１は膜厚が０．５〜１．０ｍｍ、幅が６〜１５ｍｍ、長さが数十ｍにも及ぶ帯状の部材であり、素材は段ボールのような紙である。テープ本体４１には一定間隔で貫通孔４２が穿設される。また、テープ本体４１を一定間隔で送るための送り孔４３が形成されている。該貫通孔４２と送り孔４３は金型などの打ち抜き加工によって形成される。テープ本体４１の膜厚と貫通孔４２の寸法は、梱包すべき半導体装置４０を収納できる大きさに設計される。
【００４４】
テープ本体４１の裏面側には、透明なフィルム状の第１のテープ４４が貼り付けられて貫通孔４２の底部を塞いでいる。テープ本体４１の表面側には、同じく透明なフィルム状の第２のテープ４５が貼り付けられて貫通孔４３の上部を塞いでいる。第２のテープ４５は側部近傍の接着部４６でテープ本体４１と接着されている。また、第１のテープ４４も第２のテープ４５と同様の箇所でテープ本端４１に接着されている。これらの接着は、フィルム上部から接着部４６に対応する加熱部を持つ部材で熱圧着する事によって行われており、両者共にフィルムを引っ張ることによって剥離することが可能な状態の接着である。
【００４５】
最後に図１２は、上述の工程によって完成された各半導体装置を示す斜視図である。パッケージの周囲４側面は、樹脂層３５と基板２１の切断面で形成され、パッケージの上面は平坦化した樹脂層３５の表面で形成され、パッケージの下面は絶縁基板２１の裏面側で形成される。
【００４６】
この半導体装置は、縦×横×高さが、例えば、１．０ｍｍ×０．６ｍｍ×０．５ｍｍのごとき大きさを有している。基板２１の上には０．５ｍｍ程度の樹脂層３５が被覆して半導体チップ３３を封止している。半導体チップ３３は約１５０μｍ程度の厚みを有する。アイランド部２５とリード部２６はパッケージの端面から後退されており、第１と第２の接続部２７、２８の切断部分だけがパッケージ側面に露出する。
【００４７】
外部電極３１ａ〜３１ｄは基板２１の４隅に、０．２×０．３ｍｍ程度の大きさで配置されており、パッケージ外形の中心線に対して左右（上下）対称となるようなパターンで配置されている。この様な対称配置では電極の極性判別が困難になるので、樹脂層３５の表面側に凹部を形成するか印刷するなどして、極性を表示するマークを刻印するのが好ましい。
【００４８】
上述した製造方法によって形成された半導体装置は、多数個の素子をまとめて樹脂でパッケージングするので、個々にパッケージングする場合に比べて、無駄にする樹脂材料を少なくでき、材料費の低減につながる。また、リードフレームを用いないので、従来のトランスファーモールド手法に比べて、パッケージ外形を大幅に小型化することができる。更に、外部接続用の端子が基板２１の裏面に形成され、パッケージの外形から突出しないので、装置の実装面積を大幅に小型化できるものである。
【００４９】
更に、上記の製造方法は、基板２１側でなく樹脂層３５側に粘着シート５０を貼り付けてダイシングを行っている。例えば基板２１側に貼り付けた場合は、素子を剥離したときに粘着シート５０の粘着剤が電極パターン３１ａ〜３１ｄの表面に付着してしまう。このような粘着剤が残った状態で素子を自動実装装置に投入すると、実装時における電極パターン３１ａ〜３１ｄの半田付け性を劣化させる危惧がある。また、電極パターン３１ａ〜３１ｄ表面にゴミが付着することによる弊害も危惧される。本発明によれば、樹脂層３５側に貼り付けることによってこれらの弊害を解消している。
【００５０】
更に、樹脂層３５側に粘着シート５０を貼り付けるに際して、樹脂層３５の表面を水平且つ平坦面に加工することによって、基板２１側に粘着シート５０を貼り付けた場合と同じ垂直水平精度を維持することができる。
【００５１】
尚、上記実施例は３端子素子を封止して４個の外部電極を形成した例で説明したが、例えば２個の半導体チップを封止した場合や、集積回路を封止した場合も同様にして実施することが可能である。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、第１に、半導体装置の特性の測定作業において、まず認識用カメラで半導体装置１個を認識し、該半導体装置に隣接する複数の半導体装置を位置認識することなしに半導体装置の特性を測定することに特徴を有する。そのことで、半導体装置の位置認識における作業時間を短縮することができ、極めて量産性に富んだ半導体装置の製造方法が実現できる。
【００５３】
第２に、認識用カメラは、半導体装置の電極パットにて位置認識を行うが、認識用カメラの視野は、マスキングにより半導体装置１個分に狭められた状態で位置認識を行うので、半導体装置の位置認識精度をより向上させた半導体装置の製造方法が実現できる。
【００５４】
第３に、半導体装置の特性を測定する作業では、認識用カメラおよびプローブの針の位置は固定され、半導体装置が固定されている金属枠が移動することで、この作業が行われる。そのことで、位置認識作業において、１個の半導体装置の電極パットを認識し、目標位置からのずれ量を画像処理装置から取り込みそのずれ分を盛り込んで次の半導体装置を移動させるので、半導体装置の位置認識精度をより向上させた半導体装置の製造方法が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を説明するための斜視図である
【図２】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）平面図（Ｂ）断面図である。
【図３】本発明の製造方法を説明するための平面図である。
【図４】本発明の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）断面図（Ｂ）断面図である。
【図６】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）断面図（Ｂ）平面図である。
【図７】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）断面図（Ｂ）平面図である。
【図８】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）断面図（Ｂ）平面図である。
【図９】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）平面図（Ｂ）断面図である。
【図１０】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）断面図（Ｂ）平面図である。
【図１１】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）平面図（Ｂ）断面図（Ｃ）断面図である。
【図１２】本発明の製造方法を説明するための（Ａ）斜視図（Ｂ）斜視図である。
【図１３】従来例を説明するための平面図である。
【図１４】従来例を説明するための断面図である。
【図１５】従来例を説明するための平面図である。
【図１６】従来例を説明するための断面図である。

Claims (4)

  1. 複数の搭載部を有する基板の該搭載部の各々に半導体チップを固着し、前記各搭載部に固着した前記半導体チップの各々を共通の樹脂層で被覆した後に、前記樹脂層を粘着シートに貼り付け、前記粘着シート上で複数の半導体装置に分割した後に、前記半導体装置の特性を測定する半導体装置の製造方法において、
    前記粘着シート上の１つの半導体装置を位置認識し、前記位置認識した半導体装置を測定し、且つ、前記位置認識した半導体装置に隣接する複数の半導体装置を位置認識することなく測定し、
    測定していない１つの次の半導体装置を位置認識し、前記位置認識した次の半導体装置を測定し、且つ、前記位置認識した次の半導体装置に隣接する複数の半導体装置を位置認識することなく測定する作業を繰り返し行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 前記位置認識した半導体装置及び前記隣接する複数の半導体装置を測定しながら、同時に、前記測定していない１つの次の半導体装置を位置認識することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記位置認識した半導体装置及び前記隣接する複数の半導体装置は、同時に、測定されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記半導体装置を位置認識する認識カメラは、その視野がマスキングにより前記半導体装置１個分に狭められた状態で、位置認識を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
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