JP5083310B2 - 多値光強度変調器 - Google Patents
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Description
本発明は上記の点に着目してなされたもので、2値の電気信号を用いた実用的な構成により、零レベルを含まない4値以上の光強度変調を実現可能にする多値光強度変調器を提供することを目的とする。
10…第1のMZI型光変調部
20…第2のMZI型光変調部
30…第3のMZI型光変調部
40…第4のMZI型光変調部
11,21,31,41…分岐部
12,13,14,22,23,32,33,42,43…分岐導波路
15,24,34,44…合波部
16,25,26,35,36,45,46…電極
50…4値光強度変調器
60…DQPSK変調器
図1は、本発明の第1実施形態による多値光強度変調器の構成を示す上面図である。
図1において、本実施形態の多値光強度変調器は、例えば、ニオブ酸リチウム等の電気光学効果を有する基板1上に形成された、第1光強度変調部としてのマッハツェンダ干渉計(MZI)型光変調部10の一対の分岐導波路12,13上に、第2光強度変調部としてのMZI型光変調部20,30をそれぞれ備えた構成である。
図5において、本実施形態の構成が上述の図1に示した第1実施形態の構成と異なる点は、MZI型光変調部10の電極16に対して、MZI型光変調部20,30の駆動ビットレートに対応した周波数を有するクロック信号CLKを印加するようにした点である。なお、上記以外の構成は第1実施形態の場合と同様であるため、ここでの説明を省略する。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。
図7は、本発明の第3実施形態による多値光強度変調器の構成を示す上面図である。
具体的には、例えば、MZI型光変調部10の分岐部11の分岐比をP12:P13:P14=0.33:0.33:0.33、合波部15の分岐比をP15:P16:P17=0.33:0.33:0.33とし、MZI型光変調部20の分岐部21の分岐比をP22:1−P22=0.51:0.49、合波部24の分岐比をP23:1−P23=0.49:0.51とし、MZI型光変調部30の分岐部31の分岐比をP32:1−P32=0.23:0.77、合波部34の分岐比をP33:1−P33=0.77:0.23とし、MZI型光変調部40の分岐部41の分岐比をP42:1−P42=0.14:0.86、合波部44の分岐比をP43:1−P43=0.86:0.14とした場合、MZI型光変調部20〜40をオン/オフ動作させることにより、出力ポートから出力される光信号の強度I(t)は、8.0:6.6:5.8:4.5:3.5:2.6:2.1:1.4とほぼ等間隔の8値を取るようになる。次の表4は、上記の設定例における各MZI型光変調部10〜40のオン/オフ状態と光出力強度I(t)との対応関係をまとめたものである。
なお、上述した第1〜第3実施形態では、MZI型光変調部10の各分岐導波路上にそれぞれMZI型光変調部を設けて4値または8値の光強度変調を行う場合を説明してきたが、これと同様の考え方に従って本発明を一般化すると、MZI型光変調部10に入力される光を分岐部11でn分岐し(nは2以上の整数)、該各光が伝搬するn本の分岐導波路上にn個のMZI型光変調部をそれぞれ設け、該n個のMZI型光変調部の各分岐部における分岐比および各合波部における分岐比の少なくとも一方を0.5:0.5から所要量ずらして設定することにより、零レベルを含まない2n値の光強度変調を実現することが可能である。
図8は、本発明の第4実施形態による光変調器の構成を示す上面図である。
図8において、本実施形態の光変調器は、例えば、上述した第1または第2実施形態のような4値の光強度変調器50と、DQPSK(Differential Quadrature Phase Shift Keying)変調方式等に対応した公知の光位相変調器60とを、同一の基板1上に集積化して縦列接続したものである。
Claims (10)
- 入力光をn分岐(nは2以上の整数)する第1分岐部、該第1分岐部のn分岐にそれぞれ接続されたn本の第1分岐導波路、および、該n本の第1分岐導波路に接続され合波する第1合波部を有する第1光強度変調部と、
前記n本の第1分岐導波路上にそれぞれ形成されたn個の第2光強度変調部と、を備えた多値光強度変調器であって、
前記n個の第2光強度変調部は、それぞれ、
前記第1分岐導波路を二分岐する第2分岐部と、
前記第2分岐部の二分岐にそれぞれ接続された一対の第2分岐導波路と、
前記一対の第2分岐導波路に接続され合波する第2合波部と、
前記一対の第2分岐導波路に沿って形成された電極と、
前記電極に2値の電気信号を印加することで当該第2光強度変調部をオン/オフ動作させる駆動部と、を有し、
前記第2分岐部および前記第2合波部のうちの少なくとも一方は、予め設定した分岐比を有し、該分岐比が0.5:0.5とは異なっていることを特徴とする多値光強度変調器。 - 請求項1に記載の多値光強度変調器であって、
前記第1分岐部および前記第1合波部、並びに、前記第2分岐部および前記第2合波部の各分岐比は、2n値に光強度変調された光信号の各レベルが実質的に等間隔となるように予め設定されていることを特徴とする多値光強度変調器。 - 請求項1に記載の多値光強度変調器であって、
前記第1光強度変調部は、前記nの値が2であるとき、前記第1分岐導波路上の前記光強度変調部を除いた部分の少なくとも一部に形成された電極と、該電極に電気信号を印加する駆動部と、を有することを特徴とする多値光強度変調器。 - 請求項3に記載の多値光強度変調器であって、
前記第1光強度変調部の駆動部は、前記各第2光強度変調部に入力される光の相対的な位相関係が強め合いの条件を満たすようになる電気信号を前記電極に印加することを特徴とする多値光強度変調器。 - 請求項3に記載の多値光強度変調器であって、
前記第1光強度変調部の駆動部は、前記各第2光強度変調部の駆動ビットレートに対応した周波数を有するクロック信号を前記電極に印加することを特徴とする多値光強度変調器。 - 請求項1に記載の多値光強度変調器であって、
前記各第2光強度変調部の駆動部は、動作点を調整するDCバイアスを前記電極に印加することを特徴とする多値光強度変調器。 - 請求項6に記載の多値光強度変調器であって、
前記各第2光強度変調部の駆動部は、動作点のドリフトに応じて前記DCバイアスを制御することを特徴とする多値光強度変調器。 - 請求項1に記載の多値光強度変調器と、該多値光強度変調器に縦列接続された光位相変調器とを備えたことを特徴とする光変調器。
- 請求項8に記載の光変調器であって、
前記光位相変調器は、DQPSK変調方式に対応した光位相変調器であり、
2 n ×4値に光強度位相変調された光信号が出力されることを特徴とする光変調器。 - 請求項8に記載の光変調器であって、
前記多値光強度変調器および前記光位相変調器が同一の基板に集積化されていることを特徴とする光変調器。
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