JP5057644B2 - ガラスセラミック組成物およびガラスセラミック焼結体の製造方法 - Google Patents
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Description
2SiO4)結晶相、エンスタタイト結晶相(MgSiO3)の構成成分であり、これらの結晶を焼成中にガラスから析出させるための必須成分である。
化することが可能であるためである。
ターンについて、右記式:I(hex)/I(mon) (式中、I(hex)は六方晶のメインピーク強度、I(mon)は単斜晶のメインピーク強度を示す)で表されるメインピーク強度比が3以上、好ましくは5以上、最も好適には7以上を示すことがガラスセラミック焼結体の抗折強度を向上できる点で望ましい。
膜配線層Yが形成された薄膜配線基板Cを作製することができる。
2 配線層
3 ビアホール導体
4 接続用電極
5 デバイス、半導体素子
11 結晶相(a)
12 結晶相(b)
13 結晶相(c)
RD 残留ガラス(d)
14 薄膜金属層
15 薄膜絶縁層
16 電極端子
17 絶縁基板
A 半導体素子収納用パッケージ(配線基板)
B 外部回路基板
C 半導体素子収納用パッケージ(薄膜配線基板)
X 配線基板
Y 薄膜配線層
Claims (6)
- 少なくとも
SiO2 20〜60質量%、
B2O3 2〜30質量%、
Al2O3 8〜25質量%、
MgO 8〜35質量%、
BaO 10〜35質量%
を必須成分として含有し、
MgO/SiO2の質量比が0.29〜0.85、
BaO/Al2O3の質量比が0.88〜2.45およびMgO/BaOの質量比が0.36〜2.07であり、
かつ、実質的にZnOおよびTiO2を含有していないガラス粉末を35〜80質量%と、セラミック粉末を20〜65質量%とを含有することを特徴とするガラスセラミック組成物。 - さらに任意成分として、前記ガラス粉末に、
希土類酸化物(RE2O3)をその合量で1〜15質量%、
CaO+SrOを0〜15質量%、
ZrO2+SnO2を0〜5質量%、
とを含有することを特徴とする請求項1に記載のガラスセラミック組成物。 - 前記ガラス粉末中に、A2O(A:アルカリ金属元素)を0.05質量%以上含有することを特徴とする請求項1または2に記載のガラスセラミック組成物。
- 前記ガラス粉末のガラス転移点(Tg)が500℃〜800℃であることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか記載のガラスセラミック組成物。
- 前記セラミック粉末が、アルミナ、ジルコニア、フォルステライト、エンスタタイトの群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか記載のガラスセラミック組成物。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載のガラスセラミック組成物を混合し、得られた混合粉末を所定の形状に成形し、次いで1000℃以下の温度で焼成することを特徴とするガラ
スセラミック焼結体の製造方法。
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