JP5051453B2 - 非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材 - Google Patents
非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5051453B2 JP5051453B2 JP2007523911A JP2007523911A JP5051453B2 JP 5051453 B2 JP5051453 B2 JP 5051453B2 JP 2007523911 A JP2007523911 A JP 2007523911A JP 2007523911 A JP2007523911 A JP 2007523911A JP 5051453 B2 JP5051453 B2 JP 5051453B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous carbon
- carbon film
- less
- csp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Lubricants (AREA)
Description
炭素の全体量を100at%とした場合に、70at%以上90at%以下のsp2混成軌道を持つ炭素を含む主成分としての炭素と、
非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、1at%以上10at%以下のケイ素と、
非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、10at%以上25at%以下の水素と、
を含有することを特徴とする。
前記基材を反応容器内に配置し、該反応容器内に、トルエンおよびナフタレンから選ばれる一種以上と、ケイ素化合物ガスと、を含有する反応ガスを導入して放電することを特徴とする。
該非晶質炭素膜は、炭素の全体量を100at%とした場合に、70at%以上90at%以下のsp2混成軌道を持つ炭素を含む主成分としての炭素と、
該非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、1at%以上10at%以下のケイ素と、
非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、10at%以上25at%以下の水素と、
を含有することを特徴とする。
本発明の非晶質炭素膜は、主成分としての炭素と、非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、1at%以上10at%以下のケイ素と、10at%以上25at%以下の水素と、を含有する。炭素は、炭素の全体量を100at%とした場合に、70at%以上90at%以下のsp2混成軌道を持つ炭素を含む。
炭素の全体量を100at%とした場合に、60at%以上90at%以下のsp 2 混成軌道を持つ炭素を含む主成分としての炭素と、非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、1at%以上10at%以下のケイ素と、を含有する非晶質炭素膜は、プラズマ化学蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等、既に公知の化学蒸着(CVD)法、物理蒸着(PVD)法により形成することができる。しかし、スパッタリング法に代表されるように、PVD法では、成膜に指向性がある。よって、装置内に複数のターゲットを配置したり、成膜対象となる基材を回転させたりすることが必要となる。その結果、成膜装置の構造が複雑化し、高価になる。また、PVD法では、基材の形状によっては成膜し難い場合がある。一方、プラズマCVD法は、反応ガスにより成膜するため、基材の形状に関わらず成膜することができる。また、プラズマCVD法は、成膜装置の構造も単純で安価である。
(a)Si含有非晶質炭素膜の形成
図2に示す直流プラズマCVD成膜装置を用いて、基材の表面に、Siを含有する非晶質炭素膜(以下「DLC−Si膜」と称す)を形成した。図2に示すように、直流プラズマCVD成膜装置1は、ステンレス鋼製の容器10と、基台11と、ガス導入管12と、ガス導出管13とを備える。ガス導入管12は、バルブ(図略)を介して各種ガスボンベ(図略)に接続される。ガス導出管13は、バルブ(図略)を介してロータリーポンプ(図略)および拡散ポンプ(図略)に接続される。
#1〜#6のDLC−Si膜が形成された各ディスク試験片を用いて、ボール・オン・ディスク試験を行った。図3に、ボール・オン・ディスク試験装置の概略図を示す。図3に示すように、ボール・オン・ディスク試験装置3は、ディスク試験片30と、相手材となるボール31とから構成される。ディスク試験片30とボール31とは、ディスク試験片30に形成されたDLC−Si膜300とボール31とが当接する状態で設置される。ボール31は、直径6.35mmの軸受け鋼SUJ2ボール(ヴィッカース硬さHv750〜800、表面粗さRzjis0.1μm以下)である。
(a)DLC−Si膜の形成
上記(1)(a)と同様の方法で、ブロック試験片に膜組成の異なる三種類のDLC−Si膜を形成した。基材となるブロック試験片は、高さ6.3mm、長さ15.7mm、幅10.1mmのマルテンサイト系ステンレス鋼SUS440Cであり、その表面粗さはRzjis0.1μm以下である。形成したDLC−Si膜の成膜条件、膜組成は、前出表1に示した#1、#3および#5とそれぞれ同じとした。
DLC−Si膜を形成した各ブロック試験片を用いて、リング・オン・ブロック試験を行った。図4に、リング・オン・ブロック型摩擦試験機(FALEX社製LFW−1)の概略図を示す。図4に示すように、リング・オン・ブロック型摩擦試験機2は、ブロック試験片20と、相手材となるリング試験片21とから構成される。ブロック試験片20とリング試験片21とは、ブロック試験片20に形成されたDLC−Si膜200とリング試験片21とが当接する状態で設置される。リング試験片21はオイルバス22中に回転可能に設置される。本試験では、リング試験片21として、本摩擦試験機2の標準試験片であるS−10リング試験片(材質:SAE4620スチール浸炭処理材、形状:φ35mm、幅8.8mm、表面粗さ:Rzjis1.5〜2.0μm、FALEX社製)を用いた。また、オイルバス22には、80℃に加熱保持したエンジン油(5W−30)を用いた。
上記(1)(a)と同様の方法で、Siウエハの表面に、前出表1に示した#1、#5と同じ膜組成のDLC−Si膜をそれぞれ形成した。そして、各DLC−Si膜の内部応力を、Siウエハの反りから次式により算出した。
その結果、#1のDLC−Si膜は1.2GPa、#5のDLC−Si膜は0.5GPaとなった。つまり、ベンゼンを用いて形成した#5のDLC−Si膜(Csp2:75at%)の方が、メタンを用いて形成した#1のDLC−Si膜(Csp2:67at%)よりも、内部応力が小さくなった。これより、Csp2の割合が多いと、膜の内部応力が小さくなることがわかる。
表4に示すように、メタンおよびベンゼンを含まずトルエンを含む反応ガスを用いた他は、上記と同様の方法でDLC−Si膜を成膜した。
Claims (6)
- 炭素の全体量を100at%とした場合に、70at%以上90at%以下のsp2混成軌道を持つ炭素を含む主成分としての炭素と、
非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、1at%以上10at%以下のケイ素と、
非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、10at%以上25at%以下の水素と、
を含有することを特徴とする非晶質炭素膜。 - 膜厚が5μm以上である請求項1に記載の非晶質炭素膜。
- 直流プラズマ化学蒸着により、基材の表面に、炭素の全体量を100at%とした場合に、60at%以上90at%以下のsp 2 混成軌道を持つ炭素を含む主成分としての炭素と、非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、1at%以上10at%以下のケイ素と、を含有する非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜の形成方法であって、
前記基材を反応容器内に配置し、該反応容器内に、トルエンおよびナフタレンから選ばれる一種以上と、ケイ素化合物ガスと、を含有する反応ガスを導入して放電することを特徴とする非晶質炭素膜の形成方法。 - 前記非晶質炭素膜を形成中の成膜温度が、400℃以上550℃以下である請求項3に記載の非晶質炭素膜の形成方法。
- 前記非晶質炭素膜は、炭素の全体量を100at%とした場合に、70at%以上90at%以下のsp 2 混成軌道を持つ炭素を含有し、さらに、
非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、10at%以上25at%以下の水素を含有する請求項3または4に記載の非晶質炭素膜の形成方法。 - 基材と、該基材の表面の少なくとも一部に形成された非晶質炭素膜と、を備える高耐摩耗摺動部材であって、
該非晶質炭素膜は、炭素の全体量を100at%とした場合に、70at%以上90at%以下のsp2混成軌道を持つ炭素を含む主成分としての炭素と、
該非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、1at%以上10at%以下のケイ素と、
非晶質炭素膜全体を100at%とした場合に、10at%以上25at%以下の水素と、
を含有することを特徴とする高耐摩耗摺動部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007523911A JP5051453B2 (ja) | 2004-11-25 | 2005-11-24 | 非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004340846 | 2004-11-25 | ||
JP2004340846 | 2004-11-25 | ||
JP2007523911A JP5051453B2 (ja) | 2004-11-25 | 2005-11-24 | 非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材 |
PCT/JP2005/022044 WO2006057436A1 (en) | 2004-11-25 | 2005-11-24 | Amorphous carbon film, process for forming the same, and high wear-resistant sliding member with amorphous carbon film provided |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008522020A JP2008522020A (ja) | 2008-06-26 |
JP5051453B2 true JP5051453B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=35892443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007523911A Active JP5051453B2 (ja) | 2004-11-25 | 2005-11-24 | 非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7833626B2 (ja) |
EP (1) | EP1841896B1 (ja) |
JP (1) | JP5051453B2 (ja) |
WO (1) | WO2006057436A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2020400B1 (en) * | 2006-05-22 | 2014-02-26 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Amorphous carbon film, process for forming amorphous carbon film, conductive member provided with amorphous carbon film, and fuel cell separator |
DE102006029415B4 (de) * | 2006-06-27 | 2023-07-06 | Schaeffler Technologies AG & Co. KG | Verschleißfeste Beschichtung sowie Herstellverfahren hierfür |
US20080131604A1 (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Shuangbiao Liu | Textured coating on a component surface |
US8568827B2 (en) * | 2006-11-30 | 2013-10-29 | Caterpillar Inc. | Textured coating on a component surface |
JP2008232877A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Toyota Central R&D Labs Inc | 生体分子の固定用材料、生体分子が固定化された固相体及びその製造方法 |
JP5280784B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2013-09-04 | 日本碍子株式会社 | 成膜装置 |
WO2010026887A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-11 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び撥油性基材 |
AU2009292608B2 (en) * | 2008-09-26 | 2010-10-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Film forming apparatus |
JP4567081B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2010-10-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 流体ポンプ |
TW201020336A (en) * | 2008-11-20 | 2010-06-01 | Yu-Hsueh Lin | Method for plating film on surface of heat dissipation module and film-plated heat dissipation module |
JP5420941B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2014-02-19 | トヨタ自動車株式会社 | 摺動部材の製造方法 |
FR2943660B1 (fr) * | 2009-03-25 | 2011-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration de graphene |
JP2011014872A (ja) | 2009-06-04 | 2011-01-20 | Tokyo Electron Ltd | アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置 |
JP5420530B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2014-02-19 | 株式会社豊田中央研究所 | 燃料電池用セパレータおよびその製造方法 |
JP5321576B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2013-10-23 | 株式会社豊田中央研究所 | 配向性非晶質炭素膜およびその形成方法 |
DE102010052971A1 (de) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Amg Coating Technologies Gmbh | Werkstück mit Si-DLC Beschichtung und Verfahren zur Herstellung von Beschichtungen |
JP5904537B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2016-04-13 | Ntn株式会社 | 非晶質炭素膜の成膜方法 |
JP2013189350A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Taiyo Kagaku Kogyo Kk | 防汚用の非晶質炭素膜を備える構造体及び防汚用の非晶質炭素膜の形成方法 |
KR101439131B1 (ko) * | 2012-09-21 | 2014-09-11 | 현대자동차주식회사 | 흡배기 밸브용 코팅재 및 이의 제조방법 |
JP2015143169A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-08-06 | 日立造船株式会社 | カーボンナノチューブ生成用基板、カーボンナノチューブ生成用基板の製造方法及びカーボンナノチューブ生成用基板の再利用方法 |
WO2016121937A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 株式会社ジェイテクト | 低摩擦被膜製造方法および摺動方法 |
CN107208263B (zh) | 2015-01-29 | 2019-09-20 | 株式会社捷太格特 | 非晶态烃基膜、以及具有所述膜的滑动构件和滑动*** |
JP6762887B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2020-09-30 | 日本ピストンリング株式会社 | ピストンリング |
US10697552B2 (en) | 2017-01-26 | 2020-06-30 | Toto Ltd. | Faucet valve |
KR102592698B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2023-10-24 | 삼성전자주식회사 | 나노결정질 그래핀 및 나노결정질 그래핀의 형성방법 |
JP2021523558A (ja) * | 2018-05-03 | 2021-09-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | パターニングのための高品質c膜のパルスプラズマ(dc/rf)蒸着 |
JP2020153332A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 低熱伝導部材、低熱伝導部材の製造方法および内燃機関のピストン |
DE102020111550A1 (de) | 2020-04-28 | 2021-10-28 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Zylinderkopf mit Ventilsitzring und Ventilführung, Verbrennungskraftmaschine mit einem Zylinderkopf und Kraftfahrzeug mit einer Verbrennungskraftmaschine |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2971928B2 (ja) | 1989-12-28 | 1999-11-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 潤滑性を有する硬質非晶質炭素―水素―珪素薄膜、表面に該薄膜を有する鉄系金属材料、およびその製造方法 |
JP3105962B2 (ja) | 1991-09-20 | 2000-11-06 | 株式会社豊田中央研究所 | 固体潤滑性を有する非晶質薄膜およびその製造方法 |
JP2889116B2 (ja) | 1993-06-11 | 1999-05-10 | 株式会社ゼクセル | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
US5771873A (en) * | 1997-04-21 | 1998-06-30 | Ford Global Technologies, Inc. | Carbonaceous deposit-resistant coating for engine components |
JP3240957B2 (ja) | 1997-05-30 | 2001-12-25 | ティアック株式会社 | 記録再生装置 |
JP3625041B2 (ja) * | 1999-11-15 | 2005-03-02 | 川崎重工業株式会社 | タペット |
JP2002348668A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-04 | Riken Corp | 非晶質硬質炭素膜及びその製造方法 |
DE60239710D1 (de) * | 2001-09-27 | 2011-05-19 | Toyota Chuo Kenkyusho Kk | Gleitelement mit hohem reibungskoeffizienten |
JP2003293136A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-15 | Riken Corp | 非晶質硬質炭素皮膜およびそれを用いた摺動部材 |
JP4427706B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2010-03-10 | 株式会社豊田中央研究所 | 高耐摩耗性および高耐焼付き性摺動部材およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-11-24 US US11/720,154 patent/US7833626B2/en active Active
- 2005-11-24 JP JP2007523911A patent/JP5051453B2/ja active Active
- 2005-11-24 EP EP05811509.8A patent/EP1841896B1/en active Active
- 2005-11-24 WO PCT/JP2005/022044 patent/WO2006057436A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008522020A (ja) | 2008-06-26 |
WO2006057436A1 (en) | 2006-06-01 |
EP1841896A1 (en) | 2007-10-10 |
EP1841896B1 (en) | 2014-11-05 |
US7833626B2 (en) | 2010-11-16 |
US20080188383A1 (en) | 2008-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5051453B2 (ja) | 非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材 | |
JP4251738B2 (ja) | 硬質被膜及び被覆部材 | |
JP4876464B2 (ja) | 低摩擦摺動部材 | |
US6821497B2 (en) | Amorphous hard carbon film, mechanical parts and method for producing amorphous hard carbon film | |
KR100867912B1 (ko) | 비정질 경질 탄소막을 갖는 피스톤 링, 피스톤, 실린더, 및피스톤 핀 | |
JP4085699B2 (ja) | 摺動部材及びその製造方法 | |
JP4427706B2 (ja) | 高耐摩耗性および高耐焼付き性摺動部材およびその製造方法 | |
Zou et al. | Structure, mechanical and tribological properties of diamond-like carbon films on aluminum alloy by arc ion plating | |
JP4572688B2 (ja) | 低摩擦摺動部材 | |
CN110770362A (zh) | 滑动构件及包覆膜 | |
WO2015121944A1 (ja) | ピストンリングとその製造方法 | |
Xu et al. | Effects of bias voltage on the microstructure and properties of Al-doped hydrogenated amorphous carbon films synthesized by a hybrid deposition technique | |
Silva et al. | An evaluation of the tribological characteristics of DLC films grown on Inconel Alloy 718 using the Active Screen Plasma technique in a Pulsed-DC PECVD system | |
Kolawole et al. | The improvement of diamond-like carbon coatings for tribological and tribo-corrosion applications in automobile engines: an updated review study | |
JP2971928B2 (ja) | 潤滑性を有する硬質非晶質炭素―水素―珪素薄膜、表面に該薄膜を有する鉄系金属材料、およびその製造方法 | |
JPH05179451A (ja) | 摺動部材の組合せ | |
JP5724197B2 (ja) | 被覆部材およびその製造方法 | |
JP2013079445A (ja) | 硬質膜および硬質膜形成体 | |
Ensinger | Correlations between process parameters and film properties of diamond-like carbon films formed by hydrocarbon plasma immersion ion implantation | |
JP2010156026A (ja) | 硬質炭素膜およびその形成方法 | |
JP4372663B2 (ja) | エンジン動弁系部品 | |
Lima-Oliveira et al. | Adhesion Studies of diamond-like carbon films deposited on Ti6Al4V alloy after Carbonitriding | |
JP2005314454A (ja) | 低摩擦摺動部材 | |
JPH05339731A (ja) | 硬質低摩擦層を表面に有する材料の製造方法 | |
JP2013091823A (ja) | 摺動部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071004 |
|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20071004 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120628 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120711 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5051453 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A525 Effective date: 20070613 |