JP5015870B2 - 基板処理装置、保持部材および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、被処理基板を回転させながら、この被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法、並びに、このような基板処理装置に用いられる保持部材に関するものである。

従来から、図７に示すように、回転台３０の回転によって被処理基板である半導体ウエハＷ（以下、ウエハＷとも呼ぶ）を回転させながら、このウエハＷに対して所定の処理を施す回転処理装置（基板処理装置）が知られている。このような回転処理装置（基板処理装置）としては、回転駆動源によって回転される回転台３０と、この回転台３０と共に回転し、かつ回転台３０の上方でウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅを保持自在な保持部材５０と、回転台３０の下方に配置され、駆動機構によって上下方向に駆動される加圧部材と、を備え、保持部材５０が、揺動軸５０ａを中心として回転台３０に対して揺動自在であり、保持部材５０の一端部には保持部５１が設けられ、他端部には被加圧部５２が設けられ、保持部材５０の保持部５１を回転台３０中心側に付勢する弾性部材５６が回転台３０に設けられ、被加圧部５２が加圧部材によって弾性部材５６の付勢方向とは逆の方向に加圧されうるように構成されている回転処理装置（基板処理装置）が知られている（特許文献１参照）。
特開平１０−２０９２５４号

しかしながら、従来の基板処理装置では、回転台３０の回転遠度を遅くして、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅから、ウエハＷ上の処理液を振り切るだけの遠心力が発生しない場合、回転台３０と保持部材５０と間の間隙Ｓに生じる毛細管現象により、間隙Ｓから保持部材５０を伝って処理液が回転台３０の下面に流れ込むことがある。

そして、このように処理液が回転台３０の下面に流れ込むと、保持部材５０や回転台３０の下方部分が汚れてしまい、異なる処理液を速続して用いた処理を行った場合には、各処理液が混ざり合って処理液が結晶化してしまい、基板処理装置内が汚れてしまう。

このため、従来の基板処理装置ではウエハＷを高速（例えば、１０００ｒｐｍ程）で回転させなければならないが、このようにウエハＷを高速で回転させることによって、例えば、以下に示すような不利益が発生してしまう。まず、基板処理装置内の気流が乱れてしまう。また、ウエハＷに付着した処理液が基板処理装置内で飛散し、基板処理装置内が汚れてしまう。さらに、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅでの熱交換が大きくなるので、ウエハＷの中心部と周縁部Ｗ_Ｅとでエッチングレートを不均一になってしまい、ウエハＷを精度良く処理することができない。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理基板に供給された処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができ、ひいては、低速で被処理基板を回転させて処理することができる基板処理装置および基板処理方法、並びに、このような基板処理装置に用いられる保持部材を提供することを目的とする。

本発明による基板処理装置は、
被処理基板を処理する基板処理装置において、
回転自在に設けられた回転台と、
前記回転台に揺動自在に設けられ、一端が上方側に揺動しているときに前記被処理基板を保持する保持部材と、
前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転駆動機構と、
前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を備え、
前記シール部材が、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、前記回転台と前記保持部材との間を密封する。

このような構成により、被処理基板に供給された処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができ、ひいては、低速で被処理基板を回転させて処理することができる。

本発明による基板処理装置において、
前記回転台に、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、該保持部材が通過する開口が設けられ、
前記シール部材が、前記開口の周縁外方を囲んで配置されていることが好ましい。

このような構成により、処理液が、回転台の下面に流れ込むことを、容易かつ確実に防止することができる。

本発明による基板処理装置において、
前記シール部材は、前記回転台の下面に設けられていることが好ましい。

本発明による基板処理装置において、
前記シール部材は、前記保持部材の一端側に設けられていることが好ましい。

本発明による基板処理装置において、
前記保持部材によって保持された前記被処理基板の裏面に処理液を供給する裏面側処理液供給部をさらに備えたことが好ましい。

このような構成により、被処理基板の裏面に処理液が供給されることとなるが、被処理基板の裏面に供給された処理液は、回転台の下面に流れ込むことはない。

本発明による基板処理装置において、
前記シール部材は、Ｏ−リングからなることが好ましい。

本発明による保持部材は、
回転自在に設けられた回転台に、揺動自在に設けられた保持部材であって、
前記回転台との間に設けられたシール部材を有し、
一端が上方側に揺動しているときに被処理基板を保持するとともに、前記シール部材によって、前記回転台との間を密封する。

このような構成により、処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができる。

本発明による基板処理方法は、
被処理基板を処理する基板処理方法において、
回転台と、該回転台に揺動自在に設けられた保持部材と、前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記保持部材の一端が上方側に揺動し、前記被処理基板を保持する保持工程と、
前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転工程と、を備え、
前記保持工程において、前記シール部材によって、前記回転台と前記保持部材との間が密封され、
前記回転工程が、１００ｒｐｍ以下の速度で前記回転台を回転させる。

このような方法により、被処理基板に供給された処理液が回転台の下面に流れ込むことを防止することができ、かつ、低速で被処理基板を回転させて処理することができる。

本発明によれば、シール部材が、保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、回転台と保持部材との間を密封するので、被処理基板に供給された処理液が、回転台の下面に流れ込むことを防止することができる。さらに、このように、処理液が回転台の下面に流れ込むことを防止することができるので、低速で被処理基板を回転させて処理することができる。

発明の実施の形態

実施の形態
以下、本発明に係る、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下、ウエハＷとも言う）を洗浄する基板処理装置を有する洗浄処理システムの実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図１乃至図５は本発明の実施の形態を示す図である。

図１に示すように、洗浄処理システムは、ウエハＷを洗浄するとともに、洗浄した後のウエハＷを熱的に処理する洗浄処理部２と、この洗浄処理部２内にウエハＷを搬入したり、洗浄処理部２内からウエハＷを搬出したりする搬入出部３とから構成されている。なお、図１は、本実施の形態による洗浄処理システムを上方から見た平面図である。

図１に示すように、搬入出部３は、ウエハＷを載置するためのイン・アウトポート４と、このイン・アウトポート４から洗浄処理部２にウエハＷを受け渡したり、洗浄処理部２からイン・アウトポート４にウエハＷを受け渡したりするウエハ搬送部５とから構成されている。

このうち、イン・アウトポート４は、図１に示すように、複数枚のウエハＷを所定の間隔で略水平に収容するキャリア（容器）Ｃと、このキャリアを載置するための載置台６と、を有している。この載置台６上には、複数（図１では３個）のキャリアＣを水平面に並べて所定位置に載置することができるようになっている。

また、図１に示すように、ウエハ搬送部５は、載置台６に載置されたキャリアＣと洗浄処理部２との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送装置７を有している。このウエハ搬送装置７は、載置台６に載置された全てのキャリアＣにアクセスし、また、洗浄処理部２に配設されたウエハ受け渡しユニット８（後述）にアクセスして、イン・アウトポート４側から洗浄処理部２側へ、逆に、洗浄処理部２側からイン・アウトポート４側へ、ウエハＷを搬送するように構成されている。

また、図１に示すように、洗浄処理部２は、ウエハＷを搬送する主ウエハ搬送装置１５と、ウエハＷを一時的に載置するウエハ受け渡しユニット８と、ウエハＷを洗浄する基板処理装置１０ａ，１０ｂと、この基板処理装置１０ａ，１０ｂで洗浄された後のウエハＷを加熱した後、冷却する加熱・冷却部１２と、を有している。なお、加熱・冷却部１２は、ウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（図示せず）と、この加熱ユニットで加熱されたウエハＷを冷却する冷却ユニット（図示せず）とからなっている。また、主ウエハ搬送装置１５は、ウエハ受け渡しユニット８、基板処理装置１０ａ，１０ｂ、および、加熱・冷却部１２の全てにアクセス可能となっている。

また、基板処理装置１０ａ，１０ｂは、図２に示すように、筐体２１と、筐体２１内に配置され、上面が開口した略円筒形状のカップ２２と、カップ２２の内方に回転自在に設けられた回転テーブル（回転台）３０と、この回転テーブル３０の中心部から下方に向かって鉛直方向に延在し、中空構造からなる（中空部３１ａを有する）円筒状の回転軸３１（図３参照）と、を備えている。

また、図５（ｂ）に示すように、回転テーブル３０から下方に突出した突出部３３には、揺動軸５０ａを中心として揺動自在に保持部材５０が設けられている。そして、この保持部材５０は、外方側の一端に設けられて上方側に突出し、上方側に揺動しているときに（図５（ｂ）の実線参照）ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅを保持する保持部５１と、内方側の他端に設けられて下方側に突出した被加圧部５２と、これら保持部５１と被加圧部５２との間で延在した保持本体５０ｂとを有している。なお、本実施の形態では、３つの保持部材５０が、回転テーブル３０の回転方向に沿って配置されている（図４参照）。

また、図５（ｂ）に示すように、保持部材５０は、揺動軸５０ａと被加圧部５２との間に、凹形状の係止部５３を有している。そして、この係止部５３と回転テーブル３０の下面の所定位置との間には、保持部材５０の他端側、すなわち被加圧部５２側、を下方に押し下げるような弾性力を与えるバネなどの弾性部材５６が配設されている。このため、常態において、保持部材５０の一端部側、すなわち保持部５１側、が上方側へ付勢されている。

なお、図５（ｂ）に示すように、揺動軸５０ａは、保持本体５０ｂ上であって、保持部５１と係止部５３との間に設けられている（本実施の形態では、揺動軸５０ａと係止部５３との間の距離と、揺動軸５０ａと保持部５１との間の距離との比率は、２：１程度になっている）。

また、カップ２２内であって、各保持部材５０の被加圧部５２の下方側には、この被加圧部５２を下方側から加圧することによって被加圧部５２を上方側に移動させ、保持部材５０を揺動軸５０ａを中心として揺動させる加圧機構（図示せず）が配置されている。なお、この加圧機構は、被加圧部５２と当接可能な当接部材と、この当接部材を上下方向に移動させる上下方向駆動機構と、を有している。

また、図３に示すように、回転テーブル３０の中心部には、回転軸３１の中空部３１ａに連通された円形の孔３０ａが形成されている。また、回転軸３１の中空部３１ａ内には、当該中空部３１ａ内で上下方向に移動可能な昇降部材３５が配置されている。また、この昇降部材３５の上面には、受け渡し位置（上方位置）においてウエハＷを指示する支持ピン３５ａが設けられている。

また、図３に示すように、昇降部材３５には、処理液供給部（図示せず）から裏面側供給路３６ａを経て供給された処理液を、保持部材５０によって保持されたウエハＷの裏面に供給する裏面側液供給口３６が設けられている。また、中空部３１ａからは、不活性ガス供給部（図示せず）から供給される不活性ガス（例えば窒素ガス）が吐出されように構成されている。なお、裏面側液供給口３６と、裏面側供給路３６ａと、処理液供給部とによって、裏面側処理液供給部が構成されている。

また、図２に示すように、回転テーブル３０の上方には、保持部材５０によって保持されたウエハＷの表面に、処理液供給部（図示せず）から供給された処理液を供給する表面側液表面側液供給ノズル４０が設けられている。この表面側液表面側液供給ノズル４０は、ウエハＷの中心部Ｗ_Ｃから周縁部Ｗ_Ｅにかけて、移動することができる。

また、図４および図５（ａ）（ｂ）に示すように、回転テーブル３０には、保持部材５０の一端（保持部５１）が上方側に揺動しているときに、保持部材５０が通過する開口３０ｐが設けられている。そして、保持部材５０の一端が上方側に揺動しているときには、保持部５１が回転テーブル３０の上方側に突出し、当該保持部５１によって保持されたウエハＷは、回転テーブル３０から浮いた状態で保持されることとなる（図５（ｂ）参照）。

また、図４および図５（ａ）（ｂ）に示すように、回転テーブル３０の下面には、開口３０ｐの周縁外方を囲むようにしてＯ−リング（シール部材）５５が設けられている。そして、保持部材５０の一端が上方側に揺動しているときには、このＯ−リング５５によって、回転テーブル３０と保持部材５０との間が密封されることとなる。

なお、本実施の形態では、回転テーブル３０の下面にＯ−リング５５が設けられている態様を用いて説明するが、これに限られることなく、保持部材５０の一端側に、Ｏ−リング５５などのシール部材が設けられてもよい（図６参照）。

また、図２に示すように、回転軸３１には、この回転軸３１を回転させることによって回転テーブル３０を回転させるモータＭを有する回転駆動機構６０が連結されている。

次に、このような構成からなる本実施の形態の作用効果について述べる。

まず、ウエハ搬送装置７によって、キャリアＣから取り出されたウエハＷが、いったんウエハ受け渡しユニット８に載置される（図１参照）。

次に、主ウエハ搬送装置１５によって、ウエハ受け渡しユニット８に載置されたウエハＷが、出入口（図示せず）から筐体２１内に搬入される（図２参照）。このとき、昇降部材３５は、受け渡し位置（上方位置）に位置づけられており、この昇降部材３５の支持ピン３５ａ上にウエハＷが受け渡される。その後、主ウエハ搬送装置１５は筐体２１内から退避する。

次に、昇降部材３５が下降すると同時に、加圧機構（図示せず）の加圧部材（図示せず）が下降する。このように加圧部材が下降することによって、加圧部材による被加圧部５２への加圧が解除され、保持部材５０の保持部５１が弾性部材５６から与えられる付勢力によって揺動軸５０ａを中心に上方側へ（図５（ｂ）の点線から実線へ）揺動される。そして、図５（ｂ）において実線で示されたように、保持部５１によって、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅが保持される（保持工程）。

このとき、回転テ一ブル３０の下面に設けられたＯ−リング５５が、保持部材５０の一端から加わる押圧力（弾性部材５６の付勢力）によって押圧され、回転テーブル３０と保持部材５０との間が密封される。

ここで、本実施の形態では、保持部材５０のうちＯ−リング５５と当接する部分と、揺動軸５０ａとの間が、ある程度離されているので（揺動軸５０ａと係止部５３との間の距離と、揺動軸５０ａと保持部５１との間の距離との比率が、２：１程度になっているので）、てこの原理における作用点と支点との距離を離すことができる。このため、保持部材５０のうちＯ−リング５５と当接する部分に、弾性部材５６の付勢力に起因する強い力を加えることができる。なお従来では、図７に示すように、揺動軸５０ａが保持部５１の下方に位置しており、保持部５１と揺動軸５０ａとの間の距離が近接しているので、本実施の形態のように強い付勢力を保持部５１に与えることができない。

上述のようにして、保持部５１によってウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅが保持されると、回転駆動機構６０のモータＭによって、回転軸３１が回転駆動される（図２参照）。そして、これに伴って、回転テーブル３０が回転駆動されて、保持部材５０によって保持されているウエハＷも回転される（回転工程）。以下の工程は、このようにウエハＷが回転されている間に行われる。

次に、表面側液供給ノズル４０から、ウエハＷの表面に対して薬液、リンス液、乾燥液などからなる処理液が供給され、ウエハＷの表面が所定の洗浄処理に付される。そして、このようにウエハＷの表面に向かって供給された処理液は、ウエハＷの表面を、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅに向かって流れる。なお、ウエハＷを乾燥させる乾燥工程で供給される乾燥液は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの疎水性の液体からなっている。

また、上述のように、表面側液供給ノズル４０から処理液が供給されるときには、回転軸３１内の昇降部材３５に形成されている裏面側液供給口３６から、ウエハＷの裏面に向かって処理液が供給される。そして、このようにウエハＷの裏面に向かって供給された処理液は、ウエハＷの裏面と回転テーブル３０との間を、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅに向かって流れる。なお、ウエハＷを乾燥させる乾燥工程では、裏面側液供給口３６から処理液は供給されず、中空部３１ａから、不活性ガス供給部（図示せず）から供給された不活性ガス（例えば窒素ガス）が吐出される。

このように、ウエハＷの表面と裏面が処理液によって処理されている間、ウエハＷの回転速度は低速から高速まで、処理内容に応じて自在に変化される。

ウエハＷに供給された処理液は、ウエハＷが回転することによって発生する遠心力により、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅに向けて流れていくが、ウエハＷが１００ｒｐｍ以下の低速で回転される場合には、周縁部Ｗ_Ｅからカップ２２へ処理液を振り切るだけの遠心力を発生させることができない。このため、ウエハＷに供給された処理液が、毛細管現象により回転テーブル３０と保持部材５０との間の間隙Ｓから回転テーブル３０の下面に入り込もうとする（図５（ｂ）参照）。

しかしながら、本実施の形態によれば、Ｏ−リング５５によって、回転テーブル３０と保持部材５０との間が密封されている（図５（ｂ）参照）。このため、１００ｒｐｍ以下の低速でウエハＷを回転させて処理する場合であっても、ウエハＷに供給された処理液は、回転テーブル３０の下面に流れ込むことなく、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅからカップ２２へと排液される。

この結果、異なる種類の処理液を連続して用いた場台であっても、各処理液を、回転テーブル３０からカップ２２へ確実に排液することができるので、各処理液が混ざり合うことがない。従って、処理液の結晶が生成されることを防止することができ、ひいては、カップ２２などが汚れることを防止することができる。

さらに、本実施の形態では、回転テーブル３０がウエハＷの大きさよりも大きく構成され、当該回転テーブル３０の下面に保持部材５０が通過するための開口３０ｐが設けられている（図４および図５（ａ）（ｂ）参照）。このため、この開口３０ｐの周縁外方のみを囲むようにしてＯ−リング５５を設けるだけで、確実に、ウエハＷに供給された処理液が、回転テーブル３０の下面に流れ込むことを防止することができる。

なお、上述のように、Ｏ−リング５５によって回転テーブル３０と保持部材５０との間が密封されているので、裏面側液供給口３６からウエハＷの裏面に向かって供給される処理液であっても、回転テーブル３０の下面に流れ込むことはない。

上述のように、本実施の形態によれば、１００ｒｐｍ以下の低速でウエハＷを回転させて処理する場合であっても、ウエハＷに供給された処理液が、回転テーブル３０の下面に流れ込むことを防止することができる。このため、従来では行うことができなかった低速回転で、ウエハＷを処理することができる。

すなわち、従来では、低速でウエハＷを回転させると、ウエハＷに供給された処理液が、回転テーブル３０と保持部材５０との間の間隙Ｓから回転テーブル３０の下面に流れ込むので、高速（例えば、１０００ｒｐｍ程）でウエハＷを回転させる必要であった。これに対して、本実施の形態では、Ｏ−リング５５によって回転テーブル３０と保持部材５０との間が密封されるので（図５（ｂ）参照）、１００ｒｐｍ以下の低速でウエハＷを回転させても、ウエハＷに供給された処理液が、回転テーブル３０と保持部材５０との間の間隙Ｓから回転テーブル３０の下面に流れ込まない。このため、従来では行うことができなかった低速回転で、ウエハＷを処理することができるのである。

この結果、本実施の形態によれば、１００ｒｐｍ以下の低速でウエハＷを回転させることができることに起因して、以下の効果も奏することができる。

すなわち、まず、カップ２２内の気流が乱れることを防止することができる。

また、ウエハＷに付着した処理液が、カップ２２に飛散することを防止することができ、カップ２２などが汚れることを抑えることができる。

また、このようにウエハＷに供給された処理液が飛散することを防止することができるので、ウエハＷに処理液を一定時間留まらせて、当該ウエハＷを処理することができる。このため、従来の基板処理装置と比較して、少量の処理液でウエハＷを処理することができ、処理液の使用量を削減することができる。

また、処理液として揮発性薬液（例えばフッ化アンモニア溶液など）を便用した場合には、従来技術のようにウエハＷを高速で回転させると、ウエハＷに付着した処理液が蒸発する量が多くなってしまう。このため、薬液を回収して再利用する揚合には、蒸発による処理液の濃度変化が大きくなってしまう。この点、本実施の形態によれば、１００ｒｐｍ以下の低速でウエハＷを回転させることができるので、このような揮発性薬液を処理液として用いた場合であっても、処理液の蒸発を小さくすることができる。このため、蒸発による処理液の濃度変化を小さくすることができ、ひいては、ウエハＷを精度良く処理することができる。

さらに、低速回転でウエハＷを処理することによって、速度の速くなるウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅにおいても熱交換が大きくなることを防止することができ、ウエハＷに付着した処理液の温度が中心部Ｗ_Ｃと周縁部Ｗ_Ｅとで大きく異なることを防止することができる。このため、ウエハＷの中心部Ｗ_Ｃと周縁部Ｗ_Ｅとでエッチングレートを均一にすることができ、ウエハＷを精度良く処理することができる。

また、本実施の形態によれば、このように低速回転でウエハＷを処理することができるので、高速回転でのウエハＷの処理と低速回転でのウエハＷの処理とを適宜組み合わせることができ、例えば、ウエハＷにリンス液を供給している間に、当該ウエハＷの低速回転と高速回転とを繰り返して行うこともできる。この結果、従来の基板処理装置に比べ、多様な処理レシピを組むことができるようになる。

上述のような処理液によるウエハＷの処理が終了すると、回転駆動機構６０のモータＭが停止され、保持部材５０によって保持されているウエハＷの回転も停止される（図２参照）。

次に、昇降部材３５が上昇すると同時に、加圧機構の加圧部材が上昇する。このように加圧部材が上昇することによって、加圧部材によって被加圧部５２が当接された後、加圧され、保持部材５０の保持部５１が揺動軸５０ａを中心に下方側へ（図５（ｂ）の実線から点線へ）揺動され、ウエハＷの周縁部Ｗ_Ｅが保持部５１から開放される。その後、昇降部材３５の支持ピン３５ａによってウエハＷの裏面が支持され、昇降部材３５がさらに上昇し続けることによって、昇降部材３５が受け渡し位置（上方位置）に位置づけられる。

次に、主ウエハ搬送装置１５によって、昇降部材３５の支持ピン３５ａによって支持されていたウエハＷが、出入口（図示せず）から筐体２１外に搬出され、加熱・冷却部１２内に搬入される（図１および図２参照）。

次に、加熱・冷却部１２によって、基板処理装置１０ａ，１０ｂで洗浄されたウエハＷが加熱され、その後、冷却される（図１参照）。

次に、主ウエハ搬送装置１５によって、加熱・冷却部１２からウエハＷが搬出されて、いったんウエハ受け渡しユニット８に載置される（図１参照）。その後、ウエハ搬送装置７によって、処理されたウエハＷが、キャリアＣ内へと搬入されて収納され（図１参照）、一枚のウエハＷの処理が完了する。

ところで、本実施の形態では、被処理基板として略円形のウエハＷを用いて説明したが、これに限られることなく、例えば、ＬＣＤ基板のような方形からなるものを被処理基板として用いることもできる。

本発明の実施の形態による洗浄処理システムを上方から見た平面図。 本発明の実施の形態による基板処理装置の側方断面図。 本発明の実施の形態による基板処理装置の回転テーブル中心付近を拡大した側方断面図。 本発明の実施の形態による基板処理装置の回転テーブルを上方から見た平面図である。 本発明の実施の形態による基板処理装置の保持部材を詳細に示した平面図と側方断面図。 本発明の実施の形態の変形例による基板処理装置の保持部材を詳細に示した側方断面図。 従来の基板処理装置の保持部材を詳細に示した側方断面図。

符号の説明

２１ 筐体
２２ カップ
３０ 回転テーブル（回転台）
３０ｐ 開口
５０ 保持部材
５０ａ 揺動軸
５０ｂ 保持本体
５１ 保持部
５２ 被加圧部
５５ Ｏ−リング（シール部材）
５６ 弾性部材
６０ 回転駆動機構
Ｗ ウエハ（被処理基板）

Claims (8)

1. 被処理基板を処理する基板処理装置において、
   回転自在に設けられた回転台と、
   前記回転台に揺動自在に設けられ、一端が上方側に揺動しているときに前記被処理基板を保持する保持部材と、
   前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転駆動機構と、
   前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を備え、
   前記シール部材は、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、前記回転台と前記保持部材との間を密封することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記回転台に、前記保持部材の一端が上方側に揺動しているときに、該保持部材が通過する開口が設けられ、
   前記シール部材は、前記開口の周縁外方を囲んで配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記シール部材は、前記回転台の下面に設けられていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の基板処理装置。
4. 前記シール部材は、前記保持部材の一端側に設けられていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記保持部材によって保持された前記被処理基板の裏面に処理液を供給する裏面側処理液供給部をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記シール部材は、Ｏ−リングからなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 回転自在に設けられた回転台に、揺動自在に設けられた保持部材であって、
   前記回転台との間に設けられたシール部材を有し、
   一端が上方側に揺動しているときに被処理基板を保持するとともに、前記シール部材によって、前記回転台との間を密封することを特徴とする保持部材。
8. 被処理基板を処理する基板処理方法において、
   回転台と、該回転台に揺動自在に設けられた保持部材と、前記回転台と前記保持部材との間に配置されたシール部材と、を有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
   前記保持部材の一端が上方側に揺動し、前記被処理基板を保持する保持工程と、
   前記保持部材が前記被処理基板を保持しているときに、前記回転台を回転させる回転工程と、を備え、
   前記保持工程において、前記シール部材によって、前記回転台と前記保持部材との間が密封され、
   前記回転工程は、１００ｒｐｍ以下の速度で前記回転台を回転させることを特徴とする基板処理方法。

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