JP2003092280A

JP2003092280A - 基板乾燥方法

Info

Publication number: JP2003092280A
Application number: JP2001284554A
Authority: JP
Inventors: Keiji Iwata; 敬次岩田; Toshihiko Amino; 利彦網野; Takeshi Okumura; 剛奥村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-09-19
Filing date: 2001-09-19
Publication date: 2003-03-28

Abstract

(57)【要約】【課題】基板表面における筋状のパーティクルの発生を
抑制または防止して、基板を良好に乾燥させることがで
きる基板乾燥方法を提供する。【解決手段】ウエハ上で液滴を成長させた後（液滴成長
工程）、１００ｒｐｍ程度の第１液滴排除速度でウエハ
を回転し、さらに２００ｒｐｍ程度の第２液滴排除速度
でウエハを回転する（第１回転工程）。これにより、ウ
エハ上の大きな液滴を排除する。その後、ウエハの回転
速度を１０００〜１８００ｒｐｍに加速して、目に見え
る程度の液滴をウエハ外に排除する（第２回転工程）。
さらに、ウエハの回転速度を２０００〜３５００ｒｐｍ
に加速して、微小な液滴を振り切ってウエハを乾燥させ
る（第３回転工程）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイ用ガラ
ス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁
気ディスク用基板、フォトマスク用基板等に代表される
各種の被処理基板を処理液で処理した後に乾燥させるた
めに適用される基板乾燥方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
被処理基板としての半導体ウエハ（以下単に「ウエハ」
という。）の表面に対して処理液（薬液または純水）を
供給する処理が行われる。とくに、ウエハを洗浄するた
めの基板洗浄装置では、ウエハの表面に洗浄処理のため
の薬液が供給され、その後に純水が供給されてリンス処
理が行われる。このリンス処理の後のウエハ表面には純
水が付着しているので、この純水を除去するために、ウ
エハを高速回転させてウエハ表面の純水を振り切るため
の乾燥処理が行われる。

【０００３】この乾燥処理のために用いられる典型的な
基板乾燥装置は、ウエハを水平に保持した状態で回転す
るスピンチャックと、このスピンチャックを高速回転さ
せるための回転駆動機構とを備えている。この構成によ
り、回転に伴って純水に働く遠心力を利用して、純水を
振り切り、基板の乾燥を達成している。ところが、たと
えば、洗浄用の薬液としてふっ酸の水溶液を用いると、
ウエハ表面が疎水性になる。そのため、その後にウエハ
表面に純水を供給してリンス処理を行い、スピンチャッ
クを高速回転させると、チャンバ内における跳ね返りに
よって、ウエハ表面が再汚染されたり、回転軸線上の液
滴が排除できなかったりするなど、乾燥不良が発生す
る。

【０００４】そこで、本願出願人の先願に係る特開平１
１−２８８９１５号公報では、ウエハ表面で液滴を成長
させた後に、スピンチャックを低速回転させ、これによ
って、ウエハ表面の液滴を排除する基板乾燥方法が提案
されている。むろん、この低速回転のみでは、微小な液
滴までを排除することができないから、その後に、スピ
ンチャックを高速回転させて、目に見えない液滴までを
ウエハ表面から完全に排除しなければならない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、この先の提
案に係る基板乾燥方法では、低速回転工程から高速回転
工程へと急激に移行することに起因して、ウエハ表面に
筋状のパーティクルが発生することがわかってきた。こ
の筋状のパーティクルは、ウエハ表面の純水の液滴がチ
ャンバ内の薬液雰囲気を含み、その状態で遠心力を受け
てウエハ外へと高速に移動することによって発生する一
種のウォーターマークである。また、純水によってウエ
ハ表面にシリコンが溶出し、それによってもウォーター
マークが発生する。したがって、通常の意味でのパーテ
ィクル（ウエハ表面の異物）とは異なるのであるが、ウ
エハ表面のパーティクル数を計数するパーティクルカウ
ンタは、このような筋状のパーティクルも通常のパーテ
ィクルと区別することなく計数してしまう。

【０００６】そのため、筋状のパーティクルの発生を抑
制または防止することが課題となっていた。そこで、こ
の発明の目的は、基板表面における筋状のパーティクル
の発生を抑制または防止して、基板を良好に乾燥させる
ことができる基板乾燥方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板の表
面から処理液を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法
であって、処理液が表面に供給された基板をほぼ水平に
保持しつつ、この基板の表面と直交する回転軸線まわり
に当該基板を第１の所定時間だけ第１の回転速度で回転
させる第１回転工程と、この第１回転工程の後、基板を
ほぼ水平に保持しつつ、この基板を上記回転軸線まわり
に第２の所定時間だけ、上記第１の回転速度よりも高速
な第２の回転速度で回転させる第２回転工程と、この第
２回転工程の後、基板をほぼ水平に保持しつつ、この基
板を上記回転軸線まわりに第３の所定時間だけ、上記第
２の回転速度よりも高速な第３の回転速度で回転させる
第３回転工程とを含むことを特徴とする基板乾燥方法で
ある。

【０００８】この方法によれば、基板の回転速度を第１
の回転速度、第２の回転速度および第３の回転速度の三
段階に切り換えて基板の表面上の処理液を振り切ること
としている。すなわち、第１の回転速度による基板の回
転によって、基板表面の処理液の大部分を基板外に排除
し、第２の回転速度による基板の回転によって、微小な
液滴を基板外に排除できる。そして、第３の回転速度に
よる基板の回転によって、基板表面に筋状のパーティク
ルを生じるおそれのない、さらに微小な液滴を基板外に
排除して、基板を完全に乾燥することができる。

【０００９】第２の回転速度での基板の回転を長時間に
わたって行えば、基板を完全に乾燥させることができる
であろうが、第３の回転速度で基板を回転させる第３回
転工程を導入することによって、基板をより短時間で完
全に乾燥させることができ、生産性を向上できる。な
お、ここで基板の「表面」とは、実際に処理液に曝され
得る基板の表面をいい、具体的には基板の両面のうちの
少なくともいずれか一方の面をいう。

【００１０】請求項２記載の発明は、上記第１の回転速
度が１００ｒｐｍ以上３００ｒｐｍ以下であることを特
徴とする請求項１記載の基板乾燥方法である。この回転
速度で基板を回転させることによって、基板上の大きな
液滴を分散させることなく、ゆっくりと基板外に排除で
きる。とくに、基板表面が疎水性表面である場合に上記
の回転速度範囲で基板を回転させると効果的である。請
求項３記載の発明は、上記第１回転工程は、上記基板を
所定の第１微速回転速度で回転させる第１微速回転工程
と、上記基板を上記所定回転速度よりも速い第２微速回
転速度で回転させる第２微速回転工程とを含むことを特
徴とする請求項２記載の基板乾燥方法である。

【００１１】この発明では、第１の回転速度が第１微速
回転速度と第２微速回転速度とを含み、第１回転工程に
おいて、基板の回転速度が２段階に変更される。これに
より、基板の表面上における液滴の分解を確実に防止で
きるので、筋状のパーティクルの発生をさらに確実に防
止できる。請求項４記載の発明は、上記第２の回転速度
が、１０００ｒｐｍ以上１８００ｒｐｍ以下であること
を特徴とする請求項２または３記載の基板乾燥方法であ
る。

【００１２】この回転速度範囲で基板を回転させて液滴
を振り切れば、筋状のパーティクルが発生しない。請求
項５記載の発明は、上記第３の回転速度が、２０００ｒ
ｐｍ以上（好ましくは、３５００ｒｐｍ以下）であるこ
とを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の基
板乾燥方法である。この回転速度範囲で第３回転工程を
行うことによって、基板の乾燥に要する時間を効果的に
短縮できる。

【００１３】請求項６記載の発明は、上記第１の所定時
間が５秒以上１０秒以下であることを特徴とする請求項
１ないし５のいずれかに記載の基板乾燥方法である。こ
れにより、基板の表面上の液滴の大半を確実に排除でき
る。請求項７記載の発明は、上記第２の所定時間が３秒
以上７秒以下であることを特徴とする請求項１ないし６
のいずれかに記載の基板乾燥方法である。これにより、
基板の表面上における目に見える程度の液滴を、筋状パ
ーティクルを発生させることなく除去できるから、その
後に、第３回転工程に移ることによって、乾燥処理時間
を過度に長くすることなく、良好な基板乾燥処理を実現
できる。

【００１４】請求項８記載の発明は、上記第１回転工程
の直前に、上記基板上に処理液を供給して、当該基板上
で処理液の液滴を成長させる液滴成長工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の
基板乾燥方法である。この発明では、基板の表面上で予
め液滴を成長させてから第１回転工程が行われるので、
基板の表面上（とくに回転軸線上）に小さな液滴が残る
ことがなく、大きな液滴の状態で処理液の大半を確実に
排除できる。

【００１５】請求項９記載の発明は、上記処理液は、弱
酸性の水溶液であることを特徴とする請求項１ないし８
のいずれかに記載の基板乾燥方法である。この発明で
は、処理液が弱酸性水溶液となっているので、基板から
のシリコンの溶け出しを抑制することができる。このた
め、ウォーターマークに起因する筋状のパーティクルの
発生をさらに抑制することができる。なお、処理液を弱
酸性水溶液とするためには、たとえば、処理液に弱酸性
のガスや液体を溶け込ませればよい。たとえば、請求項
１０に記載したように、純水に炭酸ガスを溶け込ませた
炭酸水を処理液としてもよい。

【００１６】請求項１１記載の発明は、上記処理液は、
オゾンを含むオゾン水であることを特徴とする請求項１
ないし８のいずれかに記載の基板乾燥方法である。この
発明では、処理液はオゾン水となっているので、基板表
面を親水化することができる。このため、基板表面上の
処理液がすみやかに排除されやすくなるので、ウォータ
ーマークに起因する筋状のパーティクルの発生をさらに
抑制することができる。なお、処理液をオゾン水とする
ためには、たとえば、純水にオゾンガスを溶け込ませれ
ばよい。

【００１７】請求項１２記載の発明は、上記処理液は、
イソプロピルアルコールを含むＩＰＡ水溶液であること
を特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板
乾燥方法である。この発明では、処理液はＩＰＡ水溶液
となっているので、処理液の揮発速度を大幅に大きくす
ることができる。このため、基板表面上の処理液がすみ
やかに排除されるので、ウォーターマークに起因する筋
状のパーティクルの発生をさらに抑制することができ
る。なお、処理液をＩＰＡ水溶液とするためには、たと
えば、純水にＩＰＡ蒸気やＩＰＡ液を溶け込ませればよ
い。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解
的な断面図である。この基板処理装置は、ウエハＷを１
枚ずつ洗浄液（処理液）によって洗浄し、この洗浄後の
ウエハＷの両面（図１における上面Ｗａおよび下面Ｗ
ｂ）に付着している洗浄液を遠心力を利用して振り切る
ことにより、このウエハＷを乾燥させるための洗浄・乾
燥装置である。ウエハＷの両面のほぼ全域は疎水性領域
となっていて、この疎水性領域における水との接触角は
９０度以上である。

【００１９】具体的構成について説明すると、この基板
処理装置は、ウエハＷを水平に支持し、この支持したウ
エハＷのほぼ中心を通る鉛直軸線を回転軸線とし、この
回転軸線まわりに回転するスピンチャック１と、このス
ピンチャック１を収容した有底筒状の処理カップ２と、
スピンチャック１を回転駆動するための回転駆動機構３
と、この回転駆動機構３の動作を制御する制御装置４と
を備えている。スピンチャック１の上方には、ウエハＷ
の上面Ｗａに向けて洗浄液を供給するための上面ノズル
Ｎ１が備えられており、またスピンチャック２の下方に
は、ウエハＷの下面Ｗｂに向けて洗浄液を供給するため
の下面ノズルＮ２，Ｎ３が、処理カップ２の底面部２Ａ
に備えられている。この処理カップ２の側面部２Ｂは、
ウエハＷの回転に伴って飛散する洗浄液を受け止め、周
囲への洗浄液の飛散を防止する飛散防止部材として機能
している。

【００２０】スピンチャック１は、鉛直方向に沿って配
置され、処理カップ２の底面部２Ａのほぼ中央を貫通し
て設けられた回転軸１１と、この回転軸１１の上端に水
平に固定されたスピンベース１２と、このスピンベース
１２に立設された複数本のチャックピン１３とを有して
いる。スピンベース１２は、たとえば、平面視において
放射状に延びた複数本のアームを有しており、各アーム
の先端にチャックピン１３が取り付けられている。隣接
するアームの間には、下面ノズルＮ２，Ｎ３からの洗浄
液をウエハＷの下面Ｗｂに導くための洗浄液経路が確保
されている。

【００２１】ウエハＷの下面Ｗｂへの処理液の供給は、
回転軸１１として中空軸を採用するとともに、この中空
軸を挿通して洗浄液供給経路を設けるとともに、その上
端にウエハＷの下面Ｗｂの中央に向けて洗浄液を吐出す
る中心軸ノズルを設けることによっても達成できる。こ
の場合、スピンベース１２は、洗浄液経路を確保した形
状とする必要がないから、円板形状等の他の形状に形成
されていてもよい。上面ノズルＮ１および下面ノズルＮ
２，Ｎ３には、薬液タンク２１からの洗浄用薬液または
リンス液タンク２２からのリンス液が、洗浄液として選
択的に供給されるようになっている。ここで、「洗浄用
薬液」としては、弗酸、塩酸、硫酸、硝酸、燐酸、酢
酸、蓚酸、クエン酸、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド）、アンモニア、およびこれら
の過酸化水素水溶液のうちの少なくともいずれか１つ、
あるいはこれらのうちの少なくとも２つの混合液を用い
てもよい。また、「リンス液」としては、ＩＰＡ（イソ
プロピルアルコール）などの有機溶剤、ならびに純水、
炭酸水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、および
イオン水のうちの少なくともいずれか１つを用いてもよ
い。

【００２２】また、薬液タンク２１からの薬液が導かれ
る薬液配管２３と、リンス液タンク２２からのリンス液
が導かれるリンス液配管２４とは、途中で洗浄液配管２
５に合流しており、この洗浄液配管２５が、ノズルＮ
１，Ｎ２，Ｎ３に結合されている。薬液配管２３および
リンス液配管２４の途中部には、薬液用バルブ３１およ
びリンス液用バルブ３２がそれぞれ介装されており、こ
れらのバルブ３１，３２の開閉は制御装置４によって制
御されるようになっている。なお、上面ノズルＮ１と下
面ノズルＮ２，Ｎ３とに、個別の薬液用バルブおよびリ
ンス液用バルブを設けてもよい。

【００２３】図２は、この基板処理装置の動作を説明す
るための図である。図２(a)は、スピンチャック１の回
転速度の時間変化を示しており、図２(b)は、薬液用バ
ルブ３１の開閉状態を示しており、図２(c)はリンス液
用バルブ３２の開閉状態を示している。ウエハＷに対す
る処理を施す前の期間には、制御装置４は、スピンチャ
ック１を停止状態に保持し、また、薬液用バルブ３１お
よびリンス液用バルブ３２を閉成状態に保持する。基板
搬送ロボット（図示せず）から未処理のウエハＷがスピ
ンチャック１に受け渡された後、制御装置４は、回転駆
動機構３を制御して、スピンチャック１の回転を開始さ
せる。そして、時刻ｔ１に液処理速度（たとえば、ウエ
ハＷの回転数で３００〜１０００ｒｐｍ）に達すると、
制御装置４は、薬液用バルブ３１を開成する。これによ
り、回転中のウエハＷにノズルＮ１，Ｎ２，Ｎ３からの
洗浄用薬液が供給され、薬液洗浄工程が行われる。時刻
ｔ２からの期間には、薬液用バルブ３１が閉成され、代
わってリンス液用バルブ３２が開成される。これによ
り、ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂの薬液を洗い流すための
リンス工程が行われる。

【００２４】リンス工程の末期、すなわち、リンス液用
バルブ３２が閉成される直前の期間においては、制御装
置４は、回転駆動機構３を制御して、スピンチャック１
の回転速度を極低速の液滴成長速度（ウエハＷの回転数
で５０ｒｐｍ以下）にまで減速し、その速度を一定時間
（たとえば、２〜１０秒間）維持する。これにより、ウ
エハＷの上面Ｗａにリンス液が供給された状態で、スピ
ンチャック１が極低速で回転するので、ウエハＷの上面
Ｗａ上には比較的大きな液滴が形成されることになる。
こうして、液滴成長工程が行われる。

【００２５】時刻ｔ３に、制御装置４は、リンス液用バ
ルブ３２を閉成して、液滴成長工程を終了する。その
後、制御装置４は、スピンチャック１の回転速度を第１
液滴排除速度（第１微速回転速度：たとえば、ウエハＷ
の回転数で約１００ｒｐｍ）にまで加速し、その速度を
一定時間（たとえば、２〜４秒間）維持する（第１微速
回転工程）。その後、さらに、制御装置４は、スピンチ
ャック１の回転速度を上記第１液滴排除速度よりも速い
第２液滴排除速度（第２微速回転速度：たとえば、ウエ
ハＷの回転数で約２００ｒｐｍ）にまで加速し、その速
度を一定時間（たとえば、２〜４秒間）維持する（第２
微速回転工程）。これにより、ウエハＷの表面の液滴に
働く遠心力によって、この液滴をウエハＷの周縁から排
除する液滴排除工程（第１回転工程）が行われる。

【００２６】スピンチャック１の回転速度が、微速回転
速度（第１の回転速度：１００〜３００ｒｐｍ）に数秒
間（第１の所定時間：５〜１０秒間）維持され、さらに
この微速回転の状態でスピンチャック１の回転速度が２
段階に上昇するため、ウエハＷの表面において液滴が高
速に移動することがない。したがって、筋パーティクル
の発生を抑制または防止できる。液滴排除工程の後は、
制御装置４は、スピンチャック１の回転速度を液滴振り
切り速度（第２の回転速度：たとえば、ウエハＷの回転
数で１０００〜１８００ｒｐｍ）にまで加速し、この液
滴振り切り速度を一定時間（第２の所定時間：たとえ
ば、３〜７秒間）維持する。こうして、第２回転工程が
行われ、ウエハＷ上から目に見える程度の液滴がほぼ完
全に排除される。

【００２７】この後、制御装置４は、さらに、スピンチ
ャック１の回転速度を液滴振り切り速度よりも速い乾燥
速度（第３の回転速度：たとえば、ウエハＷの回転数で
２０００〜３５００ｒｐｍにまで加速し、この乾燥速度
を一定時間（第３の所定時間：たとえば、１０〜３０秒
間）維持する。こうして、第３回転工程が行われ、ウエ
ハＷ上の液滴が完全に排除される。第１〜第３回転工程
を経て乾燥されたウエハＷは、上記の基板搬送ロボット
によって搬出されることになる。

【００２８】液滴排除工程の後、スピンチャック１の回
転速度をただちに乾燥速度まで加速すると、ウエハＷ上
に残留している液滴が遠心力を受けてウエハＷの周縁に
向かって高速に移動し、筋状のパーティクルが生じるお
それがある。そこで、この実施形態では、液滴排除工程
の直後には、液滴振り切り速度でのスピンチャック１の
回転を経て、このスピンチャック１の回転速度を乾燥速
度にまで上昇させることとしている。これによって、ウ
エハＷ状における液滴の高速移動を回避できるから、筋
状のパーティクルの発生を抑制または防止できる。

【００２９】第３回転速度への加速を行わずに第２回転
工程を長時間行うことによってもウエハＷの乾燥が達成
されるかもしれないが、この場合、乾燥処理に要する時
間が長くなる。したがって、第３回転工程を行うことに
よって、生産性を高めることができる。なお、上面ノズ
ルＮ１と下面ノズルＮ２，Ｎ３とに、個別にリンス液供
給バルブが設けられる場合には、下面ノズルＮ２，Ｎ３
に対応したリンス液供給バルブは、低速回転工程よりも
前に閉成されることが好ましく、これにより、リンス液
を節約できる。

【００３０】図３は、液滴排除工程における作用を説明
するためのウエハＷの平面図である。液滴排除工程の前
の液滴成長工程において大きく成長した液滴５０には、
ゆっくりとした回転であっても、比較的大きな遠心力Ｃ
Ｆが作用する。したがって、液滴排除工程におけるスピ
ンチャック１の低速回転により、大きな液滴５０は、ウ
エハＷの周縁に向かってゆっくりと移動していき、図１
に示すように、ウエハＷの周縁から落下することにな
る。このとき、スピンチャック１の回転が低速であるの
で、液滴５０の各部に働く遠心力の差は、この液滴５０
の表面張力Ｔに打ち勝つほど大きくないので、液滴５０
が分解することがない。そのため、ウエハＷの中心に小
さな液滴が残留するおそれはなく、ウエハＷの中心付近
の水分も、大きな液滴５０とともに、ウエハＷの周縁か
らウエハＷ外に除去される。こうして、液滴排除工程に
よって、ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂの液滴のほぼ全てを
除去することができる。

【００３１】また、液滴排除工程では、液滴５０が高速
に半径方向外方に移動することがないので、ウエハＷの
周縁から出た液滴５０が処理カップ２の側面部２Ｂに勢
い良く達することがない。そのため、側面部２Ｂからの
跳ね返った洗浄液飛沫がウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに再
付着するおそれはない。なお、この実施形態において、
リンス液を弱酸性の炭酸を純水に溶解させた炭酸水とし
た場合、ウエハＷからのシリコンの溶け出しを抑制する
ことができ、ウォーターマークに起因する筋状のパーテ
ィクルの発生をさらに抑制することができる。また、リ
ンス液をオゾンを含むオゾン水とした場合、基板表面を
親水化することができ、ウォーターマークに起因する筋
状のパーティクルの発生をさらに抑制することができ
る。さらに、リンス液をＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）水溶液とした場合、処理液の揮発速度を大幅に大き
くすることができ、基板表面上の処理液がすみやかに排
除されるので、ウォーターマークに起因する筋状のパー
ティクルの発生をさらに抑制することができる。なお、
このＩＰＡ水溶液は、予めＩＰＡが溶解されたものであ
ってもよく、ウエハＷ上に供給された純水に対してＩＰ
Ａ蒸気を溶け込ませるものであってもよい。

【００３２】この発明の一実施形態について説明した
が、この発明は上記の実施形態以外の形態で実施するこ
とも可能である。たとえば、上記の実施形態では、液滴
排除工程において、スピンチャック１の回転速度を第１
液滴排除速度から第２液滴排除速度に増加することとし
ているが、液滴排除工程におけるスピンチャック１の回
転速度は一定に保持してもよい。また、スピンチャック
１の上方に遮断板を上下動自在に設け、この遮断板をウ
エハＷの上面Ｗａの極近傍に配置して上面Ｗａの近傍の
空間を制限した状態で、スピンチャック１を回転させて
水切り乾燥を行ってもよい。さらには、遮断板と上面Ｗ
ａとの間に窒素ガス等の不活性ガスを供給して、ウエハ
Ｗの酸化を防止しつつ、振り切り乾燥処理を行うことが
好ましい。

【００３３】また、上記の実施形態では、ノズルＮ１，
Ｎ２，Ｎ３によってウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂに薬液お
よびリンス液を供給して、ウエハＷの両面Ｗａ，Ｗｂを
洗浄し乾燥させているが、ノズルＮ１によってウエハＷ
の上面Ｗａのみに薬液およびリンス液を供給して、ウエ
ハＷの上面Ｗａのみを洗浄し乾燥させるものであっても
よく、また、ノズルＮ２，Ｎ３によってウエハＷの下面
Ｗｂのみに薬液およびリンス液を供給して、ウエハＷの
下面Ｗｂのみを洗浄し乾燥させるものであってもよい。

【００３４】また、上記の実施形態では、ウエハＷの洗
浄および乾燥を行う装置および方法を例にとったが、こ
の発明は、ウエハＷの振り切り乾燥のみを行う乾燥装置
および方法に適用されてもよい。さらに、処理対象の基
板は、ウエハに限らず、液晶表示装置用ガラス基板など
の他の種類の基板であってもよい。その他、特許請求の
範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の変更を施す
ことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す図解的な断面図である。

【図２】この基板処理装置の動作を説明するための図で
ある。

【図３】液滴排除工程における作用を説明するためのウ
エハの平面図である。

【符号の説明】

１スピンチャック２処理カップ３回転駆動機構４制御装置Ｎ１上面ノズルＮ２，Ｎ３下面ノズル２１薬液タンク２２リンス液タンク３１薬液用バルブ３２リンス液用バルブ５０液滴Ｗウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者網野利彦京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内 (72)発明者奥村剛京都府京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神北町１番地の１大日本スクリーン製造株式会社内Ｆターム(参考） 3L113 AA04 AB08 AC63 BA34 CA15 CB34 DA04 DA10 DA24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面から処理液を除去して基板を乾
燥させる基板乾燥方法であって、処理液が表面に供給された基板をほぼ水平に保持しつ
つ、この基板の表面と直交する回転軸線まわりに当該基
板を第１の所定時間だけ第１の回転速度で回転させる第
１回転工程と、この第１回転工程の後、基板をほぼ水平に保持しつつ、
この基板を上記回転軸線まわりに第２の所定時間だけ、
上記第１の回転速度よりも高速な第２の回転速度で回転
させる第２回転工程と、この第２回転工程の後、基板をほぼ水平に保持しつつ、
この基板を上記回転軸線まわりに第３の所定時間だけ、
上記第２の回転速度よりも高速な第３の回転速度で回転
させる第３回転工程とを含むことを特徴とする基板乾燥
方法。
【請求項２】上記第１の回転速度が１００ｒｐｍ以上３
００ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の
基板乾燥方法。
【請求項３】上記第１回転工程は、上記基板を所定の第
１微速回転速度で回転させる第１微速回転工程と、上記
基板を上記所定回転速度よりも速い第２微速回転速度で
回転させる第２微速回転工程とを含むことを特徴とする
請求項２記載の基板乾燥方法。
【請求項４】上記第２の回転速度が、１０００ｒｐｍ以
上１８００ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項２
または３記載の基板乾燥方法。
【請求項５】上記第３の回転速度が、２０００ｒｐｍ以
上（好ましくは、３５００ｒｐｍ以下）であることを特
徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の基板乾燥
方法。
【請求項６】上記第１の所定時間が５秒以上１０秒以下
であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに
記載の基板乾燥方法。
【請求項７】上記第２の所定時間が３秒以上７秒以下で
あることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記
載の基板乾燥方法。
【請求項８】上記第１回転工程の直前に、上記基板上に
処理液を供給して、当該基板上で処理液の液滴を成長さ
せる液滴成長工程をさらに含むことを特徴とする請求項
１ないし７のいずれかに記載の基板乾燥方法。
【請求項９】上記処理液は、弱酸性の水溶液であること
を特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の基板
乾燥方法。
【請求項１０】上記弱酸性の水溶液は、炭酸ガスを含む
炭酸水であることを特徴とする請求項９記載の基板乾燥
方法。
【請求項１１】上記処理液は、オゾンを含むオゾン水で
あることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記
載の基板乾燥方法。
【請求項１２】上記処理液は、イソプロピルアルコール
を含むＩＰＡ水溶液であることを特徴とする請求項１な
いし８のいずれかに記載の基板乾燥方法。