JP5012632B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1〜図16は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法について順に示す説明図である。まず、図1〜図3を用いて、リブウェハの製造方法の一例について説明する。なお、図3においては、上の図がリブウェハの構造について示す平面図であり、下の図が上の図の切断線A−A'における断面構造を示す断面図である。図1に示すように、半導体ウェハ1のおもて面の中央部に素子構造2を形成する。ここで、半導体ウェハ1は例えばシリコンでできている。ついで、図2に示すように、半導体ウェハ1の裏面側の全面を、後に形成されるリブ部の厚さを規定する厚さに研削する。このとき、半導体ウェハ1のおもて面の素子構造2を、図示しない保護膜や保護テープによって覆ってもよい。ただし、この工程はリブの高さをウェハ元厚(ウェハの元の厚さ)に設定したい場合は不要である。
図17は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法について示す平面図である。また、図18は、図17の切断線E−E'における断面構造を示す断面図である。図17または図18に示すように、実施の形態2においては、実施の形態1において説明した図4〜図7の処理と、図8または図9の処理と、を同時に行う。すなわち、リブウェハ100を回転させながら、中心位置を基点としてスウィングさせるノズル10と、リブ部4の表面の内周端部にエッチング液50を滴下する位置に設置されたノズル11と、から同時にエッチング液50を滴下する。その他の構成および方法は、実施の形態1と同様のため、説明を省略する。
つぎに、実施の形態1または実施の形態2にかかる製造方法によって形成された半導体装置(実施例とする)と、従来の製造方法によって形成された半導体装置(従来例とする)とを比較する。図19は、実施例と従来例との回転数および乾燥時間に対する乾燥状態を示す図である。図19においては、図15に示したバッチ式乾燥装置によって乾燥を行う際の、回転数と、回転を行った時間(乾燥時間)と、に対して、実施例および従来例のリブウェハの乾燥状態を調べた。乾燥状態としては、中央部とリブ部とによって形成される段差部、リブ部のおもて面側の表面(リブおもて面)、リブ部の裏面側の表面(リブ裏面)について、洗浄液(例えば、純水)の水滴が残っているか否かを調べた。図19においては、水滴が残っていない場合を○印、水滴が残っている場合を×印とした。また、実施例としては、図10に示したリブ部の内周側の側壁に傾斜面が形成されたリブウェハを用い、従来例としては、図19に示した中央部とリブ部との境界の角度が略直角であるリブウェハを用いた。
3 中央部
4 リブ部
10 ノズル
20 ウェハ保持機構
50 エッチング液
100 リブウェハ
Claims (6)
- 半導体ウェハの裏面の中央部を外周端部よりも薄くして、当該半導体ウェハの裏面の外周端部にリブ部を形成するリブ形成工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の全面をエッチングする第1エッチング工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の前記リブ部の表面の内周端部を選択的にエッチングする第2エッチング工程と、
前記半導体ウェハの裏面側に洗浄液を滴下する洗浄工程と、
前記半導体ウェハを回転させて、当該半導体ウェハを乾燥させる乾燥工程と、
を順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェハの裏面の中央部を外周端部よりも薄くして、当該半導体ウェハの裏面の外周端部にリブ部を形成するリブ形成工程と、
前記半導体ウェハの裏面側の全面をエッチングし、かつ前記半導体ウェハの裏面側の前記リブ部の表面の内周端部を選択的にエッチングするエッチング工程と、
前記半導体ウェハの裏面側に洗浄液を滴下する洗浄工程と、
前記半導体ウェハを回転させて、当該半導体ウェハを乾燥させる乾燥工程と、
を順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1エッチング工程および前記第2エッチング工程、または前記エッチング工程においては、前記半導体ウェハの中央部の中心付近を回転の中心として、当該半導体ウェハを回転させながらエッチングを行うことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記乾燥工程においては、1枚の前記半導体ウェハを保持機構に吸着させて、当該半導体ウェハの中央部の中心付近を回転の中心として、当該半導体ウェハを回転させることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記乾燥工程においては、複数枚の前記半導体ウェハをウェハキャリアに設置して、当該ウェハキャリアから所定距離離れた位置を回転軸として、当該ウェハキャリアごと回転させることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記乾燥工程においては、前記半導体ウェハに気体を吹き付けることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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