JP5001661B2 - 電子ビーム記録装置 - Google Patents
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Description
このディスク原盤工程は、主面にフォトレジスト層を形成したガラス原板に記録すべき情報信号等に対応したピットパターン潜像を、ディスク原盤作製装置によって、大気雰囲気中で光源から出射される可視光または紫外線レーザ等を高倍率の対物レンズによって波長レベルのスポット径まで集束して形成し、フォトレジスト層のカッティングを行った後に、現像処理または電鋳処理を施してスタンパを形成している。
しかしながら、電子ビームを用いるディスク原盤作製装置においては、装置内外の磁場の変動によって電子ビームが偏向させられてフォーカス部によって集束される電子ビームのスポット位置が変動する。従って、作製されたディスク原盤のトラックピッチの精度または再生ジッタが劣化するという問題点がある。
特に、ディスク原盤作製装置内の回転駆動機構または原盤移動機構等から発生する磁気等は電子ビーム照射位置を大きく乱す要因となる。このため、回転駆動機構または原盤移動機構等から発生する磁気の影響を抑制するための方法が種々提案されている(特許文献1〜特許文献3参照)。
この特許文献1の磁気シールド装置は、壁に設けられた貫通孔を通して壁に巻き回され、磁気ノイズの変化に対応する誘導電圧を検知信号として出力する検出コイルと、外部から電流を供給され、検出コイルで検出された磁気ノイズをキャンセルする磁場を発生させるキャンセルコイルと、この検出コイルの出力に基づいてキャンセルコイルに流す電流を制御する制御部装置とを有するものである。このキャンセルコイルとして、検出コイルが検出する磁束と同一方向の磁場を発生させる1対のヘルムホルツコイルが用いられる。
この特許文献2の情報記録装置においては、電磁モータからの磁気ノイズ低減方法として、電磁モータ全体を、磁気をシールドする磁性筐体(高透磁率材料)にて囲み、電磁モータから発生する電磁場の影響が電子ビームに及ぼすことを防止している。
また、特許文献2の情報記録装置に開示されているように、多量の高透磁率材料を用いると回転駆動部の質量が増加するという問題点がある。
図1は、本発明の電子ビーム記録装置の第1の実施例を示す模式図である。
電子ビーム記録装置10は、描画部12と電子ビーム照射装置14と、ホストコントローラ20と、焦点位置制御部21と、送り制御部22と、位置検出部23と、回転制御部24と、回転角度検出部25とを有する。
ホストコントローラ20に、焦点位置制御部(収束位置制御部)21、送り制御部22、および回転制御部24が接続されており、これらの焦点位置制御部21、送り制御部22、および回転制御部24は、ホストコントローラ20に制御される。
また、ホストコントローラ20は、例えば、後述する電子源62に接続されており、この電子源62を制御するものでもある。
また、真空チャンバ30は、上部に開口部30aが形成されており、この開口部30aに電子ビーム照射装置14(鏡筒60の先端部60a)が接続されている。
真空チャンバ30の内面全面に磁気シールド板40が設けられている。この磁気シールド板40は、パーマロイなどの高透磁率材料からなるのものであり、これらの磁気シールド板40により地磁気等の外乱が抑制される。
ベース43が真空チャンバ30の底部30bに磁気シールド板40を介して設けられている。このベース43上に、基台44が設けられている。この基台44の上部に、例えば、球体、円筒ローラ等を送り方向(X方向)に配置したころがり軸受(図示せず)を介して移動体45が設けられている。
また、位置検出センサ47は、位置検出部23に接続されており、位置検出センサ47の移動体45(試料S)の位置を表わす検出信号(試料Sの位置情報)が位置検出部23に出力される。さらに、この位置検出部23から検出信号(試料Sの位置情報)が焦点位置制御部21に出力される。
また、送り制御部22により、駆動モータ42の回転が制御されて、移動体45がX方向に移動する。なお、送り機構ユニット32においては、位置検出センサ47の検出信号が位置検出部23に出力されて、移動体45の現在位置情報が得られ、さらに位置検出部23が移動体45の現在位置情報を送り制御部22に出力する。送り制御部22の現在位置情報に基づく出力信号により、駆動モータ42の回転が制御され、移動体45がX方向に移動される。また、送り機構ユニット32に回転機構ユニット34が設けられている。
さらに、回転駆動モータ52の下部に光学式ロータリーエンコーダ51が固定されている。この光学式ロータリーエンコーダ51は、一般的にその出力が一周を数千等分割したA相、B相パルスと一周に1回発生するZ相パルスから構成されるものである。
ここで、照射軸線Cとは、電子源62から下ろした垂線のことである。
この磁気検出器36は、真空チャンバ30の上面部30cに設けられた回転器48の垂直方向に延びた回転軸48aに設けられたアーム48bの先端部に接続されている。
この回転器48の回転軸48aは、空気圧により回動可能である。また、磁気検出器36は、磁界測定時のみ電子ビームbの照射軸線C上に進入して磁界測定を行い、それ以外のときには、退避している。
また、磁気検出器36は、焦点位置制御部21に接続されており、測定した移動体45の各位置における磁束密度(磁気情報)を焦点位置制御部21に出力するものである。
この磁気検出器36は、照射軸線C上において、焦点位置が調整されるフォーカス方向(以下、Z方向ともいう)、このZ方向と直交し、前述の移動体45の移動方向であるX方向、ならびにZ方向およびX方向と直交するY方向の各3方向における磁束密度(磁気情報)を取得することができるものである。この磁気検出器36は、特に限定されるものではなく、公知のセンサを用いることができる。
また、磁気検出器36としては、3方向(X方向、Y方向、Z方向)測定することができるものに限定されるものではない。本実施例においては、後述するように、Z方向における電子ビームbの焦点位置を制御するものであるため、磁気検出器36としては、少なくともZ方向における磁束密度(磁気情報)を取得することができるものであれば良い。
この試料S表面高さは、例えば、回転テーブル53の表面を基準面として得られるZ方向における距離のことである。また、試料Sの高さ変動は、例えば、回転テーブル53の表面を基準面として得られるZ方向における距離の変動量のことである。
この高さ検出センサ38は、発光部38aおよび受光部38bを有するものである。
発光部38aは、例えば、半導体レーザ(図示せず)により構成されるものである。また、受光部38bは、発光部38aから出射されたレーザ光が試料S表面で反射した反射光を受光し、その受光位置により試料Sの高さ(試料Sの高さの変動)を算出するものである。この受光部38bは、位置検出素子(PSD)(図示せず)と高さを算出する演算部(図示せず)とを有する。
また、受光部38bが、焦点位置制御部21に接続されており、高さ検出センサ38の高さの算出結果が出力信号(高さ情報)として、焦点位置制御部21に出力される。
電子ビーム発生装置14は、試料Sの表面上に情報を記録するために電子ビームbを試料Sの表面上に照射するものである。
この電子ビーム発生装置14は、鏡筒60内に各機器が設けられている。この鏡筒60は、先端部60aが円錐状に絞られ、かつその先端が開口されている。また、鏡筒60は、後端部60bが閉塞されている。
電子ビーム発生装置14においては、鏡筒60内に、後端部60b側から電子源62、ブランキング電極64、軸合わせコイル66、集束レンズ68、制限絞り70、非点補正コイル72、静電偏向電極(収束位置調整手段)74、対物レンズ76、および電界レンズ(収束位置調整手段)78が収納されている。鏡筒60の先端部60aが真空チャンバ30の開口部30aに接続されている。
また、鏡筒60の先端部60aの外周面には、地磁気等の外乱を抑制するために磁気シールド板41が設けられている。この磁気シールド板41は、パーマロイなどの高透磁率材料により形成されている。
この電子源62による電子ビームbの放射は、ホストコントローラ20により制御される。
また、静電偏向電極74は、情報を書き込む場合、書き込むべき情報に応じて電子ビームを偏向することによって、試料Sの表面上における電子ビームbの照射(スポット)位置を制御するものである。この静電偏向電極74は、非点補正コイル72と対物レンズ76との間に設けられている。
本実施例においては、電子ビームbをX方向に偏向する場合には、1対の第1の偏向電極板74bに、偏向量に応じた電圧が、ホストコントローラ20により印加される。これにより、電子ビームbの試料Sに対するX方向における照射位置が調整される。また、電子ビームbをY方向に偏向する場合には、1対の第2の偏向電極板に、偏向量に応じた電圧がホストコントローラ20により印加される。これにより、電子ビームbの試料Sに対するY方向における照射位置が調整される。このように、電子ビームbの偏向方向および偏向量は、ホストコントローラ20により制御される。
また、焦点制御部は、焦点位置制御部21に接続されており、この焦点位置制御部21からの出力信号(印加電圧)により電界レンズ78の焦点距離が制御され、電子ビームの試料Sの表面に対する焦点位置が調整される。
なお、電界レンズ78は、磁界により電子ビームbを収束させる磁界レンズに比較して、電界にて電子ビームbを収束させるので応答性が高い。
図3は、本実施例の電子ビーム記録装置の焦点位置制御部の構成を示すブロック図である。
図3に示すように、焦点位置制御部21は、CPU80、収束位置特性演算式の算出プログラムが書き込まれたROM81、RAM82、磁束密度計測回路83、D/A変換回路85、加算器86、増幅器87および駆動回路88を有するものである。
CPU80にバスを介して、ROM81、RAM82、磁束密度計測回路83、D/A変換回路85、ホストコントローラ20および位置検出部23(位置検出センサ47)が接続されている。
磁束密度計測回路83は、磁気検出器36の出力信号から、例えば、Z方向の磁束密度を計測するものである。
焦点位置制御部21においては、D/A変換回路85に加算器86が接続されており、この加算器86に増幅器87が接続され、さらには駆動回路88が接続されている。
先ず、電子ビームbが磁界Bzの影響を受けたときの焦点位置について図4に基づいて説明する。
図4において、フォーカス方向(Z方向)における軸をZ軸として、Z軸を中心とした収束半角θの電子ビーム流を示す。速度Vの電子eは,速度成分VRと磁界Bzとによりローレンツの作用を受けてZ軸を中心に回転を始める。速度成分VRは、収束半角θ(θ<<1)に比例するのでローレンツの力はZ軸からの距離rに比例する。回転する電子eは磁界BzによりZ軸と直角方向の力を受けδθ軌道が曲げられる。δθは電子ビーム流径Rに比例し収束点ZCに収束する。全電子ビーム流の収束点ZDは一様に、フォーカス方向(Z方向)においてずれ量δZだけずれる。
従って、磁界の大きさ、すなわち、磁束密度が分かれば、半径方向及びZ方向に積分して、各位置におけるずれ量δZを求めることができる。
ここで、図5は、縦軸にZ方向磁束密度をとり、横軸に移動***置をとって、移動***置に対するZ方向磁束密度の特性曲線を示すグラフである。図5に示す移動体の各位置におけるZ方向磁束密度を表わす曲線を特性曲線という。
なお、移動***置とは、回転ステージ53(回転機構ユニット34)の回転中心に、磁界の影響を受けていない状態における電子ビームbが照射される位置を基準(すなわち、X=0mm)として、X方向における回転テーブル53の位置を示すものである。
また、本実施例において、移動体45の位置によって磁界の影響が異なるため、補正電圧は、移動体45の位置により変更する必要がある。このため、焦点位置制御部21で移動***置情報に基づいて、補正電圧が逐次計算される。
例えば、図6に示す特性を多項式近似(移動***置の関数)した各係数をRAM82に記憶させておき、その多項式近似式を用いて現在の移動***置情報における補正電圧を算出する。このとき、補正電圧の計算は、ROM81から呼び出された算出プログラムに従い、各係数の係数データをRAM82から呼び出して、さらに位置検出部23の出力データを用いてCPU80で計算される。この計算結果は、D/A変換回路86に出力される。ここで、増幅器87の増幅倍率が1であれば、図6に示す補正電圧そのものをD/A変換回路85から増幅器87に出力させる。しかし、増幅器87の増幅倍率が10であれば、図6に示す補正電圧の1/10の電圧をD/A変換回路85から増幅器87に出力させる。
記録(描画)時においては、高さ検出センサ38の出力信号に、磁界(磁場)による焦点位置ずれ相当量にあたる出力信号とが加算器86で加算され、増幅器87および駆動回路88を経て電界レンズ78に印加される。これにより、電界レンズ78による電子ビームbの焦点制御が行われる。この電子ビームbの焦点制御は、磁界の影響を抑制しているため、電子ビームbを高い焦点位置精度で試料Sの所定の位置に照射して情報を記録することができる。さらには、描画パターンについても、電子ビームbの焦点位置精度が高いため、描画形状精度についても同様に高い精度で試料Sに記録することができる。
図9は、本発明の電子ビーム記録装置の第2の実施例を示す模式図である。また、図10は、本実施例の電子ビーム記録装置の照射位置制御部の構成を示すブロック図である。図11は、本実施例の電子ビーム記録装置の静電偏向電極の構成を示す模式図である。
なお、図1〜図8に示す本発明の第1の実施例の電子ビーム記録装置10と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
本実施例の電子ビーム記録装置10aは、第1の実施例の電子ビーム記録装置10の焦点位置のずれ(デフォーカス)を補正することに加えて、X方向およびY方向における照射位置のずれを調整する機能を有する。
また、焦点位置ずれ、ならびにX方向およびY方向における照射位置ずれは、互いに独立して生じる現象であり、それぞれ個別に補正しても、互いに影響を与えることなく、焦点位置ずれ、および照射位置ずれを補正することができることを本発明者が見出した。このため、焦点位置ずれ、および照射位置ずれを補正する順序は、特に限定されるものではない。
照射位置制御部100においては、ホストコントローラ20による、電子ビームbを試料Sの表面についてX−Y面内での走査に際して、照射位置の補正を行うことができる。
また、二次電子検出器49は、電子ビームbを試料Sの表面についてX−Y面内で走査し、このときに発生する二次電子を検出するものである。
さらに、画像取込部27は、二次電子検出器49による電子ビームbの走査時の二次電子の検出結果に基づいて、二次電子反射像を形成するものである。
また、画像処理部28としては、二次電子反射像に対して、画像処理を行い、後述するように、収束点のずれ量、ならびにX方向およびY方向における照射位置ずれ量を算出するものである。また、画像処理部28により得られた画像処理結果(収束点のずれ量、ならびにX方向およびY方向における照射位置ずれ量)は、表示部29に出力して、表示させることができる。
また、画像処理部28により得られた画像処理結果(収束点のずれ量)は、後述するように、焦点位置制御部21に出力され、焦点位置がジャストフォーカスの状態となるような補正量が算出される。
さらに、画像処理部28により得られた画像処理結果(X方向およびY方向における照射位置ずれ量)は、後述するように、照射位置制御部100に出力されて、この照射位置が適正な位置となるような補正量が算出される。
照射位置制御部100においても、焦点位置制御部21と同様に、CPU80aにバスを介して、ROM81a、RAM82a、磁束密度計測回路83a、D/A変換回路85a、位置検出部23(位置検出センサ47)および画像処理部28が接続されている。
磁束密度計測回路83aは、磁気検出器36の出力信号から、例えば、X方向の磁束密度、およびY方向の磁束密度を計測するものである。
照射位置制御部100においては、D/A変換回路85aに増幅器87aが接続され、更に増幅器87aに駆動回路88aが接続されている。
また、静電偏向電極74に駆動回路88aが接続されている。この駆動回路88aからの出力信号(補正電圧)により静電偏向電極74による電子ビームbの照射位置が変わり、電子ビームbの照射位置が調整されて、試料Sの表面上において、磁気の影響を受けることがなければ照射される所定の照射位置に電子ビームbが集束される。
本実施例の電子ビーム記録装置10aにおいては、ホストコントローラ20により電子ビームbを偏向する際に、照射位置制御部100による照射位置の補正がなされる。
また、焦点位置については、焦点位置制御部21により、第1の実施例と同様に制御されて、試料Sの表面上に電子ビームbが集束される。
本実施例の電子ビーム記録装置10aにおける焦点位置制御方法は、第1の実施例の電子ビーム記録装置10に比して、焦点位置ずれを目視にて確認する方法を用いている点が異なり、それ以外の焦点位置制御方法は、第1の実施例の電子ビーム記録装置10と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
ここで、図12(a)は、検査用基板を示す模式的側面図であり、(b)は、図12(a)に示す検査用基板を示す模式的平面図である。図13は、縦軸に収束位置をとり、横軸に移動***置をとって、第2の実施例の電子ビーム記録装置の収束位置特性を示すグラフである。
本実施例の電子ビーム記録装置10aにおいては、回転テーブル53をX=0mmの位置に移動させ、この状態で、先ず、電子ビームbのフォーカスを粒子94に合わせる。
次に、基体92表面の各粒子94について、収束位置、すなわち、デフォーカス量(ジャストフォーカス状態とするために印加した電圧)を求める。得られた複数のデフォーカス量を用いて、近似式を算出し、ROM81にプログラムとして書き込む。
先ず、電子ビームbが磁界Bの影響を受けたときの照射位置のずれについて図14に基づいて説明する。
図14において、加速電圧Vaで加速された質量mの電子eが、磁束密度Bの偏向磁界領域を通過するものとする。この時、サイクロトロン半径をRとするとき、このサイクロトロン半径Rは、R=(2m・Va/e)1/2×1/Bのように表わすことができる。
また、電子eが位置Z0〜位置Zpまでの区間δZ1移動する間に、電子eは、Z軸からずれ量δSだけずれてしまう。
区間δZ1とずれ量δSとの関係は、幾何学関係により、δS=(δZ1)2/2Rと表わすことができる。
これらのサイクロトロン半径Rと、δZ1およびずれ量δSとの関係から、ずれ量δSは、次のように、表わすことができる。
δS=((δZ1)2×B)/(2・(2m・Va/e)1/2)
したがって、磁束密度分布が分かれば、Z方向に積分することにより、電子ビームbの照射位置のずれ量δSを求めることができる。
ここで、図15は、縦軸にX方向磁束密度およびY方向磁束密度をとり、横軸に移動***置をとって、移動***置に対するX方向磁束密度およびY方向磁束密度の特性曲線を示すグラフである。図15に示す移動体の各位置におけるX方向磁束密度を表す曲線を特性曲線D1といい、Y方向磁束密度を表す曲線を特性曲線D2という。
なお、移動***置とは、上述のように、回転ステージ53(回転機構ユニット34)の回転中心に、電子ビームbが照射される位置を基準(すなわち、X=0mm)として、X方向における回転テーブル53の位置を示すものである。
また、本実施例において、照射位置制御部100で補正電圧(静電偏向電極74(第1の偏向電極板74aおよび第2の偏向電極板74b)への印加電圧)を求めるためには、予め静電偏向電極74(第1の偏向電極板74aおよび第2の偏向電極板74b)の感度特性を測定しておく必要がある。本実施例において、静電偏向電極74(第1の偏向電極板74aおよび第2の偏向電極板74b)の感度特性は、例えば、1〜5μm/Vの範囲である。
この場合、鏡筒60の先端部60aの開口に固定試料台(図示せず)を吊り下げ、この固定試料台に検査用基板90を配置する。
次に、ホストコントローラ20により、静電偏向電極74を用いて、検査用基板90の表面について電子ビームbをX−Y面内で走査して、二次電子検出器49により走査時の二次電子反射像を画像取込部27に形成し、この二次電子反射像を表示器29に表示させる。
検査用基板90の粒子94の位置を予め測定しておき、画像処理部28により、検査用基板90の粒子94の位置と、表示器29に表示された二次電子反射像における粒子の位置とを比較し、粒子94の位置の変化を、画像処理部28の測長機能を用いて測定する。
このときに、適正な照射位置とするために印加した電圧が、照射位置調整情報として得られる。そして、図17に示すような電子ビームの移動量特性が求められる。電子ビームの移動量特性に基づいて、照射位置制御部100において補正電圧を算出し、電子ビームbの照射位置を適正な照射位置とすることができる。
次に、基体92表面の各粒子94について、測長機能を用いて、粒子94の位置の変化、すなわち、照射位置ずれ量(適正な照射位置とするために印加した電圧)を求める。
回転テーブル53の位置を変えて、照射位置ずれ量(適正な照射位置とするために印加した電圧)を逐次求める。そして、得られた複数の照射位置ずれ量を用いて、近似式を算出し、ROM81aにプログラムとして書き込む。
また、回転テーブル53の表面に、例えば、金粒子、ラテックス球等の直径が数十〜数百nm程度の粒子を、例えば、十字状、または正方形状に配置し、この回転テーブル53の表面上の粒子の二次電子像を観察してもよい。
また、本実施例においては、表面に粒子を設けた検査用基板を用いて、収束位置変動を実験的に求めるため、簡便で安価な電子ビーム記録装置を提供できる。
先ず、本実施例の電子ビーム記録装置10aの電子ビーム発生装置14における電子ビームの他の焦点制御方法について説明する。
本実施例の電子ビーム記録装置10aにおける他の焦点位置制御方法は、本実施例の電子ビーム記録装置10aの焦点位置制御方法に比して、焦点位置ずれを、画像処理を用いて補正する点が異なり、それ以外の焦点位置制御方法は同様であるため、その詳細な説明は省略する。
この場合、画像処理部28においては、二次電子反射像における粒子94の大きさを求め、この粒子94の大きさと、予め測定しておいた粒子を大きさとを比較し、焦点位置ずれ量(デフォーカス量)を算出する。
そして、回転テーブル53の各位置について、二次電子反射像における粒子94の大きさを求め、各位置おける磁場(磁界)による焦点位置ずれ量(デフォーカス量)を算出する。
回転テーブル53の各位置において、ジャストフォーカス状態とするために印加した電圧を算出し、焦点位置調整情報(デフォーカス量)として得る。これにより、電子ビームの収束位置特性が求められる。電子ビームの収束位置特性に基づいて、焦点位置制御部21において補正電圧を算出し、電子ビームbの焦点位置を適正な位置にすることができる。
次に、基体92表面の各粒子94について、収束位置、すなわち、デフォーカス量(ジャストフォーカス状態とするために印加した電圧)を求める。得られた複数のデフォーカス量を用いて、近似式を算出し、ROM81にプログラムとして書き込む。
本実施例の電子ビーム記録装置10aにおける他の照射位置制御方法は、本実施例の電子ビーム記録装置10aの照射位置制御方法に比して、照射位置ずれを、画像処理を用いて補正する点が異なり、それ以外の焦点位置制御方法は同様であるため、その詳細な説明は省略する。
この場合においても、鏡筒60の先端部60aの開口に固定試料台(図示せず)を吊り下げ、この固定試料台に検査用基板90を配置する。
また、検査用基板90の粒子94の大きさおよび位置を予め測定しておき、画像処理部28に、粒子94の大きさおよび位置を記憶させておく。
この画像処理部28においては、記憶された粒子94の大きさおよび位置と、二次電子反射像における粒子の位置とを比較し、粒子の位置の変化量を算出する。
次に、粒子の位置の変化量から粒子が本来の位置となる静電偏電極74に印加する電圧を算出し、各位置における補正電圧を求めることができる。なお、照射位置について補正電圧を求める際には、回転ステージ53を停止した状態で行う。
これにより、電子ビームの移動量特性を求めることができ、電子ビームの移動量特性に基づいて、照射位置制御部100において補正電圧を算出し、電子ビームbの照射位置を適正な照射位置とすることができる。
次に、基体92表面の粒子94について、画像処理部28により、粒子94の位置の変化、すなわち、照射位置ずれ量(適正な照射位置とするために印加した電圧)を求める。
回転テーブル53の位置を変えて、照射位置ずれ量(適正な照射位置とするために印加した電圧)を逐次求める。そして、得られた複数の照射位置ずれ量を用いて、近似式を算出し、ROM81aにプログラムとして書き込む。
以上の本実施例の電子ビーム記録装置10aにおける他の焦点位置制御方法および他の照射位置制御方法においても、第2の実施例と同様の効果が得られる。
12 描画部
14 電子ビーム照射装置
20 ホストコントローラ
21 焦点位置制御部
22 送り制御部
23 位置検出部
24 回転制御部
25 回転角度検出部
27 画像取込部
28 画像処理部
29 表示部
30 真空チャンバ
32 送り機構
34 回転機構
36 磁気検出器
38 高さ検出センサ
38a 発光部
38b 受光部
40 磁気シールド板
41 磁気シールド板
42 駆動モータ
43 ベース
44 基台
45 移動体
46 送りネジ
47 位置検出センサ
47a 検出部
47b ガイド
48 回転器
48a 回転軸
48b アーム
50 エアスピンドル
51 光学式ロータリーエンコーダ
52 回転駆動モータ
53 回転テーブル
54 磁性流体シール
62 電子源
64 ブランキング電極
66 軸合わせコイル
68 集束レンズ
70 制限絞り
72 非点補正コイル
74 静電偏向電極
74a 第1の静電偏向電極板
74b 第2の静電偏向電極板
76 対物レンズ
78 電界レンズ
80、80a CPU
81、81a ROM
82、82a RAM
83、83a 磁束密度計測回路
85、85a D/A変換回路
86 加算器
87、87a 増幅器
88、88a 駆動回路
94 粒子
100 照射位置制御部
C 照射軸線
S 試料
Claims (3)
- 電子ビームを用いて試料の表面上に情報を記録する電子ビーム記録装置であって、
前記電子ビームを放射する電子源と、
前記電子ビームの照射軸線上に進入または退避可能に設けられ、前記照射軸線上における磁界情報を得る磁気検出器と、
前記磁気検出器による前記磁界情報から、前記試料の表面に対する前記電子ビームの収束位置を補正するための補正量を求める収束位置制御部と、
前記電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整する収束位置調整手段とを有し、
さらに、前記収束位置制御部は、前記補正量に基づいて、収束位置調整手段に前記電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整させ、
さらに、前記試料を載置し、かつ回転自在な回転テーブルを備える回転機構ユニットと、
前記電子ビームの照射軸線に対して直交する面内に前記回転機構ユニットの前記回転テーブルを移動させる送り機構ユニットと、
前記送り機構ユニットに設けられ、前記試料の位置を検出する位置検出センサと、
前記回転機構ユニットによる前記試料の回転時、および前記送り機構ユニットの送り駆動時における前記試料の表面の高さを検出する高さ検出センサとを有し、
前記収束位置には、前記電子ビームの焦点位置が含まれており、
前記収束位置調整手段は、前記電子ビームの試料表面に対する焦点位置を調整するものであり、
前記収束位置制御部は、前記高さ検出センサによる前記試料の高さ情報および前記位置検出センサによる前記試料の位置情報に対する前記磁気検出器による前記照射軸線方向における磁界情報から、前記電子ビームの焦点位置を補正するための補正量を求め、前記焦点位置の補正量に基づいて、前記収束位置調整手段に前記電子ビームの試料表面に対する焦点位置を調整させるものであることを特徴とする電子ビーム記録装置。 - 電子ビームを用いて試料の表面上に情報を記録する電子ビーム記録装置であって、
前記電子ビームを放射する電子源と、
前記電子ビームの照射軸線上に進入または退避可能に設けられ、前記照射軸線上における磁界情報を得る磁気検出器と、
前記磁気検出器による前記磁界情報から、前記試料の表面に対する前記電子ビームの収束位置を補正するための補正量を求める収束位置制御部と、
前記電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整する収束位置調整手段とを有し、
さらに、前記収束位置制御部は、前記補正量に基づいて、収束位置調整手段に前記電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整させ、
さらに、前記試料を載置し、かつ回転自在な回転テーブルを備える回転機構ユニットと、
前記電子ビームの照射軸線に対して直交する面内に前記回転機構ユニットの前記回転テーブルを移動させる送り機構ユニットと、
前記送り機構ユニットに設けられ、前記試料の位置を検出する位置検出センサと、
前記回転機構ユニットによる前記試料の回転時、および前記送り機構ユニットの送り駆動時における前記試料の表面の高さを検出する高さ検出センサとを有し、
前記収束位置には、前記照射軸線が延びる方向に対して、互いに直交する2方向のうち、少なくとも一の方向における前記電子ビームの照射位置が含まれており、
前記収束位置調整手段は、互いに直交する2方向のうち、少なくとも一の方向における前記電子ビームの試料表面に対する照射位置を調整するものであり、
前記収束位置制御部は、前記高さ検出センサによる前記試料の高さ情報および前記位置検出センサによる前記試料の位置情報に対する前記磁気検出器による前記照射軸線が延びる方向に対して、前記直交する2方向のうち、少なくとも一の方向における磁界情報から、前記直交する2方向のうち、少なくとも一の方向における前記電子ビームの照射位置を補正するための補正量を求め、前記直交する2方向のうち、少なくとも一の方向における前記電子ビームの照射位置の補正量に基づいて、前記収束位置調整手段に前記電子ビームの試料表面に対する前記直交する2方向のうち、少なくとも一の方向の照射位置を調整させるものであることを特徴とする電子ビーム記録装置。 - 前記収束位置調整手段は、前記電子ビームの焦点位置を調整する電界レンズを有するものである請求項1または2に記載の電子ビーム記録装置。
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