CN1542798A - 电子束记录器和电子束照射位置检测方法 - Google Patents

电子束记录器和电子束照射位置检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1542798A
CN1542798A CNA2004100054953A CN200410005495A CN1542798A CN 1542798 A CN1542798 A CN 1542798A CN A2004100054953 A CNA2004100054953 A CN A2004100054953A CN 200410005495 A CN200410005495 A CN 200410005495A CN 1542798 A CN1542798 A CN 1542798A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electron beam
electron
master
irradiation position
barricade
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004100054953A
Other languages
English (en)
Inventor
佃雅彦
Ҳ
阿部伸也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1542798A publication Critical patent/CN1542798A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

一种电子束记录器，包括：电子光学***，用于在信息记录介质的主盘上照射电子束；和电子束照射位置检测单元，用于在电子束由所述电子光学***照射在主盘上时检测电子光学***中电子束的照射位置。

Description

电子束记录器和电子束照射位置检测方法
技术领域
本发明总体上涉及电子束记录器和电子束照射位置检测方法，尤其涉及这样一种电子束记录器和电子束照射位置检测方法，其中信号高度精确地螺旋记录在信息转录介质(例如光盘)的主盘(master)上。
背景技术
通常，制造光盘包括下面的步骤，其中通过使用采用激光或者电子束作为光源的光盘主盘记录器，涂敷有光致抗蚀剂的主盘曝光并显影，从而制成光盘主盘，所述光盘主盘在其表面上形成凹凸图案(例如信息坑和槽)；制造金属模，所述金属模具有从光盘主盘传输的凹凸图案并被称为“压模”；通过使用所述压模制造树脂模制基底；和记录薄膜、反射薄膜等形成在所述模制基底上以相互粘合。
通过使用电子束制造光盘主盘时用于曝光的电子束记录器通常如下设置。图15显示了传统电子束记录器的结构。传统电子束记录器包括：电子束源1101，用于产生电子束1120；和电子光学***1102，用于将发射的电子束1120会聚在抗蚀剂主盘1109上，从而根据输入的信息信号在抗蚀剂主盘1109上记录信息图案。电子束源1101和电子光学***1102容纳在真空室1113中。
电子束源1101由用于在电流通过时发射电子的丝状体、用于捕获发射的电子的电极和用于提取并加速电子束1120的电极等组成，并适合于从一点发射电子。
同时，电子光学***1102包括：用于会聚电子束1120的透镜1103；用于确定电子束1120的射束直径的光圈1104；电极1105和1106，分别用于根据输入的信息信号沿正交方向偏转电子束1120；用于屏蔽由电极1105偏转的电子束1120的屏蔽板1107；和透镜1108，用于将电子束1120会聚在抗蚀剂主盘1109的表面上。
另外，抗蚀剂主盘1109被保持在旋转台1110上并通过水平移动台1111与旋转台1110一起水平移动。如果主盘1109在由旋转台1110旋转的同时通过水平移动台1111水平移动，电子束1120可以螺旋地照射在主盘1109上，从而将光盘的信息信号螺旋地记录在主盘1109上。
并且，提供了聚焦栅1112以与主盘1109的表面大体齐平。聚焦栅1112用于调节透镜1108的焦点位置，从而透镜1108将电子束1120会聚在主盘1109表面上。如果聚焦栅1112反射的电子或者在电子束1120照射在聚焦栅1112上时从聚焦栅1112发射的二次电子被检测器检测从而格栅图像被监控，则透镜1108的焦点位置可以从看到格栅图像的状态开始调节。
电极1105用于沿大体垂直于水平移动台1111的进给方向的方向偏转电子束1120。由于电极1105根据输入到电极1105的信号朝向屏蔽板1107偏转电子束1120，电极1105能够选择电子束1120是否照射在主盘1109上从而信息坑图案记录在主盘1109上。
同时，电极1106用于沿大体垂直于电极1105方向的方向(即与水平移动台1111的进给方向大体相同的方向)偏转电子束1120并能够根据输入到电极1106的信号沿着与水平移动台1111的进给方向大体相同的方向偏转电子束1120。水平移动台1111的进给方向对应于将被记录的主盘1109的径向。通过输入到电极1106的信号可以修正光盘等的道间距的变化。
在所述光盘中，由于将被记录的信息信号的道间距需要被高度精确地记录，因此需要高精度地控制水平移动台1111的进给量、旋转台1110的不可重复性振摆或者电子束1120照射位置的变化。例如，如日本专利公开出版物No.2002-141012所公开的方案，水平移动台1111的进给量的误差等可以通过激光测量等检测，从而通过驱动电极1106消除。
在传统电子束记录器中，即使诸如水平移动台1111的进给量和旋转台1110的不可重复性振摆等机械精度可以得到修正，电子束1120自身的位置也很可能变化，因此修正电子束1120位置的变化非常重要。电子束1120位置的变化由作用于电子束1120的记录器周围磁场的变化、机械振动、噪声和记录器的电噪声等大的影响而产生。
通常，由于电子束源1101和电子光学***1102容纳在真空室1113中，很难检测在真空室1113中加速和会聚的电子束1120的位置变化。同时，可以考虑一种方法，其中用于记录的电子束1120照射在与主盘1109不同的检测物体(例如聚焦栅1112)上，并且利用检测器信号检测电子束1120的照射位置变化，所述检测器用于检测形成在所述检测物体上的图像。但是，当信号被记录在主盘1109上时不能使用这种方法。因此，即使在这种方法中，当信号记录在主盘1109上时也很难检测和修正电子束1120的位置变化。
发明内容
因此，考虑到现有技术的上述缺点，本发明的主要目的是通过在信息记录介质的主盘上记录的过程中检测并修正电子束的照射位置变化而提高信息记录介质的道间距精度。
为此目的，本发明提供了一种电子束记录器，其中在电子光学***中设置了电子束照射位置检测单元，以便在记录过程中也能高精度地修正电子束位置的变化，所述电子束照射位置检测单元用于检测在电子束光轴偏转时被部分屏蔽的电子束的数量，从而能够在电子束照射在所述主盘上时检测电子束的位置。
为了实现上述目的，本发明的电子束记录器包括电子光学***，用于将电子束照射在信息记录介质的主体上。在电子束由电子光学***照射在主盘上时，电子束照射位置检测单元检测电子光学***中电子束的照射位置。
附图说明
下面通过参附图详细描述优选实施例，本发明的目的和特性将变得更加明显，其中：
图1是根据本发明第一实施例的电子束记录器结构的截面示意图；
图2是图1所示电子束记录器的电子束照射位置检测单元的结构俯视图；
图3是图1所示电子束记录器中的电极、屏蔽板和图2所示电子束照射位置检测单元相对位置的俯视图；
图4A、4B和4C是图2所示电子束照射位置检测单元中电子束的正常位置和偏转的俯视图；
图5是显示了图1所示电子束记录器中电子束照射位置与图2所示电子束照射位置检测单元输出之间关系的曲线；
图6是作为图1所示电子束记录器的改进的电子束记录器结构的截面示意图；
图7是根据本发明第二实施例的电子束记录器结构的截面示意图；
图8是图7所示电子束记录器的电子束照射位置检测单元结构的俯视图；
图9是图7所示电子束记录器中图8所示电子束照射位置检测单元的布局的另一实例的截面示意图；
图10是根据本发明第三实施例的电子束记录器结构的截面示意图；
图11是图10所示电子束记录器的电子束照射位置检测单元中采用的电子束和两个磁场传感器之间位置关系的曲线；
图12是根据本发明第四实施例的电子束记录器结构的截面示意图；
图13是图12所示电子束记录器的电子束照射位置检测单元结构的截面示意图；
图14是根据本发明第五实施例的电子束记录器结构的截面示意图；
图15是现有技术的电子束记录器结构的截面示意图。
在对本发明进行说明之前需要指出，在附图中相同部件用相同附图标记表示。
具体实施方式
以下将参照附图详细说明本发明的优选实施例。
(第一实施例)
图1说明了根据本发明第一实施例的用于通过利用电子束120在信息记录介质(例如光盘)的主盘109上记录信号的电子束记录器的结构。该电子束记录器具有下列结构部分与图15所示传统电子束记录器相似。即，该电子束记录器包括：电子束源101，用于产生电子束120；和电子光学***102，用于将发射的电子束120会聚在抗蚀剂主盘109上，从而根据输入的信息信号在抗蚀剂主盘109上记录信息图案。电子束源101和电子光学***102容纳在真空室113中。
电子束源101由用于在电流通过时发射电子的丝状体、用于控制发射的电子的电极和用于提取并加速电子束120的电极等组成，并适合于从一点发射电子。
同时，电子光学***102包括：用于会聚电子束120的透镜103；用于确定电子束120的射束直径的光圈104；电极105和106，分别用于根据输入的信息信号沿正交方向偏转电子束120；用于屏蔽由电极105偏转的电子束120的屏蔽板107；和透镜108，用于将电子束120会聚在抗蚀剂主盘109的表面上。
另外，抗蚀剂主盘109被保持在旋转台110上并通过水平移动台111与旋转台110一起水平移动。如果主盘109在由旋转台110旋转的同时通过水平移动台111水平移动，电子束120可以螺旋地照射在主盘109上，从而将光盘的信息信号螺旋地记录在主盘109上。
并且，提供了聚焦栅112以与主盘109的表面大体齐平。聚焦栅112用于调节透镜108的焦点位置，以便透镜108将电子束120会聚在主盘109表面上。如果聚焦栅112反射的电子或者在电子束120照射在聚焦栅112上时从聚焦栅112发射的二次电子被检测器检测从而格栅图像被监控，则透镜108的焦点位置可以从看到格栅图像的状态开始调节。
在本发明中，除了与图15所示传统电子束记录器的上述相似结构之外，在电子光学***102中并在透镜108之下设置了电子束照射位置检测单元114，用于检测通过的电子束120的位置。电子束照射位置检测单元114如下设置。图2是从电子束源101观察的电子束照射位置检测单元114的俯视图。在图2所示电子束照射位置检测单元114中，屏蔽板121和122分别设置在通过电子束照射位置检测单元114的电子束120的相对侧。屏蔽板121和122分别具有直线边缘121a和122a，直线边缘121a和122a沿大体垂至于水平移动台111的进给方向X的方向(即主盘109的旋转方向Y)延伸。设置屏蔽板121和122使各个边缘121a和122a大体上与电子束120相接触。
同时，电子束检测器123和124分别连接至屏蔽板121和122，从而输出信号a和b，信号a和b分别与照射在屏蔽板121和122上的电子束120的数量成比例。因此，当电子束120由于周围磁场变化或者电子束记录器的机械振动和电噪声而在水平移动台111的进给方向X上被偏转时，电子束120的一部分照射在屏蔽板121或122上，从而与分别照射在屏蔽板121或122上的电子束120的数量相对应的信号a和b从分别为屏蔽板121或122设置的电子束检测器123和124输出。
图3说明了电极105和106、屏蔽板107与电子束照射位置检测单元114之间的相对位置。如图3所示，电极105由电子束120被置于其间的一对电极部分形成，并用于沿大体垂直于水平移动台111的进给方向X的方向(即主盘109的旋转方向Y)偏转电子束120。电极105能够根据输入至电极105的信号朝着屏蔽板107偏转电子束120，从而选择电子束120是否照射在主盘109上从而信息坑图案记录在主盘109上。
同时，在图3中，电极106由电子束120被置于其间的一对电极部分形成，并用于沿大体垂直于电极105方向的方向(即与水平移动台111的进给方向X大体相同的方向)偏转电子束120，并能够根据输入至电极106的信号沿与水平移动台111的进给方向X大体相同的方向偏转电子束120。由于水平移动台111的进给方向X与将被记录的主盘109的径向相对应，可以通过输入至电极106的信号对光盘道间距等的变化进行修正。
图4A、4B和4C显示了电子束照射位置检测单元114中电子束120的正常位置和偏转。在显示了电子束120正常位置的图4A中，设置了屏蔽板121和122，从而屏蔽板121和122的边缘121a和122a大体与电子束120相接触。当电子束检测器123和124如上所述分别输出信号a和b时，当电子束120的照射位置偏转时信号(b-a)如图5所示变化。图5显示了电子束120的照射位置与信号(b-a)之间的关系。例如，在显示了电子束120正常位置的图4A中，由于电子束120的照射位置设置在屏蔽板121和122之间的中心并且电子束120没有被屏蔽板121和122屏蔽，来自电子束检测器123和124输出信号a和b大体为零，从而信号(b-a)大体为零，如图5中原点O所示。
另一方面，如果电子束120的照射位置沿图4B所示箭头A方向从图4A所示标准位置向屏蔽板122偏转，设置在屏蔽板122上的电子束检测器124输出信号b，信号b与被屏蔽板122屏蔽的电子束120的数量成比例，同时设置在屏蔽板121上的电子束检测器123的输出信号a为零。因此，信号(b-a)转移到如图5中曲线131所示的正区域中。相反，如果电子束120的照射位置沿图4C所示箭头B方向从图4A所示标准位置向屏蔽板121偏转，设置在屏蔽板121上的电子束检测器123输出信号a，信号a与被屏蔽板121屏蔽的电子束120的数量成比例，同时设置在屏蔽板122上的电子束检测器124的输出信号b为零。因此，信号(b-a)转移到如图5中曲线132所示的负区域中。因此，从信号(b-a)的数值即可检测电子束120的位置。
同时，通过电子束照射位置检测单元114而未被屏蔽板121和122屏蔽的电子束120照射在主盘109上，从而在主盘上记录信号。因此，通过使用电子束照射位置检测单元114，能够在电子束通过电子光学***102照射在主盘109上时检测电子光学***102中电子束120的位置变化。
由于可以通过使用电子束照射位置检测单元114监控光盘的主盘109上记录的道间距变化，因此可以在记录过程中随后判断主盘109上记录的道间距变化是否落入允许范围。例如，在向主盘109上记录之前，电子束120最初通过电子束偏转件(例如电极106)沿水平移动台111的进给方向X极大地移动，并且样本记录在试验主盘等上，同时电子束120位置变化由电子束照射位置检测单元114确定。通过利用电子显微镜等检验记录的样本的形状，电子束120照射位置变化量与电子束照射位置检测单元114的输出信号之间的相互关系被初步得到。此处，电子束120的位置极大地变化，从而可以从记录的样本的形状获得电子束120的照射位置的变化量。
假设记录在主盘109上的道间距是0.32μm并且对于光盘道间距的允许变化为±5nm，可以从记录在试验主盘上的结果事先转换电子束照射位置检测单元114的输出信号，所述输出信号在道间距的变化落入±5nm的允许范围内时获得。因此，如果电子束照射位置检测单元114的输出信号在光盘的主盘109的实际记录过程中被连续地监控，可以评估主盘109的道间距的变化是否落入允许范围内。
在第一实施例中，电子束照射位置检测单元114设置在电子光学***102中并位于透镜108之下。即，在电子光学***102中，电子束照射位置检测单元114设置在最靠近主盘109的位置上。但是，电子束照射位置检测单元114也可以设置在电子光学***102中的另外位置。然而，如果电子束照射位置检测单元114监控记录在主盘109上的图案径向位置变化，优选电子束照射位置检测单元114尽可能地设置在靠近主盘109的位置上。
同时，在第一实施例中，电子束照射位置检测单元114的屏蔽板121和122的边缘121a和122a形成为直线外形，但是也可以形成为直线外形之外的其他形状，例如圆形。
同时，图6显示了作为图1所示电子束记录器的改进的电子束记录器。这种改进的电子束记录器包括连接在电子束照射位置检测单元114与电极106之间的位置信息控制装置140。通过采用图6所示电子束记录器的这种结构，电子束120的照射位置的变化受到控制，从而记录在主盘109上的图案的不均匀进给减小。如图5所示，当电子束120的照射位置没有变化时，由原点O表示的零信号O被输出作为电子束照射位置信号(b-a)。当电子束120被朝着屏蔽板122移动时，正信号131被输出作为信号(b-a)。相反，当电子束120被朝着屏蔽板121移动时，负信号132被输出作为信号(b-a)。
信号(b-a)被输入至位置信息控制装置140，以在位置信息控制装置140中进行预定的信号放大或者信号衰减，随后反馈至偏转电极106。偏转电极106能够沿与水平移动台111的进给方向X大体相同的方向偏转电子束120。因此，如果利用电子束照射位置检测单元114检测的电子束位置变化信息，电极106沿着减小电子束120位置变化的方向偏转电子束120，电子束120照射位置变化能够得到稳定。通过图6所示电子束记录器的这种结构，在主盘109上记录的光盘道间距的变化可以得到修正。
(第二实施例)
图7显示了根据本发明第二实施例的电子束记录器的结构。在第二实施例的电子束记录器中，第一实施例的电子束记录器的光圈104被除去，并且第一实施例的电子束记录器的电子束照射位置检测单元114被电子束照射位置检测单元214取代。由于第二实施例的电子束记录器的其他结构与第一实施例的电子束记录器的结构相似，为了简洁省略其说明。如图8所示，电子束照射位置检测单元214包括屏蔽板222，用于确定电子束120的射束直径的孔221沿水平移动台111的进给方向X和主盘109的旋转方向Y设置在屏蔽板222的中心处。
当射束直径大于孔221的直径的射束通过孔221时，电子束120的***部分被屏蔽板222屏蔽，从而通过孔221的电子束120的射束直径被确定。同时，屏蔽板222在孔221处沿大体垂直于水平移动台111的进给方向X被等分为第一区域222a和第二区域222b，并且电子束检测器223和224分别连接至第一区域222a和第二区域222b，从而输出信号a和b，信号a和b分别与照射在第一区域222a和第二区域222b上的电子束120的量对应。
环绕孔221的屏蔽板222的第一区域222a和第二区域222b的边缘具有与孔221的边缘大体相同的轮廓。当流过孔221的电子束120被朝着第二区域222b偏转时，信号(b-a)转移至图5中曲线131所示的正区域。相反，当流过孔221的电子束120被朝着第一区域222a偏转时，信号(b-a)转移至图5中曲线132所示的负区域。当来自电子束检测器223和224的输出信号a和b具有大体相同的强度时，信号(b-a)大体上为零。即，通过检测信号(b-a)可以检测照射在电子束照射位置检测单元214上的电子束120的位置。
在第二实施例中，孔221形成为圆形，但也可以是圆形之外的其他形状，例如正方形、矩形和椭圆形。
同时，在第二实施例中，在电子光学***102中设置了电子束照射位置检测单元214，电子束照射位置检测单元214可以设置在最靠近主盘109的位置，也可以位于电子光学***102中的任何位置，例如在透镜103与电极105之间，如图9所示。但是，通常优选电子束照射位置检测单元214尽可能地靠近主盘109设置。
由于记录在光盘的主盘109上的道间距变化可以通过电子束照射位置检测单元214进行监控，因此可以在记录过程中判断主盘109上记录的道间距变化是否落入允许范围之内。
同时，如果电子束照射位置检测单元214输出的电子束照射位置信号(b-a)被反馈至偏转电极106，偏转电极106能够沿着水平移动台111的进给方向X偏转电子束120，则电子束120照射位置的变化可以被控制。
(第三实施例)
图10显示了根据本发明第三实施例的电子束记录器的结构。在第三实施例的电子束记录器中，第一实施例的电子束记录器的电子束照射位置检测单元114被电子束照射位置检测单元314取代。由于第三实施例的电子束记录器的其他结构与第一实施例的电子束记录器的结构相似，为了简洁省略其说明。
电子束照射位置检测单元314包括磁场传感器315和316，用于检测围绕电子光学***102中电子束120光轴处的中心轴线产生的磁场的强度。每个都由线圈制成的磁场传感器315和316从电子束120的光轴离开大体相同的距离并沿水平移动台111的进给方向X相互面对，从而使电子束120的光轴作为它们之间的中心。
在磁场传感器315和316之间通行的电子束120产生的磁场强度由离开电子束120光轴的距离确定。当从电子束120光轴至磁场的距离增加时，磁场的强度减小。因此，如果电子束120通过磁场传感器315和316之间大体中心位置，流过磁场传感器315的电流量变得与流过磁场传感器316的电流量大体相同。但是，如果电子束120从磁场传感器315和316之间的中心位置偏转，流过磁场传感器315的电流量变得与流过磁场传感器316的电流量不同。
图11显示了电子束120与磁场传感器315和316之间的位置关系。磁场传感器315和316以电子束120的位置321为中心对称设置。如果电子束120流过位置321，磁场传感器315和316产生的电流量被设定为大体相等。因此，如果电子束120从位置321偏转至位置322，磁场传感器315接近电子束120，同时磁场传感器316远离电子束120。电子束120产生的磁场与离开电子束120的距离成反比。因此，磁场传感器315中产生的电流量大于磁场传感器316中产生的电流量。相反，如果电子束120从位置321偏转至位置323，磁场传感器315中产生的电流量小于磁场传感器316中产生的电流量。即，通过监控磁场传感器315和316输出的电流量，可以检测在磁场传感器315和316之间流动的电子束120的光轴位置。
如上所述，设置两个磁场传感器315和316作为电子束照射位置检测单元314，以相对电子束120的光轴对称设置。因此，即使电子束120的量变化，也可以通过获取磁场传感器315和316输出的不同信号检测电子束120从中心位置321的偏移。
此处，两个磁场传感器315和316相对电子束120的光轴对称设置。但是，如果磁场传感器315和316设置在通过电子束120的光轴并与水平移动台111的进给方向X平行的位置上，即使磁场传感器315和316没有从电子束120的光轴离开相同距离，磁场传感器315和316也能够检测电子束120的位置。同时，即使单一的磁场传感器也能够检测电子束120的位置。
在第三实施例中，每个磁场传感器315和316由线圈形成，但是能够检测磁场变化的传感器也能够获得与线圈相同的效果。
由于在光盘的主盘109上记录的道间距变化可以通过使用电子束照射位置检测单元314而监控，因此可以在记录过程中判断主盘109上记录的道间距变化是否落入允许范围内。
同时，如果电子束照射位置检测单元314输出的电子束照射位置信号反馈至偏转电极106，所述偏转电极106能够沿着水平移动台111的进给方向X偏转电子束120，则电子束120照射位置的变化可以被控制。
(第四实施例)
图12显示了根据本发明第四实施例的电子束记录器的结构。在第四实施例的电子束记录器中，第一实施例的电子束记录器的电子束照射位置检测单元114被电子束照射位置检测单元414取代。由于第四实施例的电子束记录器的其他结构与第一实施例的电子束记录器的结构相似，为了简洁省略其说明。如图13所示，电子束照射位置检测单元414包括：屏蔽板421和422，其沿水平移动台111的进给方向X相互面对，从而将电子光学***102中的电子束120的光轴作为其中心并大体与电子束120相接触；发光层423和424，例如由荧光物质制成，在电子束120照射在其上时发光并分别涂敷在屏蔽板421和422上；光电传感器425和426，其用于检测从发光层423和424发出的光强度，其设置在屏蔽板421和422上方以分别朝向发光层423和424。
屏蔽板421和422分别具有边缘421a和422a，边缘421a和422a沿大体垂直于水平移动台111的进给方向X的方向延伸。屏蔽板421和422沿水平移动台111的进给方向X设置，从而各个边缘421a和422a大体与通过电子束照射位置检测单元414的电子束120相接触。
当电子束120由于周围磁场变化或者电子束记录器的机械振动和电子噪声而沿水平移动台111的进给方向X偏转时，电子束120的一部分照射在屏蔽板421或422上，从而光线从涂敷在屏蔽板421或422上的发光层423或424发出。通过用光电传感器425或426检测发射光的量，可以检测电子束120偏转的方向和量。
同时，在第四实施例中，在电子光学***102中，电子束照射位置检测单元414设置在最接近主盘109的位置处，但是也可以设置在电子光学***102的另外位置。但是，通常优选电子束照射位置检测单元414尽可能靠近主盘109设置。
由于光盘的主盘109上记录的道间距变化可以通过电子束照射位置检测单元414监控，因此可以在记录过程中判断主盘109上记录的道间距变化是否落入允许范围内。
同时，如果电子束照射位置检测单元414输出的电子束照射位置信号反馈至偏转电极106，所述偏转电极106能够沿着水平移动台111的进给方向X偏转电子束120，则电子束120照射位置的变化可以被控制。
(第五实施例)
图14显示了根据本发明第五实施例的电子束记录器的结构。在第五实施例的电子束记录器中，第一实施例的电子束记录器的光圈104和电子束照射位置检测单元114分别被光圈504和电子束照射位置检测单元514取代。与第一实施例的电子束记录器中电子束照射位置检测单元114设置在透镜108下面不同，电子束照射位置检测单元514设置得紧靠在光圈504下面。由于第五实施例的电子束记录器的其他结构与第一实施例的电子束记录器的结构相似，为了简洁省略其说明。如图14所示，光圈504具有孔504a和504b，用于将来自电子束源101的电子束120分成主电子束部分120A和分电子束部分120B。主电子束部分120A按照原状通过电子光学***102并照射在主盘109上，以在主盘109上记录图案，而分电子束部分120B输入至电子束照射位置检测单元514。
第一实施例中的电子束照射位置检测单元114、第二实施例中的电子束照射位置检测单元214、第四实施例中的电子束照射位置检测单元414中的任何一个都可以用作电子束照射位置检测单元514。
在上述结构的电子束记录器中，如果用于记录的主电子束部分120A由于外部磁场的变化或者机械振动而偏转，分电子束部分120B也将同样偏转。因此，如果在主盘109上记录图案之前获得主电子束部分120A的位置变化与分电子束部分120B的位置变化之间的关系，就可以在通过电子束120在主盘109上记录图案时检测电子束120的照射位置的变化。
由于光盘的主盘109上记录的道间距变化可以通过电子束照射位置检测单元514监控，因此可以在记录过程中判断主盘109上记录的道间距变化是否落入允许范围内。
同时，如果电子束照射位置检测单元514输出的电子束照射位置信号反馈至偏转电极106，所述偏转电极106能够沿着水平移动台111的进给方向X偏转电子束120，则电子束120照射位置的变化可以被控制。
从本发明的上述说明中可以看出，通过利用电子束照射位置检测单元，可以在电子束照射在主盘上从而在所述主盘上记录图案的同时检测电子束照射位置的变化。因此，在主盘上记录的过程中，可以判断在主盘上记录的道间距的变化是否落入允许范围内。同时，通过利用电子束照射位置检测单元的信号驱动偏转电极，可以控制记录在主盘上的道间距的变化。

Claims (13)

1.一种电子束记录器，包括：
电子光学***，用于在信息记录介质的主盘上照射电子束；和
电子束照射位置检测单元，用于在电子束由所述电子光学***照射在主盘上时检测电子光学***中电子束的照射位置。
2.根据权利要求1所述的电子束记录器，其特征在于，在所述电子光学***中，所述电子束照射位置检测单元设置在最接近所述主盘的位置处。
3.根据权利要求1所述的电子束记录器，其特征在于，所述电子束照射位置检测单元包括：
用于屏蔽所述电子束的至少一个屏蔽板，所述屏蔽板具有沿所述主盘的进给方向与所述电子束大体接触的边缘；
电子束检测器，用于检测由所述屏蔽板屏蔽的电子束的量。
4.根据权利要求1所述的电子束记录器，其特征在于，所述电子束照射位置检测单元包括：
用于屏蔽所述电子束的屏蔽板，所述屏蔽板具有孔，用于将电子束形成为所需射束直径，并且，所述屏蔽板在所述孔处沿大体垂直于所述主盘的水平进给方向的方向被分为第一区域和第二区域；和
第一和第二电子束检测器，用于分别检测由屏蔽板的所述第一和第二区域所屏蔽的电子束的量作为第一和第二检测信号，从而获得第一和第二检测信号的差信号。
5.根据权利要求1所述的电子束记录器，其特征在于，所述电子束照射位置检测单元包括至少一个磁场传感器，用于检测围绕电子光学***中的电子束光轴处的中心轴线产生的磁场的强度。
6.根据权利要求1所述的电子束记录器，其特征在于，所述电子束照射位置检测单元包括：
用于屏蔽所述电子束的至少一个屏蔽板，所述屏蔽板具有边缘，所述边缘沿所述主盘的水平进给方向大体接触电子束，并涂敷有发光层，用于在电子束照射在其上时发光；和
用于检测由所述发光层发射的光的强度的光电传感器，所述光电传感器被设置为朝向所述发光层。
7.根据权利要求1所述的电子束记录器，其特征在于，还包括：
光圈，所述光圈具有至少两个孔，用于将电子束分别分为主电子束部分和分电子束部分，以便分电子束部分的位置由电子束照射位置检测单元所检测。
8.根据权利要求1所述的电子束记录器，其特征在于，还包括：
电子束偏转件，其用于沿所述主盘的水平进给方向偏转电子束，所述电子束偏转件设置在所述电子光学***中；和
控制装置，用于根据电子束照射位置检测单元的检测结果控制所述电子束偏转件，从而改变电子束的照射方向。
9.一种在电子束记录器中检测电子束的照射位置的方法，所述电子束记录器用于在信息记录介质的主盘上记录信号，所述方法包括下述步骤：
在所述主盘上照射电子束以在主盘上记录信息；
屏蔽照射的电子束；
检测被屏蔽的电子束的量；和
根据所检测的电子束的量检测电子束的位置。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，电子束的照射方向根据所检测的电子束的量变化。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，屏蔽板被分为第一和第二区域，并且被屏蔽板的第一和第二区域所屏蔽的电子束的量分别被检测以作为第一和第二检测信号，从而通过第一和第二检测信号的差信号检测电子束的位置。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，被所述屏蔽板屏蔽的电子束的量被检测，所述屏蔽板涂敷有发光层，用于在电子束照射到其上时发光。
13.一种在电子束记录器中检测电子束的照射位置的方法，所述电子束记录器利用电子束在信息记录介质的主盘上记录信号，所述方法包括下述步骤：
在所述主盘上照射电子束以在主盘上记录信息；
检测围绕电子束光轴处的中心轴线产生的磁场的强度；和
根据所检测的磁场强度检测电子束的位置。
CNA2004100054953A 2003-02-26 2004-02-19 电子束记录器和电子束照射位置检测方法 Pending CN1542798A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003049563 2003-02-26
JP2003049563 2003-02-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1542798A true CN1542798A (zh) 2004-11-03

Family

ID=32866630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004100054953A Pending CN1542798A (zh) 2003-02-26 2004-02-19 电子束记录器和电子束照射位置检测方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7359305B2 (zh)
KR (1) KR20040076600A (zh)
CN (1) CN1542798A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107648749A (zh) * 2017-09-28 2018-02-02 上海联影医疗科技有限公司 放射治疗***及其束流控制装置和束流准直方法
CN109585246A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 纽富来科技股份有限公司 多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法
WO2022166629A1 (zh) * 2021-02-02 2022-08-11 湖州超群电子科技有限公司 一种电子束辐照束流的探测***及其使用方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100373474C (zh) * 2003-09-08 2008-03-05 松下电器产业株式会社 母盘制造方法及装置、母盘的移动距离差检测方法及装置
US20070171807A1 (en) * 2004-03-04 2007-07-26 Pioneer Corporation Information recording method and information recording apparatus
EP1577928A3 (en) * 2004-03-15 2008-10-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron beam recorder, electron beam irradiation position detecting method and electron beam irradiation position controlling method
JP4322919B2 (ja) * 2004-03-23 2009-09-02 パイオニア株式会社 電子ビーム描画装置
JP5438325B2 (ja) 2006-02-14 2014-03-12 日立造船株式会社 ボトルの内部を照射する方法
JP5001661B2 (ja) * 2006-03-13 2012-08-15 株式会社クレステック 電子ビーム記録装置
US8154817B2 (en) * 2008-09-05 2012-04-10 Doug Carson & Associates, Inc. Compensation for different transducer translation path geometries
KR101331364B1 (ko) * 2008-12-04 2013-11-26 더그 칼슨 앤드 어쏘시에이츠, 아이엔씨. 가변 트랙 폭 레코딩 보상
WO2010088683A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Doug Carson & Associate, Inc. Media pre-write with track-aligned write beam deflection and write frequency adjustment
US8389962B2 (en) * 2011-05-31 2013-03-05 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for compensating for magnetic noise
US8759764B2 (en) * 2012-06-29 2014-06-24 Fei Company On-axis detector for charged particle beam system
JP2019220559A (ja) * 2018-06-19 2019-12-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びそのビーム評価方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5270990A (en) * 1986-08-15 1993-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Tracking error signal detecting apparatus using an electron beam and apparatus for effecting recording/reproduction of information by the utilization of a plurality of electron beams
US4961178A (en) * 1986-10-21 1990-10-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of erasable recording and reading of information
JP4058195B2 (ja) * 1999-05-31 2008-03-05 パイオニア株式会社 ディスク原盤とディスク原盤形成装置並びにディスク原盤形成方法
US6650611B1 (en) * 2000-09-14 2003-11-18 Pioneer Corporation Master disc manufacturing apparatus
JP2002141012A (ja) 2000-10-31 2002-05-17 Elionix Kk 電子線微細加工装置
JP3999579B2 (ja) * 2001-06-22 2007-10-31 松下電器産業株式会社 電子線記録装置および電子線記録方法
US6985425B2 (en) * 2001-06-22 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron beam recorder and method thereof
US7053394B2 (en) * 2001-08-08 2006-05-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Recording device of master disk for information recording medium
EP1577928A3 (en) * 2004-03-15 2008-10-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electron beam recorder, electron beam irradiation position detecting method and electron beam irradiation position controlling method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107648749A (zh) * 2017-09-28 2018-02-02 上海联影医疗科技有限公司 放射治疗***及其束流控制装置和束流准直方法
CN107648749B (zh) * 2017-09-28 2020-02-07 上海联影医疗科技有限公司 放射治疗***及其束流控制装置和束流准直方法
CN109585246A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 纽富来科技股份有限公司 多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法
WO2022166629A1 (zh) * 2021-02-02 2022-08-11 湖州超群电子科技有限公司 一种电子束辐照束流的探测***及其使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080144472A1 (en) 2008-06-19
KR20040076600A (ko) 2004-09-01
US7359305B2 (en) 2008-04-15
US20040166426A1 (en) 2004-08-26
US7525893B2 (en) 2009-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1542798A (zh) 电子束记录器和电子束照射位置检测方法
CN1071917C (zh) 光拾波装置
CN101051183A (zh) 图案形成方法和模具
CN1602430A (zh) 点格栅阵列电子成像***
CN1934503A (zh) 电子束描绘装置
JP3984019B2 (ja) 電子ビーム装置及び電子ビーム調整方法
CN101443847B (zh) 电子束记录装置
TW202026768A (zh) 電子束圖像取得裝置及電子束圖像取得方法
TW202139233A (zh) 多電子束照射裝置
CN1298203A (zh) 掩膜检测装置和掩膜检测方法
KR102415589B1 (ko) 검사 장치 및 검사 방법
KR100449993B1 (ko) 광 디스크 및 그 마스터 디스크 제조장치
US10984525B2 (en) Pattern inspection method and pattern inspection apparatus
CN1144265C (zh) 电子束曝光掩模和用该掩模制造半导体器件的方法
CN1846257A (zh) 母盘的制造方法、母盘的制造装置、母盘的移动距离差检测方法及母盘的移动距离差检测装置
JP4440663B2 (ja) 電子線記録装置及び電子線照射位置検出方法
CN1677528A (zh) 电子束记录器、照射位置检测方法及照射位置控制方法
JPWO2005124467A1 (ja) 電子ビーム描画装置
CN1692418A (zh) 制造生产光盘的母盘的方法和生产光盘的方法
KR100607426B1 (ko) 전자빔 기록 기판
EP0185097A1 (en) Method of manufacturing stamper
CN1499493A (zh) 位移检测方法、位移检测设备及记录设备
CN1747019A (zh) 电子束曝光装置
JP2012141249A (ja) 回転制御装置及び回転制御方法
WO2011129364A1 (ja) パターン検査装置およびパターン検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20041103

C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned