JP4996607B2 - 情報記録媒体とその製造方法、及びスパッタリングターゲット - Google Patents

情報記録媒体とその製造方法、及びスパッタリングターゲット Download PDF

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Description

本発明は、光学的にまたは電気的に情報を記録、消去、書き換え、及び／または再生する情報記録媒体及びその製造方法、ならびに当該情報記録媒体の製造に使用できるスパッタリングターゲットに関する。
従来の情報記録媒体として、その記録層（相変化材料層）が相変化を生じる現象を利用する相変化形情報記録媒体がある。この相変化形情報記録媒体の一つとして、レーザビームを用いて光学的に情報を記録、消去、書き換え、再生する情報記録媒体（以下、単に、光学的情報記録媒体と呼ぶことがある）がある。光学的情報記録媒体において、情報を記録することは、レーザビームの照射により発生する熱によって記録層の相変化材料を、例えば結晶相と非晶質相との間で状態変化させることによって行われる。記録した情報は、結晶相と非晶質相との間の反射率の違いを検出することにより読みとる。
さらに、光学的情報記録媒体の一つとして、情報の消去および書き換えが可能な書き換え型情報記録媒体がある。一般に記録層の初期状態は結晶相である。情報を記録する場合には高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を溶融した後、急激に冷却することによって、レーザ照射部を非晶質相にする。一方、情報を消去する場合には、記録時より低いパワー（消去パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することにより、レーザ照射部を結晶相にする。従って、書き換え型情報記録媒体では、高パワーレベルと低パワーレベルとの間でパワー変調させたレーザビームを記録層に照射することによって、記録されている情報を消去しながら新しい情報を記録または書き換えすることが可能である。記録層を結晶相に変化させるためには、記録層を結晶相に変化する温度（結晶化温度）に一定時間（結晶化時間）だけ保持する必要がある。結晶化時間が短いほど、結晶相への変化に要する時間が短くなるため、短時間での消去および書き換え、すなわち高速な消去・書き換えが可能となる。
また、相変化形情報記録媒体のうち、一回だけ情報の記録が可能で、情報の消去および書き換えが不可能な追記型情報記録媒体においては、一般に記録層の初期状態は非晶質相である。この追記型情報記録媒体に情報を記録する場合には高パワー（記録パワー）のレーザビームを照射して記録層を昇温して徐冷することによって、レーザ照射部を結晶相にする。
上記レーザビームを照射する代わりに、電気的エネルギー（たとえば電流）の印加により発生するジュール熱で記録層の相変化材料を状態変化させることによって、情報を記録する相変化形情報記録媒体もある。この情報記録媒体への情報の記録は、電流の印加により発生するジュール熱によって、記録層の相変化材料を結晶相（低抵抗）と非晶質相（高抵抗）との間で状態変化させることにより行う。情報の再生は、結晶相と非晶質相との間の電気抵抗の違いを検出して情報として読みとって行う。
相変化形情報記録媒体の例として、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭが挙げられる。４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭは、図１５の情報記録媒体１２に示すように、基板１上に、レーザ入射側から見て、第１誘電体層２、第１界面層３、記録層４、第２界面層５、第２誘電体層６、光吸収補正層７、反射層８を順に有する７層構成のものである。
記録層４は、化合物であるＧｅＴｅとＳｂ2Ｔｅ3を混合したＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3擬二元系相変化材料（例えば、特許文献１参照）のＧｅの一部をＳｎで置換した（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3を含む高速結晶化材料を用いて、形成される。また、化合物であるＧｅＴｅとＢｉ2Ｔｅ3を混合したＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3擬二元系相変化材料（例えば、特許文献２参照）を用いると、さらに高速での書き換えが可能となる。これらの材料を使用することにより、初期記録書き換え性能のみならず、優れた記録保存性（記録した信号を、長期保存後に再生できる特性）、及び書き換え保存性（記録した信号を、長期保存後に消去または書き換えできる特性）も実現されている。
第１誘電体層２と第２誘電体層６は、光学距離を調節して記録層４への光吸収効率を高め、結晶相と非晶質相との反射率変化を大きくして信号強度を大きくする光学的な働きをする。また、これらの誘電体層２および６は、記録時に高温となる記録層４から熱に弱い基板１、およびダミー基板１０等を断熱する熱的な働きをする。以前より使用している、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）は、透明且つ高屈折率であり、低熱伝導率で断熱性も良く、機械特性及び耐湿性も良好な優れた誘電体材料である。
反射層８は、記録層４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層８は、記録層４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層４を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、反射層８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第１界面層３と第２界面層５は、第１誘電体層２と記録層４、及び第２誘電体層６と記録層４との間で生じる物質移動を防止する機能を有する。この物質移動とは、第１誘電体層２及び第２誘電体層６を、例えば、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（添え字は、ｍｏｌ％で示される組成比を表す）で形成した場合に、レーザビームを記録層４に照射して記録・書き換えを繰り返す際、Ｓ（硫黄）が記録層に拡散していく現象のことである。Ｓが記録層に拡散すると、繰り返し書き換え性能が悪化する。この繰り返し書き換え性能の悪化を防ぐには、Ｇｅを含む窒化物を第１界面層３及び第２界面層５に使用するとよい（例えば、特許文献３参照）。
以上のような技術により、優れた書き換え性能と高い信頼性が達成され、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭが商品化されるに至った。
現在、情報記録媒体をさらに大容量化するための技術として、さまざまな技術が導入されている。例えば、光学的情報記録媒体においては、赤色レーザより短波長の青紫色レーザを用いる、およびレーザビームが入射する側の基板の厚さを薄くして開口数（ＮＡ）が大きい対物レンズを使用することによって、より小さいスポット径のレーザビームを用いて高密度の記録を行う技術が導入されている。
２つの情報層を有する光学的情報記録媒体を用いて記録容量を２倍に高め、且つその一方の面にのみ入射するレーザビームによって２つの情報層にて記録再生を行う技術も導入されている（例えば、特許文献４参照）。この２層情報記録媒体では、レーザビームの入射側に近い情報層（以下、第１情報層という）を透過したレーザビームを用いて、レーザビームの入射側から遠い情報層（以下、第２情報層という）の記録再生を行う。そのため、第１の情報層では記録層および反射層の厚さを極めて薄くして透過率を高める必要があった。
特許第２５８４７４１号公報（第１−５頁、図１） 特許第２５７４３２５号公報（第１−５頁、図１） 特開平１０−２７５３６０号公報（第２−６頁、図２） 特開２０００−３６１３０号公報（第２−１１頁、図２）
しかしながら、従来、用いている記録層、例えばＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3を薄くすると、記録層の結晶化能が低下し、消去性能が低下するという課題があった。また、記録層及び反射層を極めて薄くして透過率を高めると、記録層での光吸収が小さくなり、情報を記録する際により大きなエネルギー（レーザパワー）が必要となる。すなわち、記録感度が低下するという課題もあった。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、記録感度及び消去性能が同時に向上された相変化形情報記録媒体を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の情報記録媒体は、光の照射または電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体であって、相変化を生じ得る記録層を少なくとも有し、前記記録層が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含むことを特徴とする。この特徴により、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層は、下記の式（１
）：
Ｓｂ100-a1Ｍ１a1（原子％） （１）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ１は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ１≦５０を満たす。）
で表される材料を含んでよい。そのような材料を含む記録層は、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を向上させることができる。
ここで、「原子％」とは、式（１）が、「Ｓｂ」原子および「Ｍ１」原子を合わせた数を基準（１００％）として表された組成式であることを示している。以下の式においても「原子％」の表示は、同様の趣旨で使用されている。また、式（１）は、記録層に含まれる「Ｓｂ」原子及び「Ｍ１」原子のみをカウントして表したものである。したがって、記録層は、これらの原子以外の成分（例えば、他の金属元素、酸素、水素、アルゴン、および窒素等）を、全体の１５原子％までの量で含むことがある。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層は、下記の式（２）：
Ｓｂ100-a2Ｚｎa2（原子％） （２）
（但し、ａ２は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ２≦３０を満たす。）
で表される材料を含んでよい。そのような材料を含む記録層は、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層は、下記の式（３）：
Ｓｂ100-a3Ｓｉa3（原子％） （３）
（但し、ａ３は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ３≦３０を満たす。）
で表される材料を含んでよい。そのような材料を含む記録層は、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層は、下記の式（４）：
Ｓｂ100-a4Ｃa4（原子％） （４）
（但し、ａ４は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ４≦５０を満たす。）
で表される材料を含んでよい。そのような材料を含む記録層は、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層は、下記の式（５）：
Ｓｂ100-a5（ＳｉＣ）a5（ｍｏｌ％） （５）
（但し、ａ５は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ５≦３０を満たす。）
で表される材料を含んでよい。そのような材料を含む記録層は、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層がさらにＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含んでもよい。記録層がそのような元素を含むことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度をさらに向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層は、下記の式（６）：
Ｓｂ100-a6-b6Ｍ１a6Ｍ２b6（原子％） （６）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ６及びｂ６は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ６≦５０、０＜ｂ６≦１５を満たす。）
で表される材料を含んでもよい。そのような材料を含む記録層は、相変化形情報記録媒体の記録感度をさらに向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層がさらにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含んでもよい。
また、本発明の情報記録媒体において、記録層の厚さは１５ｎｍ以下であってもよい。このことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度を向上させることができる。また、本発明の情報記録媒体において、記録層の厚さは３ｎｍ以下であってもよい。そのような厚さを有する記録層は、多層の相変化形情報記録媒体において、レーザビームの入射側に近い情報層の透過率を向上させることができる。
また、本発明の情報記録媒体は、Ｎ１個（但し、Ｎ１は２以上の整数。）の情報層を含む、即ち、記録層をＮ１層（但し、Ｎ１は２以上の整数。）含んでもよい。このことにより、情報記録媒体の記録容量を向上させることができる。なお、Ｎ１は２であってもよい。また、Ｎ１は３又は４であってもよい。Ｎ１個の情報層を含む情報記録媒体においては、少なくとも１つの記録層が、上記の材料（ＳｂとＭ１との組み合わせ）を含む。
また、本発明は、光の照射または電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体であって、Ｓｂを含む層、Ｍ１を含む層（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２を含む層（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、Ｓｂ−Ｍ２を含む層、Ｍ１−Ｍ２を含む層及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２を含む層から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる記録部を有する情報記録媒体を提供する。記録部を複数の層から成る層とすることにより、相変化形情報記録媒体の記録感度及び消去性能を向上させることができる。ここで、「記録部」という用語は、２以上の層から成る積層構造の記録層を、単層構造の記録層と区別するために用いられており、情報記録媒体における機能は記録層と記録部とでは変わりない。
また、記録部を有する本発明の情報記録媒体において、記録部が、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、及びＳｂ−Ｍ２を含む層の積層構造を少なくとも有してもよい。また、記録部を構成する積層構造において、Ｓｂ−Ｍ１を含む層が、Ｃを５０原子％以下の割合で含み、Ｓｂ−Ｍ２を含む層が、Ｇｅ及びＴｅから選ばれる少なくとも一つの元素を３０原子％以下の割合で含んでもよい。このような記録部を構成することにより、相変化形情報記録媒体の記録感度、及び消去性能を調整することができる。
また、記録部を有する本発明の情報記録媒体は、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、及びＭ２を含む層の積層構造を少なくとも有してもよい。また、この積層構造において、Ｓｂ−Ｍ１を含む層が、Ｃを５０原子％以下の割合で含み、Ｍ２を含む層が、Ｔｅを４０原子％以上の割合で含んでもよい。このような記録部を構成することにより、相変化形情報記録媒体の記録感度、及び消去性能を調整することができる。
また、記録部を有する本発明の情報記録媒体において、記録部に含まれる１または複数の層は、さらにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含んでもよい。
また、記録部を有する本発明の情報記録媒体において、記録部の厚さは１５ｎｍ以下であってもよい。このことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度を向上させることができる。また、記録部を有する本発明の情報記録媒体において、記録部の厚さは３ｎｍ以下であってもよい。そのような厚さを有する記録部は、多層の相変化形情報記録媒体において、レーザビームの入射側に近い情報層の透過率を向上させることができる。
また、記録部を有する本発明の情報記録媒体は、Ｎ２個の情報層を含む、即ち、記録部をＮ２個（但し、Ｎ２は２以上の整数。）含んでもよい。このことにより、情報記録媒体の記録容量を向上させることができる。なお、Ｎ２は２であってもよい。また、Ｎ２は３又は４であってもよい。Ｎ２個の情報層を含む情報記録媒体においては、少なくとも１つの記録部が、上記の所定の元素を含む層から選ばれる複数の層から成る。
また、本発明の情報記録媒体は、記録層の少なくとも一方の面、または記録部の少なくとも一方の面と接して配置されている界面層をさらに有してもよい。界面層を設けると、相変化形情報記録媒体の繰り返し書き換え性能が向上する。
また、本発明の情報記録媒体において、界面層は、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つの化合物を含んでもよい。このことにより、相変化形情報記録媒体の繰り返し書き換え性能が向上する。
また、本発明の情報記録媒体において、界面層は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｇａ、Ｉｎ及びＣｒから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｏとを含んでもよい。このことにより、相変化形情報記録媒体の繰り返し書き換え性能が向上する。
また、本発明の情報記録媒体は、反射層をさらに有してもよい。反射層は、相変化形情報記録媒体の記録感度と信号強度を向上させる。
また、本発明の情報記録媒体においては、反射層は、主としてＡｇを含んでもよい。このことにより、相変化形情報記録媒体の記録感度と信号強度が向上する。「主として」という用語は、Ａｇを９０原子％以上含むことをいう。
また、本発明の情報記録媒体において、反射層の厚さは２０ｎｍ以下であってもよい。反射層の厚さが２０ｎｍ以下であると、多層の相変化形情報記録媒体において、レーザビームの入射側にある情報層の透過率を向上できる。また、本発明の情報記録媒体において、反射層の厚さは５ｎｍ以下であってもよい。そのような薄い反射層は、多層の相変化形情報記録媒体において、レーザビームの入射側に近い情報層の透過率をさらに向上させる。
また、本発明は、前記本発明の情報記録媒体の製造方法を提供し、当該方法は、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含む記録層を形成する工程を少なくとも含む情報記録媒体の製造方法であって、記録層を形成する工程が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを含むスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを含むことを特徴とする。そのような製造方法により、記録感度及び消去性能が向上した相変化形情報記録媒体が作製される。
また、本発明は、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含む記録層を形成する工程を少なくとも含む情報記録媒体の製造方法であって、記録層を形成する工程が、Ｓｂ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１、Ｓｂ−Ｍ２、Ｍ１−Ｍ２及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２で表されるスパッタリングターゲットから選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法を提供する。この製造方法によれば、記録感度及び消去性能が向上した相変化形情報記録媒体を作製できる。
また、本発明は、少なくとも２種以上の層が積層されてなる記録部を形成する工程を少なくとも含む情報記録媒体の製造方法であって、
前記記録部を形成する工程が、Ｓｂ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１、Ｓｂ−Ｍ２、Ｍ１−Ｍ２及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２で表されるスパッタリングターゲットから選ばれる、少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを含むことを特徴とする情報記録媒体の製造方法を提供する。この製造方法によれば、記録感度及び消去性能が向上した相変化形情報記録媒体を作製できる。
本発明はまた、本発明の情報記録媒体の製造時に用いるスパッタリングターゲットとして、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含むスパッタリングターゲットを提供する。このようなスパッタリングターゲットを用いて、記録層を形成することにより、記録感度及び消去性能が向上した相変化形情報記録媒体を作製できる。
また、本発明の情報記録媒体の製造時に用いるスパッタリングターゲットは、得ようとする膜が、式（１）：
Ｓｂ100-a1Ｍ１a1（原子％） （１）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ１は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ１≦５０を満たす。）
で表される材料を含むときに、式（１０）
Ｓｂ100-A1Ｍ１A1（原子％） （１０）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ａ１は、原子％で示される組成比を表し、ａ１＜Ａ１≦（ａ１＋３）を満たす。）
で示される材料を含むようなスパッタリングターゲットであってよい。このようなスパッタリングターゲットを用いて、記録層を形成することにより、記録感度及び消去性能が向上した相変化形情報記録媒体を作製できる。
本発明によれば、記録感度及び消去性能が向上した相変化形情報記録媒体が提供される。また、本発明の相変化形情報記録媒体の製造方法、及び／またはスパッタリングターゲットによれば、本発明の相変化形情報記録媒体を容易に製造することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施の形態は一例であり、本発明は以下の実施の形態に限定されない。また、以下の実施の形態では、同一の要素については同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。
（実施の形態１）
実施の形態１として、本発明の情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態１の情報記録媒体１５の一部断面図を図１に示す。情報記録媒体１５は、レーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体１５は、基板１４上に形成された情報層１６、及び透明層１３により構成されている。透明層１３は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。透明層１３の材料は、使用するレーザビーム１１に対して、小さい光吸収を有することが好ましく、短波長域において光学的に小さい複屈折を示すことが好ましい。また、透明層１３は、透明な円盤状のポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスから成る、シートまたは板であってよい。この場合、透明層１３は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性樹脂等の樹脂、または粘着性のシートなどによって第１誘電体層１０２に貼り合わせることが可能である。
レーザビーム１１の波長λは、高密度記録の場合、特に４５０ｎｍ以下であることが好ましい。レーザビーム１１を集光した際のスポット径が、波長λによって決まってしまう（波長λが短いほど、より小さなスポット径に集光可能）ためである。また、λが３５０ｎｍ未満であると、透明層１３等による光吸収が大きくなってしまう。よって、λは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
基板１４は、透明な円盤状の基板である。基板１４を構成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを用いることができる。基板１４の材料としては、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。
基板１４の情報層１６側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。他方、基板１４の情報層１６側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板１４の厚さは、十分な強度が確保され、且つ情報記録媒体１５の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．５ｍｍ〜１．２ｍｍの範囲内にあることが好ましい。なお、透明層１３の厚さが０．６ｍｍ程度（ＮＡ＝０．６で良好な記録再生が可能な厚さ）の場合、０．５５ｍｍ〜０．６５ｍｍの範囲内にあることが好ましい。また、透明層１３の厚さが０．１ｍｍ程度（ＮＡ＝０．８５で良好な記録再生が可能な厚さ）の場合、１．０５ｍｍ〜１．１５ｍｍの範囲内にあることが好ましい。
以下、情報層１６の構成について詳細に説明する。
情報層１６は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第１誘電体層１０２、記録層１０４、第２誘電体層１０６、及び反射層１０８を有する。図示するように、第１誘電体層１０２と記録層１０４の間に、第１界面層１０３が、必要に応じて設けられてもよい。
第１誘電体層１０２は、誘電体からなる。この第１誘電体層１０２は、記録層１０４の酸化、腐食、および変形等を防止する働きと、光学距離を調整して記録層１０４の光吸収効率を高める働きと、記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きとを有する。
第１誘電体層１０２を形成する材料として、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、およびＴｅＯ2等の酸化物が挙げられる。また、Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、およびＧｅ−Ｃｒ−Ｎ等窒化物を用いることもできる。また、ＺｎＳなどの硫化物、ＳｉＣなどの炭化物、ＬａＦ3およびＣｅＦ3などの弗化物、ならびにＣを、第１誘電体層１０２の材料として用いることもできる。第１誘電体層１０２は、上記化合物および炭素から選ばれる１または複数の材料の混合物を用いて、形成してよい。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ2との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ2は、第１誘電体層１０２の材料として特に優れている。ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、非晶質材料であり、屈折率が高く、成膜速度が速く、機械特性及び耐湿性が良好であることによる。
第１誘電体層１０２の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、記録層１０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。
必要に応じて配置される第１界面層１０３は、繰り返し記録によって第１誘電体層１０２と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止する働きをする。また、第１界面層１０３は、記録層１０４の結晶化を促進または抑制する結晶化能を調整する働きもする。第１界面層１０３は、光の吸収が少なく、記録の際に溶けない高融点な材料で、且つ、記録層１０４との密着性が良い材料から成ることが好ましい。記録の際に溶けない高融点であることは、高パワーのレーザビーム１１を照射した際に、溶けて記録層１０４に混入しないために必要な特性である。第１界面層１０３の材料が混入すると、記録層１０４の組成が変わり、書き換え性能が著しく低下する。また、記録層１０４と密着性が良いことは、信頼性確保に必要な特性である。
第１界面層１０３は、第１誘電体層１０２と同様、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つを含む材料を用いて形成してよい。特にＣｒとＯを含む材料は、記録層１０４の結晶化をより促進するため、好ましく用いられ、ＣｒとＯが形成した酸化物であるＣｒ2Ｏ3が、より好ましく用いられる。Ｃｒ2Ｏ3は記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３の材料として、特にＩｎとＯを含む材料を用いることもできる。好ましくは、ＩｎとＯが形成した酸化物であるＩｎ2Ｏ3が、用いられる。Ｉｎ2Ｏ3は記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３の材料として、特にＧａとＯを含む材料を用いることもできる。好ましくは、ＧａとＯが形成した酸化物であるＧａ2Ｏ3が、用いられる。Ｇａ2Ｏ3は記録層１０４との密着性が良い材料であることによる。
また、第１界面層１０３は、ＣｒとＯ、ＧａとＯ、またはＩｎとＯの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよく、当該少なくとも一つの元素は酸化物として含まれることがより好ましい。その理由として、ＺｒＯ2及びＨｆＯ2は、透明であること、融点が約２７００〜２８００℃と高いこと、ならびに酸化物の中では熱伝導率が低い材料で、情報記録媒体の繰り返し書き換え性能を良くすることが挙げられる。Ｙ2Ｏ3は透明な材料で、且つＺｒＯ2及びＨｆＯ2を安定化させる働きをする。また、この３種類の酸化物のいずれか１つまたは複数を混合することによって、第１界面層１０３を記録層１０４と部分的に又は全体的に接して形成しても、繰り返し書き換え性能に優れ、信頼性の高い情報記録媒体１５を実現できる。
記録層１０４との密着性を確保するため、第１界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、またはＩｎ2Ｏ3の含有量は１０ｍｏｌ％以上であることが好ましい。さらに、第１界面層１０３中のＣｒ2Ｏ3の含有量は第１界面層１０３での光吸収を小さく保つため、７０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。Ｃｒ2Ｏ3が多くなると光吸収が増加する傾向にある。
第１界面層１０３は、Ｃｒ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含む材料を用いて形成してよい。Ｓｉが、例えばＳｉＯ2として、第１界面層１０３内に含まれることにより、透明性が高くなり、記録性能に優れた第１情報層１６を実現できる。第１界面層１０３中のＳｉＯ2の含有量は、５ｍｏｌ％以上であることが好ましく、記録層１０４との密着性を確保するため、５０ｍｏｌ％以下であることが好ましく、１０ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
第１界面層１０３の厚さは、第１界面層１０３での光吸収によって情報層１６の記録前後の反射光量の変化が小さくならないよう、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
第２誘電体層１０６は、第１誘電体層１０２と同様の系の材料を用いて形成することができる。第２誘電体層１０６の厚さは、２ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、２ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。第２誘電体層１０６の厚さをこの範囲内で選ぶことによって、記録層１０４で発生した熱を効果的に反射層１０８側に拡散させることができる。
記録層１０４は、レーザビーム１１の照射によって結晶相と非晶質相との間で相変化を起こす材料からなる。本発明の情報記録媒体において、記録層１０４は、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｓｂとを合わせて８５原子％以上含む可逆的な相変化を起こす材料で形成される。具体的には、記録層１０４は、下記の式（１）：
Ｓｂ100-a1Ｍ１a1（原子％） （１）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）で表される材料を含むように、またはこの材料のみから（即ち、記録層１０４の組成が式（１）で表されるように）形成できる。
ＳｂとＭ１を組み合わせることによって、結晶化温度を２００℃前後まで高くすることができ、非晶質相の安定性が高くなる。ＳｂとＭ１との組み合わせにおいて、Ｓｂの量が多いと、結晶化速度が向上するため消去性能が良化する。また、Ｓｂの量が少ないと非晶質相が安定となり、記録感度が良好となる。そのため、上記式（１）において、原子％で示される組成を表すａ１は、０＜ａ１≦５０を満たすことが望ましく、２≦ａ１≦２０を満たすことがより好ましい。
また、記録層１０４は、下記の式（２）：
Ｓｂ100-a2Ｚｎa2（原子％） （２）
で表される、可逆的な相変化を起こす材料を含むように、またはこの材料のみから（即ち、記録層１０４の組成が式（２）で表されるように）形成してもよい。この式（２）においても、上記と同様の理由により、原子％で示される組成を表すａ２は、０＜ａ２≦３０を満たすことが望ましく、ａ２は、２≦ａ２≦１５を満たすことがより好ましい。
また、記録層１０４は、下記の式（３）：
Ｓｂ100-a3Ｓｉa3（原子％） （３）
で表される、可逆的な相変化を起こす材料を含むように、またはこの材料のみから（即ち、記録層１０４の組成が式（３）で表されるように）形成してもよい。この式（３）においても、上記と同様の理由により、原子％で示される組成を表すａ３は、０＜ａ３≦３０を満たすことが望ましく、ａ３は、２≦ａ３≦１５を満たすことがより好ましい。
また、記録層１０４は、下記の式（４）：
Ｓｂ100-a4Ｃa4（原子％） （４）
で表される、可逆的な相変化を起こす材料を含むように、またはこの材料のみから（即ち、記録層１０４の組成が式（４）で表されるように）形成してもよい。この式（４）においても、上記と同様の理由により、原子％で示される組成を表すａ４は、０＜ａ４≦５０を満たすことが望ましく、２≦ａ４≦３０を満たすことがより好ましい。
また、記録層１０４は、下記の式（５）：
（Ｓｂ）100-a5（ＳｉＣ）a5（ｍｏｌ％） （５）
で表される、可逆的な相変化を起こす材料を含むように、またはこの材料のみから（即ち、記録層１０４の組成が式（５）で表されるように）形成してもよい。この式（５）においても、上記と同様の理由により、原子％で示される組成を表すａ５は０＜ａ５≦３０を満たすことが望ましく、２≦ａ５≦２０を満たすことがより好ましい。
また、記録層１０４は、上記式（１）〜（５）で表される材料に加えて、さらにＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料で形成しても良い。具体的には、記録層１０４は、下記の式（６）：
Ｓｂ100-a6-b6Ｍ１a6Ｍ２b6（原子％） （６）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素である）で表される材料を含むように、またはこの材料のみから（即ち、記録層１０４の組成が式（６）で表されるように）形成できる。
式（６）で表される材料においても、Ｓｂ量が多いと、結晶化速度が向上するため消去性能が良化する。また、Ｓｂ量が少ないと非晶質相が安定となり記録感度が良好となる。このため、原子％で示される組成を表すａ６及びｂ６は、０＜ａ６≦５０、０＜ｂ６≦１５を満たすことが望ましく、２≦ａ６≦３０、１≦ｂ６≦１０を満たすことがより好ましい。この材料を用いた場合、添加したＭ２が、非晶質相を安定化し、記録感度をさらに向上させることができる。
記録層１０４が、上記式（１）〜（６）で示される材料以外の材料を含む場合、その割合は、ＳｂとＭ１とが合わせて、記録層１０４を構成する材料全体の８５原子％以上を占めるように、他の材料が含まれる。記録層１０４の厚さが６ｎｍ未満である場合には、結晶化速度の低下を防止するため、ＳｂとＭ１とが合わせて９５原子％以上を占めることが好ましい。
また、記録層１０４は、上記式（１）〜（６）で表される材料に加えて、さらにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料で形成してもよい。その場合、添加した元素が非晶質相を安定化し、記録感度を向上させることができる。あるいは、これらの元素は、不可避的に記録層１０４に含まれることがある。これらの元素は、記録層１０４において、例えば、１原子％〜５原子％の割合で含まれることが好ましい。
記録層１０４の厚さは、情報層１６の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。この範囲内においても、記録層１０４が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録層１０４が薄い場合には情報層１６の反射率が小さくなる。したがって、記録層１０４の厚さは、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。前述のように、記録層の厚さを６ｎｍ未満とするときには、ＳｂとＭ１とが合わせて９５原子％以上を占めるようにして、結晶化速度が低下しないようにすることが好ましい。このことは、後述する、情報層を複数含む多層光学的情報記録媒体についてもあてはまる。
また、記録層１０４は、Ｓｂを含む層、Ｍ１を含む層（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２を含む層（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、Ｓｂ−Ｍ２を含む層、Ｍ１−Ｍ２を含む層及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２を含む層から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる記録部として形成してもよい。本明細書において、「−」は、混合物または合金であることを意味する。
ここで、Ｓｂを含む層は、Ｓｂを６０原子％以上含む層（但し、Ｍ１およびＭ２のいずれをも含まない層）を指す。Ｍ１を含む層は、Ｍ１を６０原子量％以上含む層（但し、Ｍ２を含まない）を指す。Ｍ２を含む層は、Ｍ２を６０原子％以上含む層（但し、Ｍ１を含まない）を指す。Ｓｂ−Ｍ１を含む層は、ＳｂとＭ１とを含み（但し、Ｍ２を含まない）、かつＳｂを５０原子％以上含む層を指す。Ｓｂ−Ｍ２を含む層は、Ｓｂを６０原子％以上含む層を指す。Ｍ１−Ｍ２を含む層は、Ｍ１とＭ２を合わせて６０原子％以上含む層を指す。Ｓｂ−Ｍ１−Ｍ２を含む層は、ＳｂとＭ１とＭ２とを含み、かつＳｂを５０原子％以上含む層を指す。
特に、記録部は、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、及びＳｂ−Ｍ２を含む層の積層構造を少なくとも有していることが好ましい。このとき、Ｓｂ−Ｍ１を含む層が、Ｃを５０原子％以下の割合で含み、Ｓｂ−Ｍ２を含む層が、Ｇｅ及びＴｅから選ばれる少なくとも一つの元素を３０原子％以下の割合で含んでもよい。Ｓｂ−Ｍ１を含む層は結晶化速度が比較的高い。Ｓｂ−Ｍ２を含む層はアモルファス相（非晶質相）が比較的安定である。よってこれらの層が積層された構造を採用すれば、相変化形情報記録媒体の記録感度、及び消去性能を容易に調整することができる。Ｓｂ−Ｍ２を含む層は、例えば、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、および（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかを含む。
また、記録部は、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、及びＭ２を含む層の積層構造を少なくとも有してよい。このとき、Ｓｂ−Ｍ１を含む層がＣを５０原子％以下の割合で含み、Ｍ２を含む層がＴｅを４０原子％以上の割合で含んでもよい。Ｓｂ−Ｍ１を含む層は、結晶化速度が比較的高い。Ｍ２を含む層は、アモルファス相が比較的安定である。よって、これらの層が、積層された構造を採用すれば、相変化形情報記録媒体の記録感度、及び消去性能を容易に調整することができる。Ｍ２を含む層は、例えば、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、および（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む。
積層構造の例としては、
Ｓｂ−Ｃ（１ｎｍ）／（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ（９ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｃ（１ｎｍ）／（ＧｅＴｅ）−（Ｓｂ−Ｇｅ）（９ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｃ（１ｎｍ）／（Ｓｂ−Ｇｅ）−Ｔｅ（９ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｓｉ（２ｎｍ）／（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ（８ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｚｎ（３ｎｍ）／Ｓｂ−Ｇｅ（７ｎｍ）、
Ｓｂ−ＳｉＣ（２ｎｍ）／Ｓｂ−Ｇｅ（８ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｃ（０．５ｎｍ）／（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ（９ｎｍ）／Ｓｂ−Ｃ（０．５ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｓｉ（１ｎｍ）／（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ（８ｎｍ）／Ｓｂ−Ｓｉ（１ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｚｎ（１．５ｎｍ）／Ｓｂ−Ｇｅ（７ｎｍ）／Ｓｂ−Ｚｎ（１．５ｎｍ）、
Ｓｂ−ＳｉＣ（１ｎｍ）／Ｓｂ−Ｇｅ（８ｎｍ）／Ｓｂ−ＳｉＣ（１ｎｍ）
などがあげられる。
さらに他の例として、
Ｓｂ−Ｃ（５ｎｍ）／ＧｅＴｅ（１ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｓｉ（４ｎｍ）／ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3（２ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｚｎ（３ｎｍ）／ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3（３ｎｍ）、
Ｓｂ−ＳｉＣ（４ｎｍ）／（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3（２ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｃ（２．５ｎｍ）／ＧｅＴｅ（１ｎｍ）／Ｓｂ−Ｃ（２．５ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｓｉ（２ｎｍ）／ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3（２ｎｍ）／Ｓｂ−Ｓｉ（２ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｚｎ（１．５ｎｍ）／ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3（３ｎｍ）／Ｓｂ−Ｚｎ（１．５ｎｍ）、
Ｓｂ−ＳｉＣ（２ｎｍ）／（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3（２ｎｍ）／Ｓｂ−ＳｉＣ（２ｎｍ）
などが挙げられる。
もちろん、ここに挙げた材料以外の材料を含む層を使用してよい。あるいは、層の厚さをここに例示していない厚さとした構造、または積層順を入れ替えた構造を採用することは可能である。例えば、上記において例示した膜厚を好ましい膜厚比としてとらえ、記録部の所望の厚さに応じて、各々、例えば２−４倍にしてよい。
記録部はまた、レーザダイオードで採用されている超格子構造のように、より多くの薄い層が規則的に積層された積層構造を有するように構成してよく、それにより記録感度及び消去性能をさらに向上することができる。そのような積層構造を有する記録部の例として、
Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）、
Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｃ（０．５ｎｍ）、
Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｉ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｉ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）、
Ｓｉ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｉ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｉ（０．５ｎｍ）、
Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｚｎ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｚｎ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）、
Ｚｎ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｚｎ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｚｎ（０．５ｎｍ）、
Ｓｂ（１ｎｍ）／ＳｉＣ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／ＳｉＣ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）、
ＳｉＣ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／ＳｉＣ（０．５ｎｍ）、
Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｂ−Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｂ−Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）、
Ｓｂ−Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｂ−Ｃ（０．５ｎｍ）／Ｓｂ（１ｎｍ）／Ｓｂ−Ｃ（０．５ｎｍ）
などが挙げられる。
もちろん、ここに挙げた材料以外の材料を含む層を使用してよい。あるいは、層の厚さをここに例示していない厚さとした構造、または積層順を入れ替えた構造を採用することは可能である。例えば、上記において例示した膜厚を好ましい膜厚比としてとらえ、記録部の所望の厚さに応じて、各々、例えば２−４倍にしてよい。
記録層は、いずれの積層構造をとる場合も、記録部の厚さ（２以上の層を合わせた厚さ）は、情報層１６の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。この範囲内においても、記録部が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、記録部が薄い場合には情報層１６の反射率が小さくなる。したがって、記録部の厚さは、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
記録部に含まれる各層は、さらにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含んでもよい。
以上において例示した積層構造のうち、記録部は、全体として、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含むことが特に好ましい。あるいは、記録部は、全体としてＳｂを７５原子％以上含み、より好ましくは８０原子％以上含むことが好ましい。あるいはまた、記録部は、少なくとも一つの層が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含む場合には、全体の組成に占めるＳｂの割合が小さくても、良好な記録感度および消去性能を示す。あるいは、記録部は全体として、上記式（１）〜（６）のいずれかで示される材料を含むことが好ましい。よって、記録部は、全体としての好ましい組成を考慮して、各層の組成を決定して構成することが好ましい。
記録層１０４と第２誘電体層１０６の間に、第２界面層（図示せず）を配置してもよい。図１に示す情報記録媒体１５において、第２界面層が設けられる場合、第２界面層は、符号１０４で示される層と符号１０６で示される層との間に、例えば、符号１０５で示される層として表すことができる。第２界面層は、第１界面層１０３と同様に、繰り返し記録によって第２誘電体層１０６と記録層１０４との間で生じる物質移動を防止するために設けることができる。
第２界面層は、第１誘電体層１０２に関して例示した材料を用いて形成することができる。その中でも、特にＩｎとＯを含む材料を用いることが好ましい。、ＩｎとＯは、Ｉｎ2Ｏ3を形成した酸化物であることが好ましい。また、第２界面層は、特にＣｒとＯを含む材料を用いて構成することもできる。ＣｒとＯは、Ｃｒ2Ｏ3を形成した酸化物であることが好ましい。また、第２界面層１０５は、特にＧａとＯを含む材料を用いて構成することもできる。ＧａとＯは、Ｇａ2Ｏ3を形成した酸化物であることが好ましい材料である。
また、第２界面層は、第１界面層１０３と同様に、ＩｎとＯ、ＣｒとＯ、またはＧａとＯの他に、Ｚｒ、Ｈｆ及びＹから選ばれる少なくとも一つの元素をさらに含んでもよく、あるいは、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＯの他に、さらにＳｉを含んでもよい。第２界面層は第１界面層１０３より密着性が悪い傾向にあるため、第２界面層中のＩｎ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3またはＧａ2Ｏ3の好ましい含有量の下限値は、第１界面層１０３のそれより多い２０ｍｏｌ％である。
第２界面層１０５の厚さは、第１界面層１０３と同様に、０．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが望ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
反射層１０８は、記録層１０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、反射層１０８は、記録層１０４で生じた熱を速やかに拡散させ、記録層１０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、反射層１０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
反射層１０８は、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌのような熱伝導率が高い単体金属を用いて形成することができる。また、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｃｒ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｒｕ−Ａｕ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｚｎ−Ａｌ、Ａｇ−Ｎｄ−Ａｕ、Ａｇ−Ｎｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｂｉ、Ａｇ−Ｇａ、Ａｇ−Ｇａ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｇａ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｉｎ、Ａｇ−Ｉｎ−ＳｎまたはＣｕ−Ｓｉのような合金を用いることもできる。特に、Ａｇを５０原子％以上含むＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、反射層１０８の材料として好ましい。
反射層１０８の厚さは、熱拡散機能が十分に発揮されるように、３０ｎｍ以上であることが好ましい。但し、反射層１０８が２００ｎｍより厚い場合には、その熱拡散機能が過度に発揮されて、情報層１６の記録感度が低下することがある。したがって、反射層１０８の厚さは３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
反射層１０８と第２誘電体層１０６の間に、界面層を設けてもよい。図１に示す情報記録媒体１５において界面層が設けられる場合、界面層は、符号１０８で示される層と符号１０６で示される層との間に、符号１０７で示される層として形成してよい。この場合、界面層を形成する材料は、反射層１０８について説明した材料よりも、低い熱伝導率を有することが好ましい。反射層１０８をＡｇ合金を用いて形成する場合、界面層の材料として、例えばＡｌ、またはＡｌ合金を用いることができる。
また、界面層の材料の例としては、Ｃｒ、Ｎｉ、ＳｉおよびＣなどの元素、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＣｅＯ2、およびＴｅＯ2などの酸化物；
Ｃ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、およびＧｅ−Ｃｒ−Ｎなどの窒化物；
ＺｎＳなどの硫化物；
ＳｉＣなどの炭化物；
ＬａＦ3、ＣｅＦ3などの弗化物；及び
Ｃ
を挙げることができる。界面層は、上記材料から選ばれる１または複数の材料の混合物を用いて、構成してよい。界面層１０７の厚さは３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。
情報層１６において、記録層１０４が結晶相である場合の反射率Ｒc（％）、及び記録層１０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa（％）は、Ｒa＜Ｒcを満たすことが好ましい。この関係を満たすことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生動作を行うことができる。また、反射率差（Ｒc−Ｒa）を大きくして、良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc、Ｒaは、０．２≦Ｒa≦１０且つ１２≦Ｒc≦４０を満たすことが好ましく、０．２≦Ｒa≦５且つ１２≦Ｒc≦３０を満たすことがより好ましい。
情報記録媒体１５は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板１４（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に情報層１６を積層する。情報層は、単層膜、または多層膜からなる。情報層を構成する各層は、成膜装置内で、各層を構成するのに適したスパッタリングターゲットを、順次スパッタリングすることによって形成できる。
具体的には、まず、基板１４上に反射層１０８を形成する。反射層１０８は、反射層１０８を構成する金属または合金からなるスパッタリングターゲットを、希ガス（例えば、Ａｒガス）雰囲気中、または希ガスと反応ガス（例えば、Ｏ2ガス及びＮ2ガスから選ばれる少なくとも一つのガス）との混合ガス雰囲気中で、直流（ＤＣ）電源、パルスＤＣ電源、または高周波（ＲＦ）電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。反射層１０８は、金属層または合金層であるため、成膜速度を高めることが可能なＤＣ電源、またはパルスＤＣ電源を用いたスパッタリングにより形成することが好ましい。
続いて、反射層１０８上に、必要に応じて界面層を形成する。界面層は、界面層を構成する元素または化合物からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。界面層を導電性の材料で形成する場合には、成膜速度を高めることが可能なＤＣ電源、またはパルスＤＣ電源を用いることが好ましい。界面層を絶縁性の材料で形成する場合には、ＲＦ電源を用いることが好ましい。
続いて、反射層１０８、または界面層上に、第２誘電体層１０６を形成する。第２誘電体層１０６は、第２誘電体層１０６を構成する化合物からなるスパッタリングターゲットを、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で、ＲＦ電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。成膜速度を高めるために、第２誘電体層１０６の材料に導電性の材料を微量添加してスパッタリングターゲットに導電性を付加し、そのスパッタリングターゲットをＤＣ電源、またはパルスＤＣ電源を用いてスパッタリングすることもできる。また、第２誘電体層１０６は、金属からなるスパッタリングターゲットを、希ガスと反応ガスとの混合ガス雰囲気中で、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、またはＲＦ電源を用いて、反応性スパッタリングすることによっても形成できる。
あるいは、第２誘電体層１０６は、単一の化合物から成るスパッタリングターゲットを、複数の種類、用意し、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって、形成することもできる。また、第２誘電体層１０６は、２以上の化合物を組み合わせた２元系スパッタリングターゲット、または３元系スパッタリングターゲットなどを、複数の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。これらのスパッタリングターゲットを使用する場合でも、スパッタリングは、希ガス雰囲気中、または希ガスと反応ガス（特にＯ2ガス）との混合ガス雰囲気中で実施することができる。
続いて、反射層１０８、界面層１０７、または第２誘電体層１０６上に、必要に応じて第２界面層を形成する。第２界面層は、第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２誘電体層１０６、または第２界面層１０５上に、記録層１０４を形成する。記録層１０４は、例えば、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを含むスパッタリングターゲットを一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。具体的には、記録層が、上記式（１）〜（５）のいずれかで表される材料を含む組成となるように、又はそれらの材料のみから成る組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。
また、記録層１０４は、上記のスパッタリングターゲットに、さらにＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素を添加したスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成することもできる。具体的には、記録層の組成が、上記式（６）で表される材料を含む組成となるように、またはその材料のみから成る組成となるように、組成を調整したスパッタリングターゲットを、一つの電源を用いてスパッタリングすることによって形成できる。
また、記録層１０４は、Ｓｂ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１、Ｓｂ−Ｍ２、Ｍ１−Ｍ２及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２で表されるスパッタリングターゲットから選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを、２個以上の電源を用いて同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。その場合には、使用するスパッタリングターゲットの種類および数、ならびに電源の出力等に応じて、得られる記録層の組成が決定される。よって、それらの要因を適宜選択して、所望の組成の記録層１０４が得られるようにすることが好ましい。このように２種以上のスパッタリングターゲットを使用することは、例えば、混合物のスパッタリングターゲットを形成することが困難である場合に、有用である。
また、記録層１０４は、２種以上の層を積層してなる記録部として形成される場合、Ｓｂ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１、Ｓｂ−Ｍ２、Ｍ１−Ｍ２及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２で表されるスパッタリングターゲットから選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを、２個以上の電源を用いて順次及び／または同時にスパッタリングすることによって形成することもできる。即ち、記録部を形成するために、２つ以上のスパッタリングターゲットを使用して、スパッタリングを２回以上実施してよく、または２つ以上のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングしてよい。
また、記録層１０４は、単層構造の記録層として形成される場合、および記録部として形成される場合のいずれにおいても、上記スパッタリングターゲットには、さらにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素が含まれてよい。
スパッタリングの雰囲気ガスとしては、単層構造の記録層を形成する場合、および記録部として記録層を形成する場合のいずれにおいても、希ガス、または希ガスと反応ガス（例えば、Ｎ2ガス及びＯ2ガスから選ばれる少なくとも一種のガス）との混合ガスを用いることができる。スパッタリングに用いる電源として、前述のように、ＤＣ電源、パルスＤＣ電源、およびＲＦ電源のいずれかを用いてよい。
続いて、記録層１０４上に、必要に応じて第１界面層１０３を形成する。第１界面層１０３は、第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、記録層１０４、または第１界面層１０３上に、第１誘電体層１０２を形成する。第１誘電体層１０２は、第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
最後に、第１誘電体層１０２上に透明層１３を形成する。透明層１３は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂を、第１誘電体層１０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、透明層１３として、透明な円盤状の基板を用いてよい。基板は、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスから成る。この場合、透明層１３は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂等の樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布して、基板を第１誘電体層１０２上に密着させた状態でスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。また、基板に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、その粘着性の樹脂により第１誘電体層１０２に基板を密着させることもできる。
なお、第１誘電体層１０２を形成したのち、または透明層１３を形成したのち、必要に応じて、記録層１０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。記録層１０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
以上のようにして、情報記録媒体１５を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法として、スパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態２）
実施の形態２として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態２の情報記録媒体２２の一部断面図を図２に示す。情報記録媒体２２は、一方向のレーザビーム１１の照射（即ち、専ら一方の面にのみ照射されるレーザ光）によって情報の記録再生が可能な多層光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体２２は、基板１４上に、順次積層された、第Ｎ情報層２１、・・・第２情報層１８及び第１情報層２３を含む、Ｎ組（Ｎは、Ｎ≧２を満たす自然数）の情報層、及び透明層１３により構成されている。情報層の間には、光学分離層２０、１９、・・・１７が介在している。図示した形態において、第Ｎ情報層２１以外の情報層である、第１情報層２３および第２情報層１８、・・・第（ｎ−１）情報層（以下、レーザビーム１１の入射側から数えてＫ番目（１≦Ｋ≦Ｎ）の情報層を「第Ｋ情報層」と記す。）は、光透過形の情報層である。基板１４、及び透明層１３は、実施の形態１で説明した材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能は、実施の形態１で説明したとおりである。
光学分離層２０、１９・・・および１７は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）もしくは遅効性樹脂等の樹脂、または誘電体等からなる。光学分離層２０、１９・・・および１７は、使用するレーザビーム１１に対して小さい光吸収率を有することが好ましく、短波長域において光学的に小さい複屈折を示すことが好ましい。
光学分離層２０、１９・・・及び１７は、情報記録媒体２２の第１情報層２３、第２情報層１８・・・、及び第Ｎ情報層２１のそれぞれのフォーカス位置を区別するために設けられる。光学分離層２０、１９・・・及び１７の厚さは、対物レンズの開口数ＮＡとレーザビーム１１の波長λによって決定される焦点深度ΔＺ以上であることが必要である。焦光点の強度の基準を無収差の場合の８０％と仮定した場合、ΔＺはΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）2｝で近似できる。λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５のとき、ΔＺ＝０．２８０μｍとなり、±０．３μｍ以内は焦点深度内となる。そのため、この場合には、光学分離層２０、１９・・・及び１７の厚さは０．６μｍ以上であることが必要である。
隣接する２つの情報層間の距離、および第１情報層２３とこれから最も離れた第Ｎ情報層との間の距離は、対物レンズを用いてレーザビーム１１を集光することが可能である範囲となるようにすることが望ましい。したがって、光学分離層２０、１９、・・・及び１７の厚さの合計は、対物レンズが許容できる公差内（例えば５０μｍ以下）にすることが好ましい。
光学分離層２０、１９、・・・及び１７において、レーザビーム１１の入射側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。この場合、媒体の一方の面にのみ照射されるレーザビーム１１により、第Ｋ情報層（Ｋは１＜Ｋ≦Ｎの自然数）を、第１〜第（Ｋ−１）情報層を透過したレーザビーム１１によって記録再生することが可能である。
なお、Ｎ個の情報層のいずれかを、再生専用タイプの情報層（ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ））、あるいは１回のみ書き込み可能な追記型の情報層（ＷＯ（Ｗｒｉｔｅ Ｏｎｃｅ））としてもよい。
以下、第１情報層２３の構成について詳細に説明する。
第１情報層２３は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第３誘電体層２０２、第１記録層２０４、第４誘電体層２０６を有する構成である。必要に応じて第１反射層２０８をさらに有してよく、および／または透過率調整層２０９をさらに有してよい。第３誘電体層２０２と第１記録層２０４の間に、第３界面層２０３を有してもよい。ここでは、第１情報層を構成する界面層ならびに２つの誘電体層を、第３界面層、ならびに第３および第４誘電体層と便宜的に呼んでいる。必要に応じて、それらを、別の規則に従って、例えば、レーザビーム１１に近い側から、第１、第２・・・と序数を付けて呼んでよい。
第３誘電体層２０２は、実施の形態１の第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて構成することができる。また、その機能は、実施の形態１の第１誘電体層１０２のそれと同様である。
第３誘電体層２０２の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、第１記録層２０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合の反射光量の変化が大きく、且つ第１記録層２０４での光吸収が大きく、且つ第１情報層２３の透過率が大きくなる条件を満足するように厳密に決定することができる。
必要に応じて配置される第３界面層２０３は、実施の形態１の第１界面層１０３の材料と同様の材料を用いて構成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０３と同様である。
第４誘電体層２０６は、光学距離を調整して第１記録層２０４の光吸収効率を高める働き、及び記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きをする。第４誘電体層２０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、第４誘電体層２０６の厚さは、０．５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。第４誘電体層２０６の厚さをこの範囲内で選ぶことによって、第１記録層２０４で発生した熱を効果的に第１反射層２０８側に拡散させることができる。
なお、第１記録層２０４と第４誘電体層２０６との間に、第４界面層を配置してもよい。第４界面層は、実施の形態１の第２界面層１０５の材料と同様の材料を用いて形成することができる。図１に示す情報記録媒体２２において、第４界面層が設けられる場合、第４界面層は、符号２０４で示される層と符号２０６で示される層との間に、例えば、符号２０５で示される層として表すことができる。
第１記録層２０４の材料として、実施の形態１の記録層１０４の材料と同様の材料を用いることができる。また、他の情報層の記録層がＳｂとＭ１とを合わせて８５原子％以上含む場合には、第１記録層２０４は、他の材料で形成してよい。例えば、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、および（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることもできる。また、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、または（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎで表され、且つＳｂを５０原子％以上含む材料を用いて、第１記録層２０４を形成することもできる。
第１情報層２３は、レーザビーム１１の入射側から第１情報層２３より遠い側にある情報層に、記録再生の際に必要なレーザ光量が到達するように、高い透過率を有する必要がある。このため、第１記録層２０４の厚さは、１５ｎｍ以下であることが好ましく、８ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、第１記録層２０４は、不可逆な相変化を起こす材料を用いて構成してもよく、例えばＴｅ−Ｏ、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ、Ｂｉ−Ｏ、またはＳｂ−Ｏで表される材料で形成することもできる。この場合、第１記録層２０４の厚さは３０ｎｍ以下であることが好ましい。また、第１記録層２０４は、不可逆な合金化を起こす材料の積層膜（例えば、Ｃｕ／Ｓｉ積層構成）としてもよい。
必要に応じて設けられる第１反射層２０８は、第１記録層２０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、第１反射層２０８は、第１記録層２０４で生じた熱を速やかに拡散させ、第１記録層２０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、第１反射層２０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第１反射層２０８の材料として、実施の形態１の反射層１０８の材料と同様の材料を用いることができる。特にＡｇ合金は熱伝導率が大きいため、第１反射層２０８の材料として好ましい。第１反射層２０８の厚さは、第１情報層２３の透過率をできるだけ高くするため、２０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。厚さがこの範囲内にある第１反射層２０８は、十分な熱拡散機能を有し、且つ第１情報層２３の反射率を確保し、さらに第１情報層２３の透過率を十分に高くする。
必要に応じて設けられる透過率調整層２０９は誘電体からなり、特に第１反射層２０８が配置された場合に、第１情報層２３の透過率を調整する機能を有する。この透過率調整層２０９によって、第１記録層２０４が結晶相である場合の第１情報層２３の透過率Ｔc（％）と、第１記録層２０４が非晶質相である場合の第１情報層２３の透過率Ｔa（％）とを共に高くすることができる。具体的には、透過率調整層２０９を有する第１情報層２３の透過率は、透過率調整層２０９が無い場合に比べて、２％〜１０％程度上昇する。また、透過率調整層２０９は、第１記録層２０４で発生した熱を効果的に拡散させる。
透過率調整層２０９の屈折率ｎt及び消衰係数ｋtは、第１情報層２３の透過率Ｔc及びＴaをより高くすることができるように、２．０≦ｎt且つｋt≦０．１を満たすことが好ましく、２．４≦ｎt≦３．０且つｋt≦０．０５を満たすことがより好ましい。
透過率調整層２０９の厚さＬは、（１／３２）λ／ｎt≦Ｌ≦（３／１６）λ／ｎtの範囲内、又は（１７／３２）λ／ｎt≦Ｌ≦（１１／１６）λ／ｎtの範囲内にあることが好ましく、（１／１６）λ／ｎt≦Ｌ≦（５／３２）λ／ｎtの範囲内、又は（９／１６）λ／ｎt≦Ｌ≦（２１／３２）λ／ｎtの範囲内にあることがより好ましい。レーザビーム１１の波長λと透過率調整層２０９の屈折率ｎtとを、例えば３５０ｎｍ≦λ≦４５０ｎｍ、２．０≦ｎt≦３．０を満たすように選ぶと、Ｌの好ましい範囲は、３ｎｍ≦Ｌ≦４０ｎｍ又は６０ｎｍ≦Ｌ≦１３０ｎｍとなり、より好ましい範囲は、７ｎｍ≦Ｌ≦３０ｎｍ又は６５ｎｍ≦Ｌ≦１２０ｎｍとなる。Ｌをこの範囲内で選ぶことによって、第１情報層２３の透過率Ｔc及びＴaを共に高くすることができる。
透過率調整層２０９の材料として、例えばＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＺｎＯ、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、およびＳｒ−Ｏなどを挙げることができる。また、透過率調整層２０９の材料として、Ｔｉ−Ｎ、Ｚｒ−Ｎ、Ｎｂ−Ｎ、Ｔａ−Ｎ、Ｓｉ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ、Ｃｒ−Ｎ、Ａｌ−Ｎ、Ｇｅ−Ｓｉ−Ｎ、およびＧｅ−Ｃｒ−Ｎなどを挙げることもできる。また、ＺｎＳなどの硫化物を用いてもよい。透過率調整層２０９は、上記材料から選ばれる、１の化合物を単独で用いて、または複数の化合物の混合物を用いて、形成することができる。これらの中でも、特にＴｉＯ2、またはＴｉＯ2を含む材料を用いることが好ましい。これらの材料は屈折率が大きく（ｎ＝２．６〜２．８）、消衰係数も小さい（ｋ＝０．０〜０．０５）ため、これらを用いて形成した透過率調整層２０９は、第１情報層２３の透過率をより高める。
第１情報層２３の透過率Ｔc及びＴaは、記録再生の際に必要なレーザ光量が、レーザビーム１１の入射側から第１情報層２３より遠い側にある情報層に到達するように、４０＜Ｔc且つ４０＜Ｔaを満たすことが好ましい。Ｔc及びＴaは、４６＜Ｔc且つ４６＜Ｔaを満たすことがより好ましい。
また、第１情報層２３の透過率Ｔc及びＴaは、−５≦（Ｔc−Ｔa）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc−Ｔa）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc及びＴaがこの条件を満たすと、レーザビーム１１の入射側から第１情報層２３より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層２３の第１記録層２０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層２３において、第１記録層２０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層２０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生を行うことができる。また、反射率差（Ｒc1−Ｒa1）を大きくして良好な記録再生特性が得られるように、Ｒc1、Ｒa1は、０．１≦Ｒa1≦５、且つ４≦Ｒc1≦１５を満たすことが好ましく、０．１≦Ｒa1≦３、且つ４≦Ｒc1≦１０を満たすことがより好ましい。
情報記録媒体２２は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板１４（厚さが例えば１．１ｍｍ）上に（Ｎ−１）個の情報層を、光学分離層を情報層の間に介在させて、順次積層する。情報層は、単層膜、または多層膜からなる。情報層を構成する各層は、成膜装置内で、各層を構成するのに適したスパッタリングターゲットを順次スパッタリングすることによって形成できる。また、光学分離層は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂を情報層上に塗布して、その後、基板１４を回転させて樹脂を均一に延ばした後（スピンコート）、樹脂を硬化させることによって形成できる。光学分離層にレーザビーム１１の案内溝を形成する場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、基板１４およびそれに密着させた型を回転させて、樹脂をスピンコートし、樹脂を硬化させた後、基板（型）をはがす方法によって、案内溝を形成できる。
このようにして、基板１４上に（Ｎ−１）個の情報層を、光学分離層を情報層の間に介在させて、積層したのち、さらに、光学分離層１７を形成する。続いて、光学分離層１７上に第１情報層２３を形成する。具体的には、まず（Ｎ−１）個の情報層を、光学分離層を情報層の間に介在させて積層したのち、光学分離層１７を形成した基板１４を成膜装置内に配置し、光学分離層１７上に、必要に応じて透過率調整層２０９を形成する。透過率調整層２０９は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、光学分離層１７または透過率調整層２０９上に、必要に応じて第１反射層２０８を形成する。第１反射層２０８は、実施の形態１の反射層１０８の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、光学分離層１７、第１反射層２０８または透過率調整層２０９上に、第４誘電体層２０６を形成する。第４誘電体層２０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第４誘電体層２０６上に、必要に応じて第４界面層を形成する。第４界面層は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第４誘電体層２０６または第４界面層上に、第１記録層２０４を形成する。第１記録層２０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第１記録層２０４上に、必要に応じて第３界面層２０３を形成する。第３界面層２０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第３界面層２０３上に、第３誘電体層２０２を形成する。第３誘電体層２０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。最後に、第３誘電体層２０２上に透明層１３を形成する。透明層１３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
なお、第３誘電体層２０２を形成したのち、または透明層１３を形成したのち、必要に応じて、第１記録層２０４の全面を結晶化させて初期化してもよい。第１記録層２０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
以上のようにして、情報記録媒体２２を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。また、第１情報層以外の情報層を第１情報層と同様に形成してよい。
（実施の形態３）
実施の形態３として、実施の形態２の本発明の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２組の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態３の情報記録媒体２４の一部断面図を図３に示す。情報記録媒体２４は、一方向のレーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体２４は、基板１４上に順次積層した、第２情報層２５、光学分離層１７、第１情報層２３、及び透明層１３により構成されている。基板１４、光学分離層１７、第１情報層２３、及び透明層１３は、実施の形態１及び２で説明した材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能は、実施の形態１及び２で説明したとおりである。
以下、第２情報層２５の構成について詳細に説明する。
第２情報層２５は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第１誘電体層３０２、第１界面層３０３、第２記録層３０４、第２誘電体層３０６、及び第２反射層３０８を有する。第２情報層２５での情報の記録再生は、透明層１３、第１情報層２３、及び光学分離層１７を透過したレーザビーム１１によって行われる。
第１誘電体層３０２は、実施の形態１の第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能も、実施の形態１の第１誘電体層１０２のそれと同様である。ここで、「第１」という序数は便宜的に使用されており、同一媒体内の他の誘電体層と区別し得る限りにおいて、他の序数を使用してよい。このことは、他の層についてもあてはまる。
第１誘電体層３０２の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、第２記録層３０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。
第１界面層３０３は、実施の形態１の第１界面層１０３の材料と同様の材料を用いて形成することができる。第１界面層３０３は必要に応じて形成され、設けられなくてもよい。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０３と同様である。
第２誘電体層３０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様である。
第２記録層３０４と第２誘電体層３０６の間に、必要に応じて第２界面層を設けてもよい。第２界面層は、実施の形態１の第２界面層１０５の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２界面層１０５と同様である。図３に示す情報記録媒体２４において、第２界面層が設けられる場合、第２界面層は、符号３０４で示される層と符号３０６で示される層との間に、例えば、符号３０５で示される層として表すことができる。
第２記録層３０４は、実施の形態１の記録層１０４の材料と同様の材料で形成することができる。また、第１情報層２３の第１記録層２０４がＳｂとＭ１とを合わせて８５原子％以上含む場合には、第２記録層３０４は、他の材料で形成してよい。例えば、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、および（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることもできる。また、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、または（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかで表され、且つＳｂを５０原子％以上含む材料を用いて、第２記録層３０４を形成することもできる。
第２記録層３０４の厚さは、その材料が可逆的な相変化を起こす材料の場合、第２情報層２５の記録感度を高くするために、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。この範囲内においても、第２記録層３０４が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、第２記録層３０４が薄い場合には、第２情報層２５の反射率が小さくなる。したがって、第２記録層３０４の厚さは、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内であることがより好ましい。また、第２記録層３０４を、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）を用いて構成する場合は、第２記録層３０４の厚さは１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
第２反射層３０８は、実施の形態１の反射層１０８の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の反射層１０８と同様である。
第２反射層３０８と第２誘電体層３０６の間に、界面層を設けてもよい。界面層は、実施の形態１の界面層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の界面層と同様である。図３に示す情報記録媒体２４において、界面層が設けられる場合、界面層は、符号３０８で示される層と符号３０６で示される層との間に、例えば、符号３０７で示される層として表すことができる。
情報記録媒体２４は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、第２情報層２５を形成する。具体的には、まず、基板１４（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板１４上に第２反射層３０８を形成する。このとき、基板１４にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第２反射層３０８を形成する。第２反射層３０８は、実施の形態１の反射層１０８の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２反射層３０８上に、必要に応じて界面層を形成する。界面層３０７は、実施の形態１の界面層又は第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２反射層３０８または界面層３０７上に、第２誘電体層３０６を形成する。第２誘電体層３０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２反射層３０８、界面層、または第２誘電体層３０６上に、必要に応じて第２界面層を形成する。第２界面層は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２誘電体層３０６、または第２界面層上に、第２記録層３０４を形成する。第２記録層３０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２記録層３０４上に、必要に応じて第１界面層３０３を形成する。第１界面層３０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第２記録層３０４、または第１界面層３０３上に、第１誘電体層３０２を形成する。第１誘電体層３０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。このようにして、第２情報層２５を形成する。
続いて、第２情報層２５の第１誘電体層３０２上に光学分離層１７を形成する。光学分離層１７は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂を第１誘電体層３０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、光学分離層１７がレーザビーム１１の案内溝を有する場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。
第２誘電体層３０２を形成したのち、または光学分離層１７を形成したのち、必要に応じて、第２記録層３０４の全面を結晶化させて初期化してよい。第２記録層３０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
続いて、光学分離層１７上に第１情報層２３を形成する。具体的には、まず、光学分離層１７上に、第４誘電体層２０６、第１記録層２０４、及び第３誘電体層２０２をこの順序で形成する。このとき、必要に応じて第４誘電体層２０６と第１記録層２０４との間に第４界面層を形成してもよい。また、必要に応じて第１記録層２０４と第３誘電体層２０２の間に第３界面層２０３を形成してもよい。また、第１情報層２３の構成に応じて、第４誘電体層２０６を形成する前に、第１反射層２０８を形成してもよく、さらに、第１反射層２０８を形成する前に、透過率調整層２０９を形成してもよい。これらの各層は、実施の形態２で説明した方法で形成できる。
最後に、第３誘電体層２０２上に透明層１３を形成する。透明層１３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
第３誘電体層２０２を形成したのち、または透明層１３を形成したのち、必要に応じて、第１記録層２０４の全面を結晶化させて初期化してよい。第１記録層２０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
あるいは、この段階で、第２記録層３０４（第１情報層２３を形成する前に結晶化していない場合）の初期化及び第１記録層２０４の初期化を、実施してよい。この場合、第１記録層２０４の結晶化を先に行うと、第２記録層３０４を結晶化するために必要なレーザパワーが大きくなる傾向にあるため、第２記録層３０４を先に結晶化させることが好ましい。
以上のようにして、情報記録媒体２４を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態４）
実施の形態４として、実施の形態２の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４組の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態４の情報記録媒体３０の一部断面図を図４に示す。情報記録媒体３０は、一方向のレーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な４層光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体３０は、基板１４上に順次積層した、第４情報層２９、光学分離層２０、第３情報層２８、光学分離層１９、第２情報層２７、光学分離層１７、第１情報層２６、及び透明層１３により構成されている。基板１４、光学分離層１７、１９、２０及び透明層１３は、実施の形態１及び２で説明した材料を用いて形成することができる。また、それらの形状及び機能は、実施の形態１及び２で説明したとおりである。
以下、第４情報層２９、第３情報層２８、第２情報層２７及び第１情報層２６の構成について詳細に説明する。第４情報層２９は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第１誘電体層７０２、第４記録層７０４、第２誘電体層７０６、及び第４反射層７０８を有する。第１誘電体層７０２と第４記録層７０４の間に、第１界面層７０３が設けられていてよい。第４情報層２９での情報の記録再生は、透明層１３、第１情報層２６、光学分離層１７、第２情報層２７、光学分離層１９、第３情報層２８、及び光学分離層２０を透過したレーザビーム１１によって行われる。
第１誘電体層７０２は、実施の形態１の第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能も、実施の形態１の第１誘電体層１０２のそれと同様である。
第１誘電体層７０２の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、第４記録層７０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合の反射光量の変化が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。
必要に応じて設けられる第１界面層７０３は、実施の形態１の第１界面層１０３の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０３と同様である。第２誘電体層７０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様である。
なお、第４記録層７０４と第２誘電体層７０６の間に、必要に応じて第２界面層を設けてもよい。第２界面層は、実施の形態１の第２界面層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第２界面層と同様である。図４に示す情報記録媒体３０において、第２界面層が設けられる場合、第２界面層は、符号７０４で示される層と符号７０６で示される層との間に、例えば、符号７０５で示される層として表すことができる。
第４記録層７０４は、実施の形態１の記録層１０４の材料と同様の材料で形成することができる。また、他の情報層の記録層がＳｂとＭ１とを合わせて８５原子％以上含む場合には、第４記録層７０４は、他の材料で形成してよい。例えば、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、および（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることもできる。また、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、または（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかで表され、且つＳｂを５０原子％以上含む材料を用いて、第４記録層７０４を形成することもできる。
第４記録層７０４の厚さは、その材料が可逆的な相変化を起こす材料の場合、第４情報層２９の記録感度を高くするため、６ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内にあることが好ましい。この範囲内においても、第４記録層７０４が厚い場合には、熱の面内方向での拡散による隣接領域への熱的影響が大きくなる。また、第４記録層７０４が薄い場合には、第４情報層２９の反射率が小さくなる。したがって、第４記録層７０４の厚さは、８ｎｍ〜１３ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。また、第４記録層７０４を、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）を用いて形成する場合、第４記録層７０４の厚さは１０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
第４反射層７０８は、実施の形態１の反射層１０８の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の反射層１０８と同様である。
第４反射層７０８と第２誘電体層７０６の間に、界面層を設けてもよい。界面層は、実施の形態１の界面層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の界面層と同様である。図４に示す情報記録媒体３０において、界面層が設けられる場合、界面層は、符号７０８で示される層と符号７０６で示される層との間に、例えば、符号７０７で示される層として表すことができる。
第３情報層２８は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第３誘電体層６０２、第３記録層６０４、第４誘電体層６０６を有する構成である。第３情報層２８は、必要に応じて第３反射層６０８をさらに有してよく、ならびに／または第３透過率調整層６０９をさらに有してよい。さらにまた、第３情報層２８は、第３誘電体層６０２と第３記録層６０４の間に、第３界面層６０３を有してもよい。
第３誘電体層６０２は、実施の形態１の第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能も、実施の形態１の第１誘電体層１０２のそれと同様である。
第３誘電体層６０２の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、第３記録層６０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合の反射光量の変化が大きく、且つ第３記録層６０４での光吸収が大きく、且つ第３情報層２８の透過率が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。
必要に応じて設けられる第３界面層６０３は、実施の形態１の第１界面層１０３の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状についても、実施の形態１の第１界面層１０３と同様である。
第４誘電体層６０６は、光学距離を調整して第３記録層６０４の光吸収効率を高める働き、及び記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きをする。第４誘電体層６０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、第４誘電体層６０６の厚さは、０．５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。第４誘電体層６０６の厚さをこの範囲内で選ぶことによって、第３記録層６０４で発生した熱を、効果的に第３反射層６０８側に拡散させることができる。
なお、第３記録層６０４と第４誘電体層６０６との間に、第４界面層を配置してもよい。第４界面層は、実施の形態１の第２界面層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。図４に示す情報記録媒体３０において、第４界面層が設けられる場合、第４界面層は、符号６０４で示される層と符号６０６で示される層との間に、例えば、符号６０５で示される層として表すことができる。
第３記録層６０４の材料として、実施の形態１の記録層１０４の材料と同様の材料を用いることができる。また、他の情報層の記録層がＳｂとＭ１とを合わせて８５原子％以上場合には、第３記録層６０４は、他の材料で形成してよい。例えば、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、および（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることもできる。また、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、または（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかで表され、且つＳｂを５０原子％以上含む材料を用いて、第３記録層６０４を形成することもできる。
第３情報層２８は、レーザビーム１１の入射側から第３情報層２８より遠い側にある情報層に、記録再生の際に必要なレーザ光量が到達するように、高い透過率を有する必要がある。このため、第３記録層６０４の厚さは、８ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、第３記録層６０４は、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）で形成することもできる。この場合、第３記録層６０４の厚さは２０ｎｍ以下であることが好ましい。
必要に応じて設けられる第３反射層６０８は、第３記録層６０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、第３反射層６０８は、第３記録層６０４で生じた熱を速やかに拡散させ、第３記録層６０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、第３反射層６０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第３反射層６０８の材料として、実施の形態１の反射層１０８の材料と同様の材料を用いることができる。特に、Ａｇ合金は熱伝導率が大きいため、第３反射層６０８の材料として好ましい。第３反射層６０８の厚さは、第３情報層２８の透過率をできるだけ高くするため、１０ｎｍ以下であることが好ましく、７ｎｍ以下であることがより好ましい。厚さがこの範囲内にある第３反射層６０８は、十分な熱拡散機能を有し、且つ第３情報層２８の反射率を確保し、さらに第３情報層２８の透過率を十分に高くする。
必要に応じて設けられる第３透過率調整層６０９は、実施の形態２の透過率調整層２０９の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その形状及び機能も、実施の形態２の透過率調整層２０９のそれらと同様である。
第３情報層２８の透過率Ｔc3及びＴa3は、記録再生の際に必要なレーザ光量が、レーザビーム１１の入射側から第３情報層２８より遠い側にある情報層に到達するように、６０＜Ｔc3且つ６０＜Ｔa3を満たすことが好ましい。Ｔc3及びＴa3は、６５＜Ｔc3且つ６５＜Ｔa3を満たすことがより好ましい。
また、第３情報層２８の透過率Ｔc3及びＴa3は、−５≦（Ｔc3−Ｔa3）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc3−Ｔa3）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc3及びＴa3がこの条件を満たすと、レーザビーム１１の入射側から第３情報層２８より遠い側にある情報層の記録再生の際、第３情報層２８の第３記録層６０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第３情報層２８において、第３記録層６０４が結晶相である場合の反射率Ｒc3（％）、及び第３記録層６０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa3（％）は、Ｒa3＜Ｒc3を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生を行うことができる。
第２情報層２７は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第５誘電体層５０２、第２記録層５０４、第６誘電体層５０６を有する構成である。第２情報層２７は、必要に応じて第２反射層５０８をさらに有してよく、ならびに／または第２透過率調整層５０９をさらに有してよい。さらにまた、第２情報層２７は、第５誘電体層５０２と第２記録層５０４の間に、第５界面層５０３を有してもよい。
第５誘電体層５０２は、実施の形態１の第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能も、実施の形態１の第１誘電体層１０２のそれと同様である。
第５誘電体層５０２の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、第２記録層５０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合の反射光量の変化が大きく、且つ第２記録層５０４での光吸収が大きく、且つ第２情報層２７の透過率が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。
必要に応じて設けられる第５界面層５０３は、実施の形態１の第１界面層１０３の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状も、実施の形態１の第１界面層１０３のそれらと同様である。
第６誘電体層５０６は、光学距離を調整して第２記録層５０４の光吸収効率を高める働き、及び記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きをする。第６誘電体層５０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、第６誘電体層５０６の厚さは、０．５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。第６誘電体層５０６の厚さをこの範囲内で選ぶことによって、第２記録層５０４で発生した熱を、効果的に第２反射層５０８側に拡散させることができる。
なお、第２記録層５０４と第６誘電体層５０６との間に、第６界面層を設けてもよい。第６界面層は、実施の形態１の第２界面層１０５の材料と同様の材料を用いて形成することができる。図４に示す情報記録媒体３０において、第６界面層が設けられる場合、第６界面層は、符号５０４で示される層と符号５０６で示される層との間に、例えば、符号５０５で示される層として表すことができる。
第２記録層５０４の材料として、実施の形態１の記録層１０４の材料と同様の材料を用いることができる。また、他の情報層の記録層がＳｂとＭ１とを合わせて８５原子％以上含む場合には、第２記録層５０４は、他の材料で形成してよい。例えば、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、および（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることもできる。また、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、または（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかをで表され、且つＳｂを５０原子％以上含む材料を用いて第２記録層５０４を形成することもできる。
第２情報層２７は、レーザビーム１１の入射側から第２情報層２７より遠い側にある情報層に記録再生の際に必要なレーザ光量が到達するように、高い透過率を有する必要がある。このため、第２記録層５０４の厚さは、７ｎｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、第２記録層５０４は、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）で形成することもできる。この場合、第２記録層５０４の厚さは２０ｎｍ以下であることが好ましい。
必要に応じて設けられる第２反射層５０８は、第２記録層５０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、第２反射層５０８は、第２記録層５０４で生じた熱を速やかに拡散させ、第２記録層５０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能をも有する。さらに、第２反射層５０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第２反射層５０８の材料として、実施の形態１の反射層１０８の材料と同様の材料を用いることができる。また、その機能も、実施の形態１の反射層１０８のそれと同様である。特に、Ａｇ合金は熱伝導率が大きいため、第２反射層５０８の材料として好ましい。第２反射層５０８の厚さは、第２情報層２７の透過率をできるだけ高くするため、９ｎｍ以下であることが好ましく、６ｎｍ以下であることがより好ましい。厚さがこの範囲内にある第２反射層５０８は、十分な熱拡散機能を有し、且つ第２情報層２７の反射率を確保し、さらに第２情報層２７の透過率を十分に高くする。
必要に応じて設けられる第２透過率調整層５０９は、実施の形態２の透過率調整層２０９の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その形状及び機能も、実施の形態２の透過率調整層２０９のそれらと同様である。
第２情報層２７の透過率Ｔc2及びＴa2は、記録再生の際に必要なレーザ光量が、レーザビーム１１の入射側から第２情報層２７より遠い側にある情報層に到達するように、６５＜Ｔc2且つ６５＜Ｔa2を満たすことが好ましく、７０＜Ｔc2且つ７０＜Ｔa2を満たすことがより好ましい。
第２情報層２７の透過率Ｔc2及びＴa2は、−５≦（Ｔc2−Ｔa2）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc2−Ｔa2）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc2及びＴa2がこの条件を満たすと、レーザビーム１１の入射側から第２情報層２７より遠い側にある情報層の記録再生の際、第２情報層２７の第２記録層５０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第２情報層２７において、第２記録層５０４が結晶相である場合の反射率Ｒc2（％）、及び第２記録層５０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa2（％）は、Ｒa2＜Ｒc2を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高く、安定に記録再生を行うことができる。
第１情報層２６は、レーザビーム１１の入射側から順に配置された第７誘電体層４０２、第１記録層４０４、第８誘電体層４０６を有する構成である。第１情報層２６は、必要に応じて第１反射層４０８をさらに有してよく、ならびに／または第１透過率調整層４０９をさらに有してよい。さらにまた、第１情報層２６は、第７誘電体層４０２と第１記録層４０４の間に、第７界面層４０３を有してもよい。
第７誘電体層４０２は、実施の形態１の第１誘電体層１０２の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能は、実施の形態１の第１誘電体層１０２のそれと同様である。
第７誘電体層４０２の厚さは、マトリクス法に基づく計算により、第１記録層４０４が結晶相である場合とそれが非晶質相である場合の反射光量の変化が大きく、且つ第１記録層４０４での光吸収が大きく、且つ第１情報層２６の透過率が大きくなる条件を満足するように、厳密に決定することができる。
必要に応じて設けられる第７界面層４０３は、実施の形態１の第１界面層１０３の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その機能及び形状は、実施の形態１の第１界面層１０３のそれらと同様である。
第８誘電体層４０６は、光学距離を調整して第１記録層４０４の光吸収効率を高める働き、及び記録前後の反射光量の変化を大きくして信号強度を大きくする働きを有する。第８誘電体層４０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、第８誘電体層４０６の厚さは、０．５ｎｍ〜７５ｎｍの範囲内にあることが好ましく、１ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。第８誘電体層４０６の厚さをこの範囲内で選ぶことによって、第１記録層４０４で発生した熱を効果的に第１反射層４０８側に拡散させることができる。
なお、第１記録層４０４と第８誘電体層４０６との間に、第８界面層を配置してもよい。第８界面層は、実施の形態１の第２界面層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。図４に示す情報記録媒体３０において、第８界面層が設けられる場合、第８界面層は、符号４０４で示される層と符号４０６で示される層との間に、例えば、符号４０５で示される層として表すことができる。
第１記録層４０４の材料として、実施の形態１の記録層１０４の材料と同様の材料を用いることができる。また、他の情報層の記録層がＳｂとＭ１とを合わせて８５原子％以上含む場合には、第１記録層４０４は、他の材料で形成してよい。例えば、ＧｅＴｅ、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｓｂ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−Ｂｉ2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｓｂ−Ｂｉ）2Ｔｅ3、ＧｅＴｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3、および（Ｇｅ−Ｓｎ）Ｔｅ−（Ｂｉ−Ｉｎ）2Ｔｅ3のいずれかを含む材料を用いることもできる。また、Ｓｂ−Ｇａ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇａ、Ｓｂ−Ｇｅ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｇｅ、Ｓｂ−Ｉｎ、（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ｉｎ、または（Ｓｂ−Ｔｅ）−Ａｇ−Ｉｎのいずれかで表され、且つＳｂを５０原子％以上含む材料を用いて、第１記録層４０４を形成することもできる。
第１情報層２６は、レーザビーム１１の入射側から第１情報層２６より遠い側にある情報層に、記録再生の際に必要なレーザ光量が到達するように、高い透過率を有する必要がある。このため、第１記録層４０４の厚さは、６ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、第１記録層４０４は、不可逆な相変化を起こす材料（例えば、Ｔｅ−Ｐｄ−Ｏ）で形成することもできる。この場合、第１記録層４０４の厚さは２０ｎｍ以下であることが好ましい。
必要に応じて設けられる第１反射層４０８は、第１記録層４０４に吸収される光量を増大させるという光学的な機能を有する。また、第１反射層４０８は、第１記録層４０４で生じた熱を速やかに拡散させ、第１記録層４０４を非晶質化しやすくするという熱的な機能も有する。さらに、第１反射層４０８は、使用する環境から多層膜を保護するという機能も有する。
第１反射層４０８の材料として、実施の形態１の反射層１０８の材料と同様の材料を用いることができる。特に、Ａｇ合金は熱伝導率が大きいため、第１反射層４０８の材料として好ましい。第１反射層４０８の厚さは、第１情報層２６の透過率をできるだけ高くするため、８ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以下であることがより好ましい。厚さがこの範囲内にある第１反射層４０８は、十分な熱拡散機能を有し、且つ第１情報層２６の反射率を確保でき、さらに第１情報層２６の透過率を十分に高くする。
必要に応じて設けられる第１透過率調整層４０９は、実施の形態２の透過率調整層２０９の材料と同様の材料を用いて形成することができる。また、その形状及び機能は、実施の形態２の透過率調整層２０９のそれらと同様である。
第１情報層２６の透過率Ｔc1及びＴa1は、記録再生の際に必要なレーザ光量が、レーザビーム１１の入射側から第１情報層２６より遠い側にある情報層に到達するように、６５＜Ｔc1且つ６５＜Ｔa1を満たすことが好ましい。Ｔc1及びＴa1は、７０＜Ｔc1且つ７０＜Ｔa1を満たすことがより好ましい。
第１情報層２６の透過率Ｔc1及びＴa1は、−５≦（Ｔc1−Ｔa1）≦５を満たすことが好ましく、−３≦（Ｔc1−Ｔa1）≦３を満たすことがより好ましい。Ｔc1及びＴa1がこの条件を満たすと、レーザビーム１１の入射側から第１情報層２６より遠い側にある情報層の記録再生の際、第１情報層２６の第１記録層４０４の状態による透過率の変化の影響が小さく、良好な記録再生特性が得られる。
第１情報層２６において、第１記録層４０４が結晶相である場合の反射率Ｒc1（％）、及び第１記録層４０４が非晶質相である場合の反射率Ｒa1（％）は、Ｒa1＜Ｒc1を満たすことが好ましい。このことにより、情報が記録されていない初期の状態で反射率が高くなり、安定に記録再生を行うことができる。
情報記録媒体３０は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、第４情報層２９を形成する。具体的には、まず、基板１４（厚さが例えば１．１ｍｍ）を用意し、成膜装置内に配置する。
続いて、基板１４上に第４反射層７０８を形成する。このとき、基板１４にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第４反射層７０８を形成する。第４反射層７０８は、実施の形態１の反射層１０８の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第４反射層７０８上に、必要に応じて界面層を形成する。界面層は、実施の形態１の界面層または第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第４反射層７０８または界面層上に、第２誘電体層７０６を形成する。第２誘電体層７０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第４反射層７０８、界面層７０７、または第２誘電体層７０６上に、必要に応じて第２界面層７０５を形成する。第２界面層７０５は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２誘電体層７０６、または第２界面層７０５上に、第４記録層７０４を形成する。第４記録層７０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第４記録層７０４上に、必要に応じて第１界面層７０３を形成する。第１界面層７０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第４記録層７０４、または第１界面層７０３上に、第１誘電体層７０２を形成する。第１誘電体層７０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。このようにして、第４情報層２９を形成する。
続いて、第４情報層２９の第１誘電体層７０２上に光学分離層２０を形成する。光学分離層２０は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂を第１誘電体層７０２上に塗布してスピンコートしたのち、樹脂を硬化させることによって形成できる。なお、光学分離層２０がレーザビーム１１の案内溝を有する場合には、溝が形成された基板（型）を硬化前の樹脂に密着させたのち、樹脂を硬化させ、その後、基板（型）をはがすことによって案内溝を形成できる。
なお、第１誘電体層７０２を形成した後、または光学分離層２０を形成した後、必要に応じて、第４記録層７０４の全面を結晶化させて初期化してもよい。第４記録層７０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
続いて、光学分離層２０上に第３情報層２８を形成する。具体的には、まず、基板１４上に第４情報層２９、及び光学分離層２０を形成した積層体を成膜装置内に配置する。続いて、光学分離層２０上に、必要に応じて第３透過率調整層６０９を形成する。第３透過率調整層６０９は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、光学分離層２０または第３透過率調整層６０９上に、必要に応じて第３反射層６０８を形成する。第３反射層６０８は、実施の形態１の反射層１０８の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、光学分離層２０、第３透過率調整層６０９、または第３反射層６０８上に、第４誘電体層６０６を形成する。第４誘電体層６０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第４誘電体層６０６上に、必要に応じて第４界面層を形成する。第４界面層６０５は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第４誘電体層６０６または第４界面層上に、第３記録層６０４を形成する。第３記録層６０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第３記録層６０４上に、必要に応じて第３界面層６０３を形成する。第３界面層６０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第３記録層６０４、または第３界面層６０３上に、第３誘電体層６０２を形成する。第３誘電体層６０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
このようにして、第３情報層２８を形成する。
続いて、第３情報層２８の第３誘電体層６０２上に、上述の光学分離層２０の形成方法と同様の方法により、光学分離層１９を形成する。
第３誘電体層６０２を形成した後に、または光学分離層１９を形成した後に、必要に応じて、第３記録層６０４及び／または第４記録層７０４（第３情報層２８を形成する前に結晶化していない場合）の全面を結晶化させて、初期化工程してよい。第３記録層６０４及び／または第４記録層７０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
続いて、光学分離層１９上に第２情報層２７を形成する。具体的には、まず、基板１４上に第４情報層２９、光学分離層２０、第３情報層２８、及び光学分離層１９を形成した積層体を成膜装置内に配置する。それから、光学分離層１９上に、必要に応じて第２透過率調整層５０９を形成する。第２透過率調整層５０９は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、光学分離層１９または第２透過率調整層５０９上に、必要に応じて第２反射層５０８を形成する。第２反射層５０８は、実施の形態１の反射層１０８の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、光学分離層１９または第２反射層５０８上に、第６誘電体層５０６を形成する。第６誘電体層５０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第６誘電体層５０６上に、必要に応じて第６界面層を形成する。第６界面層は、実施の形態１の第２誘電体層１０６と同様の方法で形成できる。続いて、第６誘電体層５０６または第６界面層上に、第２記録層５０４を形成する。第２記録層５０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第２記録層５０４上に、必要に応じて第５界面層５０３を形成する。第５界面層５０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第２記録層５０４、または第５界面層５０３上に、第５誘電体層５０２を形成する。第５誘電体層５０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。このようにして、第２情報層２７を形成する。
続いて、第２情報層２７の第５誘電体層５０２上に、上述の光学分離層２０の形成方法と同様の方法により、光学分離層１７を形成する。
第５誘電体層５０２を形成した後、または光学分離層１７を形成した後、必要に応じて、第２記録層５０４、第３記録層６０４及び／または第４記録層７０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。即ち、第２記録層５０４および／または第３記録層６０４は、この段階で初期化してもよい。第２記録層５０４、第３記録層６０４及び／または第４記録層７０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
続いて、光学分離層１７上に第１情報層２６を形成する。具体的には、まず、基板１４上に第４情報層２９、光学分離層２０、第３情報層２８、光学分離層１９、第２情報層２７、及び光学分離層１７を形成した積層体を成膜装置内に配置する。それから、光学分離層１７上に、必要に応じて第１透過率調整層４０９を形成する。第１透過率調整層４０９は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、光学分離層１７または第１透過率調整層４０９上に、必要に応じて第１反射層４０８を形成する。第１反射層４０８は、実施の形態１の反射層１０８の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、光学分離層１７または第１反射層４０８上に、第８誘電体層４０６を形成する。第８誘電体層４０６は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第８誘電体層４０６上に、必要に応じて第８界面層４０５を成膜する。第８界面層４０５は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第８誘電体層４０６または第８界面層４０５上に、第１記録層４０４を成膜する。第１記録層４０４は、その組成に応じたスパッタリングターゲットを用いて、実施の形態１の記録層１０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
続いて、第１記録層４０４上に、必要に応じて第７界面層４０３を成膜する。第７界面層４０３は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。続いて、第１記録層４０４、または第７界面層４０３上に、第７誘電体層４０２を成膜する。第７誘電体層４０２は、実施の形態１の第２誘電体層１０６の形成方法と同様の方法で形成できる。このようにして、第１情報層２６を形成する。最後に、第７誘電体層４０２上に透明層１３を形成する。透明層１３は、実施の形態１で説明した方法で形成できる。
第７誘電体層４０２を成膜したのち、または透明層１３を形成したのち、必要に応じて、第１記録層４０４、第２記録層５０４、第３記録層６０４、及び／または第４記録層７０４の全面を結晶化させて、初期化してよい。即ち、第２記録層５０４、第３記録層６０４および／または第４記録層７０４は、この段階で初期化してよい。第１記録層４０４、第２記録層５０４、第３記録層６０４、及び／または第４記録層７０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
以上のようにして、情報記録媒体３０を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態５）
実施の形態５として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態５の情報記録媒体３４の一部断面図を図５に示す。情報記録媒体３４は、実施の形態１の情報記録媒体１５と同様、レーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体３４は、基板３１上に積層した情報層１６とダミー基板３３とが、接着層３２によって密着された構成である。
基板３１、及びダミー基板３３は、透明で円盤状の基板である。基板３１、及びダミー基板３３を構成する材料の例としては、実施の形態１の基板１４と同様に、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを挙げることができる。基板３１及びダミー基板３３の材料としては、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。
基板３１の第１誘電体層１０２側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。基板３１の第１誘電体層１０２側と反対側の表面、及びダミー基板３３の接着層３２側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板３１、及びダミー基板３３の厚さは、十分な強度が確保され、且つ情報記録媒体３４の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内にあることが好ましい。
接着層３２は、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂等の樹脂からなり、使用するレーザビーム１１に対して小さい光吸収を有することが好ましく、短波長域において光学的に小さい複屈折を示すことが好ましい。接着層３２の厚さは、光学分離層１９及び１７等に関連して説明した理由と同じ理由により、０．６μｍ〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。
その他、実施の形態１と同一の符号を付した要素については、その説明を省略する。
情報記録媒体３４は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板３１（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、情報層１６を形成する。基板３１にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に情報層１６を形成する。具体的には、基板３１を成膜装置内に配置し、第１誘電体層１０２、記録層１０４、第２誘電体層１０６、反射層１０８を順次積層する。なお、必要に応じて第１誘電体層１０２と記録層１０４の間に第１界面層１０３を形成してもよい。また、必要に応じて記録層１０４と第２誘電体層１０６の間に位置する、第２界面層を形成してもよい。さらに、必要に応じて第２誘電体層１０６と反射層１０８の間に位置する、界面層を形成してもよい。各層の形成方法は、実施の形態１の各層の形成方法と同様である。
次に、情報層１６が積層された基板３１にダミー基板３３（厚さが例えば０．６ｍｍ）を、接着層３２を用いて貼り合わせる。具体的には、貼り合わせは、次の手順で実施される。まず、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂等の樹脂を、ダミー基板３３上に塗布する。次に、情報層１６が積層された基板３１をダミー基板３３上に密着させて、回転させた（スピンコート）後、樹脂を硬化させる。別法として、ダミー基板３３上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを情報層１６が積層された基板３１に密着させることもできる。
基板３１及びダミー基板３３を密着させた後、必要に応じて、記録層１０４の全面を結晶化させて、初期化してよい。記録層１０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
以上のようにして、情報記録媒体３４を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態６）
実施の形態６として、本発明の情報記録媒体のさらに別の例を説明する。実施の形態６の情報記録媒体３７の一部断面図を図６に示す。情報記録媒体３７は、実施の形態２の情報記録媒体２２と同様、一方向のレーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な、多層光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体３７は、基板３１上に、順次積層した、第１情報層２３および情報層１８を含むＮ組の情報層と、基板３６上に積層した情報層２１とが、接着層３５を介して密着された構成である。情報層の間には、光学分離層１７、１９・・・が介在している。
基板３６は透明で円盤状の基板である。基板３６を構成する材料としては、基板１４と同様に、例えば、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィンもしくはＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラスを挙げることができる。
基板３６の情報層２１側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。基板３６の情報層２１側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。基板３６の材料としては、転写性および量産性に優れ、低コストであることから、ポリカーボネートが特に有用である。基板３６の厚さは、十分な強度が確保され、且つ情報記録媒体３７の厚さが１．２ｍｍ程度となるよう、０．３ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲内にあることが好ましい。
その他、実施の形態２及び５と同一の符号を付した要素については、その説明を省略する。
情報記録媒体３７は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板３１（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層２３を形成する。基板３１にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第１情報層２３を形成する。具体的には、基板３１を成膜装置内に配置し、第３誘電体層２０２、第１記録層２０４、第４誘電体層２０６を順次積層する。必要に応じて第３誘電体層２０２と第１記録層２０４の間に位置する第３界面層２０３を形成してもよい。また、必要に応じて第１記録層２０４と第４誘電体層２０６との間に位置する第４界面層を形成してもよい。さらに、第１情報層２３の構成に応じて、第４誘電体層２０６を成膜した後、第１反射層２０８を形成してもよい。さらにまた、第１反射層２０８を形成した後、透過率調整層２０９を形成してもよい。各層の形成方法は、実施の形態２の各層の形成方法と同様である。その後、（Ｎ−２）層の情報層を、光学分離層を各情報層の間に位置させて、順次積層する。
これとは別に、基板３６（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、情報層２１を形成する。情報層は、単層膜、または多層膜からなり、それらの各層は、実施の形態２と同様、成膜装置内で、各層を構成するのに適したスパッタリングターゲットを、順次スパッタリングすることによって形成できる。
最後に、情報層が積層された基板３１及び基板３６を、接着層３５を用いて貼り合わせる。具体的には、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂等の樹脂を情報層２１上に塗布して、第１情報層２３を成膜した基板３１を情報層２１上に密着させてスピンコートした後、樹脂を硬化させるとよい。また、情報層２１上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、それを基板３１に密着させてよい。
なお、基板３１及び基板３６を密着させた後、必要に応じて、第１記録層２０４の全面を結晶化させて、初期化してよい。第１記録層２０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
以上のようにして、情報記録媒体３７を製造できる。本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態７）
実施の形態７として、実施の形態６の本発明の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝２、すなわち２組の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態７の情報記録媒体３８の一部断面図を図７に示す。情報記録媒体３８は、実施の形態３の情報記録媒体２４と同様、一方向のレーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な２層光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体３８は、基板３１上に第１情報層２３、基板３６上に第２情報層２５を積層し、これらの積層体を、接着層３５により密着させた構成である。基板３６の第２反射層３０８側の表面には、必要に応じてレーザビームを導くための案内溝が形成されていてもよい。基板３６の第２反射層３０８側と反対側の表面は、平滑であることが好ましい。その他、実施の形態３、実施の形態５、及び実施の形態６と同一の符号を付した要素については、その説明を省略する。
情報記録媒体３８は、以下に説明する方法によって製造できる。まず、基板３１（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、実施の形態６と同様の方法により第１情報層２３を形成する。
透過率調整層２０９、または第１反射層２０８、または第４誘電体層２０６を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層２０４の全面を結晶化させて、初期してよい。第１記録層２０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
これとは別に、基板３６（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第２情報層２５を形成する。基板３６にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に、第２情報層２５を形成する。具体的には、基板３６を成膜装置内に配置し、第２反射層３０８、第２誘電体層３０６、第２記録層３０４、第１誘電体層３０２を順次積層する。なお、必要に応じて、第１誘電体層３０２と第２記録層３０４の間に位置する第１界面層３０３を成膜してもよい。また、必要に応じて、第２記録層３０４と第２誘電体層３０６の間に位置する、第２界面層を形成してもよい。さらに、必要に応じて、第２反射層３０８と第２誘電体層３０６の間に位置する、界面層を形成してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態３の各層の成膜方法と同様である。
第１誘電体層３０２を形成したのち、必要に応じて、第２記録層３０４の全面を結晶化させて、初期化してよい。第２記録層３０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
最後に、第１情報層２３を積層した基板３１と、第２情報層２５を積層した基板３６とを、接着層３５を用いて貼り合わせる。具体的には、まず、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂等の樹脂を、第１情報層２３または第２情報層２５上に塗布する。それから、基板３１上の第１誘電体層３０２と、基板３６上の透過率調整層２０９、または第１反射層２０８、または第４誘電体層２０６とを、密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第１情報層２３又は第２情報層２５上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、その樹脂で、基板３１と基板３６を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第１記録層２０４の全面を結晶化させて、初期化してよい。あるいは、第１記録層２０４に加えて、第２記録層３０４の初期化をこの段階で実施してもよい。この場合、実施の形態３で説明した理由と同様の理由により、第２記録層３０４を先に結晶化させることが好ましい。
以上のようにして、情報記録媒体３８を製造できる。なお、本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態８）
実施の形態８として、実施の形態６の多層光学的情報記録媒体において、Ｎ＝４、すなわち４組の情報層によって構成された情報記録媒体の一例を説明する。実施の形態８の情報記録媒体３９の一部断面図を図８に示す。情報記録媒体３９は、実施の形態４の情報記録媒体３０と同様、一方向のレーザビーム１１の照射によって情報の記録再生が可能な、４層光学的情報記録媒体である。
情報記録媒体３９は、基板３１上に、第１情報層２６、及び第２情報層２７を積層し、基板３６上に、第４情報層２９、及び第３情報層２８を積層して、これらの積層体を接着層３５により密着させた構成である。
その他、実施の形態４、実施の形態５、実施の形態６、及び実施の形態７と同一の符号を付した要素については、その説明を省略する。
情報記録媒体３９は、以下に説明する方法によって製造できる。
まず、基板３１（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第１情報層２６を形成する。基板３１にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に、第１情報層２６を形成する。具体的には、基板３１を成膜装置内に配置し、第７誘電体層４０２、第１記録層４０４、および第８誘電体層４０６を順次積層する。なお、必要に応じて、第７誘電体層４０２と第１記録層４０４の間に位置する、第７界面層４０３を形成してもよい。また、必要に応じて、第１記録層４０４と第８誘電体層４０６の間に、第８界面層を形成してもよい。第１情報層２３の構成に応じて、第８誘電体層４０６を成膜した後、さらに第１反射層４０８を形成してもよい。第１反射層４０８を成膜した後、さらに第１透過率調整層４０９を形成してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。
続いて、第１透過率調整層４０９、または第１反射層４０８、または第８誘電体層４０６上に、実施の形態４に関連して説明した方法と同様の方法により、光学分離層１７を形成する。光学分離層１７を形成したのち、または第１透過率調整層４０９、または第１反射層４０８、または第８誘電体層４０６を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層４０４の全面を結晶化させて、初期化してよい。第１記録層４０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
続いて、光学分離層１７上に、第２情報層２７を形成する。具体的には、基板３１上に第１情報層２６および光学分離層１７を形成したものを成膜装置内に配置し、第５誘電体層５０２、第２記録層５０４、および第６誘電体層５０６を順次積層する。必要に応じて、第５誘電体層５０２と第２記録層５０４の間に位置する第５界面層５０３を形成してもよい。また、必要に応じて、第２記録層５０４と第６誘電体層５０６の間に位置する、第６界面層を形成してもよい。第２情報層２７の構成に応じて、第６誘電体層５０６を成膜した後、第２反射層５０８を成膜してもよい。さらに、第２反射層５０８を成膜した後、第２透過率調整層５０９を形成してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。
第２透過率調整層５０９、または第２反射層５０８、または第６誘電体層５０６を成膜したのち、必要に応じて、第１記録層４０４、及び／または第２記録層５０４の全面を結晶化させて初期化してよい。即ち、第１記録層４０４の初期化はこの段階で実施してよい。第１記録層４０４、及び／または第２記録層５０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
次に、基板３６（厚さが例えば０．６ｍｍ）上に、第４情報層２９を形成する。基板３６にレーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合には、案内溝が形成された側に第４情報層２９を形成する。具体的には、基板３６を成膜装置内に配置し、第４反射層７０８、第２誘電体層７０６、第４記録層７０４、および第１誘電体層７０２を順次積層する。必要に応じて第１誘電体層７０２と第４記録層７０４の間に位置する、第１界面層７０３を形成してもよい。また、必要に応じて第４記録層７０４と第２誘電体層７０６の間に位置する、第２界面層を成膜してもよい。さらに、必要に応じて、第２誘電体層７０６と第４反射層７０８の間に位置する、界面層を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層のそれと同様である。
続いて、第１誘電体層７０２上に、実施の形態４に関連して説明した方法と同様の方法により、光学分離層２０を形成する。なお、光学分離層２０を形成したのち、または第１誘電体層７０２を成膜したのち、必要に応じて、第４記録層７０４の全面を結晶化させて、初期化してよい。第４記録層７０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
続いて、光学分離層２０上に、第３情報層２８を形成する。具体的には、基板３６上に第４情報層２９および光学分離層２０を形成した積層体を成膜装置内に配置し、第４誘電体層６０６、第３記録層６０４、および第３誘電体層６０２を順次積層する。なお、必要に応じて、第３誘電体層６０２と第３記録層６０４の間に位置する、第３界面層６０３を形成してもよい。また、必要に応じて、第３記録層６０４と第４誘電体層６０６の間に位置する、第４界面層を形成してもよい。また、第３情報層２８の構成に応じて、第４誘電体層６０６を成膜する前に、第３反射層６０８を形成してもよい。また、第３反射層６０８を形成する前に、第３透過率調整層６０９を成膜してもよい。各層の成膜方法は、実施の形態４の各層の成膜方法と同様である。
第３誘電体層６０２を成膜したのち、必要に応じて、第３記録層６０４、及び／または第４記録層７０４（第３情報層２８を形成する前に初期化していない場合）の全面を結晶化させて、初期化工程してよい。第３記録層６０４、及び／または第４記録層７０４の結晶化は、一般に、レーザビームを照射することによって行う。
最後に、第１情報層２６、光学分離層１７および第２情報層２７を積層した基板３１と、第４情報層２９、光学分離層２０および第３情報層２８を積層した基板３６とを、接着層３５を用いて貼り合わせる。具体的には、まず、光硬化性樹脂（特に紫外線硬化性樹脂）または遅効性樹脂等の樹脂を、第２情報層２７または第３情報層２８上に塗布する。それから、基板３１と基板３６を密着させてスピンコートしたのち、樹脂を硬化させるとよい。また、第２情報層２７または第３情報層２８上に粘着性の樹脂を予め均一に塗布し、その樹脂で基板３１と基板３６を密着させることもできる。
その後、必要に応じて第４記録層７０４、第３記録層６０４、第２記録層５０４、及び／または第１記録層４０４の全面を結晶化させる初期化工程を行ってもよい。
以上のようにして、情報記録媒体３９を製造できる。本実施の形態においては、各層の成膜方法としてスパッタリング法を用いた。成膜方法は、これに限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等を用いることも可能である。
（実施の形態９）
実施の形態９では、実施の形態１、２、３、４、５、６、７及び８として説明した本発明の情報記録媒体の記録再生方法について説明する。
本発明の情報記録媒体の記録再生方法に用いられる記録再生装置４５の一部の構成を図９に模式的に示す。図９に示す記録再生装置４５は、情報記録媒体４４を回転させるためのスピンドルモータ４０と、半導体レーザ４２、及び半導体レーザ４２から出射されるレーザビーム１１を集光する対物レンズ４１を備える光学ヘッド４３とを備える。情報記録媒体４４は、実施の形態１、２、３、４、５、６、７または８の情報記録媒体であり、一つの情報層（例えば情報層１６）、または複数の情報層（例えば第１情報層２３、第２情報層２５）を有する。対物レンズ４１は、レーザビーム１１を情報層上に集光する。
情報記録媒体への情報の記録、消去、及び上書き記録は、レーザビーム１１のパワーを、高パワーのピークパワー（Ｐp（ｍＷ））と低パワーのバイアスパワー（Ｐb（ｍＷ））との間で変調させることによって行う。ピークパワーのレーザビーム１１を照射することによって、記録層の局所的な一部分が非晶質相にされ、その非晶質相が記録マークとなる。記録マーク間では、バイアスパワーのレーザビーム１１が照射され、結晶相（消去部分）が形成される。なお、ピークパワーのレーザビーム１１を照射する場合には、パルスの列で形成する、いわゆるマルチパルスとするのが一般的である。マルチパルスは、ピークパワーとバイアスパワーのパワーレベル間で、２値変調されてもよい。あるいは、マルチパルスは、バイアスパワーよりさらに低パワーのクーリングパワー（Ｐc（ｍＷ））およびボトムパワー（ＰB（ｍＷ））を設定し、０ｍＷ〜ピークパワーの範囲内にあるパワーレベル間で、３値変調、または４値変調されてもよい。
情報信号の再生は、再生パワーのレーザビーム１１を照射することによって得られる情報記録媒体からの信号を、検出器で読みとることにより実施する。再生パワー（Ｐr（ｍＷ））は、ピークパワーおよびバイアスパワーのパワーレベルよりも低い。再生パワーは、そのパワーレベルでのレーザビーム１１の照射によって、記録マークの光学的な性質が影響を受けず、且つ情報記録媒体から記録マーク再生のための十分な反射光量が得られるように設定される。
対物レンズ４１の開口数ＮＡは、レーザビームのスポット径を０．４μｍ〜０．７μｍの範囲内に調整できるように、０．５〜１．１の範囲内にあることが好ましく、０．６〜０．９の範囲内にあることがより好ましい。レーザビーム１１の波長は、４５０ｎｍ以下（より好ましくは、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲内）にあることが好ましい。情報を記録する際の情報記録媒体の線速度は、再生光による結晶化が起こりにくく、且つ十分な消去性能が得られる４ｍ／秒〜５０ｍ／秒の範囲内にあることが好ましく、９ｍ／秒〜４０ｍ／秒の範囲内にあることがより好ましい。情報記録媒体の種類等に応じて、ここで例示していない波長、対物レンズの開口数、および線速度を使用してよいことはいうまでもない。例えば、レーザビームの波長は、６５０〜６７０ｎｍであってよい。
二つの情報層を備えた情報記録媒体２４、及び情報記録媒体３８において、第１情報層２３への記録を行う際には、レーザビーム１１の焦点を第１記録層２０４に合わせ、透明層１３を透過したレーザビーム１１によって第１記録層２０４に情報を記録する。再生は、第１記録層２０４によって反射され、透明層１３を透過してきたレーザビーム１１を検出して行う。第２情報層２５への記録を行う際には、レーザビーム１１の焦点を第２記録層３０４に合わせ、透明層１３、第１情報層２３、及び光学分離層１７を透過したレーザビーム１１によって情報を記録する。再生は、第２記録層３０４によって反射され、光学分離層１７、第１情報層２３、及び透明層１３を透過してきたレーザビーム１１を検出して行う。
基板１４、光学分離層２０、１９、及び１７に、レーザビーム１１を導くための案内溝が形成されている場合、情報は、レーザビーム１１の入射側から近い方の溝面（グルーブ）に行われてもよいし、遠い方の溝面（ランド）に行われてもよい。また、グルーブとランドの両方に情報を記録してもよい。
この記録再生装置を用いて、情報記録媒体の性能を次のようにして評価できる。記録性能は、レーザビーム１１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、（１−７）変調方式でマーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を記録し、記録マークの前端間、及び後端間のジッター（マーク位置の誤差）をタイムインターバルアナライザーで測定することによって評価できる。ジッター値が小さいほど、記録性能がよい。ＰpとＰbは、前端間、及び後端間のジッターの平均値（平均ジッター）が最小となるよう決定される。このときの最適Ｐpを記録感度とする。
また、消去性能は、次の手順で評価される。レーザビーム１１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互に記録する。１１回目に２Ｔ信号を上書きしたときの２Ｔ信号の信号振幅と、さらにその後９Ｔ信号を上書きした場合の２Ｔ信号の信号振幅の差を、２Ｔ信号の消去率としてスペクトラムアナライザーで測定する。消去率が大きいほど、消去性能が良い。
また、信号強度は、次の手順で評価される。レーザビーム１１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）と０．６７１μｍ（９Ｔ）の信号を同じグルーブに連続１０回交互記録する。最後に２Ｔ信号を上書きしし、２Ｔ信号の周波数での信号振幅（ｃａｒｒｉｅｒ ｌｅｖｅｌ）と雑音振幅（ｎｏｉｓｅ ｌｅｖｅｌ）の比（ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ））をスペクトラムアナライザーで測定する。ＣＮＲが大きいほど信号強度が強い。
さらに、繰り返し書き換え回数は、次の手順で評価される。レーザビーム１１を０〜Ｐp（ｍＷ）の間でパワー変調し、マーク長０．１４９μｍ（２Ｔ）から０．５９６μｍ（８Ｔ）までのランダム信号を同じグルーブに連続記録する。書き換えが１回終了するごとに、前端間、及び後端間ジッターをタイムインターバルアナライザーで測定する。１回目の前端間と後端間の平均ジッター値に対し、３％増加するときの書き換え回数を上限値とする。Ｐp、Ｐb、Ｐc、およびＰBは、平均ジッター値が最も小さくなるように決定する。
（実施の形態１０）
実施の形態１０として、本発明の情報記録媒体の別の例を説明する。実施の形態１０の電気的情報記録媒体５１の一構成例を図１０に示す。電気的情報記録媒体５１は、電気的エネルギー（特に電流）の印加によって、情報の記録再生が可能な情報記録媒体である。
基板４６として、ポリカーボネート等の樹脂基板、ガラス基板、Ａｌ2Ｏ3等のセラミック基板、Ｓｉ等の半導体基板、およびＣｕ等の金属基板を用いることができる。ここでは、基板としてＳｉ基板を用いた形態を説明する。電気的情報記録媒体５１は、基板４６上に、下部電極４７、第１誘電体層８０１、第１記録層４８、第２記録層４９、第２誘電体層８０２、及び上部電極５０を順に積層した構造である。下部電極４７、及び上部電極５０は、第１記録層４８、及び第２記録層４９に電流を印加するために形成する。第１誘電体層８０１は第１記録層４８に印加する電気エネルギー量を調整し、第２誘電体層８０２は第２記録層４９に印加する電気エネルギー量を調整するために設けられる。第１誘電体層８０１および第２誘電体層８０２の材料として、実施の形態１の第２誘電体層１０６の材料と同様の材料を用いることができる。
第１記録層４８、及び第２記録層４９は、電流の印加により発生するジュール熱によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こす材料から成る。よって、この媒体においては、結晶相と非晶質相との間で抵抗率が変化する現象を情報の記録に利用する。第１記録層４８、及び第２記録層４９の材料として、実施の形態１の記録層１０４の材料と同様の材料を用いることができる。また、第１記録層４８、及び第２記録層４９は、実施の形態１の記録層１０４の形成方法と同様の方法で形成できる。
また、下部電極４７、及び上部電極５０は、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、もしくはＰｔ等の単体金属材料で形成してよい。あるいは、下部電極４７及び上部電極５０は、前記元素から選ばれる１つまたは複数の元素を主成分とし、耐湿性の向上あるいは熱伝導率の調整等のために適宜１または複数の他の元素を添加した合金材料を用いて形成することができる。下部電極４７、及び上部電極５０は、Ａｒガス雰囲気中、またはＡｒガスと反応ガス（Ｏ2ガスまたはＮ2ガスから選ばれる少なくとも１種のガス）との混合ガス雰囲気中で、材料となる金属母材または合金母材をスパッタリングすることによって形成できる。各層の成膜方法は、スパッタリング法に限定されず、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、またはＭＢＥ法等であってもよい。
電気的情報記録媒体５１に、印加部５２を介して電気的情報記録再生装置５７を電気的に接続する。この電気的情報記録再生装置５７において、下部電極４７と上部電極５０の間には、第１記録層４８、及び第２記録層４９に電流パルスを印加するために、パルス電源５５が、スイッチ５４を介して接続される。また、第１記録層４８、及び第２記録層４９の相変化による抵抗値の変化を検出するために、下部電極４７と上部電極５０の間にスイッチ５６を介して抵抗測定器５３が接続される。
非晶質相（高抵抗状態）にある第１記録層４８または第２記録層４９を、結晶相（低抵抗状態）に変化させるためには、スイッチ５４を閉じて（スイッチ５６は開く）電極間に電流パルスを印加する。印加は、電流パルスが印加される部分の温度が、材料の結晶化温度より高く、且つ融点より低い温度にて、結晶化時間の間、保持されるように行う。結晶相から再度非晶質相に戻す場合には、結晶化時よりも相対的に高い電流パルスをより短い時間で印加し、記録層を融点より高い温度にして溶融した後、急激に冷却する。なお、電気的情報記録再生装置５７のパルス電源５５は、図１３の記録／消去パルス波形を出力できるような電源である。
ここで、第１記録層４８が非晶質相の場合の抵抗値をｒa1、第１記録層４８が結晶相の場合の抵抗値をｒc1、第２記録層４９が非晶質相の場合の抵抗値をｒa2、第２記録層４９が結晶相の場合の抵抗値をｒc2とする。これらの抵抗値が、ｒc1≦ｒc2＜ｒa1＜ｒa2、もしくはｒc1≦ｒc2＜ｒa2＜ｒa1、もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa1＜ｒa2、もしくはｒc2≦ｒc1＜ｒa2＜ｒa1を満たすことによって、第１記録層４８と第２記録層４９の抵抗値の和を、ｒa1＋ｒa2、ｒa1＋ｒa2、ｒa2＋ｒc1、及びｒc1＋ｒc2の４つの異なる値に設定できる。従って、電極間の抵抗値を抵抗測定器５３で測定することにより、４つの異なる状態、すなわち２値の情報を一度に検出することができる。
この電気的情報記録媒体５１をマトリクス的に多数配置することによって、図１１に示すような大容量の電気的情報記録媒体５８を構成することができる。各メモリセル６１には、微小領域に電気的情報記録媒体５１と同様の構成が形成されている。各々のメモリセル６１への情報の記録再生は、ワード線５９、及びビット線６０をそれぞれ一つ指定することによって行う。
図１２は電気的情報記録媒体５８を用いた、情報記録システムの一構成例を示したものである。記憶装置６３は、電気的情報記録媒体５８と、アドレス指定回路６２によって構成される。アドレス指定回路６２により、電気的情報記録媒体５８のワード線５９、及びビット線６０がそれぞれ指定され、各々のメモリセル６１への情報の記録再生を行うことができる。また、記憶装置６３を、少なくともパルス電源６５と抵抗測定器６６から構成される外部回路６４に電気的に接続することにより、電気的情報記録媒体５８への情報の記録再生を行うことができる。
（実施の形態１１）
実施の形態１１として、本発明のスパッタリングターゲットの実施の形態について、以下に説明する。
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素（以下、これらの元素群をＭ１とする。）とＳｂとを合わせて８５原子％以上含む。また、本発明のスパッタリングターゲットは、さらに、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素（以下、これらの元素群をＭ２とする。）を含んでいてもよい。また、本発明のスパッタリングターゲットは、さらにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素（以下、これらの元素群をＭ３とする。）を含んでいても良い。これらのスパッタリングターゲットを用いると、Ｓｂ−Ｍ１、Ｓｂ−Ｍ１−Ｍ２、またはＳｂ−Ｍ１−Ｍ２−Ｍ３を含む膜を、情報記録媒体の記録層として形成することができる。
このようなスパッタリングターゲットを用いることにより、希ガスのみもしくは、希ガスと微量の反応ガスを導入することにより、記録層を形成できる。また、高速成膜したときに、情報記録媒体の、例えば、反射率のばらつき、およびジッタの媒体面内のばらつきを小さく抑えることができる。より高速な成膜を行うとともに、ばらつきをより小さくするように、スパッタリングターゲットは、高い密度（密度は、粉末の充填率を示し、全く隙間無く粉末が充填されている状態を１００％と定義する）を有することが好ましい。本発明のスパッタリングターゲットは、好ましくは、８０％以上、より好ましくは９０％以上の密度を有する。
次に、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法の一例を説明する。
一例として、ＳｂとＭ１を含むスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末およびＭ１の粉末を準備し、これらを所定の混合比になるように秤量して混合し、ホットプレス装置に入れる。ホットプレス装置を必要に応じて真空にし、所定の高い圧力と高い温度の条件下で、所定時間保持して、混合粉末を焼結させる。混合を十分に行うことにより、スパッタリングターゲットの面内および厚み方向の組成が均一になる。また、圧力、温度および時間の条件を最適化することにより、充填性が向上し、高密度なスパッタリングターゲットを製造することが可能になる。このようにして、ＳｂとＭ１を所定の組成比で含むスパッタリングターゲットを完成させる。
焼結後、必要に応じてＩｎ等の半田を用いて、例えば表面が平滑な銅板に接着してもよい。それにより、スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付けてスパッタリングすることができる。
同様に、ＳｂとＭ１およびＭ２を含むスパッタリングターゲットは、所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末、Ｍ１の粉末およびＭ２の粉末を準備して、上記の方法で製造することができる。あるいは、所定の粒径を有する高純度なＳｂ−Ｍ１の粉末およびＳｂ−Ｍ２の粉末を準備してもよい。あるいは、所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末、およびＭ１−Ｍ２の粉末を準備してもよい。あるいはまた、所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末、Ｓｂ−Ｍ１の粉末およびＳｂ−Ｍ２の粉末を準備してもよい。あるいは、所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末、Ｍ１の粉末、Ｍ２の粉末およびＳｂ−Ｍ１−Ｍ２の粉末を準備してもよい。いずれの粉末の組み合わせを用いても、上記の方法でスパッタリングターゲットを製造することもできる。
同様に、ＳｂとＭ１とＭ２およびＭ３を含むスパッタリングターゲットは、例えば、所定の粒径を有する高純度なＳｂの粉末、Ｍ１の粉末、Ｍ２の粉末、およびＭ３の粉末を準備して、上記の方法で製造することができる。
記録層は、前述のとおり、上記スパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法を用いて形成することが望ましい。スパッタリング法を実施するための装置として、多層膜を積層するための量産用の成膜装置が既に市場に提供されており、比較的容易に良好な膜質の薄膜が得られるからである。
本発明のスパッタリングターゲットは、上記記録層に関連して説明した式（１）〜（６）で表される組成を有するものであってよい。あるいは、スパッタリング条件に応じて、ａ１、ａ２、ａ３、ａ４、ａ５、ａ６およびｂ６が上記範囲内にない組成を有するスパッタリングターゲットも、本発明のスパッタリングターゲットとして、使用できることがある。
本発明の記録層に含まれるＳｂは、他の元素に比べてスパッタリングされやすいため（即ち、スパッタリング率が高いため）に、得られる膜の組成において、Ｓｂの割合が、スパッタリングターゲットにおけるそれよりも高くなることがある。このため、スパッタリングターゲットのＳｂの割合は、膜の組成において望まれる割合よりも小さくしておくことが好ましい。他の元素（Ｍ１、Ｍ２およびＭ３）もそれぞれ固有のスパッタリング率を有するので、実際に膜組成とスパッタリングターゲット組成との関係を求めて、所望の膜組成となるように、スパッタリングターゲットの組成を決定する必要がる。
具体的には、スパッタリングターゲットは、得ようとする膜が、式（１）：
Ｓｂ100-a1Ｍ１a1（原子％） （１）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ１は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ１≦５０を満たす。）
で表される組成の材料を含むときに、式（１０）
Ｓｂ100-A1Ｍ１A1（原子％） （１０）
（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ１は、原子％で示される組成比を表し、ａ１＜Ａ１≦（ａ１＋３）を満たす。）
で表される材料を含むようなスパッタリングターゲットであってよい。
ここで、本発明の情報記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置の一例を説明する。図１４は、スパッタリング装置を用いて成膜する様子を模式的に示している。図１４に示すように、このスパッタリング装置では、真空容器６７に、排気口６８を介して真空ポンプ（図示せず）が接続され、真空容器６７内を高真空に保つことができるようになっている。ガス供給口６９からは、一定流量のガスを供給できるようになっている。基板７１（ここでの基板とは、膜を堆積させるための基材である。）は陽極７０に載置されている。真空容器６７を接地することにより、真空容器６７及び基板７１が陽極に保たれている。スパッタリングターゲット７２は、陰極７３に接続されており、スイッチ（図示せず）を介して電源７４に接続されている。陽極７０と陰極７３との間に所定の電圧を加えることにより、スパッタリングターゲット７２から放出された粒子により、基板７１上に薄膜を形成できる。
本発明のより具体的な実施の形態について、実施例を用いてさらに詳細に説明する。
（試験１）
試験１では、図１の情報記録媒体１５を作製し、記録層１０４の組成と、情報層１６の記録感度及び消去性能との関係を調べた。具体的には、記録層１０４の組成が異なる情報層１６を含む情報記録媒体１５のサンプル１−１から１−４８を作製し、情報層１６の記録感度及び消去性能を測定した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ（グルーブ間隔）０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層１０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、記録層１０４（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層１０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ反射層１０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層１０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、記録層１０４を形成する合金スパッタリングターゲット（例えば、ＳｂとＣを含む合金スパッタリングターゲットを用いてＳｂ90Ｃ10層を形成）、第１界面層１０３を形成する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第１誘電体層１０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットは、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
反射層１０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２誘電体層１０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。記録層１０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層１０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層１０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
最後に、紫外線硬化性樹脂を第１誘電体層１０２上に塗布し、基板１４を回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ１００μｍの透明層１３を形成した。その後、記録層１０４をレーザビームで結晶化させて初期化した。以上のようにして、記録層１０４の組成が異なる複数のサンプルを製造した。
このようにして得られたサンプルについて、図９の記録再生装置４５を用いて、情報記録媒体１５の情報層１６の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ（Ｂｌｕ−ｒａｙディスク規格の４倍速に相当し、極めて短い時間のレーザ照射により情報の記録、及び消去を行う。）、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。情報は、グルーブに記録した。
各サンプルについて、記録層１０４の組成と、情報層１６の記録感度、及び消去率の評価結果を（表１Ａ）および（表１Ｂ）に示す。記録感度については、８ｍＷ未満を「Ａ」、８ｍＷ以上９ｍＷ未満を「Ｂ」、９ｍＷ以上を「Ｃ」とした。また、消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。なお、評価が「Ａ」及び「Ｂ」の場合には実用に耐えうるが、「Ｃ」の場合は実用に耐えない。
Figure 0004996607
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この結果、記録層１０４がＳｂのみから成るサンプル１−１では、結晶化速度が大きすぎて記録感度が悪い（記録のために高いレーザパワーが必要）ことがわかった。また、記録層１０４の組成がそれぞれ、Ｓｂ50Ｇｅ50であるサンプル１−１８、及びＳｂ50Ｇｅ25Ｔｅ25であるサンプル１−２４では、添加したＧｅ、及びＴｅの量が多すぎて結晶化速度が低下し、消去性能が悪化していることがわかった。サンプル１−４１とサンプル１−４２から４４とを比較すると、記録層１０４が、Ｓｂを含むが、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣのいずれをも含まないサンプルは、消去性能または記録感度が悪いことが分かった。記録層１０４がＳｂとＺｎ、Ｓｉ及びＣのいずれかとを含むが、それらを合わせた割合が８５原子％以上でないサンプル１−４６から１−４８も消去性能が悪かった。
記録層１０４がＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに記録層１０４の組成が、
上記式（１）で示される、サンプル１−１９から１−２３、
上記式（２）で示される、サンプル１−２から１−６、
上記式（３）で示される、サンプル１−７から１−１１、
上記式（４）で示される、サンプル１−１２から１−１７、
上記式（６）で示される、サンプル１−２５から１−４１
はいずれも、記録感度と消去性能が良好であることがわかった。但し、Ｍ２の割合が１５原子％であるサンプル１−２９、１−３９、１−４０及び１−４１は、Ｍ２の割合が１５原子％未満であるサンプルと比較して、消去性能が若干劣っていた。
Ｓｂ90Ｃ10-の記録層１０４を、例えばＳｂスパッタリングターゲット、及びＣスパッタリングターゲットを、同時にスパッタリングすることにより形成した場合でも、上述のようにＳｂとＣを含む合金スパッタリングターゲットでＳｂ90Ｃ10層を形成した場合と同様の結果が得られた。また、他の記録層１０４の組成を得るために、２個以上のスパッタリングターゲットを同時にスパッタリングして成膜した場合でも、１個の合金スパッタリングターゲットを用いて成膜した場合と同様の結果が得られた。
また、記録層１０４を、Ａｒガスに全体に対して、１体積％以下の割合で窒素ガス、及び／または酸素ガスを添加した混合ガスを用いて形成した場合にも、Ａｒガスのみを用いた場合と同様の結果が得られた。
（試験２）
試験２では、図３の情報記録媒体２４を作製し、第２記録層３０４の組成と、第２情報層２５の記録感度、及び消去性能との関係を調べた。具体的には、第２記録層３０４の組成が異なる第２情報層２５を含む情報記録媒体２４のサンプル２−１から２−３８を作製し、第２情報層２５の記録感度、及び消去性能を測定した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、第２記録層３０４（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層３０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２反射層３０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層３０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層３０４を形成する合金スパッタリングターゲット（例えば、ＳｂとＣを含む合金スパッタリングターゲットを用いてＳｂ90Ｃ10を形成）、第１界面層３０３を形成する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第２反射層３０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第２誘電体層３０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第２記録層３０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層３０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層３０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第１誘電体層３０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を密着させた状態で回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第１情報層２３側に形成された、厚さ２５μｍの光学分離層１７を得た。
その後、光学分離層１７の上に、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、第１反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１５ｎｍ）、第１記録層２０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：６ｎｍ）、第３界面層２０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層２０９を形成するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、第１反射層２０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層２０６を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第１記録層２０４を形成するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第３界面層２０３を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層２０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
透過率調整層２０９の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に占める酸素の割合が３体積％）で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。第１反射層２０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて投入パワー１００Ｗで行った。第４誘電体層２０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第１記録層２０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて投入パワー５０Ｗで行った。第３界面層２０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第３誘電体層２０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
最後に、紫外線硬化性樹脂を第３誘電体層２０２上に塗布し、基板１４を回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層１３を形成した。その後、第２記録層３０４、及び第１記録層２０４を、レーザビームで結晶化させて初期化した。以上のようにして、第２記録層３０４の組成が異なる複数のサンプルを製造した。
このようにして得られたサンプルについて、図９の記録再生装置４５を用いて、情報記録媒体２４の第２情報層２５の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。情報はグルーブに記録した。
各サンプルについて、第２記録層３０４の組成と、第２情報層２５の記録感度、及び消去性能の評価結果を（表２Ａ）及び（表２Ｂ）に示す。なお、記録感度については、１６ｍＷ未満を「Ａ」、１６ｍＷ以上１８ｍＷ未満を「Ｂ］、１８ｍＷ以上を「Ｃ」とした。ここで、第２情報層２５の記録感度は、試験１のそれの２倍になっている。これは、第１情報層２３を通過する際にレーザビームの強度がほぼ半分になってしまうためである。また、消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。
Figure 0004996607
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この結果、第２記録層３０４がＳｂのみから成るサンプル２−１では、結晶化速度が大きすぎて記録感度が悪いことがわかった。また、第２記録層３０４の組成がＳｂ50Ｇｅ50のサンプル２−１８、及びＳｂ50Ｇｅ25Ｔｅ25のサンプル２−２４では、添加したＧｅ、及びＴｅの量が多すぎて結晶化速度が低下し、消去性能が悪化していることがわかった。サンプル２−４１とサンプル２−４２から２−４４とを比較すると、第２記録層３０４が、Ｓｂを含むが、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣのいずれをも含まないサンプルは、消去性能または記録感度が悪いことが分かった。第２記録層３０４がＳｂとＺｎ、Ｓｉ及びＣのいずれかとを含むが、それらを合わせた割合が８５原子％以上でないサンプル２−４６から２−４８も消去性能が悪かった。
第２記録層３０４が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに第２記録層３０４の組成が、
上記式（１）で示される、サンプル２−１９から２−２３、
上記式（２）で示される、サンプル２−２から２−６、
上記式（３）で示されるサンプル２−７から２−１１、
上記式（４）で示されるサンプル２−１２から２−１７、
上記式（６）で示されるサンプル２−２５から２−４１
はいずれも、記録感度と消去性能が良好であることがわかった。但し、Ｍ２の割合が１５原子％であるサンプル２−２９、２−３９、２−４０及び２−４１は、Ｍ２の割合が１５原子％未満であるサンプルと比較して、消去性能が若干劣っていた。
（試験３）
試験３では、図３の情報記録媒体２４を作製し、第１記録層２０４の組成と、第１情報層２３の記録感度、及び消去性能との関係を調べた。具体的には、第１記録層２０４の組成が異なる第１情報層２３を含む情報記録媒体２４のサンプル３−１から３−３５を作製し、第１情報層２３の記録感度、及び消去性能を測定した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１５ｎｍ）、第２界面層（図示せず）として（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層３０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層３０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２反射層３０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層３０６を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第２界面層を形成する（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層３０４を形成するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層３０３を形成する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第１誘電体層３０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第２反射層３０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２誘電体層３０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２記録層３０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層３０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層３０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第１誘電体層３０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板１４を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第１情報層２３側に形成された、厚さ２５μｍの光学分離層１７を得た。
その後、光学分離層１７の上に、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、第１反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１５ｎｍ）、第１記録層２０４（厚さ：６ｎｍ）、第３界面層２０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ透過率調整層２０９を形成するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、第１反射層２０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層２０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第１記録層２０４を形成する合金スパッタリングターゲット（例えば、ＳｂとＣを含む合金スパッタリングターゲットを用いてＳｂ90Ｃ10層を形成）、第３界面層２０３を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層２０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
透過率調整層２０９の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に占める酸素の割合が３体積％）で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。第１反射層２０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第４誘電体層２０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１記録層２０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第３界面層２０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３誘電体層２０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
最後に、紫外線硬化性樹脂を第３誘電体層２０２上に塗布し、基板１４を回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ７５μｍの透明層１３を形成した。その後、第２記録層３０４、及び第１記録層２０４をレーザビームで結晶化させて初期化した。以上のようにして、第１記録層２０４の組成が異なる複数のサンプルを製造した。
このようにして得られたサンプルについて、図９の記録再生装置４５を用いて、情報記録媒体２４の第１情報層２３の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。情報はグルーブに記録した。
各サンプルについて、第１記録層２０４の材料と、第１情報層２３の記録感度、及び消去性能の評価結果を（表３Ａ）および（表３Ｂ）に示す。なお、記録感度については、１６ｍＷ未満を「Ａ」、１６ｍＷ以上１８ｍＷ未満を「Ｂ」、１８ｍＷ以上を「Ｃ」とした。第１情報層２３の記録感度は、試験１のそれの２倍になっている。これは第２情報層２５に情報を記録するために、第１情報層２３はレーザビームの半分を透過させなければならないことによる。したがって、第１情報層２３の記録に使用できるレーザパワーは、出射レーザパワーのほぼ半分になる。消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。
Figure 0004996607
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この結果、第１記録層２０４がＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに第１記録層２０４の組成が
上記式（１）で示される、サンプル３−１９から３−２２、
上記式（２）で示される、サンプル３−１から３−４、
上記式（３）で示される、サンプル３−５から３−８、
上記式（４）で示される、サンプル３−９から３−１３、
上記式（５）で示される、サンプル３−１４から３−１８、
上記式（６）で示される、サンプル３−２３から３−３８
はいずれも、記録感度と消去性能が良好であることがわかった。
サンプル３−３８とサンプル３−３９からサンプル３−４２とを比較すると、第１記録層２０４が、Ｓｂを含むが、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣのいずれをも含まないサンプルは、消去性能または記録感度が悪いことが分かった。第２記録層２０４が、ＳｂとＺｎ、Ｓｉ及びＣのいずれかとを含むが、それらを合わせた割合が８５原子％以上でないサンプル３−４３から３−４５も消去性能が悪かった。
（試験４）
試験４では、図４の情報記録媒体３０を作製し、第１記録層４０４の組成と、第１情報層２６の記録感度、及び消去性能との関係を調べた。具体的には、第１記録層４０４の組成が異なる第１情報層２６を含む情報記録媒体３０のサンプル４−１から４−２４を作製し、第１情報層２６の記録感度、及び消去性能を測定した。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第４反射層７０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層７０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１５ｎｍ）、第２界面層（図示せず）として（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第４記録層７０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層７０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層７０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第４反射層７０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層７０６を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第２界面層を形成する（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第４記録層７０４を形成するＧｅ−Ｉｎ−Ｂｉ−Ｔｅ合金スパッタリングターゲット、第１界面層７０３を形成する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第１誘電体層７０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第４反射層７０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第２誘電体層７０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第４記録層７０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層７０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層７０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第１誘電体層７０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板１４を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第３情報層２８側に形成された、厚さ１０μｍの光学分離層２０を得た。
その後、光学分離層２０の上に、第３透過率調整層６０９としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、第３反射層６０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第４誘電体層６０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第３記録層６０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：３ｎｍ）、第３界面層６０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層６０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第３透過率調整層６０９を形成するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、第３反射層６０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層６０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３記録層６０４を形成するＳｂ−Ｃ合金スパッタリングターゲット、第３界面層６０３を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層６０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第３透過率調整層６０９の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に占める酸素の割合が３体積％）で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。第３反射層６０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第４誘電体層６０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第３記録層６０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第３界面層６０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３誘電体層６０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層６０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板１４を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第２情報層２７側に形成された、厚さ１５μｍの光学分離層１９を得た。
その後、光学分離層１９の上に、第２透過率調整層５０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）、第２反射層５０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第６誘電体層５０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層５０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：３ｎｍ）、第５界面層５０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第５誘電体層５０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２透過率調整層５０９を形成するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、第２反射層５０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第６誘電体層５０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層５０４を形成するＳｂ−Ｃ合金スパッタリングターゲット、第５界面層５０３を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第５誘電体層５０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第２透過率調整層５０９の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に占める酸素の割合が３体積％）で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。第２反射層５０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第６誘電体層５０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２記録層５０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第５界面層５０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第５誘電体層５０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第５誘電体層５０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板１４を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第１情報層２６側に形成された、厚さ１０μｍの光学分離層１７を得た。
その後、光学分離層１７の上に、第１透過率調整層４０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）、第１反射層４０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第８誘電体層４０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第１記録層４０４（厚さ：３ｎｍ）、第７界面層４０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第７誘電体層４０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第１透過率調整層４０９を形成するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、第１反射層４０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第８誘電体層４０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第１記録層４０４を形成する合金スパッタリングターゲット（例えば、ＳｂとＣを含む合金スパッタリングターゲットを用いてＳｂ90Ｃ10層を形成）、第７界面層４０３を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第７誘電体層４０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第１透過率調整層４０９の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に占める酸素の割合が３体積％）で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。第１反射層４０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第８誘電体層４０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１記録層４０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第７界面層４０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第７誘電体層４０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
最後に、紫外線硬化性樹脂を第７誘電体層４０２上に塗布し、基板１４を回転させることによって、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、厚さ６５μｍの透明層１３を形成した。その後、第４記録層７０４、第３記録層６０４、第２記録層５０４、及び第１記録層４０４をレーザビームで結晶化させて初期化した。以上のようにして、第１記録層４０４の組成が異なる複数のサンプルを製造した。
このようにして得られたサンプルについて、図９の記録再生装置４５を用いて、情報記録媒体３０の第１情報層２６の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。情報はグルーブに記録した。
各サンプルについて、第１記録層４０４の組成と、第１情報層２６の記録感度、及び消去性能の評価結果を（表４）に示す。記録感度については、３２ｍＷ未満を「Ａ」、３２ｍＷ以上３６ｍＷ未満を「Ｂ」、３６ｍＷ以上を「Ｃ」とした。第１情報層２６の記録感度が試験１のそれの４倍になっている。これは、第４情報層２９、第３情報層２８、及び第２情報層２７への情報の記録のため、第１情報層２６はレーザビームの７５％程度を透過させなければならないことによる。したがって、第１情報層２６の記録に使用できるレーザパワーは出射レーザパワーの２５％程度になる。また、消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。
Figure 0004996607
この結果、第１記録層４０４がＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに第１記録層４０４の組成が
式（１）で示される、サンプル４−１５から４−１８、
式（２）で示される、サンプル４−１からサンプル４−３
式（３）で示される、サンプル４−４から４−６、
式（４）で示される、サンプル４−７から４−１０、
式（５）で示される、サンプル４−１１から４−１４、
式（６）で示される、サンプル４−１９から４−２７
はいずれも、記録感度と消去性能が良好であることがわかった。
サンプル４−２７とサンプル４−２８からサンプル４−３１とを比較すると、第１記録層４０４がＳｂを含むが、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣのいずれをも含まないサンプルは、消去性能が悪いことが分かった。第１記録層４０４がＳｂとＺｎ、Ｓｉ及びＣのいずれかとを含むが、それらを合わせた割合が８５原子％以上でないサンプル４−３２から４−３４も消去性能が悪かった。
（試験５）
試験５では、図４の情報記録媒体３０において、第１情報層２６がない、すなわち、図２の情報記録媒体２２においてＮ＝３の場合の情報記録媒体３０のサンプルを作製し、第４情報層２９、第３情報層２８、ならびに第２情報層２７の記録感度、及び消去性能を測定した。ここでは、３つの情報層に第４から第２の序数を便宜的に付与しているが、これらはそれぞれ、第３、第２および第１情報層と呼んでよいものである。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板１４として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第４反射層７０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層７０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１５ｎｍ）、第２界面層（図示せず）として（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第４記録層７０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層７０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層７０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第４反射層７０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第２誘電体層７０６を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第２界面層を形成する（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第４記録層７０４を形成するＳｂ−Ｃ合金スパッタリングターゲット、第１界面層７０３を形成する（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第１誘電体層７０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。なお、スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第４反射層７０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２誘電体層７０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２界面層の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第４記録層７０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第１界面層７０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第１誘電体層７０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第１誘電体層７０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板１４を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第３情報層２８側に形成された、厚さ１５μｍの光学分離層２０を得た。
その後、光学分離層２０の上に、第３透過率調整層６０９としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、第３反射層６０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第４誘電体層６０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第３記録層６０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：４ｎｍ）、第３界面層６０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層６０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第３透過率調整層６０９を形成するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、第３反射層６０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第４誘電体層６０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第３記録層６０４を形成するＳｂ−Ｃ合金スパッタリングターゲット、第３界面層６０３を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第３誘電体層６０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第３透過率調整層６０９の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に占める酸素の割合が３体積％）で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。第３反射層６０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第４誘電体層６０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３記録層６０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第３界面層６０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第３誘電体層６０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
次に、第３誘電体層６０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．３２μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板１４を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第２情報層２７側に形成された、厚さ２０μｍの光学分離層１９を得た。
その後、光学分離層１９の上に、第２透過率調整層５０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）、第２反射層５０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第６誘電体層５０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層５０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：４ｎｍ）、第５界面層５０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第５誘電体層５０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。
上記の各層をスパッタリングする成膜装置は、それぞれ第２透過率調整層５０９を形成するＴｉＯ2スパッタリングターゲット、第２反射層５０８を形成するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、第６誘電体層５０６を形成する（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50スパッタリングターゲット、第２記録層５０４を形成するＳｂ−Ｃ合金スパッタリングターゲット、第５界面層５０３を形成する（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25スパッタリングターゲット、第５誘電体層５０２を形成する（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20スパッタリングターゲットを備えていた。スパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。
第２透過率調整層５０９の形成は、Ａｒと酸素の混合ガス雰囲気（全体に占める酸素の割合が３体積％）で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。第２反射層５０８の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー１００Ｗで行った。第６誘電体層５０６の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー２００Ｗで行った。第２記録層５０４の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー５０Ｗで行った。第５界面層５０３の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて投入パワー２００Ｗで行った。第５誘電体層５０２の形成は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、高周波（ＲＦ）電源を用いて、投入パワー４００Ｗで行った。
最後に、紫外線硬化性樹脂を第５誘電体層５０２上に塗布し、基板１４を回転させて、均一な樹脂層を形成したのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させることにより、厚さ６５μｍの透明層１３を形成した。その後、第４記録層７０４、第３記録層６０４、及び第２記録層５０４をレーザビームで結晶化させて、初期化した。以上のようにして、情報記録媒体３０を製造した。
このようにして得られたサンプルについて、図９の記録再生装置４５を用いて、情報記録媒体３０の第４情報層２９、第３情報層２８、及び第２情報層２７の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．８５、測定時のサンプルの線速度は１９．７ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔ）は０．１４９μｍとした。情報はグルーブに記録した。
各情報層の記録感度、及び消去性能の評価結果を（表５）に示す。なお、記録感度については、２４ｍＷ未満を「Ａ」、２４ｍＷ以上２７ｍＷ未満を「Ｂ」、２７ｍＷ以上を「Ｃ」とした。第４情報層２９、第３情報層２８、及び第２情報層２７の記録感度は、試験１のそれの３倍になっている。これは、これらの３つの情報層それぞれに情報を記録しなければならないことによる。したがって、出射レーザパワーの３３％程度が各情報層で使用される。消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。
Figure 0004996607
この結果、第４情報層２９、第３情報層２８、及び第２情報層２７の各々の記録感度、及び消去性能はともに良好であることがわかった。上記以外の組成においても同様の実験を行ったところ、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらにＳｂが８０原子％以上含まれる組成では、記録感度、及び消去性能がともに良好であることがわかった。
また、種々の組成について実験した結果、第４記録層７０４、第３記録層６０４、及び第２記録層５０４の組成はそれぞれ、上記式（１）から（６）のいずれかで表されることが好ましいことがわかった。
（試験６）
試験６では、図５の情報記録媒体３４を作製し、試験１と同様の実験を行った。サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板３１として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第１誘電体層１０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）、第１界面層１０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、記録層１０４（厚さ：１０ｎｍ）、第２誘電体層１０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、反射層１０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験１で使用したそれらと同様である。
その後、紫外線硬化性樹脂をダミー基板３３上に塗布し、基板３１の反射層１０８をダミー基板３３に密着させた状態で、基板３１および３３を回転させることによって、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。それから、紫外線を照射して樹脂を硬化させて、接着層３２により基板３１とダミー基板３３を接着させた。最後に、記録層１０４の全面をレーザビームで結晶化させて初期化した。
このようにして得られたサンプルについて、試験１と同様の方法によって、情報記録媒体３４の情報層１６の記録感度、及び消去性能を測定した。このとき、レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍとした。情報はグルーブ、及びランドに記録した。
この結果、試験１と同様に、記録層１０４がＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに記録層１０４の組成が上記式（１）、（２）、（３）、（４）および（６）で表されるサンプルはいずれも、記録感度と消去性能がともに良好であることがわかった。
（試験７）
試験７では、図７の情報記録媒体３８を作製し、試験２と同様の実験を行った。サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板３１として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第３界面層２０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層２０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：６ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１０ｎｍ）、第１反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験２の第１情報層２３の形成で使用したそれらと同様である。
また、基板３６として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：２５ｎｍ）、第２記録層３０４（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層３０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験２の第２情報層２５の形成で使用したそれらと同様である。
その後、紫外線硬化性樹脂を基板３６の第１誘電体層３０２上に塗布し、基板３１の透過率調整層２０９を基板３６に密着させた状態で、基板３１および３６を回転させることによって、均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させて、接着層３５により基板３１と基板３６を接着させた。最後に、第２記録層３０４、及び第１記録層２０４の全面をレーザビームで結晶化させて初期化した。
このようにして得られたサンプルについて、試験２と同様の方法によって、情報記録媒体３８の第２情報層２５の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍとした。情報はグルーブ、及びランドに記録した。
試験２と同様に、第２記録層３０４の材料を変化させて記録感度と消去性能を評価した結果、第２記録層３０４が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに第２記録層３０４の組成が上記式（１）、（２）、（３）、（４）および（６）で表されるサンプルはいずれも、記録感度と消去性能がともに良好であることがわかった。
（試験８）
試験８では、図７の情報記録媒体３８を作製し、試験３と同様の実験を行った。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板３１として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第３誘電体層２０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第３界面層２０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層２０４（厚さ：６ｎｍ）、第４誘電体層２０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１５ｎｍ）、第１反射層２０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：１０ｎｍ）、透過率調整層２０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験３の第１情報層２３の形成で使用したそれらと同様である。
また、基板３６として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第２反射層３０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層３０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１５ｎｍ）、第２界面層（図示せず）として（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２記録層３０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層３０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層３０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験３の第２情報層２５の形成で使用したそれらと同様である。
その後、紫外線硬化性樹脂を基板３６の第１誘電体層３０２上に塗布し、基板３１の透過率調整層２０９を基板３６に密着させた状態で、基板３１および３６を回転させることによって均一な樹脂層（厚さ２０μｍ）を形成した。その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させて、接着層３５により基板３１と基板３６を接着させた。最後に、第２記録層３０４、及び第１記録層２０４の全面をレーザビームで結晶化させて、初期化した。
このようにして得られたサンプルについて、試験３と同様の方法によって、情報記録媒体３８の第１情報層２３の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍとした。情報はグルーブ、及びランドに記録した。
試験３と同様に、第１記録層２０４の材料を変化させて記録感度と消去性能を評価した結果、第１記録層２０４が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに第１記録層２０４の組成が上記式（１）から上記式（６）のいずれかで表されるサンプルは、記録感度と消去性能がともに良好であることがわかった。
（試験９）
試験９では、図８の情報記録媒体３９を作製し、試験４と同様の実験を行った。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板３１として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第７誘電体層４０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：３５ｎｍ）、第７界面層４０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第１記録層４０４（厚さ：６ｎｍ）、第８誘電体層４０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第１反射層４０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第１透過率調整層４０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２０ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験４の第１情報層２６の形成で使用したそれらと同様である。
次に、第１透過率調整層４０９上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板３１を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第２情報層２７側に形成された、厚さ１０μｍの光学分離層１７を得た。
その後、光学分離層１７の上に、第５誘電体層５０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第５界面層５０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第２記録層５０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：３ｎｍ）、第６誘電体層５０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２反射層５０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第２透過率調整層５０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験４の第２情報層２７の形成で使用したそれらと同様である。
また、基板３６として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第４反射層７０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層７０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１５ｎｍ）、第２界面層（図示せず）として（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第４記録層７０４としてＧｅ45Ｉｎ1Ｂｉ3Ｔｅ51層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層７０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層７０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験４の第４情報層２９の形成で使用したそれらと同様である。
次に、第１誘電体層７０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板３６を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第３情報層２８側に形成された、厚さ１０μｍの光学分離層２０を得た。
その後、光学分離層２０の上に、第３透過率調整層６０９としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、第３反射層６０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第４誘電体層６０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第３記録層６０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：３ｎｍ）、第３界面層６０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層６０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験４の第３情報層２８の形成で使用したそれらと同様である。
その後、紫外線硬化性樹脂を基板３６の第３誘電体層６０２上に塗布し、基板３１の第２透過率調整層５０９を基板３６に密着させた状態で、基板３１および３６を回転させることによって、均一な樹脂層（厚さ１５μｍ）を形成した。それから、紫外線を照射して樹脂を硬化させた。それにより、接着層３５により基板３１と基板３６を接着させた。最後に、第４記録層７０４、第３記録層６０４、第２記録層５０４、及び第１記録層４０４の全面を、レーザビームで結晶化させて、初期化した。
このようにして得られたサンプルについて、試験４と同様の方法によって、情報記録媒体３９の第１情報層２６の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍとした。情報はグルーブ、及びランドに記録した。
試験４と同様に、第１記録層４０４の組成を変化させて記録感度と消去性能を評価した結果、第１記録層４０４が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに第１記録層４０４の組成が上記式（１）から上記式（６）のいずれかで表されるサンプルは、記録感度と消去性能がともに良好であることがわかった。
（試験１０）
試験１０では、図８の情報記録媒体３９において、第１情報層２６がない、すなわち、図６の情報記録媒体３７においてＮ＝３の場合の情報記録媒体３７のサンプルを作製し、試験５と同様の実験を行った。
サンプルは以下のようにして製造した。まず、基板３１として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第５誘電体層５０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４０ｎｍ）、第５界面層５０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第２記録層５０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：４ｎｍ）、第６誘電体層５０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第２反射層５０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第２透過率調整層５０９としてＴｉＯ2層（厚さ：２５ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験５の第２情報層２７の形成で使用したそれらと同様である。
また、基板３６として、レーザビーム１１を導くための案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）が形成されたポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍ）を用意した。そして、そのポリカーボネート基板上に、第４反射層７０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：８０ｎｍ）、第２誘電体層７０６として（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：１５ｎｍ）、第２界面層（図示せず）として（ＳｉＯ2）15（Ｉｎ2Ｏ3）35（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第４記録層７０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：１０ｎｍ）、第１界面層７０３として（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：５ｎｍ）、第１誘電体層７０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：６０ｎｍ）を、順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験５の第４情報層２９の形成で使用したそれらと同様である。
次に、第１誘電体層７０２上に紫外線硬化性樹脂を塗布し、その上に案内溝（深さ４０ｎｍ、トラックピッチ０．６８μｍ）を形成した基板を密着させた状態で、基板３６を回転させることによって、均一な樹脂層を形成した。樹脂を硬化させた後に基板をはがした。その結果、レーザビーム１１を導く案内溝が第３情報層２８側に形成された、厚さ２０μｍの光学分離層２０を得た。
その後、光学分離層２０の上に、第３透過率調整層６０９としてＴｉＯ2層（厚さ：３０ｎｍ）、第３反射層６０８としてＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ層（厚さ：５ｎｍ）、第４誘電体層６０６として（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）50層（厚さ：１０ｎｍ）、第３記録層６０４としてＳｂ90Ｃ10層（厚さ：４ｎｍ）、第３界面層６０３として（ＳｉＯ2）25（Ｃｒ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25層（厚さ：５ｎｍ）、第３誘電体層６０２として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20層（厚さ：４５ｎｍ）を順次スパッタリング法によって積層した。使用した成膜装置、スパッタリングターゲット、成膜条件（ガス種、圧力、投入パワー）等は試験５の第３情報層２８の形成で使用したそれらと同様である。
その後、紫外線硬化性樹脂を基板３６の第３誘電体層６０２上に塗布し、基板３１の第２透過率調整層５０９を基板３６に密着させた状態で、基板３１および３６を回転させることによって、均一な樹脂層（厚さ１５μｍ）を形成した。その後、紫外線を照射して樹脂を硬化させることによって、接着層３５により基板３１と基板３６を接着させた。最後に、第４記録層７０４、第３記録層６０４、及び第２記録層５０４の全面をレーザビームで結晶化させて初期化した。
このようにして得られたサンプルについて、試験５と同様の方法によって、情報記録媒体３９の第４情報層２９、第３情報層２８、及び第２情報層２７の記録感度、及び消去性能を測定した。レーザビーム１１の波長は４０５ｎｍ、対物レンズ４１の開口数ＮＡは０．６５、測定時のサンプルの線速度は２２．４ｍ／ｓ、最短マーク長は０．１７３μｍとした。情報はグルーブ、及びランドに記録した。
この結果、試験５と同様に、第４記録層７０４、第３記録層６０４、及び第２記録層５０４が、Ｚｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、さらに第４記録層７０４、第３記録層６０４、及び第２記録層５０４の組成が、上記式（４）で表され、且つＳｂが８０原子％以上含まれる場合には、第４情報層２９、第３情報層２８、及び第２情報層２７の記録感度、及び消去性能がともに良好であることがわかった。
（試験１１）
試験１から試験１０において、記録層１０４、第１記録層２０４、第２記録層３０４、第１記録層４０４、第２記録層５０４、第３記録層６０４、または第４記録層７０４を、Ｓｂ、Ｍ１およびＭ２に加えて、他の元素を含む組成となるように形成した。具体的には、他の元素は、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素とした。当該他の元素の割合は、全体の１原子％〜５原子％とした。そのような記録層を含む情報記録媒体を、試験１から１０と同様に評価した。いずれも、試験１から１０と同様の結果が得られた。特に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｒ、及びＨｆを含む材料を用いた場合、記録感度がより良好になった。
（試験１２）
試験１２では、記録層１０４を少なくとも２種以上の層を積層してなる記録部として形成した、図１の情報記録媒体１５を作製し、記録層１０４の積層構造と、情報層１６の記録感度、及び消去性能との関係を調べた。本試験では、記録部の組成および／または構造が異なるサンプル６−１から６−２３を作製した。
記録層１０４以外の層の形成方法は、試験１の各層の形成方法と同様である。記録層１０４を構成する積層構造を有する記録部は、積層する層の種類に応じて２種以上の合金スパッタリングターゲットを、順次スパッタリングすることによって形成した。それぞれのスパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。記録層１０４を構成する層はいずれも、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて、投入パワー５０Ｗで形成した。
情報記録媒体１５の情報層１６の記録層１０４を形成する記録部の積層構造と、情報層１６の記録感度、及び消去率の評価結果を（表６）に示す。記録層１０４は、左端に記載している組成の層が第１界面層１０３側にあり、順次積層されて、右端に記載している組成の層が第２誘電体層１０６側にあるように形成した。記録感度については、８ｍＷ未満を「Ａ」、８ｍＷ以上９ｍＷ未満を「Ｂ」、９ｍＷ以上を「Ｃ」とした。消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。
Figure 0004996607
この結果、Ｓｂを含む層、Ｍ１を含む層（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２を含む層（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、Ｓｂ−Ｍ２を含む層、Ｍ１−Ｍ２を含む層、及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２を含む層から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる積層構造を有する記録部として記録層１０４を形成した、サンプル６−１から６−２３は、試験１と同様に記録感度と消去性能がともに良好であることがわかった。この中でも特に、Ｓｂ−Ｍ１を含む層がＣを５０原子％以下の割合で含み、Ｓｂ−Ｍ２を含む層がＧｅ及びＴｅから選ばれる少なくとも一つの元素を３０原子％以下の割合で含むサンプル６−１４から６−２３は、他のサンプルより消去性能が良好であった。
また、記録部を形成する層を、Ｓｂ、Ｍ１およびＭ２に加えて、他の元素を含む組成となるように形成した。具体的には、他の元素は、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素とした。当該他の元素の割合は、全体の１原子％〜５原子％とした。そのような記録層を含む情報記録媒体を、同様に評価した。いずれも、同様の結果が得られた。
（試験１３）
試験１３では、第１記録層２０４を少なくとも２種以上の層を積層してなる積層構造を有する記録部として形成した、図３の情報記録媒体２４を作製し、第１記録層２０４の積層構造と、第１情報層２３の記録感度、及び消去性能との関係を調べた。本試験では、記録部の組成および／または構造が異なるサンプル７−１から７−２０を作製した。
第１記録層２０４以外の層の形成方法は、試験３の各層の形成方法と同様である。第１記録層２０４を構成する積層構造を有する記録部は、積層する層の種類に応じて２種以上の合金スパッタリングターゲットを、順次スパッタリングすることによって形成した。それぞれのスパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。第１記録層２０４を構成する各層は、いずれも、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて投入パワー５０Ｗで形成した。
情報記録媒体２４の第１情報層２３の第１記録層２０４を形成する記録部の積層構造と、第１情報層２３の記録感度、及び消去率の評価結果を（表７）に示す。第１記録層２０４は、左端に記載している組成の層が第３界面層２０３側にあり、順次積層されて、右端に記載している組成の層が第４誘電体層２０６側にあるように形成した。また、記録感度については、１６ｍＷ未満を「Ａ」、１６ｍＷ以上１８ｍＷ未満を「Ｂ」、１８ｍＷ以上を「Ｃ」とした。また、消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。
Figure 0004996607
この結果、Ｓｂを含む層、Ｍ１を含む層（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２を含む層（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、Ｓｂ−Ｍ２を含む層、Ｍ１−Ｍ２を含む層、及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２を含む層から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる積層構造を有する記録部として第１記録層２０４を形成した、サンプル７−１から７−２０は、試験３と同様に記録感度と消去性能がともに良好であることがわかった。この中でも特に、Ｓｂ−Ｍ１を含む層がＣを５０原子％以下の割合で含み、Ｍ２を含む層がＴｅを４０原子％以上の割合で含むサンプル７−１４から７−２０では、他のサンプルより信号強度が良好であった。
（試験１４）
試験１４では、第１記録層４０４を少なくとも２種以上の層を積層してなる積層構造を有する記録部として形成した、図４の情報記録媒体３０を作製し、第１記録層４０４の積層構造と、第１情報層２６の記録感度、及び消去性能との関係を調べた。本試験では、記録部の組成および／または構造が異なるサンプル８−１から８−１３を作製した。
第１記録層４０４以外の層の形成方法は、試験４の各層の形成方法と同様である。第１記録層４０４を形成する積層構造を有する記録部は、積層する層の種類に応じて２種以上の合金スパッタリングターゲットを、順次スパッタリングすることによって形成した。それぞれのスパッタリングターゲットの形状は、いずれも直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。第１記録層２０４を構成する各層はいずれも、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとして、直流（ＤＣ）電源を用いて投入パワー５０Ｗで形成した。
情報記録媒体３０の第１情報層２６の第１記録層４０４を形成する記録部の積層構造と、第１情報層２６の記録感度、及び消去率の評価結果を（表８）に示す。第１記録層４０４は、左端に記載している組成の層が第７界面層４０３側にあり、順次積層されて、右端に記載している組成の層が第８誘電体層４０６側にあるように形成した。また、記録感度については、３２ｍＷ未満を「Ａ」、３２ｍＷ以上３６ｍＷ未満を「Ｂ」、３６ｍＷ以上を「Ｃ」とした。また、消去性能については、消去率が２５ｄＢ以上を「Ａ」、２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満を「Ｂ」、２０ｄＢ未満を「Ｃ」とした。
Figure 0004996607
この結果、Ｓｂを含む層、Ｍ１を含む層（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２を含む層（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、Ｓｂ−Ｍ２を含む層、Ｍ１−Ｍ２を含む層、及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２を含む層から選ばれる少なくとも２種以上の層を積層してなる積層構造を有する記録部として第１記録層４０４を形成した、サンプル８−１から８−１３は、試験４と同様に記録感度と消去性能がともに良好であることがわかった。
（試験１５）
試験１から試験１４において、第１界面層１０３、第２界面層、第１界面層３０３、第１記録層１０４と第２誘電体層１０６との間の第２界面層、第３界面層２０３、第１記録層２０４と第４誘電体層２０６との間の第４界面層、第１界面層７０３、第４記録層７０４と第２誘電体層７０６の間の第２界面層、第３界面層６０３、第３記録層６０４と第４誘電体層６０６との間の第４界面層、第５界面層５０３、第２記録層５０４と第６誘電体層５０６との間の第６界面層、第７界面層４０３、または第１記録層４０４と第８誘電体層４０６との間の第８界面層を、さらにＨｆ、Ｙ、及びＧａから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を含む材料を用いて形成したところ、同様の結果が得られた。また、上記界面層を、他の酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、および弗化物から選ばれる１または複数の化合物を用いて形成した場合においても、同様の結果が得られた。
（試験１６）
試験１６では、図１０の電気的情報記録媒体５１において、第２記録層４９が無い場合の電気的情報記録媒体５１を製造し、その電流の印加による相変化を確認した。基板４６として、表面を窒化処理したＳｉ基板を準備し、その上に下部電極４７としてＰｔから成る、面積６μｍ×６μｍで厚さ０．１μｍの層を形成し、第１誘電体層８０１として、（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25から成り、面積４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍの層をスパッタリング法により形成した。さらに、第１記録層４８として、Ｓｂ90Ｃ10から成り、面積５μｍ×５μｍで厚さ０．０５μｍの層を形成し、第２誘電体層８０２として、（ＳｉＯ2）25（Ｉｎ2Ｏ3）50（ＺｒＯ2）25から成り、面積４．５μｍ×５μｍで厚さ０．０１μｍの層を形成し、上部電極５０として、Ｐｔから成り、面積５μｍ×５μｍで厚さ０．１μｍの層をスパッタリング法により形成した。
第１誘電体層８０１、及び第２誘電体層８０２は絶縁体である。従って、第１記録層４８に電流を流すため、第１誘電体層８０１、及び第２誘電体層８０２を第１記録層４８より小さい面積で形成し、下部電極４７および上部電極５０が、第１記録層４８とそれぞれ接する部分を設けている。
その後、下部電極４７、及び上部電極５０に、Ａｕリード線をボンディングし、印加部５２を介して電気的情報記録再生装置５７を電気的情報記録媒体５１に接続した。この電気的情報記録再生装置５７により、下部電極４７と上部電極５０の間には、パルス電源５５がスイッチ５４を介して接続される。さらに、第１記録層４８の相変化による抵抗値の変化が、下部電極４７と上部電極５０の間にスイッチ５６を介して接続された抵抗測定器５３によって検出される。
第１記録層４８が非晶質相のとき、下部電極４７と上部電極５０の間に、図１３の記録波形９０１において、Ｉc1＝５ｍＡ、ｔc1＝５０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４８が非晶質相から結晶相に転移した。また、第１記録層４８が結晶相のとき、下部電極４７と上部電極５０の間に、図１３の消去波形９０６において、Ｉa1＝１０ｍＡ、ｔa1＝１０ｎｓの電流パルスを印加したところ、第１記録層４８が結晶相から非晶質相に転移した。
また、電気的相変化形情報記録媒体５１の繰り返し書き換え回数を測定したところ、第１誘電体層８０１、及び第２誘電体層８０２が無い場合に比べて、１０倍以上、向上できることがわかった。これは、第１誘電体層８０１、及び第２誘電体層８０２が、第１記録層４８への下部電極４７及び上部電極５０からの物質移動を抑制しているためである。
なお、第１記録層４８を、Ｓｂ90Ｃ10以外のＳｂ−Ｍ１系材料（但し、Ｍ１はＺｎ、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１−Ｍ２系材料（但し、Ｍ２はＧａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、及び上記の材料にさらにＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含む材料を用いて形成したときにも、同様の結果が得られた。
また、第１記録層４８を、Ｓｂを含む層、Ｍ１を含む層、Ｍ２を含む層、Ｓｂ−Ｍ１を含む層、Ｓｂ−Ｍ２を含む層、Ｍ１−Ｍ２を含む層、Ｓｂ−Ｍ１−Ｍ２を含む層、及びこれらの層にＢ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素がさらに含まれる層から選ばれる、少なくとも２種以上の層を積層してなる積層構造を有する記録部として形成したときにも、同様の結果が得られた。
（試験１７）
試験１７では、記録層を形成するためのスパッタリングターゲットの組成と、スパッタリング法により形成された膜の組成との関係を調べた。具体的には、組成の異なる５種類のスパッタリングターゲットを用意し、これをスパッタリングして形成した膜（サンプル１７−１からサンプル１７−５）の組成を測定した。
サンプルは次のようにして製造した。まず、基板として、Ｓｉ基板またはＣ基板を用意した。その基板の表面に、５種類のターゲットをそれぞれ用いて、スパッタリング法により、厚さ１０００ｎｍの膜を形成した。成膜は、下記表９に示す組成を有するスパッタリングターゲットを、成膜装置に取り付けて実施した。スパッタリングターゲットは、直径１００ｍｍ、厚さ６ｍｍの円盤形であった。成膜は、Ａｒガス雰囲気で、圧力を０．２Ｐａとし、直流（ＤＣ電源）を用いて、投入パワー１００Ｗで実施した。得られたサンプルの膜の組成を、Ｘ線マイクロアナライザを用いて、測定した。その結果を表９に示す。
Figure 0004996607
表９に示す結果より、Ｓｂ−Ｍ１またはＳｂ−Ｍ１−Ｍ２のスパッタリングターゲットと、そのターゲットを用いて形成された膜の組成との関係が明らかになった。具体的には、Ｓｂはスパッタリング率が高く、スパッタされやすいことが分かった。スパッタリングターゲットの組成と形成される膜の組成とは、スパッタリングターゲットの形状、成膜装置、およびターゲットと基板との間の距離によっても変化することがある。それらを考慮して、所望の組成の膜が得られるように、各元素の補正係数を定めて、スパッタリングターゲットの組成を決定することができる。
本発明の情報記録媒体は、記録した情報を長時間保持できる性質（不揮発性）を有し、高密度の書き換え型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ（ＢＤ−ＲＥ）、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、＋ＲＷ等）、追記型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ（ＢＤ−Ｒ）、ＤＶＤ−Ｒ等）、及び再生専用型（例えば、Ｂｌｕ−ｒａｙ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ（ＢＤ−ＲＯＭ）、ＤＶＤ−ＲＯＭ等）の光ディスク等として有用である。また電気的不揮発性メモリ等としても有用である。
図１は、本発明の１層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図２は、本発明のＮ層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図３は、本発明の２層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図４は、本発明の４層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図５は、本発明の１層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図６は、本発明のＮ層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図７は、本発明の２層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図８は、本発明の４層の情報層を有する情報記録媒体の層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。 図９は、本発明の情報記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の構成の一部を模式的に示す。 図１０は、本発明の情報記録媒体、及び電気的情報記録再生装置の構成の一部を模式的に示す。 図１１は、本発明の大容量の電気的情報記録媒体の構成の一部を模式的に示す。 図１２は、本発明の電気的情報記録媒体とその記録再生システムの構成の一部を模式的に示す。 図１３は、本発明の電気的情報記録媒体に適用される記録・消去パルス波形の一例を示す。 図１４は、本発明の情報記録媒体を製造するスパッタリング装置の一部を模式的に示す。 図１５は、４．７ＧＢ／ＤＶＤ−ＲＡＭの層構成の一例を模式的に示す一部断面図である。
１，１４，３１，３６，４６ 基板
２，１０２，３０２，７０２，８０１ 第１誘電体層
３，１０３，３０３，７０３ 第１界面層
４，１０４ 記録層
５ 第２界面層
６，１０６，３０６，７０６，８０２ 第２誘電体層
７ 光吸収補正層
８，１０８ 反射層
９，３２，３５ 接着層
１０，３３ ダミー基板
１１ レーザビーム
１２，１５，２２，２４，３０，３４，３７，３８，３９，４４ 情報記録媒体
１３ 透明層
１６，１８，２１ 情報層
１７，１９，２０ 光学分離層
２３，２６ 第１情報層
２５，２７ 第２情報層
２８ 第３情報層
２９ 第４情報層
４０ スピンドルモータ
４１ 対物レンズ
４２ 半導体レーザ
４３ 光学ヘッド
４５ 記録再生装置
４７ 下部電極
４８，２０４，４０４ 第１記録層
４９，３０４，５０４ 第２記録層
５０ 上部電極
５１，５８ 電気的情報記録媒体
５２ 印加部
５３，６６ 抵抗測定器
５４，５６ スイッチ
５５，６５ パルス電源
５７ 電気的情報記録再生装置
５９ ワード線
６０ ビット線
６１ メモリセル
６２ アドレス指定回路
６３ 記憶装置
６４ 外部回路
６７ 真空容器
６８ 排気口
６９ ガス供給口
７０ 陽極
７１ 基板
７２ スパッタリングターゲット
７３ 陰極
７４ 電源
２０２，６０２ 第３誘電体層
２０３，６０３ 第３界面層
２０６，６０６ 第４誘電体層
２０８，４０８ 第１反射層
２０９ 透過率調整層
３０８，５０８ 第２反射層
４０２ 第７誘電体層
４０３ 第７界面層
４０６ 第８誘電体層
４０９ 第１透過率調整層
５０２ 第５誘電体層
５０３ 第５界面層
５０６ 第６誘電体層
５０９ 第２透過率調整層
６０４ 第３記録層
６０８ 第３反射層
６０９ 第３透過率調整層
７０４ 第４記録層
７０８ 第４反射層
９０１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０８，９０９ 記録波形
９０６，９０７ 消去波形

Claims (24)

  1. 光の照射または電気的エネルギーの印加によって情報を記録し得る情報記録媒体（ただし、貴金属の酸化物を主成分とする貴金属酸化物層を含むものを除く）であって、
    相変化を生じ得る記録層（Ａｕ、Ｇａ、Ｉｎ、ＺｒまたはＭｇを含むものを除く）を少なくとも有し、
    前記記録層が、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、Ｓｉを含む場合にはＴｅを含まない、
    情報記録媒体。
  2. 前記記録層が、下記の式（１）：
    Ｓｂ100-a1Ｍ１a1（原子％） （１）
    （但し、Ｍ１は、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ１は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ１≦５０を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
  3. 前記記録層が、下記の式（３）：
    Ｓｂ100-a3Ｓｉa3（原子％） （３）
    （但し、ａ３は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ３≦３０を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
  4. 前記記録層が、下記の式（４）：
    Ｓｂ100-a4Ｃa4（原子％） （４）
    （但し、ａ４は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ４≦５０を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
  5. 前記記録層が、下記の式（５）：
    Ｓｂ100-a5（ＳｉＣ）a5（ｍｏｌ％） （５）
    （但し、ａ５は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ５≦３０を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
  6. 前記記録層がさらにＧｅ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含む請求項１に記載の情報記録媒体。
  7. 前記記録層が、下記の式（６）：
    Ｓｂ100-a6-b6Ｍ１a6Ｍ２b6（原子％） （６）
    （但し、Ｍ１は、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ｍ２は、Ｇｅ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ６及びｂ６は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ６≦５０、０＜ｂ６≦１５を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項６に記載の情報記録媒体。
  8. 前記記録層がさらにＢ、Ａｌ、Ｓ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも一つの元素を含む請求項１から７のいずれかに記載の情報記録媒体。
  9. 前記記録層の厚さが１５ｎｍ以下である請求項１から８のいずれかに記載の情報記録媒体。
  10. 前記記録層の厚さが３ｎｍ以下である請求項１から８のいずれかに記載の情報記録媒体。
  11. Ｎ１個（但し、Ｎ１は２以上の整数。）の情報層を含む情報記録媒体において、前記情報層の少なくとも一つが前記記録層を含む請求項１から１０のいずれかに記載の情報記録媒体。
  12. Ｎ１＝２である請求項１１に記載の情報記録媒体。
  13. Ｎ１＝３又は４である請求項１１に記載の情報記録媒体。
  14. 前記記録層の少なくとも一方の面と接して配置されている界面層をさらに有する請求項１から１３のいずれかに記載の情報記録媒体。
  15. 前記界面層が、酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、及び弗化物より選ばれる少なくとも一つの化合物を含む請求項１４に記載の情報記録媒体。
  16. 前記界面層が、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ及びＳｉから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｇａ、Ｉｎ及びＣｒから選ばれる少なくとも一つの元素と、Ｏとを含む請求項１４に記載の情報記録媒体。
  17. 反射層をさらに有する請求項１から１３のいずれかに記載の情報記録媒体。
  18. 前記反射層が、主としてＡｇを含む請求項１７に記載の情報記録媒体。
  19. 前記反射層の厚さが２０ｎｍ以下である請求項１７または１８に記載の情報記録媒体。
  20. 前記反射層の厚さが５ｎｍ以下である請求項１７または１８に記載の情報記録媒体。
  21. Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、Ｓｉを含む場合にはＴｅを含まない記録層（Ａｕ、Ｇａ、Ｉｎ、ＺｒまたはＭｇを含むものを除く）を形成する工程を少なくとも含む情報記録媒体（ただし、貴金属の酸化物を主成分とする貴金属酸化物層を含むものを除く）の製造方法であって、
    前記記録層を形成する工程が、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを含むスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを含む、情報記録媒体の製造方法。
  22. Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、Ｓｉを含む場合にはＴｅを含まない記録層（Ａｕ、Ｇａ、Ｉｎ、ＺｒまたはＭｇを含むものを除く）を形成する工程を少なくとも含む情報記録媒体（ただし、貴金属の酸化物を主成分とする貴金属酸化物層を含むものを除く）の製造方法であって、
    前記記録層を形成する工程が、Ｓｂ、Ｍ１（但し、Ｍ１はＳｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｍ２（但し、Ｍ２はＧｅ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｔｅ及びＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素）、Ｓｂ−Ｍ１、Ｓｂ−Ｍ２、Ｍ１−Ｍ２及びＳｂ−Ｍ１−Ｍ２で表されるスパッタリングターゲットから選ばれる少なくとも２個以上のスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングすることを含む、情報記録媒体の製造方法。
  23. Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素とＳｂとを合わせて８５原子％以上含み、Ｓｉを含む場合には、Ｔｅを含まない、スパッタリングターゲット（Ａｕ、Ｇａ、Ｉｎ、ＺｒまたはＭｇを含むものを除く）。
  24. 式（１）：
    Ｓｂ100-a1Ｍ１a1（原子％） （１）
    （但し、Ｍ１はＳｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、ａ１は、原子％で示される組成比を表し、０＜ａ１≦５０を満たす。）
    で表される材料を含む膜（Ａｕ、Ｇａ、Ｉｎ、ＺｒまたはＭｇを含むものを除く）を製造するためのものであり、式（１０）
    Ｓｂ100-A1Ｍ１A1（原子％） （１０）
    （但し、Ｍ１は、Ｓｉ及びＣから選ばれる少なくとも一つの元素であり、Ａ１は、原子％で示される組成比を表し、ａ１＜Ａ１≦（ａ１＋３）を満たす。）
    で表される材料を含む、請求項２３に記載のスパッタリングターゲット。
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