JP2003140315A - スパッタリングターゲット、ハーフトーン型位相シフトマスク及びブランク - Google Patents
スパッタリングターゲット、ハーフトーン型位相シフトマスク及びブランクInfo
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- JP2003140315A JP2003140315A JP2001337761A JP2001337761A JP2003140315A JP 2003140315 A JP2003140315 A JP 2003140315A JP 2001337761 A JP2001337761 A JP 2001337761A JP 2001337761 A JP2001337761 A JP 2001337761A JP 2003140315 A JP2003140315 A JP 2003140315A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ハーフトーン型位相シフトマスク及びブランク
の製造に用いるスパッタリングターゲットであって成膜
時にパーティクル欠陥を発生させることのないスパッタ
リングターゲットを提供すること。 【解決手段】スパッタリングターゲットが２種類以上の
元素から構成される合金であって、該合金が該元素の化
合物でない合金であること。該合金が共晶合金であるこ
と。該２種類以上の元素の１種がＳｉであること。上記
スパッタリングターゲットを用いてハーフトーン型位相
シフトマスク、及びブランクを製造すること。
の製造に用いるスパッタリングターゲットであって成膜
時にパーティクル欠陥を発生させることのないスパッタ
リングターゲットを提供すること。 【解決手段】スパッタリングターゲットが２種類以上の
元素から構成される合金であって、該合金が該元素の化
合物でない合金であること。該合金が共晶合金であるこ
と。該２種類以上の元素の１種がＳｉであること。上記
スパッタリングターゲットを用いてハーフトーン型位相
シフトマスク、及びブランクを製造すること。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜作製時に用い
られるスパッタリングターゲットに関するものであり、
特に、フォトマスク及びフォトマスクブランクの製造に
用いるスパッタリングターゲット、それを用いて製造さ
れたハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランクに
関する。
られるスパッタリングターゲットに関するものであり、
特に、フォトマスク及びフォトマスクブランクの製造に
用いるスパッタリングターゲット、それを用いて製造さ
れたハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランクに
関する。
【０００２】
【従来の技術】位相シフト法は、シリコンウエハ上にパ
ターンを転写する際に解像度を向上させる技術の１つで
あり、開発が盛んに行われている。その原理は、マスク
上の隣接する開口部パターンを通過する透過光の位相が
１８０度ずれるように位相シフト部を設けることによ
り、透過光が回折し干渉し合う際に境界部の光強度を弱
め、その結果として転写パターンの解像度を向上させる
ものである。これにより、通常のフォトマスクに比べて
微細パターンの解像度を飛躍的に向上させる効果、及び
焦点深度を向上の効果を持つ。
ターンを転写する際に解像度を向上させる技術の１つで
あり、開発が盛んに行われている。その原理は、マスク
上の隣接する開口部パターンを通過する透過光の位相が
１８０度ずれるように位相シフト部を設けることによ
り、透過光が回折し干渉し合う際に境界部の光強度を弱
め、その結果として転写パターンの解像度を向上させる
ものである。これにより、通常のフォトマスクに比べて
微細パターンの解像度を飛躍的に向上させる効果、及び
焦点深度を向上の効果を持つ。
【０００３】上記のような位相シフト法は、ＩＢＭの
Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎらによって提唱され特開昭５
８−１７３７４４号公報に記載されており、レベンソン
型やハーフトーン型などが公知となっている。特にハー
フトーン型位相シフトマスクは、半透明性膜に透過光の
位相反転作用、及びパターン内部でレジストの感度以下
での遮光性の役割を持たせる事により透過光強度のエッ
ジ形状を急峻にして解像性や焦点深度特性を向上させ、
マスクパターンを忠実にウエハ上に転写する効果を有し
たものである。
Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎらによって提唱され特開昭５
８−１７３７４４号公報に記載されており、レベンソン
型やハーフトーン型などが公知となっている。特にハー
フトーン型位相シフトマスクは、半透明性膜に透過光の
位相反転作用、及びパターン内部でレジストの感度以下
での遮光性の役割を持たせる事により透過光強度のエッ
ジ形状を急峻にして解像性や焦点深度特性を向上させ、
マスクパターンを忠実にウエハ上に転写する効果を有し
たものである。
【０００４】このようなハーフトーン型位相シフトマス
ク用ブランクの膜材料として、特開平１１−１５１３２
号公報や特開平９−２７４４２９号公報では分光特性な
ど優れた点を有する、ＺｒやＺｒＳｉの化合物を使用し
たものが提案されている。また、他にも化合物系のフォ
トマスク（ハーフトーン型位相シフトマスク）の膜材料
として、金属とＳｉとの合金（金属シリサイド）膜が提
案されている。
ク用ブランクの膜材料として、特開平１１−１５１３２
号公報や特開平９−２７４４２９号公報では分光特性な
ど優れた点を有する、ＺｒやＺｒＳｉの化合物を使用し
たものが提案されている。また、他にも化合物系のフォ
トマスク（ハーフトーン型位相シフトマスク）の膜材料
として、金属とＳｉとの合金（金属シリサイド）膜が提
案されている。
【０００５】半導体の微細化は、マスクパターンをウエ
ハ上に転写する縮小投影露光装置（ステッパー）の短波
長化技術等の進展により年々進んでいる。例えば、露光
光源においてはｉ線からＫｒＦエキシマレーザー、Ａｒ
Ｆエキシマレーザーといった紫外光領域光へと移行して
いる。
ハ上に転写する縮小投影露光装置（ステッパー）の短波
長化技術等の進展により年々進んでいる。例えば、露光
光源においてはｉ線からＫｒＦエキシマレーザー、Ａｒ
Ｆエキシマレーザーといった紫外光領域光へと移行して
いる。
【０００６】このような半導体の微細化に伴い、フォト
マスク上のパターン寸法も微細化され、現在のようにマ
スクパターン寸法がサブミクロン以下のオーダーとなっ
てくると、フォトマスク上の異物欠陥やピンホール欠陥
は回路動作の上で致命的なものとなるため、フォトマス
ク上に発生する異物欠陥やピンホール欠陥の低減が重要
な課題となっている。また、マスクパターンの微細化に
伴い欠陥に対する要求は更に厳しくなっている。
マスク上のパターン寸法も微細化され、現在のようにマ
スクパターン寸法がサブミクロン以下のオーダーとなっ
てくると、フォトマスク上の異物欠陥やピンホール欠陥
は回路動作の上で致命的なものとなるため、フォトマス
ク上に発生する異物欠陥やピンホール欠陥の低減が重要
な課題となっている。また、マスクパターンの微細化に
伴い欠陥に対する要求は更に厳しくなっている。
【０００７】従来、ハーフトーン型位相シフトマスク用
のブランクに用いられる膜材料の内、金属（Ｍｅ）とシ
リコン（Ｓｉ）との化合物で形成されたものの多くは、
金属シリサイド化合物を形成する材料を用いていること
が大部分である。具体的な金属としてはＺｒやＭｏ、
Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等の遷移金属が用いられる場合が多くな
っている。
のブランクに用いられる膜材料の内、金属（Ｍｅ）とシ
リコン（Ｓｉ）との化合物で形成されたものの多くは、
金属シリサイド化合物を形成する材料を用いていること
が大部分である。具体的な金属としてはＺｒやＭｏ、
Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等の遷移金属が用いられる場合が多くな
っている。
【０００８】しかしながら、このような金属シリサイド
化合物（ＭｅＳｉ）を形成する元素を主体とするスパッ
タリングターゲットから成膜を行った場合にはいくつか
の問題点が生じてくる。第１には、スパッタリングター
ゲット原料の混合時から金属シリサイド化合物（ＭｅＳ
ｉ）の化学量論比に基づいてスパッタリングターゲット
作製を行った場合でも、スパッタリングターゲット全体
を単一の量論比化合物で作製する事はきわめて困難であ
り、その中には様々な量論比の化合物が存在する事にな
る。例えば、ＺｒＳｉ２ ターゲットの中には、Ｚｒ、
Ｓｉや、ＺｒＳｉ、ＺｒＳｉ２ 等の化合物が局所的に
存在する。更には、ハーフトーン型位相シフトマスクの
透過率調整等の目的で金属元素やＳｉ元素の含有量を調
整して化学量論比以外の組成比でスパッタリングターゲ
ットを作製した場合には、スパッタリングターゲット中
のこのような状態はより顕著になる。
化合物（ＭｅＳｉ）を形成する元素を主体とするスパッ
タリングターゲットから成膜を行った場合にはいくつか
の問題点が生じてくる。第１には、スパッタリングター
ゲット原料の混合時から金属シリサイド化合物（ＭｅＳ
ｉ）の化学量論比に基づいてスパッタリングターゲット
作製を行った場合でも、スパッタリングターゲット全体
を単一の量論比化合物で作製する事はきわめて困難であ
り、その中には様々な量論比の化合物が存在する事にな
る。例えば、ＺｒＳｉ２ ターゲットの中には、Ｚｒ、
Ｓｉや、ＺｒＳｉ、ＺｒＳｉ２ 等の化合物が局所的に
存在する。更には、ハーフトーン型位相シフトマスクの
透過率調整等の目的で金属元素やＳｉ元素の含有量を調
整して化学量論比以外の組成比でスパッタリングターゲ
ットを作製した場合には、スパッタリングターゲット中
のこのような状態はより顕著になる。
【０００９】第２には、例えば、金属シリサイド化合物
（ＭｅＳｉ）でスパッタリングターゲットを作製した場
合には、その製造段階でＭｅＳｉが粒径成長を引き起こ
す場合があり、この結果、スパッタリングターゲット中
におけるＭｅＳｉ粒の粒径は大きくなってしまう。
（ＭｅＳｉ）でスパッタリングターゲットを作製した場
合には、その製造段階でＭｅＳｉが粒径成長を引き起こ
す場合があり、この結果、スパッタリングターゲット中
におけるＭｅＳｉ粒の粒径は大きくなってしまう。
【００１０】このように、スパッタリングターゲットが
単一の化合物でなく、様々な化合物が局所的に存在した
り、ＭｅＳｉ粒の粒径が大きくなると、スパッタリング
ターゲットの表面が粗くなり、成膜時にパーティクル欠
陥を発生させてしまう大きな要因となる。
単一の化合物でなく、様々な化合物が局所的に存在した
り、ＭｅＳｉ粒の粒径が大きくなると、スパッタリング
ターゲットの表面が粗くなり、成膜時にパーティクル欠
陥を発生させてしまう大きな要因となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決するためになされたものであり、ハーフトーン型位
相シフトマスク及びブランクの製造に用いるスパッタリ
ングターゲットにおいて、スパッタリングターゲット
に、様々な化合物が局所的に存在したり、ＭｅＳｉ粒の
粒径が大きくなることのない、すなわち、スパッタリン
グターゲットの表面が粗くなり、成膜時にパーティクル
欠陥を発生させることのないスパッタリングターゲット
を提供することを課題とするものである。また、上記ス
パッタリングターゲットを用いて製造したハーフトーン
型位相シフトマスク及びブランクを提供することを課題
とする。
解決するためになされたものであり、ハーフトーン型位
相シフトマスク及びブランクの製造に用いるスパッタリ
ングターゲットにおいて、スパッタリングターゲット
に、様々な化合物が局所的に存在したり、ＭｅＳｉ粒の
粒径が大きくなることのない、すなわち、スパッタリン
グターゲットの表面が粗くなり、成膜時にパーティクル
欠陥を発生させることのないスパッタリングターゲット
を提供することを課題とするものである。また、上記ス
パッタリングターゲットを用いて製造したハーフトーン
型位相シフトマスク及びブランクを提供することを課題
とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス基板上
に露光光に対して透明な領域と、露光光の位相及び透過
率を制御する半透明膜領域を設けたハーフトーン型位相
シフトマスク、及びブランクを製造する際に用いるスパ
ッタリングターゲット於いて、スパッタリングターゲッ
トが２種類以上の元素から構成される合金であって、該
合金が該元素の化合物でない合金であることを特徴とす
るスパッタリングターゲットである。
に露光光に対して透明な領域と、露光光の位相及び透過
率を制御する半透明膜領域を設けたハーフトーン型位相
シフトマスク、及びブランクを製造する際に用いるスパ
ッタリングターゲット於いて、スパッタリングターゲッ
トが２種類以上の元素から構成される合金であって、該
合金が該元素の化合物でない合金であることを特徴とす
るスパッタリングターゲットである。
【００１３】また、本発明は、上記発明によるスパッタ
リングターゲットにおいて、前記合金が共晶合金である
ことを特徴とするスパッタリングターゲットである。
リングターゲットにおいて、前記合金が共晶合金である
ことを特徴とするスパッタリングターゲットである。
【００１４】また、本発明は、上記発明によるスパッタ
リングターゲットにおいて、前記２種類以上の元素の１
種がＳｉであることを特徴とするスパッタリングターゲ
ットである。
リングターゲットにおいて、前記２種類以上の元素の１
種がＳｉであることを特徴とするスパッタリングターゲ
ットである。
【００１５】また、本発明は、上記発明によるスパッタ
リングターゲットにおいて、前記２種類以上の元素の第
１種がＳｉであり、第２種がＢｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉのいずれかであることを特徴とするスパッタリ
ングターゲットである。
リングターゲットにおいて、前記２種類以上の元素の第
１種がＳｉであり、第２種がＢｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐ
ｂ、Ｂｉのいずれかであることを特徴とするスパッタリ
ングターゲットである。
【００１６】また、本発明は、上記発明によるスパッタ
リングターゲットを用いて製造したことを特徴とするハ
ーフトーン型位相シフトマスクである。
リングターゲットを用いて製造したことを特徴とするハ
ーフトーン型位相シフトマスクである。
【００１７】また、本発明は、上記発明によるスパッタ
リングターゲットを用いて製造したことを特徴とするブ
ランクである。
リングターゲットを用いて製造したことを特徴とするブ
ランクである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。発明によるスパッタリングターゲットは、
スパッタリングターゲットが２種類以上の元素から構成
される合金であり、この合金が２種類以上の元素の化合
物でない合金、すなわち、２種類以上の元素の固溶体の
合金、或いは混合物の合金である。固溶体、或いは混合
物の合金であることにより、様々な化合物が局所的に存
在したり、化合物の粒径が大きくなることがない。従っ
て、スパッタリングターゲットの表面が粗くならず、成
膜時にパーティクル欠陥を発生させることのないものと
なる。２種類以上の元素としては、元素が互いに化合物
とならない元素であることが好ましい。
に説明する。発明によるスパッタリングターゲットは、
スパッタリングターゲットが２種類以上の元素から構成
される合金であり、この合金が２種類以上の元素の化合
物でない合金、すなわち、２種類以上の元素の固溶体の
合金、或いは混合物の合金である。固溶体、或いは混合
物の合金であることにより、様々な化合物が局所的に存
在したり、化合物の粒径が大きくなることがない。従っ
て、スパッタリングターゲットの表面が粗くならず、成
膜時にパーティクル欠陥を発生させることのないものと
なる。２種類以上の元素としては、元素が互いに化合物
とならない元素であることが好ましい。
【００１９】本発明によるスパッタリングターゲットを
用いて成膜される膜は、バイナリーマスクに於ける遮光
膜、ハーフトーン型位相シフトマスクに於ける半透明シ
フター膜や遮光膜、レベンソン型位相シフトマスクに於
けるシフター膜や遮光膜などフォトマスクを構成する膜
として好適なものである。尚、本発明においては、スパ
ッタリングターゲット作製のための原料粉やスパッタリ
ングターゲット作製工程中で含まれてくる不純物として
の元素については対象から除外する。
用いて成膜される膜は、バイナリーマスクに於ける遮光
膜、ハーフトーン型位相シフトマスクに於ける半透明シ
フター膜や遮光膜、レベンソン型位相シフトマスクに於
けるシフター膜や遮光膜などフォトマスクを構成する膜
として好適なものである。尚、本発明においては、スパ
ッタリングターゲット作製のための原料粉やスパッタリ
ングターゲット作製工程中で含まれてくる不純物として
の元素については対象から除外する。
【００２０】
【実施例】以下に、本発明によるスパッタリングターゲ
ット、ハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランク
を実施例により説明する。
ット、ハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランク
を実施例により説明する。
【００２１】＜実施例１＞
［スパッタリングターゲットの作製］実施例１は、アル
ミニウムとシリコンによる合金のスパッタリングターゲ
ットである。製造原料としては各々１００メッシュ以下
に調整された粉体を所定の割合で混合し、アルミニウム
粉末とシリコン粉末を所定の割合で混合し、凝集するこ
とのないように十分に分散、混合させ混合粉体を得た。
ここでの混合比は重量比でＡｌ：Ｓｉ＝１：２．５（＝
Ｓｉ／Ａｌ＝２．５）とした。この比率は成膜後のブラ
ンクの膜としての膜特性を鑑みた混合比であるが、他の
混合比でもよい。
ミニウムとシリコンによる合金のスパッタリングターゲ
ットである。製造原料としては各々１００メッシュ以下
に調整された粉体を所定の割合で混合し、アルミニウム
粉末とシリコン粉末を所定の割合で混合し、凝集するこ
とのないように十分に分散、混合させ混合粉体を得た。
ここでの混合比は重量比でＡｌ：Ｓｉ＝１：２．５（＝
Ｓｉ／Ａｌ＝２．５）とした。この比率は成膜後のブラ
ンクの膜としての膜特性を鑑みた混合比であるが、他の
混合比でもよい。
【００２２】次に、上記混合粉体をゴム製容器の中に入
れて密封し所要の液圧にて成形する熱静水圧加圧成形
（ＨＩＰ）によりプレス成形加工を行った。このときの
成形圧力は４．９×１０７ Ｐａ以上の圧力で行った。
また、加熱温度は合金の共晶温度以下とすることが好ま
しい。アルミニウム−シリコンの合金の共晶温度は５７
７℃であるため、本実施例では加熱温度は５５０℃とし
た。尚、成形方法は他の成形方法でも問題はなく、スパ
ッタリングターゲットの厚み・形状等についても任意で
ある。また適宜工程中で還元や焼成等の工程を加えるこ
とも可能である。
れて密封し所要の液圧にて成形する熱静水圧加圧成形
（ＨＩＰ）によりプレス成形加工を行った。このときの
成形圧力は４．９×１０７ Ｐａ以上の圧力で行った。
また、加熱温度は合金の共晶温度以下とすることが好ま
しい。アルミニウム−シリコンの合金の共晶温度は５７
７℃であるため、本実施例では加熱温度は５５０℃とし
た。尚、成形方法は他の成形方法でも問題はなく、スパ
ッタリングターゲットの厚み・形状等についても任意で
ある。また適宜工程中で還元や焼成等の工程を加えるこ
とも可能である。
【００２３】上記製造方法に基づいて得られたスパッタ
リングターゲットは、これら２種類の金属の組み合わせ
による合金が共晶合金であるため、アルミニウムとシリ
コンの間に金属間化合物の形成は起こらず、両者は均一
に混合されている。
リングターゲットは、これら２種類の金属の組み合わせ
による合金が共晶合金であるため、アルミニウムとシリ
コンの間に金属間化合物の形成は起こらず、両者は均一
に混合されている。
【００２４】上記により作製されたスパッタリングター
ゲットを用いてアルゴン、酸素の混合雰囲気中で成膜を
行った結果、ＡｒＦ露光に対応したハーフトーンマス
ク、及びブランクのシフター膜として用いるに十分な光
学定数を有する膜を得ることができた。ブランク成膜時
に生ずる欠陥数においても良好な結果であった。
ゲットを用いてアルゴン、酸素の混合雰囲気中で成膜を
行った結果、ＡｒＦ露光に対応したハーフトーンマス
ク、及びブランクのシフター膜として用いるに十分な光
学定数を有する膜を得ることができた。ブランク成膜時
に生ずる欠陥数においても良好な結果であった。
【００２５】＜実施例２＞
［ハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランクの作
製］実施例１により作製したスパッタリングターゲット
を使用してハーフトーン型位相シフトマスク、及びブラ
ンクの半透明膜層の形成を行った。成膜装置にはマグネ
トロンスパッタリング装置を使用し、成膜ガスにはアル
ゴン（Ａｒ）及び酸素（Ｏ２ ）を使用した。本実施例
では膜の構成は２層膜構成とし、その合成石英基板上の
第１層膜とその上層に設けた第２層膜とでは酸素（Ｏ２
）の流量を変更して成膜を行った。
製］実施例１により作製したスパッタリングターゲット
を使用してハーフトーン型位相シフトマスク、及びブラ
ンクの半透明膜層の形成を行った。成膜装置にはマグネ
トロンスパッタリング装置を使用し、成膜ガスにはアル
ゴン（Ａｒ）及び酸素（Ｏ２ ）を使用した。本実施例
では膜の構成は２層膜構成とし、その合成石英基板上の
第１層膜とその上層に設けた第２層膜とでは酸素（Ｏ２
）の流量を変更して成膜を行った。
【００２６】露光波長である１９３ｎｍに対する透過率
は２０％であり、各層の成膜条件、及び１９３ｎｍに対
する光学定数と膜厚を表１に、分光特性を表２に示す。
は２０％であり、各層の成膜条件、及び１９３ｎｍに対
する光学定数と膜厚を表１に、分光特性を表２に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】次に、得られた位相シフトフォトマスク用
ブランクに電子線レジスト塗布、電子線描画、現像等の
レジストプロセス、及びドライエッチングを行うことに
よりパターンを形成した。ドライエッチング条件は以下
の通りである。ドライエッチング装置にはＲＩＥ装置を
使用し、エッチングガスとしては塩素ガスを使用した。 ・エッチング装置：平行平板型ＲＩＥ装置 ・エッチングガス：塩素ガス ・圧 力：５．０Ｐａ ・電 力：３００Ｗ 尚、エッチングガスはこの他のガスを使った場合でもエ
ッチングは可能である。
ブランクに電子線レジスト塗布、電子線描画、現像等の
レジストプロセス、及びドライエッチングを行うことに
よりパターンを形成した。ドライエッチング条件は以下
の通りである。ドライエッチング装置にはＲＩＥ装置を
使用し、エッチングガスとしては塩素ガスを使用した。 ・エッチング装置：平行平板型ＲＩＥ装置 ・エッチングガス：塩素ガス ・圧 力：５．０Ｐａ ・電 力：３００Ｗ 尚、エッチングガスはこの他のガスを使った場合でもエ
ッチングは可能である。
【００３０】＜比較例１＞
［スパッタリングターゲットの作製］比較例１は、Ｍｏ
とＳｉによる合金のスパッタリングターゲットである。
ＭｏとＳｉの粉体（混合元素比率１：２）を用い、温度
１０００℃以上にて仮焼結を行いシリサイド化合物を形
成させた。この場合のシリサイド化合物はＭｏＳｉ２で
ある。次に、上記シリサイド化合物を再粉砕した後、実
施例１と同様にをＨＩＰによりプレス成形加工を行いス
パッタリングターゲットを作製した。
とＳｉによる合金のスパッタリングターゲットである。
ＭｏとＳｉの粉体（混合元素比率１：２）を用い、温度
１０００℃以上にて仮焼結を行いシリサイド化合物を形
成させた。この場合のシリサイド化合物はＭｏＳｉ２で
ある。次に、上記シリサイド化合物を再粉砕した後、実
施例１と同様にをＨＩＰによりプレス成形加工を行いス
パッタリングターゲットを作製した。
【００３１】スパッタリングターゲットの組成分析を行
ったところ、ＭｏＳｉ２ の単一の金属化合物の他に、
Ｍｏ３ Ｓｉ２ 、Ｍｏ３ Ｓｉ、及びＭｏ、Ｓｉの遊
離部等が観察された。また、スパッタリングターゲット
組織の顕微鏡観察の結果、ＨＩＰ処理時の加熱後に組織
粒度の成長が観察された。このスパッタリングターゲッ
トを用いた成膜後の膜評価では膜欠陥数の増加が確認さ
れた。
ったところ、ＭｏＳｉ２ の単一の金属化合物の他に、
Ｍｏ３ Ｓｉ２ 、Ｍｏ３ Ｓｉ、及びＭｏ、Ｓｉの遊
離部等が観察された。また、スパッタリングターゲット
組織の顕微鏡観察の結果、ＨＩＰ処理時の加熱後に組織
粒度の成長が観察された。このスパッタリングターゲッ
トを用いた成膜後の膜評価では膜欠陥数の増加が確認さ
れた。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、ハーフトーン型位相シフトマ
スク、及びブランクを製造する際に用いるスパッタリン
グターゲット於いて、スパッタリングターゲットが２種
類以上の元素から構成される合金であって、該合金が該
元素の化合物でない合金であるので、様々な化合物が局
所的に存在したり、ＭｅＳｉ粒の粒径が大きくなること
のない、すなわち、スパッタリングターゲットの表面が
粗くなり、成膜時にパーティクル欠陥を発生させること
のないスパッタリングターゲットとなる。
スク、及びブランクを製造する際に用いるスパッタリン
グターゲット於いて、スパッタリングターゲットが２種
類以上の元素から構成される合金であって、該合金が該
元素の化合物でない合金であるので、様々な化合物が局
所的に存在したり、ＭｅＳｉ粒の粒径が大きくなること
のない、すなわち、スパッタリングターゲットの表面が
粗くなり、成膜時にパーティクル欠陥を発生させること
のないスパッタリングターゲットとなる。
【００３３】また、本発明は、上記スパッタリングター
ゲットを用いて製造したハーフトーン型位相シフトマス
クであるので、パーティクル欠陥の発生を減少させたハ
ーフトーン型位相シフトマスクとなる。また、本発明
は、上記スパッタリングターゲットを用いて製造したブ
ランクであるので、パーティクル欠陥の発生を減少させ
たブランクとなる。
ゲットを用いて製造したハーフトーン型位相シフトマス
クであるので、パーティクル欠陥の発生を減少させたハ
ーフトーン型位相シフトマスクとなる。また、本発明
は、上記スパッタリングターゲットを用いて製造したブ
ランクであるので、パーティクル欠陥の発生を減少させ
たブランクとなる。
Claims (6)
- 【請求項１】ガラス基板上に露光光に対して透明な領域
と、露光光の位相及び透過率を制御する半透明膜領域を
設けたハーフトーン型位相シフトマスク、及びブランク
を製造する際に用いるスパッタリングターゲット於い
て、スパッタリングターゲットが２種類以上の元素から
構成される合金であって、該合金が該元素の化合物でな
い合金であることを特徴とするスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項２】前記合金が共晶合金であることを特徴とす
る請求項１記載のスパッタリングターゲット。 - 【請求項３】前記２種類以上の元素の１種がＳｉである
ことを特徴とする請求項１、又は請求項２記載のスパッ
タリングターゲット。 - 【請求項４】前記２種類以上の元素の第１種がＳｉであ
り、第２種がＢｅ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃ
ｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのいず
れかであることを特徴とする請求項３記載のスパッタリ
ングターゲット。 - 【請求項５】請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載
のスパッタリングターゲットを用いて製造したことを特
徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。 - 【請求項６】請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載
のスパッタリングターゲットを用いて製造したことを特
徴とするブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001337761A JP2003140315A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | スパッタリングターゲット、ハーフトーン型位相シフトマスク及びブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001337761A JP2003140315A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | スパッタリングターゲット、ハーフトーン型位相シフトマスク及びブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003140315A true JP2003140315A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19152353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001337761A Pending JP2003140315A (ja) | 2001-11-02 | 2001-11-02 | スパッタリングターゲット、ハーフトーン型位相シフトマスク及びブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003140315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4996607B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法、及びスパッタリングターゲット |
-
2001
- 2001-11-02 JP JP2001337761A patent/JP2003140315A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4996607B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-08-08 | パナソニック株式会社 | 情報記録媒体とその製造方法、及びスパッタリングターゲット |
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