JP4986299B2 - 半導体装置及び半導体装置のタイミング調整方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置のタイミング調整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4986299B2 JP4986299B2 JP2008102221A JP2008102221A JP4986299B2 JP 4986299 B2 JP4986299 B2 JP 4986299B2 JP 2008102221 A JP2008102221 A JP 2008102221A JP 2008102221 A JP2008102221 A JP 2008102221A JP 4986299 B2 JP4986299 B2 JP 4986299B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- delay
- signal
- semiconductor device
- timing
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
- H03K5/131—Digitally controlled
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
- G11C7/1045—Read-write mode select circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2254—Calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K2005/00013—Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
- H03K2005/00078—Fixed delay
- H03K2005/0013—Avoiding variations of delay due to power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K2005/00013—Delay, i.e. output pulse is delayed after input pulse and pulse length of output pulse is dependent on pulse length of input pulse
- H03K2005/0015—Layout of the delay element
- H03K2005/00195—Layout of the delay element using FET's
- H03K2005/00202—Layout of the delay element using FET's using current mirrors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
- Dram (AREA)
Description
抵抗部42−1は、例えば図4(b)に示されるように、主抵抗R0と、補正抵抗R1〜Rp(pは自然数)とを有する。主抵抗R0及び補正抵抗R1〜Rpは、互いに直列に接続されている。主抵抗R0は、抵抗部42−1における抵抗値の主な値を決定する。補正抵抗R1〜Rpは、それぞれトランジスタTrR1〜TrRpと並列で接続されている。トランジスタTrR1〜TrRpのゲートには、それぞれ抵抗制御部41からの制御信号K11〜K1pが入力される。補正抵抗R1〜Rpは、それぞれ制御信号K11〜K1pに基づいて、それぞれトランジスタTrR1〜TrRpにより選択又は非選択となる。その結果、抵抗部42−1の抵抗値を、R0+(トランジスタで選択された抵抗の抵抗値の合計)、のように可変とすることが出来る。
MOSキャパシタは、PMOSトランジスタMP103を有する。このPMOSトランジスタMP103は、ゲートが抵抗部42−1の他端に接続され、ソースとドレインは、このPMOSトランジスタMP103の基板ゲート(Substrate Gate)電位でもある電源電圧VDDに接続されている。
抵抗部42−2は、抵抗制御部41から制御信号K11〜K1pではなく、制御信号K21〜K2pが入力される他は、抵抗部42−1と同じであるのでその説明を省略する。その結果、抵抗部42−2の抵抗値を、R0+(トランジスタで選択された抵抗の抵抗値の合計)、のように可変とすることが出来る。
MOSキャパシタは、MOSトランジスタMN103を有する。このMOSトランジスタMN103は、ゲートが抵抗部42−2の他端に接続されて出力端子OUTに接続され、ソースとドレインは、このNMOSトランジスタNM103の基板ゲート(Substrate Gate)電位でもあるグランド電源GNDに接続されている。
遅延信号生成部23は、遅延部7aから出力される最後のタイミング信号Sを順次遅延させて、複数の遅延信号Tを生成する。ただし、複数の遅延信号Tの生成は複数の遅延ユニット21により行い、複数の遅延ユニット21の出力を複数の遅延信号Tとする。
例えば、ある時刻でタイミング信号T(S3)がLowからHighになった場合、遅延信号T1は遅延ユニット21−1の遅延量だけタイミング信号Tから遅れてLowからHighに変わる。遅延信号T2は遅延ユニット21−2の遅延量だけ遅延信号T1から遅れてLowからHighに変わる。遅延信号T3は遅延ユニット21−3の遅延量だけ遅延信号T2から遅れてLowからHighに変わる。
このとき、ラッチ回路22−1〜22−3が同時にラッチするタイミングにより、(1)遅延信号T1〜T3のいずれもHighに変わっていない場合、(2)遅延信号T1だけがHighに変わっている場合、(3)遅延信号T1、T2がHighに変わっている場合、(4)遅延信号T1〜T3の全てがHighに変わっている場合、が考えられる。
判定回路24は、遅延状態の情報、すなわち上述の例では、上記(1)の場合には遅延信号(T1,T2,T3)=遅延状態(0、0、0)、上記(2)の場合には遅延信号(T1,T2,T3)=遅延状態(1、0、0)、上記(3)の場合には遅延信号(T1,T2,T3)=遅延状態(1、1、0)、上記(4)の場合には遅延信号(T1,T2,T3)=遅延状態(1、1、1)、をプログラム回路6aに出力する。
上述の複数の場合((1)〜(4))が発生するのは、タイミング信号S3(T)のタイミングがばらつくためである。例えば、上記(2)のタイミングが設計上最適であるとする場合、上記(1)の場合にはタイミング信号S3(T)のタイミングが速過ぎであり、上記(3)の場合にはタイミング信号S3(T)のタイミングが遅過ぎであり、上記(4)の場合にはタイミング信号S3(T)のタイミングが(3)の場合よりも更に遅過ぎであると考えることが出来る。
図5に示されるように、制御回路7の遅延部7aに、クロック信号CLKが入力されている。時刻t10においてクロック信号CLKがHigh状態になる(第1クロックC1)ことに応答して、時間Δ11後の時刻t11において、遅延回路11−1から出力されるタイミング信号S1がHigh状態になる。タイミング信号S1のHigh状態は、セルアレイコア3へ伝達され、それに基づいて所定の動作が行われる。
時刻t13においてタイミング信号S3(タイミング信号T)がHigh状態になることに応答して、時間Δa後の時刻ta1において、遅延ユニット21−1から出力される遅延信号T1がHigh状態になる。遅延信号T1のHigh状態は、ラッチ回路22−1へ伝達される。
時刻t23においてタイミング信号S3(タイミング信号T)がHigh状態になることに応答して、時間Δa後の時刻ta2において、遅延ユニット21−1から出力される遅延信号T1がHigh状態になる。遅延信号T1のHigh状態は、ラッチ回路22−1へ伝達される。
時刻t33においてタイミング信号S3(タイミング信号T)がHigh状態になることに応答して、時間Δa後の時刻ta3において、遅延ユニット21−1から出力される遅延信号T1がHigh状態になる。遅延信号T1のHigh状態は、ラッチ回路22−1へ伝達される。
図9において、図4と同一の構成要素には、同一の参照番号が付されている。この遅延回路11aは、図4の遅延回路11に対して、遅延パスとは別にリセット回路を設けたものである。すなわち、図9を参照すると、この遅延回路11aは、PMOSトランジスタMP104と、インバータINV01と、NMOSトランジスタMN104とを更に備えている。PMOSトランジスタMP104は、ソースが電源VDDに接続され、ドレインが抵抗部42−1とMOSキャパシタMP103のゲートとの接続点に接続され、入力信号をゲートに入力する。インバータINV01は、入力信号を入力しその反転信号を出力する。NMOSトランジスタMN104は、ソースがGNDに接続され、ドレインが抵抗部42−2とMOSキャパシタMN103のゲートとの接続点に接続され、インバータINV01の出力信号をゲートに入力する。
図10において、この遅延回路11bは、第1のインバータINV1と、PMOSキャパシタMP203と、NMOSトランジスタMN203と、第2のインバータINV2と、PMOSキャパシタMP204と、NMOSトランジスタNM204とを備えている。PMOSキャパシタMP203は、第1のインバータINV1の出力端に一端が接続された抵抗部42−1の他端と電源VDDとの間に接続されている。NMOSトランジスタMN203は、抵抗部42−1の他端とグランド電源GND間に接続されている。PMOSキャパシタMP204は、たと、第2のインバータINV2の出力端に一端が接続された低後部42−2の他端と電源VDD間に接続されている。NMOSトランジスタNM204は、低後部42−2の他端とグランド電源GND間に接続されている。
3、3−1〜3−n(nは自然数) セルアレイコア
4 周辺回路
5 BIST(Built In Self−Test)回路
5a、5b 遅延判定部
6 プログラム回路
6a 遅延用プログラム回路
7 制御回路
7a 遅延部
8 I/O部
11、11−1〜11−3 遅延回路
20、20a 遅延評価部
21、21−1〜21−3、21−1〜21−m 遅延ユニット
22、22−1〜22−3、22−1〜22−m ラッチ回路
23、23a 遅延信号生成部
24 判定回路
36 メモリセル
31 ワード線駆動回路
32 ビット線プリチャージ駆動回路
33 センスアンプ駆動回路
34 センスアンプ
37 プリチャージ回路
41 抵抗制御部
42−1、42−2 抵抗部
51 セルアレイ
52 ワード線駆動部
53 センスアンプ部
Claims (15)
- 内部設定に基づいて、入力信号を遅延させてタイミング信号として出力する遅延回路と、
前記タイミング信号を遅延させた複数の遅延信号に基づいて、前記複数の遅延信号の各々の遅延状態を判定する遅延判定部と、
前記遅延状態に基づいて、前記内部設定を変更するプログラム部と
を具備する
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記遅延判定部は、
前記タイミング信号を順次遅延させて、前記複数の遅延信号を生成する遅延信号生成部と、
前記複数の遅延信号に基づいて、前記複数の遅延信号の各々の遅延状態を判定する遅延評価部と
を備える
半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記遅延信号生成部は、
n個(nは自然数)の遅延ユニットを含み、
1番目の遅延ユニットは、前記タイミング信号を遅延させた第1遅延信号を生成し、
第i番目(iは2≦i≦nを満たす整数)の遅延ユニットは、第遅延信号を遅延させた第i遅延信号を生成する
半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置において、
前記遅延評価部は、
所定のタイミングにおける前記n個(nは自然数)の遅延ユニットの各々の出力の状態を前記遅延状態として判定する
半導体装置。 - 請求項3又は4に記載の半導体装置において、
前記n個の遅延ユニットの各々は、遅延を生じさせる素子が概ね同じ構成である
半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置において、
前記n個の遅延ユニットの各々と、前記遅延回路とは、遅延を生じさせる素子が概ね同じ構成である
半導体装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記遅延回路は、前記入力信号を遅延させる抵抗素子を備える
半導体装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記プログラム部は、前記内部設定の変更後に取得した前記遅延状態に基づいて、前記タイミング信号が前記最適値に近づくように前記内部設定を更に変更する
半導体装置。 - 内部設定に基づいて、入力信号を遅延回路で遅延させてタイミング信号として出力するステップと、
前記タイミング信号を順次遅延させた複数の遅延信号に基づいて、前記複数の遅延信号の各々の遅延状態を判定するステップと、
前記遅延状態に基づいて、前記タイミング信号が最適値に近づくように前記内部設定を変更するステップと
を具備する
半導体装置のタイミング調整方法。 - 請求項9に記載の半導体装置のタイミング調整方法において、
前記判定するステップは、
前記タイミング信号を順次遅延させて、前記複数の遅延信号を生成するステップと、
前記複数の遅延信号に基づいて、前記複数の遅延信号の各々の遅延状態を判定するステップと
を備える
半導体装置のタイミング調整方法。 - 請求項10に記載の半導体装置のタイミング調整方法において、
前記複数の遅延信号を生成するステップは、
を含み、
n個(nは自然数)の遅延ユニットの内の1番目の遅延ユニットで、前記タイミング信号を遅延させた第1遅延信号を生成するステップと、
第i番目(iは2≦i≦nを満たす整数)の遅延ユニットで、第遅延信号を遅延させた第i遅延信号を生成するステップと
を有する
半導体装置のタイミング調整方法。 - 請求項11に記載の半導体装置のタイミング調整方法において、
前記遅延状態を判定するステップは、
所定のタイミングにおける前記n個(nは自然数)の遅延ユニットの各々の出力の状態を前記遅延状態として判定するステップを有する
半導体装置のタイミング調整方法。 - 請求項11又は12に記載の半導体装置のタイミング調整方法において、
前記n個の遅延ユニット各々は、いずれも概ね同じ時間だけ遅延を生じさせる
半導体装置のタイミング調整方法。 - 請求項9乃至13のいずれか一項に記載の半導体装置のタイミング調整方法において、
前記内部設定を変更するステップ後に取得した前記遅延状態に基づいて、前記タイミング信号が前記最適値に近づくように前記内部設定を更に変更するステップを更に具備する
半導体装置のタイミング調整方法。 - 入力信号から複数の出力信号を生成する第1の回路と、
前記複数の出力信号の所定期間における状態に応じて前記入力信号を調整する判定回路と
を備えることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008102221A JP4986299B2 (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | 半導体装置及び半導体装置のタイミング調整方法 |
US12/385,493 US7777545B2 (en) | 2008-04-10 | 2009-04-09 | Semiconductor device and timing adjusting method for semiconductor device |
CNA2009101335209A CN101557212A (zh) | 2008-04-10 | 2009-04-10 | 半导体器件和用于半导体器件的时序调整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008102221A JP4986299B2 (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | 半導体装置及び半導体装置のタイミング調整方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009253881A JP2009253881A (ja) | 2009-10-29 |
JP4986299B2 true JP4986299B2 (ja) | 2012-07-25 |
Family
ID=41163474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008102221A Expired - Fee Related JP4986299B2 (ja) | 2008-04-10 | 2008-04-10 | 半導体装置及び半導体装置のタイミング調整方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7777545B2 (ja) |
JP (1) | JP4986299B2 (ja) |
CN (1) | CN101557212A (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8806245B2 (en) * | 2010-11-04 | 2014-08-12 | Apple Inc. | Memory read timing margin adjustment for a plurality of memory arrays according to predefined delay tables |
CN102545844B (zh) * | 2010-12-09 | 2014-07-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 延时电路及控制延时电路补偿电源电压漂移的方法及装置 |
JP5539916B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-07-02 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TWI669964B (zh) | 2015-04-06 | 2019-08-21 | 日商新力股份有限公司 | Solid-state imaging device, electronic device, and AD conversion device |
CN106330139B (zh) * | 2015-06-17 | 2020-05-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 延迟单元 |
KR20170066082A (ko) | 2015-12-04 | 2017-06-14 | 삼성전자주식회사 | Bist 회로, 이를 포함하는 메모리 장치 및 이의 동작방법 |
CN105390508B (zh) * | 2015-12-07 | 2018-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
CN105913873B (zh) * | 2016-04-08 | 2020-01-24 | 上海电机学院 | 一种用于超高速非易失性存储器的精准读时序控制电路 |
KR102446164B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2022-09-22 | 삼성전자주식회사 | 부하 스탠다드 셀을 포함하는 집적 회로 및 그 설계 방법 |
CN109640013B (zh) * | 2018-12-20 | 2021-04-02 | 苏州华兴源创科技股份有限公司 | 一种时序校准方法及芯片测试机 |
US11227650B1 (en) * | 2020-08-25 | 2022-01-18 | Micron Technology, Inc. | Delay circuitry with reduced instabilities |
CN114518837B (zh) * | 2020-11-20 | 2024-05-14 | 智原科技股份有限公司 | 运用于存储器***的多循环写入均衡程序的处理方法 |
CN113204938B (zh) * | 2021-04-06 | 2022-08-12 | 普赛微科技(杭州)有限公司 | 一种集成电路的时延特性改进方法、装置及存储介质 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6223151A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH02274121A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-08 | Nec Corp | Cmos遅延回路 |
US5796993A (en) | 1996-10-29 | 1998-08-18 | Maguire; Jeffrey E. | Method and apparatus for semiconductor device optimization using on-chip verification |
JP3209720B2 (ja) * | 1997-08-04 | 2001-09-17 | 松下電器産業株式会社 | 複数伝送線路間の遅延時間の調整装置及び調整方法 |
JP3871797B2 (ja) * | 1998-03-12 | 2007-01-24 | エルピーダメモリ株式会社 | 可変遅延回路 |
US6583653B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for generating a clock signal |
JP2003023343A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 遅延信号生成回路 |
JP3866594B2 (ja) | 2002-03-15 | 2007-01-10 | Necエレクトロニクス株式会社 | 遅延回路と半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法 |
JP2005184196A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | 遅延調整回路、集積回路装置、及び遅延調整方法 |
JP4662536B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-03-30 | パナソニック株式会社 | タイミング調整方法及び装置 |
JP2007295315A (ja) * | 2006-04-25 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号送信回路 |
JP4971699B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2012-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 遅延回路 |
-
2008
- 2008-04-10 JP JP2008102221A patent/JP4986299B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-04-09 US US12/385,493 patent/US7777545B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-10 CN CNA2009101335209A patent/CN101557212A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101557212A (zh) | 2009-10-14 |
JP2009253881A (ja) | 2009-10-29 |
US20090256611A1 (en) | 2009-10-15 |
US7777545B2 (en) | 2010-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4986299B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置のタイミング調整方法 | |
US7254074B2 (en) | Open digit line array architecture for a memory array | |
US6804153B2 (en) | Semiconductor memory device internally generating internal data read timing | |
US7019556B2 (en) | Semiconductor memory device capable of adjusting impedance of data output driver | |
US20150323971A1 (en) | Semiconductor memory device including output buffer | |
US20120008446A1 (en) | Precharging circuit and semiconductor memory device including the same | |
US20070070717A1 (en) | Semiconductor memory device for adjusting impedance of data output driver | |
JP2006309756A (ja) | 温度依存電圧を生成する基準回路 | |
JP2007213637A (ja) | 内部電源生成回路及びこれらを備えた半導体装置 | |
US7567469B2 (en) | Over driving pulse generator | |
US20190172507A1 (en) | Apparatuses and methods for providing bias signals in a semiconductor device | |
JP2007141383A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2004095002A (ja) | 半導体メモリ | |
US7660176B2 (en) | Semiconductor memory device and method for driving the same | |
EP1083571A1 (en) | Semiconductor device with decreased power consumption | |
US10373655B2 (en) | Apparatuses and methods for providing bias signals according to operation modes as supply voltages vary in a semiconductor device | |
US7263026B2 (en) | Semiconductor memory device and method for controlling the same | |
JP2004071119A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7701786B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US20200082872A1 (en) | Memory devices including voltage generation circuit for performing background calibration | |
US8625384B2 (en) | Synchronous type semiconductor storage device and DRAM | |
JP2010225231A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US8514644B2 (en) | Bit line sense amplifier control circuit and semiconductor memory apparatus having the same | |
KR101697686B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그 구동 방법 | |
US10839875B2 (en) | Timer for use dual voltage supplies |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120418 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120423 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |