JP4974127B2 - 半導体メモリ装置及び情報処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に係り、特に、Zバッファリングが行う機能を備えるメモリ装置及びこれを利用した情報処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、2次元グラフィックにおいて、ディスプレースクリーン上の物体は座標(X、Y)及びカラーで表現される。そして、ディスプレースクリーン上において既存の物体が新しいものに取り替えられる場合、新しい物体を構成する各画素の座標(X、Y)に該当するメモリの対応位置にカラー値を記録した後に画面をその値で走査すれば良い。物体は、グラフィック物体を意味する。
【0003】
しかし、3次元グラフィックにおいて、Z値は見る人からのピクセル距離を表わす。一般に、小さいZ値は見る人と物体とが近いということを意味し、大きいZ値は見る人から物体が遠く離れているということを意味する。
【0004】
換言すれば、Z座標情報はディスプレースクリーン上における物体の深さ情報を決定する。すなわち、ユーザに物体の深さを認識させる。
【0005】
3次元グラフィックを使用する装置には、Zバッファリング、αブレンディング、或いはテクスチャーマッピングなどの3次元機能が要求される。このために、広帯域幅を有するメモリ装置が要求される。特に、Zバッファリングにおいては、3次元ゲームなどの3次元グラフィックアプリケーションを行うために、2次元グラフィックにおけるX軸、Y軸に関する情報のほかに、Z軸に関する情報が必要である。このような一連の作用がZバッファリングである。
【0006】
したがって、既存の物体を新しいものにディスプレースクリーン上において取り替える場合、既存の物体を構成する各画素の空間座標値(Z値または深さ情報と言う)と新しい物体を構成する各画素の空間座標値とを比較して、取り替えようとする新しい物体の画素の空間座標値が小さいとき、既存の物体の空間座標値が新しい物体の空間座標値に取り替えられる。
【0007】
結局、メモリコントローラは、既存の物体を構成する各画素の空間座標値をメモリ装置から読出して新しい物体を構成する各画素の空間座標値と比較した後に、空間座標値の変更があれば、新しい物体の空間座標値をメモリ装置に書込む。このような動作がリード・モディファイ・ライト(Read Modify Write;以下、RMWという)である。
【0008】
図1は、従来のメモリ装置のRMWを説明するためのタイミング図である。
【0009】
図1を参照すれば、メモリコントローラから活性化命令(activate;ACT)が入力された後、クロックサイクル3の立ち上がりエッジにおいてメモリ読出し命令(Read Command;RD)が入力されれば、読出し命令RDによって選択されたメモリセルに貯蔵されていた内部深さ情報DoutはデータI/Oピン(data input/output pins;DQ)を通じてメモリコントローラに読み込まれる。
【0010】
メモリコントローラは、a区間中に、既存の物体の空間座標値Doutと入力された新しい物体の空間座標値とを比較する。図1に示されたように、a区間は2クロックサイクルを有する。入力された新しい物体の空間座標値(以下、'外部深さ情報'という)が既存の物体の空間座標値(以下、'内部深さ情報'という)よりも小さければ、前記外部深さ情報を前記メモリ装置のメモリセルアレイに書込むために用意をする。書込み命令WRがあれば、データI/OピンDQにスタンバイ状態にあった外部深さ情報Dinは書込み命令WRに応答してメモリ装置の選択されたメモリセルアレイに書き込まれる。
【0011】
図1を参照すれば、一回の空間座標値をRMWするためには、少なくとも10クロックサイクル、すなわち、活性化命令ACTが入力されてからプリチャージPre命令が入力されるまで最小限10クロックサイクルが必要である。その理由は、深さ情報を比較するロジックがメモリコントローラに含まれており、メモリコントローラが深さ比較動作を行うからである。
【0012】
このため、メモリバスの性能が低下し、一回の空間座標値をRMWするための時間が遅延し、グラフィック性能が低下するという問題点がある。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明が解決しようとする技術的な課題は、メモリバスの性能を向上させ、かつ空間座標値を変更して書込むための時間を短縮してグラフィック性能を向上させるメモリ装置を提供することである。
【0014】
本発明が解決しようとする他の技術的な課題は、メモリバスの性能を向上させ、かつ空間座標値を変更して書込むための時間を短縮してグラフィック性能を向上させるメモリ装置の情報処理方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前記技術的な課題を達成するために、本発明によれば、メモリコントローラにより制御されるメモリ装置であって、物体の内部深さ情報を貯蔵するメモリセルアレイと、前記メモリコントローラから、前記物体に対応する新しい外部深さ情報を受信し、前記内部深さ情報と前記外部深さ情報とを比較し、その比較結果に基づき、前記メモリセルアレイに貯蔵された前記内部深さ情報を前記外部深さ情報に変更して前記メモリセルアレイに書込む情報変更回路と、前記メモリコントローラから出力される第1制御信号を受信する第1制御ピンと、前記メモリコントローラから出力される第2制御信号を受信する第2制御ピンと、前記第1制御信号に応答して前記外部深さ情報を前記メモリセルアレイに伝送する制御回路と、を備え、前記情報変更回路は、受信された新しい外部深さ情報を貯蔵するレジスターと、前記貯蔵された新しい外部深さ情報と前記内部深さ情報とを比較し、その比較結果に基づき、前記メモリセルアレイに前記外部深さ情報を書き込む比較回路と、を備え、前記制御回路は、前記第2制御信号がノンアクティブ状態であるとき、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをXビットずつ比較し、前記第2制御信号がアクティブ状態であるとき、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをNXビットずつ比較するメモリ装置が提供される。
【0016】
本発明の望ましい実施形態によれば、前記情報変更回路は、前記深さ情報が変更されたことを表わす状態信号を前記メモリコントローラに出力する。また、前記情報変更回路は、レジスター及び比較回路を備える。前記レジスターは新しい物体の外部深さ情報を貯蔵し、前記比較回路は前記レジスターに貯蔵された新しい物体の座標と同一の座標に該当する前記既存の物体の内部深さ情報と前記レジスターに貯蔵された外部深さ情報とを比較する。
【0017】
望ましくは、前記比較回路は、前記外部深さ情報が前記内部深さ情報よりも低ければ前記内部深さ情報を変更するために前記外部深さ情報を前記メモリセルアレイに出力し、前記深さ情報が変更されたことを表わす状態信号を前記メモリコントローラに出力する。
【0018】
望ましい他の実施形態によれば、前記比較回路は、前記外部深さ情報が前記内部深さ情報よりも大きければ前記内部深さ情報を変更するために前記外部深さ情報を前記メモリセルアレイに出力し、前記深さ情報が変更されたことを表わす状態信号を前記メモリコントローラに出力する。
【0019】
上記の他の技術的な課題を解決する発明は、メモリコントローラにより制御されるメモリ装置における物体の深さ情報を処理する方法であって、(a)前記メモリコントローラから前記物体の外部深さ情報を受信する段階と、(b)前記受信された外部深さ情報を貯蔵する段階と、(c)前記メモリコントローラから第1制御ピンを通じて入力される第1制御信号を受信する段階と、(d)前記第1制御信号の状態を判断する段階と、(e)前記第1制御信号の状態がノンアクティブであれば前記メモリ装置の内部のメモリセルアレイに前記外部深さ情報を書込み、(f)前記第1制御信号の状態がアクティブであれば、前記貯蔵された外部深さ情報と前記メモリセルアレイに貯蔵された対応する内部深さ情報とを比較し、その比較結果に基づき、前記内部深さ情報を前記外部深さ情報に変更して前記メモリセルアレイに書込む段階と、(g)前記メモリコントローラから第2制御ピンを通じて入力される第2制御信号を受信する段階と、(h)前記第2制御信号の状態を判断する段階と、(i)前記第2制御信号の状態がノンアクティブであれば、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをXビットずつ比較し、(j)前記第2制御信号の状態がアクティブであれば、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをNXビットずつ比較する段階と、を有することを特徴とする。
【0020】
【発明の実施の形態】
本発明と本発明の動作上の利点及び本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施形態を例示する添付図面及び添付図面に記載された内容を参照しなければならない。
【0021】
以下、添付した図面に基づき、本発明の望ましい実施形態について説明することによって、本発明を詳細に説明する。各図面に対し、同一の参照符号は同一の構成要素であることを表わす。
【0022】
図2は、本発明の一実施形態によるメモリ装置22を含むメモリシステムである。図2を参照すれば、メモリシステムは、メモリコントローラ21と、モニター(図示せず)と、メモリコントローラ21により制御されるメモリ装置22とを含む。制御信号CMDはメモリコントローラ21が発生し、メモリ装置22に出力される。
【0023】
その他の信号は、制御ピンDC0及びDC1及びデータ入出力ピンDQを通じてメモリ装置22に伝送される。また、メモリコントローラ21は、メモリ装置22のメモリセルを選択するアドレスを発生する。
【0024】
また、メモリコントローラ21は、第1制御信号CS1及び第2制御信号CS2を各々発生し、これらを制御ピンDC0、DC1を通じてメモリ装置22に伝送する。制御信号CS1、CS2は“ハイ”または“ロー”レベルに駆動されることにより、活性化または非活性化されうる。
【0025】
メモリコントローラ21は、データI/OピンDQを通じて外部深さ情報を書込むための用意をする。メモリ装置22は、メモリコントローラ21によって制御される。モニターは、メモリ装置22によって変更された深さ情報を有する物体を表示する。メモリコントローラ21は、モニター及びメモリ装置22の様々な制御を行うためのインターフェースを提供する。
【0026】
メモリ装置22は、第1状態信号SS1及び第2状態信号SS2を発生しメモリコントローラ21に伝送する。第1状態信号SS1及び第2状態信号SS2が活性化状態(これを'HIT'という)であれば、メモリコントローラ21は外部深さ情報によって内部深さ情報が取り替えられたと判断する。
【0027】
一方、第1状態信号SS1及び第2状態信号SS2が非活性化状態(これを'MISS'という)であれば、メモリコントローラ21は内部深さ情報が維持されたと判断する。
【0028】
望ましい実施形態によれば、第1制御信号CS1及び第1状態信号SS1は同一の導体を通じて伝達されるが、第1制御信号CS1は第1状態信号SS1と反対の方向に伝達される。また、第2制御信号CS2及び第2状態信号SS2は同一の導体を通じて伝達されるが、第2制御信号CS2は第2状態信号SS2と反対の方向に伝達される。
【0029】
例えば、第1状態信号SS1は第1制御ピンDC0を通じて伝送され、第2状態信号SS2は第1制御ピンDC1を通じて伝送される。
【0030】
図3は、図2に示された本発明の一実施形態によるメモリ装置22の具体的な回路を示した図である。
【0031】
図3を参照すれば、本発明の一実施形態によるメモリ装置22は、情報変更回路30と、制御回路31と、メモリセルアレイ34と、第1制御ピンDC0と、第2制御ピンDC1及びデータI/OピンDQとを備える。情報変更回路30は、レジスター32及び比較回路33をさらに備える。
【0032】
制御回路31は、前述のデータI/OピンDQを通じて受信される信号EDDを通じて新しい物体の外部深さ情報を受信する。制御回路31は第1制御信号CS1に応答して外部深さ情報EDDをWTDCまたはNWTとして出力する。
【0033】
第1制御信号CS1が非活性化状態であれば、制御回路31は、外部深さ情報NWTを正常な書込みのためにメモリセルアレイ34に出力する。一方、第1制御信号CS1が活性化状態であれば、制御回路31は、外部深さ情報WTDCを深さ比較書込みのためにレジスター32に出力する。
【0034】
レジスター32は、制御回路31の出力信号WTDC、すなわち、外部深さ情報を貯蔵する。比較回路33は第2制御信号CS2に応答してレジスター32の出力信号RSである新しい物体の座標の情報とメモリセルアレイ34に貯蔵されており、新しい物体の座標の情報と同一の座標に位置する既存の物体の座標の情報である内部深さ情報Fcompとを比較する。
【0035】
レジスター32の出力である外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも小さければ、比較回路33は内部深さ情報Fcompを変更するために、外部深さ情報RSをメモリセルアレイ34に出力する。
【0036】
他の実施形態によれば、レジスター32の出力、すなわち、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも大きければ、比較回路33は内部深さ情報Fcompを変更するために外部深さ情報RSをメモリセルアレイ34に出力する。
【0037】
比較回路33は、メモリコントローラ21に少なくとも一つの状態信号を出力する。比較結果に基づき内部深さ情報Fcompが変更されれば、状態信号は論理“ハイ”の信号HIT1またはHIT2となる。一方、内部深さ情報Fcompが変更されなければ、状態信号は論理“ロー”のMISS1またはMISS2となる。
【0038】
図4は、図3に示された本発明の一実施形態によるメモリ装置22における比較記録動作時のタイミング図である。
【0039】
以下では、図3及び図4を参照し、メモリ装置22の深さ比較書込み動作についてより詳細に説明する。
【0040】
図3及び図4を参照すれば、メモリコントローラ21が発生した深さ比較書込み命令信号WRと第1制御信号CS1及び第2制御信号CS2及び外部深さ情報Dwは、メモリ装置22の対応する各々のピンDC0、DC1及びDQに入力される。これは、第3番目のクロックの立ち上がりエッジにおいて生じる。
【0041】
制御回路31の動作について説明する。書込み命令信号WRがアクティブ状態で、第1制御信号CS1がアクティブ状態であれば、制御回路31は深さ比較書込み動作を行うために入力される外部深さ情報EDDをレジスター32に出力する。すなわち、制御回路31に入力される外部深さ情報EDDと制御回路31の出力信号WTDCとは同一の信号である。
【0042】
一方、第1制御信号CS1がノンアクティブ状態であれば、制御回路31は入力される外部深さ情報EDDと同一の信号NWTをメモリセルアレイ34に書込むために出力する。
【0043】
また、前記第1制御信号CS1がアクティブ状態であれば、第2制御信号CS2が重要である。比較回路33は、メモリセルアレイ34内の内部深さ情報Fcompとレジスター32の出力、すなわち、外部深さ情報RSとを比較する。
【0044】
第2制御信号CS2は下記のように重要となる。第2制御信号CS2がノンアクティブ状態であれば、比較回路33は内部深さ情報Fcompとレジスター32の出力RSとをXビット(Xは自然数であって、例えば、16ビット)ずつ比較する。
【0045】
第2制御信号CS2がアクティブ状態であれば、比較回路33は内部深さ情報Fcompとレジスター32の出力RSとをNXビット(N及びXは自然数であって、例えば、N=2であり、X=16である場合には32ビットとなる)ずつ比較する。
【0046】
比較回路33は、深さ情報の変化の有無をメモリコントローラ21に知らせるための状態信号SS1、SS2を出力する。状態信号SS1、SS2は深さ比較書込み命令信号WRが出力されてから3クロックサイクル(最も良い場合)または4クロックサイクル(最も悪い場合)が経過した後で出力される。したがって、全体的なプロセスは6または7クロックサイクルが必要である。しかし、従来の場合、全体的なプロセスは10クロックサイクルが必要である。
【0047】
比較回路33がXビットずつ比較し、深さ情報が変更されていれば、比較回路33は内部深さ情報Fcompの下位側のXビットが変更されたことを示す論理“ハイ”信号HIT1である第1状態信号SS1を第1制御ピンDC0を通じてメモリコントローラ21に出力する。
【0048】
また、比較回路33は、内部深さ情報Fcompの上位側のXビットが変更されたことを示す論理“ハイ”信号HIT2である第2状態信号SS2を第2制御ピンDC1を通じてメモリコントローラ21に出力する。
【0049】
比較回路33がNXビットずつ比較し、深さ情報が変更されていれば、比較回路33は内部深さ情報Fcompの下位側のNXビットが変更されたことを示す論理“ハイ”信号HIT1である第1状態信号SS1を第1制御ピンDC0を通じてメモリコントローラ21に出力する。
【0050】
深さ情報が変更されなかった場合は、内部深さ情報Fcompが維持されることを示す第1状態信号SS1及び第2状態信号SS2はロジック“ロー”である信号MISS1及びMISS2となる。
【0051】
比較回路33がNXビットずつ比較する場合、比較の結果、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも小さければ(本発明による他の実施形態の場合、比較の結果、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも高ければ)、比較回路33は、内部深さ情報FcompのNXビットが変更されたことを表わす論理“ハイ”信号HIT1を深さ比較記録命令を実行してから3クロックまたは4クロックサイクル後に第1制御ピンDC0を通じて前記メモリコントローラ21に出力する。
【0052】
しかし、XビットまたはNXビットずつの比較の結果、内部深さ情報Fcompが外部深さ情報RSより小さければ(本発明による他の実施形態の場合、比較の結果、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも高ければ)、比較回路33は内部深さ情報Fcompを維持するという論理“ロー”である信号MISS1、MISS2を深さ比較記録命令を実行してから3クロックまたは4クロックサイクル後に各々制御ピンDC0、DC1を通じてメモリコントローラ21に出力する。
【0053】
したがって、本発明の一実施形態では、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも小さければ、内部深さ情報Fcompが外部深さ情報RSに取り替えられる。また、本発明の他の実施形態では、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも大きければ、内部深さ情報Fcompが外部深さ情報RSに取り替えられる。
【0054】
図5は、メモリコントローラ21により制御されるメモリ装置22が物体の深さ情報を処理する方法を表すフローチャートであって、ステップ501から始まる。
【0055】
図2、図3及びステップ503を参照すれば、メモリ装置22は、メモリコントローラ21からデータI/OピンDQを通じて入力される外部深さ情報EDDを受信する。ステップ505において、メモリ装置22は第1制御ピンDC0を通じてメモリコントローラ21から入力される第1制御信号CS1を受信して、第1制御信号CS1の状態を判断する。
【0056】
第1制御信号CS1がノンアクティブ状態であれば、制御回路31はステップ521において、入力された外部深さ情報EDDを受信して深さ情報NWTとしてメモリ装置22の内部のメモリセルアレイ34に書込むために出力する。
【0057】
一方、第1制御信号CS1がアクティブ状態であれば、制御回路31は入力された外部深さ情報EDDを受信して深さ情報WTDCとしてレジスター32に出力する。
【0058】
ステップ507において、メモリ装置22は第2制御信号CS2を受信し、第2制御信号CS2の状態を判断する。第2制御信号CS2がアクティブ状態であれば、ステップ509において、比較回路33は内部深さ情報Fcompとレジスター32に貯蔵された外部深さ情報RSとをNXビットずつ比較する。
【0059】
一方、第2制御信号CS2がノンアクティブ状態であれば、ステップ511において、比較回路33は内部深さ情報Fcompとレジスター32に貯蔵された外部深さ情報RSとをXビットずつ比較する。
【0060】
ステップ513において、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも小さかどうかを判断する。外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも小さければ、内部深さ情報Fcompは外部深さ情報RSに変更される(ステップ515)。しかし、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも大きければ、外部深さ情報RSを放棄し、内部深さ情報Fcompを維持する。
【0061】
他の実施形態では、ステップ513と反対の条件、すなわち、外部深さ情報RSが内部深さ情報Fcompよりも大きいと判断され、ステップ515及びステップ517は同一である。
【0062】
ステップ519では、比較の結果がメモリコントローラ21に出力され、ステップ523ではプロセスが終了する。比較の結果は状態信号SS1及びSS2で表現される。
【0063】
論理“ハイ”または“ロー”は同一に選択できる。
【0064】
前述のように、従来の技術では、一回のRMW動作のために最小限10クロックサイクルが必要とされていた。しかし、本発明の一実施形態では、一回のRMW動作のために6クロックサイクルまたは7クロックサイクルしか必要としない。したがって、本発明の一実施形態は、従来の技術に比べて30%以上の性能の向上をもたらす。
【0065】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によるメモリ装置は、深さ情報を比較して書込む機能をメモリ装置が負担するので情報を比較して書込む時間が短縮され、その結果、メモリ性能が向上するという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のメモリ装置のRMWを説明するためのタイミング図である。
【図2】本発明の一実施形態を示す深さ比較機能を備えるメモリ装置を含むメモリシステムである。
【図3】図2のメモリ装置の具体的な回路を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態を示す比較書込み機能を行うタイミング図である。
【図5】本発明の一実施形態を示すメモリコントローラにより制御されるメモリ装置が物体の深さ情報を比較して書込む方法を示すフローチャートである。
Claims (14)
- メモリコントローラにより制御されるメモリ装置であって、
物体の内部深さ情報を貯蔵するメモリセルアレイと、
前記メモリコントローラから、前記物体に対応する新しい外部深さ情報を受信し、前記内部深さ情報と前記外部深さ情報とを比較し、その比較結果に基づき、前記メモリセルアレイに貯蔵された前記内部深さ情報を前記外部深さ情報に変更して前記メモリセルアレイに書込む情報変更回路と、
前記メモリコントローラから出力される第1制御信号を受信する第1制御ピンと、
前記メモリコントローラから出力される第2制御信号を受信する第2制御ピンと、
前記第1制御信号に応答して前記外部深さ情報を前記メモリセルアレイに伝送する制御回路と、を備え、
前記情報変更回路は、
受信された新しい外部深さ情報を貯蔵するレジスターと、
前記貯蔵された新しい外部深さ情報と前記内部深さ情報とを比較し、その比較結果に基づき、前記メモリセルアレイに前記外部深さ情報を書き込む比較回路と、を備え、
前記制御回路は、
前記第2制御信号がノンアクティブ状態であるとき、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをXビットずつ比較し、
前記第2制御信号がアクティブ状態であるとき、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをNXビットずつ比較することを特徴とするメモリ装置。 - 前記情報変更回路は、前記深さ情報が変更されたことを表わす状態信号を前記メモリコントローラに出力することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記状態信号は、前記第1制御ピンを通じて出力されることを特徴とする請求項2に記載のメモリ装置。
- 前記比較回路は、前記外部深さ情報が前記内部深さ情報よりも小さい場合、前記メモリセルアレイに前記外部深さ情報を書き込むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記比較回路は、前記第1制御ピンを通じて前記深さ情報が変更されたことを表わす状態信号を前記メモリコントローラに出力することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。
- 前記比較回路は、
前記第2制御ピンがノンアクティブ状態であるとき、前記内部深さ情報の低いXビットが変更されたことを示す第1状態信号及び前記内部深さ情報の高いXビットが変更されたことを示す第2状態信号をメモリコントローラに出力し、
前記第2制御ピンがアクティブ状態であるとき、前記内部深さ情報のNXビットが変更されたことを示す状態信号を前記メモリコントローラに出力することを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - メモリコントローラにより制御されるメモリ装置における物体の深さ情報を処理する情報処理方法であって、
(a)前記メモリコントローラから前記物体の外部深さ情報を受信する段階と、
(b)前記受信された外部深さ情報を貯蔵する段階と、
(c)前記メモリコントローラから第1制御ピンを通じて入力される第1制御信号を受信する段階と、
(d)前記第1制御信号の状態を判断する段階と、
(e)前記第1制御信号の状態がノンアクティブであれば、前記メモリ装置の内部のメモリセルアレイに前記外部深さ情報を書込み、
(f)前記第1制御信号の状態がアクティブであれば、前記貯蔵された外部深さ情報と前記メモリセルアレイに貯蔵された対応する内部深さ情報とを比較し、その比較結果に基づき、前記内部深さ情報を前記外部深さ情報に変更して前記メモリセルアレイに書込む段階と、
(g)前記メモリコントローラから第2制御ピンを通じて入力される第2制御信号を受信する段階と、
(h)前記第2制御信号の状態を判断する段階と、
(i)前記第2制御信号の状態がノンアクティブであれば、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをXビットずつ比較し、
(j)前記第2制御信号の状態がアクティブであれば、前記内部深さ情報と前記貯蔵された外部深さ情報とをNXビットずつ比較する段階と、を有することを特徴とする情報処理方法。 - 前記(f)段階は、前記内部深さ情報が変更されたことを示す状態信号を前記メモリコントローラに出力する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。
- 前記(f)段階の書込みは、前記外部深さ情報が前記内部深さ情報よりも小さいという前記比較結果に基づきなされることを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。
- 前記(f)段階の書込みは、前記外部深さ情報が前記内部深さ情報よりも大きいという前記比較結果に基づきなされることを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。
- 前記(i)段階は、前記内部深さ情報の低いXビットが変更されたことを示す第1状態信号を前記第1制御ピンを通じて前記メモリコントローラに出力し、前記内部深さ情報の高いXビットが変更されたことを示す第2状態信号を前記第2制御ピンを通じて前記メモリコントローラに出力する段階を含むことを特徴とする請求項7に記載の情報処理方法。
- 前記第1状態信号は前記第1制御ピンを通じて出力され、前記第2状態信号は前記第2制御ピンを通じて出力されることを特徴とする請求項11に記載の情報処理方法。
- 前記(j)段階は、前記内部深さ情報のNXビットが変更されたことを示す状態信号を前記メモリコントローラに出力する段階を含むことを特徴とする請求項11に記載の情報処理方法。
- 前記状態信号は、前記第1制御ピン及び前記第2制御ピンのいずれか一方を通じて出力されることを特徴とする請求項13に記載の情報処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
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