JP4954816B2 - Ni−W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法 - Google Patents
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Description
その発明の要旨とするところは、
(1)at%で、W:5〜20%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したNi−W系合金粉末を原料粉末とし、これを900〜1150℃の温度で固化成形したことを特徴とするNi−W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法にある。
(2)前記(1)に記載の固化成形温度を900〜1050℃とすることを特徴とするNi−W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法にある。
表1に示す成分組成のW−Niからなる溶解母材の25kgをアルミナ坩堝にてアルゴン中で誘導溶解し、坩堝底部の径5mm出湯ノズルより、1700℃にて出湯し、噴霧圧0.7MPaのArガスアトマイズにて粉末を製造した。作製したNi−W合金粉末を、外径205mm、内径190mm、長さ300mmのSC缶に脱気封入した。脱気時の真空到達度は約1.3×10-2Pa(約1×10-4Torr)とした。上記の粉末充填ビレットを、HIP(熱間静水圧プレス)処理の場合は850〜1250℃、147MPaにてHIP成形した。また、アップセットでの場合は、上記の粉末充填ビレットを、850〜1250℃に加熱した後、径215mmの拘束型コンテナ内に挿入し、500MPaの圧力で成形した。
特許出願人 山陽特殊製鋼株式会社
代理人 弁理士 椎 名 彊
Claims (2)
- at%で、W:5〜20%を含み、残部Niおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したNi−W系合金粉末を原料粉末とし、これを900〜1150℃の温度で固化成形したことを特徴とするNi−W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。
- 請求項1に記載の固化成形温度を900〜1050℃とすることを特徴とするNi−W系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。
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