JP4953497B2 - 基板の熱処理 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 169
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 80
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 204
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 186
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 80
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 23
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 238000001289 rapid thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000036314 physical performance Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を熱処理するためのシステム及び方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板処理システムは、半導体ロジックデバイスやメモリデバイス、フラットパネルディスプレイ、CD ROMその他のデバイスの製造に用いられる。これらの基板は処理に際して、化学気相堆積(CVD)や高速熱プロセス(RTP)がなされることがある。RTPプロセスには、例えば高速熱アニール(RTA)、高速熱クリーニング(RTC)、高速熱CVD(RTCVD)、高速熱酸化(RTO)や高速熱窒化(RTN))が含まれる。RTPシステムは通常、光透過性のウィンドウを通して放射により基板を加熱する一つ以上のランプにより形成される加熱要素を有している。RTPシステムはまた、基板の裏側に対面する光反射面等の、一つ以上の他の光学素子と、処理中に基板の温度を測定するための一つ以上の光検出部を有していてもよい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
多くの高速の熱プロセスでは、経時的に正確な基板温度制御を行う必要がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板の温度応答を、加熱段階又は冷却段階、あるいはこれら両方において制御できる熱処理方法を特徴とする。これにより、基板の熱予算を減らし、また、基板上に形成されるデバイスの品質及び性能を改良する。特に本発明者は、熱プロセス中に基板と熱貯蔵器(例えば水冷式の反射板組立体)の間の熱移動速度を制御することにより、基板の温度応答を制御することができる事を認識した。
【0005】
1つの側面では、基板は加熱スケジュールに従って加熱され、加熱スケジュール中は、熱処理システムの内側の基板と熱貯蔵器の間の熱移動速度が変化する。
【0006】
本発明の実施には、以下の特徴の1つ以上が含まれてもよい。熱移動速度を変化するには、基板と熱貯蔵器の間の熱伝導率を変えることにより、また、熱貯蔵器の表面の放射率を変えることにより、あるいは基板と熱貯蔵器の間の距離を変えることにより、行ってもよい。熱伝導率を変えるには、基板と熱貯蔵器の間に配置される熱移動媒体(例えばパージガス)の特性を変えることにより行ってもよい。例えば、熱伝導率の変化は、基板と熱貯蔵器の間のパージガスの組成又はパージガスの圧力を変えることにより行ってもよい。熱貯蔵器は、比較的低温の面を処理チャンバの内側に有していてもよい。基板とこの比較的低温の面の間の熱伝導率は、加熱スケジュールの冷却段階中に増大されてもよい。基板と比較的低温の面の間に、比較的高い熱伝導率のガスを供給することにより、熱伝導率を増大してもよい。第1のパージガス(例えば窒素、アルゴンやキセノン)が、加熱スケジュールの加熱段階中に基板と比較的低温面の間に供給されてもよく、また、第1のパージガスの熱伝導率より大きな熱伝導率を有する第2のパージガス(例えばヘリウムや水素)が、加熱スケジュールの冷却段階中に、基板と比較的低温の面の間に供給されてもよい。
【0007】
本発明の他の側面では、第1のパージガスが熱処理システムに供給され、基板が加熱スケジュールに従って加熱され、第1のパージガスとは異なる第2のパージガスが熱処理システムに供給される。
【0008】
本発明の実施には、以下の特徴の1つ以上を有してもよい。加熱スケジュールの冷却段階中、基板温度が標的ピーク温度に加熱された時点又はその近く、あるいは基板温度の低下中に、第2のパージガスが熱処理システムに供給されてもよい。第1のパージガスが、加熱スケジュールの加熱段階中に、熱処理システムに供給されてもよい。第2のパージガスの熱伝導率が、第1のパージガスの熱伝導率より大きくてもよい。これを実施する場合、第2のパージガスがヘリウム又は水素あるいはその両方を有してもよく、また、第1のパージガスが窒素を有してもよく且つ第2のパージガスがヘリウムを有してもよい。第2のパージガスが、熱処理システムの内側の基板面と熱貯蔵器の間に供給されてもよい。加熱スケジュールの加熱段階中に、第1のパージガスが、熱処理システムの基板面と熱貯蔵器の間に供給されてもよい。加熱スケジュールの冷却段階中に、第2のパージガスが、熱処理システムの基板面と熱貯蔵器の間に供給されてもよい。
【0009】
本発明の別の側面では、第1のパージガスが熱処理システムに供給され、基板がターゲット温度に加熱され、基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近くで第1のパージガスの熱伝導率より大きい熱伝導率を有する第2のパージガスが熱処理システムに供給される。
【0010】
本発明の実施は、以下の特徴の1つ以上を有してもよい。第2のパージガスがヘリウムを有してもよく、第1のパージガスが窒素を有してもよい。基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近くで、熱プロセスシステムへの第1のパージガスの供給が終了してもよい。
【0011】
本発明の発明の側面では、基板がターゲット温度に加熱され、基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近くで、基板面と熱貯蔵器の間の熱伝導率を増大するパージガスが、熱処理システムに供給され、熱処理システムの内部の基板面と熱貯蔵器の間に供給される。パージガスは、パージガスが熱処理システムに供給される速度と実質的に同じ速度で熱処理システムから取り除かれる。
【0012】
本発明の実施は、以下の特徴の1つ以上を有してもよい。パージガスは、比較的高い熱伝導率を有してもよい。パージガスは、ヘリウムを有してもよい。パージガスは、加熱スケジュールの冷却段階中に、熱処理システムに供給されてもよい。基板がターゲット温度にある時間を最小にするため、パージガスが比較的高い流量で熱処理システムに供給されてもよい。基板がターゲット温度に加熱される約1〜3秒前に、パージガスが熱処理システムに供給されてもよい。
【0013】
本発明の更に別の側面では、第1のパージガスが熱処理システムに供給され、基板がターゲット温度に加熱される。基板はターゲット温度にある時点又はその近くで、第2のパージガスが、熱処理システムの基板面と熱貯蔵器の間に供給される。熱処理システムの内側では、第2の熱のパージガスは、第1のパージガスの熱伝導率より大きな熱伝導率を有している。第2のパージガスは、第2のパージガスが熱処理システムに供給される速度と実質的に同じ速度で、熱処理システムから取り除かれる。
【0014】
本発明の実施は、以下の特徴の1つ以上を有してもよい。第1がパージガスは窒素を有してもよく、第2のパージガスがヘリウムを有してもよい。基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近くで、熱処理システムへの第1のパージガスの供給が終了してもよい。基板がターゲット温度にある時間を最小にするため、第2のパージガスは、比較的高い流量で熱処理システムに供給されてもよい。基板温度を低減しつつ、第2のパージガスを熱プロセスシステムに供給してもよい。
【0015】
本発明の利点は以下の通りである。熱処理システムの中の基板の加熱速度又は冷却速度が高い場合は、特定の熱処理方法(例えば極端に浅い接合部を形成する方法)の結果が改良される。熱が熱プロセス中に処理チャンバの内側の基板と熱貯蔵器の間の熱移動速度を変化させることによって、加熱段階又は冷却段階あるいはこれら両方の段階を、製造されるデバイスの品質を改良するために最適化してもよい。また、基板全面に対する温度均一性が改良される。
【0016】
他の特徴及び利点は、図面及び特許請求の範囲要求を含む以下の記載から明らかなる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1を参照し、基板12を処理するためのシステム10は、クォーツウィンドウ18を介して水冷式加熱ランプ組立体16により放射により加熱される処理チャンバ14を有している。基板12の周囲の端部は、約300rpm(revolutions per minute)の速度で回転できる回転可能な支持構造体20により支えられる。基板12の下には、基板12の有効放射率を高めるために熱貯蔵器として作用し基板12の裏側を向く光反射面を有する反射板組立体22がある。反射キャビティ15が、基板12と反射板組立体22上面の間に形成される。8インチ(200mm(ミリメートル))のシリコンウエハの処理用に設計されたシステムでは、反射板組立体は直径約8.9のインチであり、基板12と反射板組立体22上面の間の離隔距離は約5〜10mmであり、基板12とクォーツウィンドウ18の間の離隔距離は約25mmである。反射板組立体22は水冷式のベース23に装備され、典型的には約23℃の温度に維持される。
【0018】
基板12の局所的な領域での温度は、複数の温度プローブ24によって測定され、これらプローブは、基板の全面において半径方向に異なる位置で基板温度を測定するように配置される。温度プローブ24は、反射板組立体22の上面をを貫通する光ポート25、26及び27を通して、処理チャンバの中から光を受け取る。処理システム10は、合計10本の温度プローブを有してもよく、図1には3本だけが示される。更に典型的には、200mm基板に対して5本の温度プローブが用いられ、300mm基板に対して7本の温度プローブが用いられる。
【0019】
反射板面では、各光ポートは、約0.08のインチの直径を有してもよい。サファイヤ光パイプが、光ポートによって受け取られる光を、それぞれの光検出部(例えば、パイロメーター)に供給するが、この光検出部は基板12の局所化された領域で温度を決定するために用いられる。光検出部からの温度測定は、ランプ組立体16を加熱する放射出力を制御するコントローラ28によって受け取られ、その結果のフィードバックループは、基板12を均一に加熱するための処理システムの能力を改良する。そのような制御系は米国特許第5,755,511号に説明される。
【0020】
図1で示すように、熱プロセスの中には、処理ガス39がガス入力口30を通して処理チャンバ14に供給されるものがある。処理ガスは、基板12の上面を横切って流れて、そして例えば酸化物層又は窒化物層を形成するため、加熱された基板と反応する。過剰な処理ガスが、あらゆる揮発性の反応副生成物(基板によって放たれる酸化物等の)と同様に、ポンプシステム34によりガス出力32処理チャンバ14から排出される。他の熱プロセスでは、パージガス(例えば窒素)がガス入力30を通して熱処理チャンバ14に供給されてもよい。パージガスは、処理チャンバ14の中の揮発性物質汚染物質を伴出するために基板12の上面を横切って流れる。
【0021】
反射キャビティ15の中で、パージ流体インジェクタ40は、反射板組立体22の上面を横切る実質的に層流であるパージガス42の流れを形成する。約0.375インチの直径を有し反射板組立体22の中央軸から約2インチに配置される排気口44を通して、パージガス42は反射キャビティ15から取り除かれる。操作において、パージガスはパージガス入力部46に注入され、反射板組立体22の中の複数のチャンネル48を通して分配される。パージガスは次いで、例えば、約0.01インチ(0.25mm)の距離だけ反射体組立体22の上面より上に間隔をあけるデフレクタ50に向けられ、実質的に層流であるパージガス42の流れを形成する。
【0022】
図2A及び2Bを参照し、一具体例では、非常に浅い接合部が、次のように不純物ドープの半導体基板に形成されてもよい。基板が、熱プロセスチャンバ14に搬入される(ステップ200)。第1のパージガス(例えば窒素)が、ガス入力部30を介して熱プロセスチャンバ14に供給され、又はパージ流体インジェクタ40出力部を介して反射キャビティ15に供給され、あるいはこれら両方の供給が行われる(ステップ202)。基板は、加熱ランプ組立体16によって、約700℃の初期の温度に加熱される(ステップ204)。時間t0で、加熱ランプ組立体16は、例えば、約1000℃又は1100℃のターゲットピーク温度に基板を加熱し始める(ステップ206)。実質的にターゲットピーク温度に対応する温度に、基板が加熱された(時間t1)後、加熱ランプ組立体16によって供給される放射エネルギーは低減され、第2のパージガス(例えばヘリウム)が、パージ流体インジェクタ40によって、反射キャビティ15に供給される(ステップ208)。実際問題として、基板がターゲット温度に加熱されるまでに基板と反射体組立体22の間に画される反射キャビティ15が第2のパージガスで満たされるよう、ターゲット温度が達される直前にヘリウムパージガスが開始されてもよい。第1のパージガスが加熱段階の間、パージ流体インジェクタ40によって供給されている場合、パージガスの供給は時間t1でまたはその近くで第1のパージガスから第2のパージガスへ切り換えられる。基板が閾値温度より低く(例えば800℃より低く)まで冷却された後、基板は熱処理チャンバ14から取り出される(ステップ210)。
【0023】
第2のパージガスは、ターゲット温度に達する1〜3秒前に反射キャビティ15に供給されてもよい。理想的に、ターゲット温度に達せられる約1〜2秒前に第2のパージガスの流入が開始され、あるいは、ターゲット温度に達せられる約1〜1.5秒前に、流入が開始されてもよい。実際の時間の選択は、第2のパージガスを反射キャビティに導入するために用いられるシステムに依存する(図4を見よ)。
【0024】
第1のパージガスの流入が停止し、第1のガスが排気口44を介して反射キャビティから排気される際、第2のパージガスが用いられる場合はこの第2のガスが、反射キャビティ15の中の第1のパージガスを置き換える。
【0025】
第2のパージガスが、熱プロセスのあらゆる冷却段階中に反射キャビティ15に導入されてもよい。たとえば、別の具体例では、第2のパージガスが、熱プロセスの熱ソーク期間の後に続く冷却段階中に、反射キャビティ15に供給されてもよい。
【0026】
本発明者は、熱プロセス中に、処理チャンバの中の基板と熱貯蔵器の間で熱が移送される速度を変えることによって、加熱段階又は冷却段階、又はその両方の段階が、製造されるデバイスの品質を改良するために最適化されてもよいことを見出した。
【0027】
例えば、基板冷却速度は、処理システム10内の基板12と熱貯蔵器(例えば水冷式の反射板組立体22)の間に供給されるパージガス適正に選択することにより増加することができる。1つの側面では、本発明者は、比較的高い熱伝導率を有するパージガス(例えばヘリウム、水素又はこれらの組合わせ)により基板の冷却速度を増加し、それによって、特定のデバイス(例えば非常に浅い接合を有するトランジスタ)の動作特性や処理収率を改良することができることを見出した。例えば、基板冷却速度は、ヘリウムパージガスが反射キャビティ15に供給されるときの方が、熱伝導率のより低いパージガス(例えば窒素)を用いた場合よりも実質的により大きい。時間t1とt2の間(即ち約6秒のオーダー)では、図2Bで示すようにヘリウムパージガスでは、基板温度が約1100℃から約650℃まで冷却された一方、窒素パージガスでは、基板温度は、同じ時間で約800℃までしか冷却されなかった。別の側面では、本発明者は、比較的低い熱伝導率を有するパージガス(例えば窒素、アルゴン、キセノン又はこれらのガスのうちの2以上の組合わせ)を反射キャビティ15に供給して、基板12と反射板組立体22の間の熱の結合を減らすことにより、熱プロセスの加熱段階中(例えば時間t0とt1の間;図2B)における基板温度の増加速度を増加することができることを見出した。このように、熱プロセスの加熱段階及び冷却段階の間、基板と熱貯蔵器の間に供給されるパージガスを適正に選択することによって、全体的な熱の予算−すなわち、固定時間に対する基板温度T(t)の積分:∫T(t)・dt−を低減することができる。これにより、このような熱プロセスによって製造される特定のデバイスの品質を改良する。
【0028】
第2のパージガス(例えばヘリウム)が反射キャビティから排気される速度(毎分当たり標準リットル(slm))が、最も有効な冷却速度のために最適化されなければならない。排気速度があまりに大きいならば、ヘリウムパージガスはあまりに速くチャンバから流れ、基板と反射板組立体の間での有効な熱の結合を妨げてしまう。他方、排気速度があまりに小さいならば、ヘリウムパージガス流動は基板の中心領域に達するにはあまりに長くかかるようになり、基板の周囲の部分がより急速に冷却されるようになる。これは、基板の中に影響を引き起こし得る大きな熱応力を発生してしまう。
【0029】
第2のパージガスが反射キャビティに注入される速度が、おおよそこのガスが反射キャビティから排気される速度と等しいことが有利である。これが冷却操作中における基板の熱勾配を実質的に低減し、基板の中の欠陥の形成を抑制することを、本発明者は見出した。
【0030】
また、本発明者は、冷却中の反射キャビティへの第2のパージガスの流入を、例えば、スパイクアニール操作中、できるだけ高くする方が有利であることも見出した。これにより、最大瞬間降下速度、Max dT/dt(℃/second(s))と、基板がターゲット温度にある時間が、非常に浅い接合部の形成のために最適化されることが確保される。
【0031】
表1に示すように、第2のパージガスの注入速度と排気速度が実質的に等しい場合に、冷却中の基板全面の温度均一性(Max・ ( ℃))が最適化される(Run F)。Max・データは、5つの異なる放射位置で基板温度を測定する5つの光検出器により生成する最高の温度読み値と最低の温度読み値の間で差を表す。理解されるように、流入するパージガスが流出するパージガスと実質的に等しい場合に、Max・は最も低くなり、従って基板全面の温度均一性が最高になる。
また、データが示す通り、第2のパージガス流動が比較的高い場合に、最大瞬間降下速度及び基板がターゲット温度にある時間(Time>1000 ℃(s))が最適化される(Run F)。即ち、反射キャビティ内のパージガス流動が比較的高い場合、基板がターゲット温度にある時間が最小になる。
【0032】
【表1】
【0033】
図2Cは、Run AからRun Fまで視覚的に特定のデータを比較する。曲線AA及び曲線ABは、Run Aに対しての基板中心及び基板端部における光検出部の温度読み出しを表し、曲線FA及び曲線FBはRun Fに対しての基板中心及び基板端部における光検出部の温度読み出しを表す。曲線AC及び曲線FCはそれぞれRun A及びRunFに対する基板全面の温度均一性(Max ・)を示す。理解されるように、第2のパージガスの流入が第2のパージガスの流出と実質的に等しい場合に、温度均一性が最適化される。
【0034】
図3A及び3Bを参照して、パージ反射体40の一具体例では、反射板組立体22は、デフレクタリング52と、頂部反射板54と、底部反射板56を有する。底部反射板56は、入力46からパージガスを受け取るため及びパージガスを垂直流路60に供給するために水平流路58を有し、これは頂部反射板54の中の複数の水平流路48と連通する。水平流路48は、頂部反射板54の周囲の異なる位置にパージガスを散布する。デフレクタリング52は、周辺壁62を有し、この周辺壁は、底部反射板56の下側周辺端部64の上に配置され、頂部反射板54の周囲の壁と共に、幅0.0275インチの垂直チャンネルを画し、この垂直チャンネルは、パージガス流動をデフレクタ50に向け、反射板54の上面を横切るパージガスの実質的層流を形成する。パージガス及びあらゆる伴出される揮発性汚染物質が、排気口44を通して処理チャンバから取り除かれる。底部反射板56の中の水平流路66は、排気口44から排気されたガスを受け取り、ポンプシステムに接続するライン68へ排気ガスを向ける。チャンネル48、58及び60のそれぞれは、約0.25インチx約0.1インチの断面のフロー領域を有してもよい。
【0035】
図3Cを参照して、パージガスは約75°の円周弧に沿って、頂部反射板54の上面で反射キャビティ15に導入されてもよい。得られたパージガス42の実質的層流は75°のセクタ70に対応する頂部反射板54の上面の領域の上に延び、このセクタは、頂部反射板54の10個の光ポートのうちの9個を有する(光ポート25、26及び27を含む)。上で説明される具体例の中に、高い熱伝導率のパージガス42(例えばヘリウムまたは水素)により、高速熱プロセスの冷却段階中(例えば、時間t1とt2の間;図2B)の基板12と反射体組立体22の間の熱伝導率を増加する。
【0036】
パージガス及び処理ガスの流量は、図4に示される流体制御システムによって制御される。質量流量コントローラ80が、ガス入力30を通して処理チャンバ14にガスのフローを調整するために用いられ、圧力トランスデューサ82及び圧力制御弁84が、ガスがガス出力32を通して処理チャンバ14から取り除かれる速度を調整するために用いられる。フィルタ86に接続する入力部46を通して、パージガスが反射キャビティ15に導入される。質量流量コントローラ88は、パージガスインジェクタ40を通して反射キャビティ15へのパージガスの流量を調整するために用いられる。調整可能なフロー絞り弁90及び質量流量コントローラ92は、パージガスが反射キャビティ15から取り除かれる速度を調整するために用いられる。基板12の上方の反射キャビティ15の処理領域へのパージガスの移入を減らすため、パージガスが反射キャビティ15に導入される速度が、反射キャビティ15からのガス除去速度と実質的に同じになるまで、フロー絞り弁90が調整される。ソレノイド閉止弁94及び96は、反射キャビティ15を通したパージガスの流れに対して追加的な制御を提供する。8インチの(200mm)シリコンウエハを処理するために設計されるシステムでは、パージガスは、反射キャビティ15の中で流量約9〜20 slm (standard liters per minute)で流れることができるが、パージガス流量は、反射キャビティ15の内側の圧力及びポンプシステム34の輸送能力によって変化されるだろう。反射キャビティ15及び処理チャンバ14の内側の圧力は、約850トールであってもよい。
【0037】
パージガスは、様々な異なる手段で反射キャビティ15に供給されてもよい。
【0038】
図5を参照し、一具体例では、反射板組立体100が頂部反射板104の全周のまわりの異なる位置からパージガス102を導入するようにできている点を除いて、反射板組立体100は、反射板組立体22と構造的に類似している。頂部反射板104の中に延びる排気口106を通して、パージガス102が取り除かれる。パージガス102は、反射板102の中心から約4.33インチの位置に導入されてもよく、排気口106は、反射板102の中心から約2インチに配置されてもよい。光ポート108が反射板102の全体の表面の上に分配される場合に、この具体例を用いてもよい。
【0039】
図6A及び6Bを参照し、別の具体例では、反射板組立体110が偏向板112及び頂部反射板114を有する点と、これらは光ポート124及び126を囲んでいる周囲の領域116〜122にパージガスの実質的層流を生成するためにフローチャンネルを一緒に画するという点を除いて、反射板組立体110は反射板組立体22と構造的に類似する。パージガスは、頂部反射板114の中の垂直環状チャンネル128、129の中を流れる。パージガスは、頂部反射板114を通して延びる排気口(図示されず)を通して排気されてもよく、あるいはパージガスは、反射板組立体110の周囲端部にわたって排気されてもよい。この具体例では、偏向板112の上面は、基板の裏側に面する主光反射面として機能してもよい。偏向板112は、0.01インチ(0.25mm)の距離だけ、頂部反射板114の上方に間隔をあけてもよい。
【0040】
図7A及び7Bを参照すれば、別の具体例では、反射板組立体130は、パージガスのフローを受けるための垂直チャネル132と、反射板140を通して延びる光ポート138を横切る方形のカーテンとしての、パージガス136のフローを偏向させるためのスロット形のデフレクタ134とを、有する。スロット形の排気口142が、パージガス136を取り除くために用いられる。デフレクタ134は、約0.01インチ(0.25mm)の距離だけ、反射板140の上面の上方に間隔をあけていてもよい。
【0041】
図8A及び8Bに示すように、別の具体例の中では、反射板組立体150は、複数のオリフィス152、154、156を有していてもよく、これらは共通のガスプレナム158に結合され、そしてこれは、パージガス入力部160に結合される。オリフィス152〜156は、基板12と反射板組立体150の間に画される反射体キャビティにパージガスを導入するように配置される。また、オリフィス152〜156は、基板12によって発される光を温度プローブ24が受けるための光ポート25〜27の位置を適応させるように配置される。操作中は、パージガスが約9〜20slmの流量で反射体キャビティに流れるが、一般に流量は、基板12が支持構造物20から持ち上がるために要する速度より低くなければならない。パージガスは、排気口164を通してポンプシステム162によって反射体キャビティから取り除かれる。
【0042】
更に他のパージガス送出しシステムを用いてもよい。例えば、1999年4月7日に出願の米国特許出願番号第09/287947号、標題"Apparatus and Methods for Thermally Processing a Substrate"に記載される回転気体送出しシステムによって供給されてもよい。
【0043】
他の具体例は、「特許請求の範囲」の範囲内にある。
【0044】
例えば、上述の具体例では単一の比較的低温の熱貯蔵器(例えば反射板組立体22)に関して説明されたが、他の熱貯蔵器構成も可能である。熱貯蔵器は、熱処理システム10の中の異なる位置に置かれてもよい。また、2つ以上の独立の熱貯蔵器を提供してもよい。熱貯蔵器は比較的高温の面を有してもよく、また異なるパージガスを反射キャビティ15に供給してもよく、この反射キャビティは基板の温度応答を制御するために熱貯蔵器と基板の間に画される。具体例によっては、基板の温度応答を改良するために熱プロセス中に熱貯蔵器の温度を変えてもよい。
【0045】
別の具体例では、処理システム10の内側の熱貯蔵器と基板の間の熱移動速度は、熱プロセス中に熱貯蔵器の放射率を変えることによって最適化されてもよい。例えば、反射板組立体22の上面は、電子クロムコーティングを有してもよく、このコーティングの反射率は、被覆に印加される電圧を変えることによって選択的に変えることができる。操作中は、反射プレート組立体22の反射率は熱プロセスの加熱段階の間最大にされてもよく、反射率は冷却段階の間最小にされてもよい。このように、基板と反射板組立体22の間の熱移動速度は、加熱段階の間低減されてもよく、冷却段階の間増加してもよい。
【0046】
また別の具体例では、処理システム10の内側の基板と熱貯蔵器の間の熱移動速度は、熱貯蔵器から基板を隔てる距離を変えることによって最適化してもよい。例えば、支持構造体20は、反射板組立体22の上面に対して上下に運動するような構成を有していてもよい。一具体例では、操作中において、支持構造体20は、熱プロセスの加熱段階中に反射板組立体22から比較的遠い距離に基板を配置してもよく、また支持構造体20は、熱プロセスの冷却段階中に反射板組立体22から比較的近い距離に基板を置いてもよい。このように、基板と反射板組立体22の間の熱伝導率を、熱プロセスの加熱段階中に低減し冷却段階中に増加することにより、基板上に形成されるデバイスの品質を改良することができる。
【0047】
別の具体例では、処理システム10の内側の基板と熱貯蔵器の間の熱移動速度は、熱プロセス中に基板と熱貯蔵器の間のパージガスの圧力を変えることにより最適化されてもよい。例えば、熱プロセスの加熱段階の間パージガスの圧力が準大気圧の圧力に減らされて(例えば1〜5トール)もよく、あるいは熱プロセスの冷却段階の間圧力が大気圧(770トール)に増加されてもよい。パージガスの組成を熱プロセス中に変えてもよい。例えば、加熱段階中のパージガスは窒素から成っていてもよく、冷却段階中のパージガスはヘリウムから成っていてもよい。
【0048】
高速熱処理の間に基板の温度応答を制御するためのシステム及び方法が開示された。本発明は、特定のデバイス(例えば非常に浅い接合型トランジスタ)が、改良された物理的な性能及び改良された動作特性を有するように形成されるのを可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、反射板組立体及び流体インジェクタを含む熱処理システムの部分の側面図である。
【図2】図2Aは、基板処理の方法のフローチャートであり、図2Bは、ヘリウムパージガスを用いるスパイクアニール熱プロセス中及び窒素パージガスを用いるスパイクアニール熱プロセス中の、経時的な基板温度のプロットであり、図2Cは、最適化された冷却プロセスについての基板温度の均一性を例示するグラフ表示である。
【図3】図3A及び3Bは、図1に示される反射板組立体及び流体インジェクタの分解図であり、図3Cは、図1の反射板組立体及び流体インジェクタの平面図であり、底部反射板の性能が一点鎖線を用いて示される。
【図4】図4は、図1の基板処理システムのパージガス制御系の線図である。
【図5】図5は、代替の流体インジェクタの平面図である。
【図6】図6Aは、代替の流体インジェクタの部分の側面図、6Bは上面図である。
【図7】図7Aは、代替の流体インジェクタの部分の側面図、7Bは上面図である。
【図8】図8Aは、他の流体インジェクタの側面図、8Bは上面図である。
【符号の説明】
10…システム、12…基板、16…加熱ランプ組立体、18…クォーツウィンドウ。
Claims (37)
- 熱処理システムで基板を熱処理する方法であって、
加熱スケジュールに従って基板を加熱するステップと、
加熱スケジュール中に、熱処理システムの中の基板と反射板組立体の間の熱移動の速度を変えるステップと
を有する方法。 - 基板と反射板組立体の間の熱伝導率を変えることにより、熱移動速度が変えられる請求項1に記載の方法。
- 基板と反射板組立体の間に配置される熱移送媒体の特性を変えることにより、熱伝導率が変えられる請求項2に記載の方法。
- 熱移動媒体がパージガスを有し、パージガスの組成を変えることにより熱伝導率が変えられる請求項3に記載の方法。
- 熱移動媒体がパージガスを有し、基板と反射板組立体の間のパージガスの圧力を変えることにより熱伝導率が変えられる請求項3に記載の方法。
- 反射板組立体が、処理チャンバの内部に比較的低温の面を有し、基板と比較的低温の面の間の熱伝導率が、加熱スケジュールの冷却段階の間増加される請求項1に記載の方法。
- 基板と比較的低温の面の間に比較的高い熱伝導率を有するガスを供給することによって熱伝導率が増加される請求項6に記載の方法。
- 第1のパージガスが、加熱スケジュールの加熱段階の間基板と比較的低温の面の間に供給され、第2のパージガスが、加熱スケジュールの冷却段階の間基板と比較的低温の面の間に供給され、第2のパージガスが、第1のパージガスの熱伝導率より大きい熱伝導率を有する請求項6に記載の方法。
- 第1のパージガスが、窒素と、アルゴンと、キセノンから選択され、第2のパージガスが、ヘリウムと水素から選択される請求項8に記載の方法。
- 熱移動速度が、反射板組立体の表面の放射率を変えることによって変えられる請求項1に記載の方法。
- 熱移動速度が、基板と反射板組立体の間の距離を変えることにより変えられる請求項1に記載の方法。
- 熱処理システムで基板を熱処理する方法であって、
熱処理システムの基板と反射板組立体の間に、第1のパージガスを供給するステップと、
加熱スケジュールに従って基板を加熱するステップと、
基板と反射板組立体の間に供給される第1のパージガスとは異なる第2のパージガスを熱処理システムに供給するステップと
を有する方法。 - 第2のパージガスが、加熱スケジュールの冷却段階の間熱処理システムに供給される請求項12に記載の方法。
- 基板温度が標的ピーク温度に加熱された時点又はその近傍で、第2のパージガスが熱処理システムに供給される請求項13に記載の方法。
- 基板温度を低減しつつ、第2のパージガスが熱処理システムに供給される請求項14に記載の方法。
- 第1のパージガスが、加熱スケジュールの加熱段階の間熱処理システムに供給される請求項14に記載の方法。
- 第2のパージガスの熱伝導率が、第1のパージガスの熱伝導率より大きい請求項12に記載の方法。
- 第2のパージガスが、ヘリウムもしくは水素又はこれら両方を有する請求項17に記載の方法。
- 第1のパージガスが窒素を有し、第2のパージガスがヘリウムを有する請求項17に記載の方法。
- 加熱スケジュールの加熱段階の間、第1のパージガスが、熱処理システムの基板面と反射板組立体の間に供給され、加熱スケジュールの冷却段階の間、第2のパージガスが、熱処理システムの基板面と反射板組立体の間に供給される請求項12に記載の方法。
- 熱処理システムで基板を熱処理する方法であって、
熱処理システムの基板面と反射板組立体の間に第1のパージガスを供給するステップと、
ターゲット温度に基板を加熱するステップと、
基板温度がターゲット温度に加熱された時点又はその近傍で、第1のパージガスの熱伝導率より大きい熱伝導率を有する第2のパージガスを熱処理システムの基板面と反射板組立体の間に供給するステップと
を有する方法。 - 第2のパージガスがヘリウムを有する請求項21に記載の方法。
- 第1のパージガスが窒素を有する請求項22に記載の方法。
- 基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近傍において、熱処理システムへの第1のパージガスの供給が終了される請求項21に記載の方法。
- 熱処理システムで基板を熱処理する方法であって、
ターゲット温度に基板を加熱するステップと、
基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近傍において、熱処理システム内の基板面と反射板組立体の間に、基板面と反射板組立体の間の熱伝導率を増加するパージガスを供給するステップと、
パージガスが熱処理システムに供給される速度と実質的に同じ速度で熱処理システムからパージガスを取り除くステップと
を有する方法。 - パージガスが比較的高い熱伝導率を有する請求項25に記載の方法。
- パージガスがヘリウムを有する請求項26に記載の方法。
- 加熱スケジュールの冷却段階の間、パージガスが熱処理システムに供給される請求項25に記載の方法。
- 基板がターゲット温度にある時間を最小にするために、パージガスが比較的高い流量で熱処理システムに供給される請求項25に記載の方法。
- 基板がターゲット温度に加熱される前に、パージガスが約1〜3秒間熱処理システムに供給される請求項25に記載の方法。
- 基板がターゲット温度に加熱される前に、パージガスが約1〜2秒間熱処理システムに供給される請求項25に記載の方法。
- 基板がターゲット温度に加熱される前に、パージガスが約1〜1.5秒間熱処理システムに供給される請求項25に記載の方法。
- 熱処理システムで基板を熱処理する方法であって、
熱処理システムの基板面と反射板組立体の間に第1のパージガスを供給するステップと、
ターゲット温度に基板を加熱するステップと、
基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近傍において、第1のパージガスの熱伝導率より大きい熱伝導率を有する第2のパージガスを熱処理システムの内側の基板面と反射板組立体の間に供給するステップと、
第2のパージガスが熱処理システムに供給される速度と実質的に同じ速度で熱処理システムから第2のパージガスを取り除くステップと
を有する方法。 - 第1のパージガスが窒素を有し、第2のパージガスがヘリウムを有する請求項33に記載の方法。
- 基板がターゲット温度に加熱された時点又はその近傍において、熱処理への第1のパージガスの供給が終了される請求項33に記載の方法。
- 基板がターゲット温度にある時間を最小にするために、比較的高い流量で第2のパージガスが熱処理システムに供給される請求項35に記載の方法。
- 基板温度を低減しつつ、第2のパージガスが熱処理システムに供給される請求項33に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/350415 | 1999-07-08 | ||
US09/350,415 US6215106B1 (en) | 1997-06-30 | 1999-07-08 | Thermally processing a substrate |
US09/611,349 US6803546B1 (en) | 1999-07-08 | 2000-07-06 | Thermally processing a substrate |
US09/611349 | 2000-07-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001196324A JP2001196324A (ja) | 2001-07-19 |
JP4953497B2 true JP4953497B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=26996606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000208418A Expired - Fee Related JP4953497B2 (ja) | 1999-07-08 | 2000-07-10 | 基板の熱処理 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6803546B1 (ja) |
EP (1) | EP1067587B1 (ja) |
JP (1) | JP4953497B2 (ja) |
KR (1) | KR100709517B1 (ja) |
DE (1) | DE60042993D1 (ja) |
TW (1) | TW479298B (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6803546B1 (en) | 1999-07-08 | 2004-10-12 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing a substrate |
JP4549484B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2010-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 枚葉式熱処理装置 |
JP2001297995A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nec Corp | 回路製造方法および装置 |
KR100838874B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2008-06-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 열 처리하는 시스템 및 방법 |
JP2004536272A (ja) * | 2001-06-08 | 2004-12-02 | アイクストロン、アーゲー | 扁平物体の短時間熱処理方法と装置 |
KR100377011B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2003-03-19 | 코닉 시스템 주식회사 | 급속 열처리 장치의 히터 모듈 |
CN100430803C (zh) * | 2003-01-30 | 2008-11-05 | 日本写真印刷株式会社 | 加热装置 |
US7293986B2 (en) * | 2003-05-06 | 2007-11-13 | Mrl Industries, Inc. | Vestibule assembly for a heat treatment furnace |
JP3857283B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2006-12-13 | 株式会社エピクエスト | 面発光レーザ作製用酸化装置 |
JP4589092B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2010-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8282768B1 (en) * | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
US20060291833A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-28 | Mattson Techonology, Inc. | Switchable reflector wall concept |
US7554103B2 (en) * | 2006-06-26 | 2009-06-30 | Applied Materials, Inc. | Increased tool utilization/reduction in MWBC for UV curing chamber |
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JP5719710B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-05-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
US10242890B2 (en) * | 2011-08-08 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with heater |
US8980767B2 (en) * | 2012-01-13 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
DE102012202099A1 (de) * | 2012-02-13 | 2013-08-14 | Siltronic Ag | Verfahren zum Abkühlen von Scheiben aus Halbleitermaterial |
US10256121B2 (en) * | 2015-07-06 | 2019-04-09 | Tokyo Electron Limited | Heated stage with variable thermal emissivity method and apparatus |
JP6847610B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2021-03-24 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置 |
JP6832154B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | パージ方法 |
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US11699603B2 (en) | 2019-03-14 | 2023-07-11 | Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd | Thermal processing system with temperature non-uniformity control |
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-
2000
- 2000-07-06 US US09/611,349 patent/US6803546B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-07 EP EP00114673A patent/EP1067587B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-07 DE DE60042993T patent/DE60042993D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-07-08 KR KR1020000039156A patent/KR100709517B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-07-10 JP JP2000208418A patent/JP4953497B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-28 TW TW089113708A patent/TW479298B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1067587A2 (en) | 2001-01-10 |
KR20010015254A (ko) | 2001-02-26 |
TW479298B (en) | 2002-03-11 |
US6803546B1 (en) | 2004-10-12 |
JP2001196324A (ja) | 2001-07-19 |
DE60042993D1 (de) | 2009-11-05 |
EP1067587B1 (en) | 2009-09-23 |
EP1067587A3 (en) | 2006-03-29 |
KR100709517B1 (ko) | 2007-04-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070629 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20101130 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110526 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110614 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120313 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |