JPH0950965A - 枚葉式の熱処理装置 - Google Patents
枚葉式の熱処理装置Info
- Publication number
- JPH0950965A JPH0950965A JP7219669A JP21966995A JPH0950965A JP H0950965 A JPH0950965 A JP H0950965A JP 7219669 A JP7219669 A JP 7219669A JP 21966995 A JP21966995 A JP 21966995A JP H0950965 A JPH0950965 A JP H0950965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting table
- wafer
- heat treatment
- treatment apparatus
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 title abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 87
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 48
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 24
- 230000009545 invasion Effects 0.000 claims description 15
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 100
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45519—Inert gas curtains
- C23C16/45521—Inert gas curtains the gas, other than thermal contact gas, being introduced the rear of the substrate to flow around its periphery
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 載置台の裏面側へ処理ガスが回り込むことを
防止することができる枚葉式の熱処理装置を提供する。 【構成】 断熱性支柱３０の上に支持された載置台２８
に載置した被処理体Ｗを、その下方の加熱ランプ４０に
より間接加熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置に
おいて、前記載置台の裏面の周縁部に、この載置台の裏
面に処理ガスが回り込むことを防止するためのガス侵入
阻止部材８６を設けるように構成する。これにより、裏
面側に侵入してきた処理ガスは、阻止部材の表面に成膜
が付着することにより消費されることになる。
防止することができる枚葉式の熱処理装置を提供する。 【構成】 断熱性支柱３０の上に支持された載置台２８
に載置した被処理体Ｗを、その下方の加熱ランプ４０に
より間接加熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置に
おいて、前記載置台の裏面の周縁部に、この載置台の裏
面に処理ガスが回り込むことを防止するためのガス侵入
阻止部材８６を設けるように構成する。これにより、裏
面側に侵入してきた処理ガスは、阻止部材の表面に成膜
が付着することにより消費されることになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
表面に成膜処理を施すための枚葉式の熱処理装置に関す
る。
表面に成膜処理を施すための枚葉式の熱処理装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程にお
いては、被処理体である半導体ウエハやガラス基板等に
成膜とパターンエッチング等を繰り返し行なうことより
所望の素子を得るようになっている。例えば、ウエハ表
面に成膜を施す処理装置には、一度に多数枚のウエハに
成膜処理を施すことができるバッチ式の処理装置と一枚
ずつ処理を行なう枚葉式の処理装置があり、成膜の種類
や製造量等に応じて両装置の使い分けがなされている。
いては、被処理体である半導体ウエハやガラス基板等に
成膜とパターンエッチング等を繰り返し行なうことより
所望の素子を得るようになっている。例えば、ウエハ表
面に成膜を施す処理装置には、一度に多数枚のウエハに
成膜処理を施すことができるバッチ式の処理装置と一枚
ずつ処理を行なう枚葉式の処理装置があり、成膜の種類
や製造量等に応じて両装置の使い分けがなされている。
【０００３】また、枚葉式の処理装置としては、例えば
複数枚のウエハの処理期間に亘って常時サセプタを加熱
状態とする抵抗加熱式の装置と、ランプからの熱によっ
て高速昇温が可能なランプ式の装置が知られている。ラ
ンプ式の処理装置としては、例えば特開昭５９−１４７
４２８号公報、特開平４−３４３４１８号公報、特開平
６−２０８９５９号公報、特開平３−３２２９号公報、
実開昭６１−８６９３５号公報、実開平４−１２１７３
２号公報、実開平５−１９９６号公報及び実開平５−６
３０４４号公報などに開示されているものが種々知られ
ている。ここで、一般的なランプ式の処理装置を例にと
って説明すると、図６に示すように例えばアルミニウム
製の処理容器２内には、例えば石英等によりリング状に
形成された断熱部材４上に設置された例えばカーボン製
の板状の載置台６が設けられており、この上面に半導体
ウエハＷが載置される。
複数枚のウエハの処理期間に亘って常時サセプタを加熱
状態とする抵抗加熱式の装置と、ランプからの熱によっ
て高速昇温が可能なランプ式の装置が知られている。ラ
ンプ式の処理装置としては、例えば特開昭５９−１４７
４２８号公報、特開平４−３４３４１８号公報、特開平
６−２０８９５９号公報、特開平３−３２２９号公報、
実開昭６１−８６９３５号公報、実開平４−１２１７３
２号公報、実開平５−１９９６号公報及び実開平５−６
３０４４号公報などに開示されているものが種々知られ
ている。ここで、一般的なランプ式の処理装置を例にと
って説明すると、図６に示すように例えばアルミニウム
製の処理容器２内には、例えば石英等によりリング状に
形成された断熱部材４上に設置された例えばカーボン製
の板状の載置台６が設けられており、この上面に半導体
ウエハＷが載置される。
【０００４】処理容器２の下方には、回転テーブル８上
に多数の加熱ランプ１０を取り付けてなる加熱手段１２
が配置されており、この加熱ランプ１０からの放射エネ
ルギを容器底部の石英製の透過窓１４を介して載置台６
の裏面に照射して載置台６を加熱し、これによりウエハ
Ｗを間接的に加熱するようになっている。載置台６の外
周には、例えば上下動可能になされたウエハリフタ（図
示せず）やウエハクランプ１６が設けられ、このリフタ
やクランプ１６と載置台６との間にはこのリフタやクラ
ンプ１６を熱的に保護するための、例えばアルミニウム
製の保護リング１８を介在させている。
に多数の加熱ランプ１０を取り付けてなる加熱手段１２
が配置されており、この加熱ランプ１０からの放射エネ
ルギを容器底部の石英製の透過窓１４を介して載置台６
の裏面に照射して載置台６を加熱し、これによりウエハ
Ｗを間接的に加熱するようになっている。載置台６の外
周には、例えば上下動可能になされたウエハリフタ（図
示せず）やウエハクランプ１６が設けられ、このリフタ
やクランプ１６と載置台６との間にはこのリフタやクラ
ンプ１６を熱的に保護するための、例えばアルミニウム
製の保護リング１８を介在させている。
【０００５】また、載置台６の上方には、これと平行に
対向させてシャワーヘッド部２０が設置されており、処
理容器２内へシラン等の処理ガスを導入するようになっ
ている。成膜処理は、ウエハＷを所定のプロセス温度に
維持しつつ上記ヘッド部２０より処理ガスを供給して所
定のプロセス圧力を維持することにより行い、これによ
りウエハ表面に例えばシリコンやシリコン酸化膜等の所
定の材料の成膜を行なうことができる。
対向させてシャワーヘッド部２０が設置されており、処
理容器２内へシラン等の処理ガスを導入するようになっ
ている。成膜処理は、ウエハＷを所定のプロセス温度に
維持しつつ上記ヘッド部２０より処理ガスを供給して所
定のプロセス圧力を維持することにより行い、これによ
りウエハ表面に例えばシリコンやシリコン酸化膜等の所
定の材料の成膜を行なうことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電気的特性
の良好なデバイスを多く得るためには、特性の良好な成
膜を形成することが必要であるが、中でもウエハ表面に
膜厚の均一な成膜を施す必要がある。しかしながら、上
述した従来の処理装置にあっては、載置台６の載置面に
ウエハＷを面接触で載置し、載置台６からの熱伝導によ
りウエハＷを加熱するようになっているが、一般的には
ウエハＷはこの前工程で何回も熱処理が繰り返し行なわ
れていることから、平坦に見えるウエハ裏面も実際には
微視的に見れば波打つように屈曲変形しており、従っ
て、ウエハ裏面は載置面に対して面接触ではなく多点で
点接触状態で載置されていることになる。従って、これ
に起因して載置台の温度制御を精度良く行なってもウエ
ハ面に温度分布が生じ、成膜の面内均一性を十分に確保
できない場合が生じた。特に、ウエハ毎に変形形態も異
なることから、点接触位置もウエハ毎に異なるのが現状
であり、これが不安定要素となって、成膜の再現性も悪
化するといった問題があった。
の良好なデバイスを多く得るためには、特性の良好な成
膜を形成することが必要であるが、中でもウエハ表面に
膜厚の均一な成膜を施す必要がある。しかしながら、上
述した従来の処理装置にあっては、載置台６の載置面に
ウエハＷを面接触で載置し、載置台６からの熱伝導によ
りウエハＷを加熱するようになっているが、一般的には
ウエハＷはこの前工程で何回も熱処理が繰り返し行なわ
れていることから、平坦に見えるウエハ裏面も実際には
微視的に見れば波打つように屈曲変形しており、従っ
て、ウエハ裏面は載置面に対して面接触ではなく多点で
点接触状態で載置されていることになる。従って、これ
に起因して載置台の温度制御を精度良く行なってもウエ
ハ面に温度分布が生じ、成膜の面内均一性を十分に確保
できない場合が生じた。特に、ウエハ毎に変形形態も異
なることから、点接触位置もウエハ毎に異なるのが現状
であり、これが不安定要素となって、成膜の再現性も悪
化するといった問題があった。
【０００７】また、載置台６は、熱膨張を許容するため
に断熱部材４上に固定することなく載置せざるを得ない
が、このため、載置台６の下面と断熱部材４との間に部
分的に間隙も生じ、これがために間隙を介して載置台６
の裏面側に処理ガスが流れ込み、高温状態になっている
載置台６の裏面や透過窓１４の内側面に成膜２２が付着
する傾向となる。このような成膜２２は、加熱ランプ１
０からの透過率や放射率（エミッシビティ）を変えてし
まうので、熱効率の低下やウエハの温度分布発生の原因
となるばかりか、処理枚数が増加する毎に膜厚も増加
し、熱処理の再現性の低下の原因にもなっていた。
に断熱部材４上に固定することなく載置せざるを得ない
が、このため、載置台６の下面と断熱部材４との間に部
分的に間隙も生じ、これがために間隙を介して載置台６
の裏面側に処理ガスが流れ込み、高温状態になっている
載置台６の裏面や透過窓１４の内側面に成膜２２が付着
する傾向となる。このような成膜２２は、加熱ランプ１
０からの透過率や放射率（エミッシビティ）を変えてし
まうので、熱効率の低下やウエハの温度分布発生の原因
となるばかりか、処理枚数が増加する毎に膜厚も増加
し、熱処理の再現性の低下の原因にもなっていた。
【０００８】この場合、載置台６にゾーン毎に熱電対
（図示せず）を埋め込んで温度制御を行なってはいる
が、熱電対の位置は固定的であるのに対して、成膜の付
着は２次元的な広がりを持っており、熱電対では十分に
は対応することができないのが現状である。更には、図
６に示す装置にあっては、処理容器２と熱的に同レベル
になる保護リング１８と載置台６の周辺部との間の間隔
Ｌ１が装置小型化の要請のために非常に狭く、例えば数
ｍｍ程度となっているために、載置台６の組立誤差によ
り載置台６の取り付け位置が僅か０．５ｍｍ程度だけ偏
心しただけで、その外側の保護リング１８から不均等な
熱的影響を受けることになる。
（図示せず）を埋め込んで温度制御を行なってはいる
が、熱電対の位置は固定的であるのに対して、成膜の付
着は２次元的な広がりを持っており、熱電対では十分に
は対応することができないのが現状である。更には、図
６に示す装置にあっては、処理容器２と熱的に同レベル
になる保護リング１８と載置台６の周辺部との間の間隔
Ｌ１が装置小型化の要請のために非常に狭く、例えば数
ｍｍ程度となっているために、載置台６の組立誤差によ
り載置台６の取り付け位置が僅か０．５ｍｍ程度だけ偏
心しただけで、その外側の保護リング１８から不均等な
熱的影響を受けることになる。
【０００９】その結果、載置台６の周縁部と保護リング
１８との間の熱抵抗は、周方向に沿って均一にはならず
に不均一となり、図７に示すように温度分布が偏ってし
まい、不均一な温度分布が発生する原因となっていた。
図７において波線で囲まれたエリア２３は温度が他の部
分と比較して低くなっているエリアを示す。このような
不均等な温度分布はウエハの成膜の膜厚の面内均一性を
低下させる原因となっている。以上のような膜厚の不均
一性は、ウエハサイズが６インチから８インチへ移行す
るに従って、また、ＩＣの高密度化、高微細化及び成膜
の薄膜化に従って大きな問題となってきている。
１８との間の熱抵抗は、周方向に沿って均一にはならず
に不均一となり、図７に示すように温度分布が偏ってし
まい、不均一な温度分布が発生する原因となっていた。
図７において波線で囲まれたエリア２３は温度が他の部
分と比較して低くなっているエリアを示す。このような
不均等な温度分布はウエハの成膜の膜厚の面内均一性を
低下させる原因となっている。以上のような膜厚の不均
一性は、ウエハサイズが６インチから８インチへ移行す
るに従って、また、ＩＣの高密度化、高微細化及び成膜
の薄膜化に従って大きな問題となってきている。
【００１０】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、載置台の裏面側へ処理ガスが回り込むことを
防止することができる枚葉式の熱処理装置を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、被処理体をその周縁部
のみで支持するようにして熱的不安定要素を取り除いた
枚葉式の熱処理装置を提供することにある。更に、本発
明の他の目的は、載置台の組立誤差による熱的影響を大
幅に減少させた枚葉式の熱処理装置を提供することにあ
る。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、載置台の裏面側へ処理ガスが回り込むことを
防止することができる枚葉式の熱処理装置を提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、被処理体をその周縁部
のみで支持するようにして熱的不安定要素を取り除いた
枚葉式の熱処理装置を提供することにある。更に、本発
明の他の目的は、載置台の組立誤差による熱的影響を大
幅に減少させた枚葉式の熱処理装置を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、断熱性支
柱の上に支持された載置台に載置した被処理体を、その
下方の加熱ランプにより間接加熱して熱処理を行なう枚
葉式の熱処理装置において、前記載置台の裏面の周縁部
に、この載置台の裏面に処理ガスが回り込むことを防止
するためのガス侵入阻止部材を設けるように構成したも
のである。第２の発明は、断熱性支柱の上に支持された
載置台に載置した被処理体を、その下方の加熱ランプに
より間接加熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置に
おいて、前記載置台の裏面側に、これに前記処理ガスが
回り込むことを防止するために不活性ガスを供給する不
活性ガス供給手段を設けるように構成したものである。
柱の上に支持された載置台に載置した被処理体を、その
下方の加熱ランプにより間接加熱して熱処理を行なう枚
葉式の熱処理装置において、前記載置台の裏面の周縁部
に、この載置台の裏面に処理ガスが回り込むことを防止
するためのガス侵入阻止部材を設けるように構成したも
のである。第２の発明は、断熱性支柱の上に支持された
載置台に載置した被処理体を、その下方の加熱ランプに
より間接加熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置に
おいて、前記載置台の裏面側に、これに前記処理ガスが
回り込むことを防止するために不活性ガスを供給する不
活性ガス供給手段を設けるように構成したものである。
【００１２】第３の発明は、載置台に載置した被処理体
に対して熱処理を施す枚葉式の熱処理装置において、前
記載置台に、前記被処理体の裏面の周縁部と直接接触し
て前記被処理体の裏面を前記載置台の上面に対して僅か
な間隙だけ離間させるための支持凸部を設けるように構
成したものである。第４の発明は、処理容器内に設けた
載置台に載置した被処理体を、その下方の加熱ランプに
より間接加熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置に
おいて、前記載置台の側部と前記処理容器の側壁または
この側壁と熱的に同じレベルとなる部材との間隔を、前
記載置台の組立誤差に起因して発生する熱的影響を抑制
し得る距離以上に設定するように構成したものである。
に対して熱処理を施す枚葉式の熱処理装置において、前
記載置台に、前記被処理体の裏面の周縁部と直接接触し
て前記被処理体の裏面を前記載置台の上面に対して僅か
な間隙だけ離間させるための支持凸部を設けるように構
成したものである。第４の発明は、処理容器内に設けた
載置台に載置した被処理体を、その下方の加熱ランプに
より間接加熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置に
おいて、前記載置台の側部と前記処理容器の側壁または
この側壁と熱的に同じレベルとなる部材との間隔を、前
記載置台の組立誤差に起因して発生する熱的影響を抑制
し得る距離以上に設定するように構成したものである。
【００１３】第１の発明によれば、断熱性支柱に支持さ
れた載置台の裏面の周縁部には、例えば所定の長さの円
筒状部材を設けるようにしたので、処理ガスが断熱性支
柱と円筒状部材との間隙を通って載置台の裏面側に侵入
してくる際に加熱状態になっている円筒状部材の表面に
成膜が形成されることにより処理ガスが消費されてしま
う。従って、載置台の裏面側に処理ガスが侵入して回り
込んでくることを防止することができるので、載置台の
裏面や加熱ランプの熱線を透過する透過窓の内面に成膜
が付着することを防止でき、不均一な温度分布の発生や
再現性の低下を生ずることを防止することができる。第
２の発明によれば、載置台の裏面側に不活性ガス供給手
段より積極的に例えば窒素ガスのような不活性ガスを供
給するようにしたので、この圧力により処理ガスが載置
台の表面と断熱性支柱との間隙を通って載置台の裏面側
に回り込んで侵入してくることを防止でき、上記した第
１の発明と同様な作用効果を発揮することができる。こ
の場合、第１の発明の円筒状部材を併せて設けるように
すれば、載置台裏面側への処理ガスの侵入を一層抑制す
ることが可能となる。
れた載置台の裏面の周縁部には、例えば所定の長さの円
筒状部材を設けるようにしたので、処理ガスが断熱性支
柱と円筒状部材との間隙を通って載置台の裏面側に侵入
してくる際に加熱状態になっている円筒状部材の表面に
成膜が形成されることにより処理ガスが消費されてしま
う。従って、載置台の裏面側に処理ガスが侵入して回り
込んでくることを防止することができるので、載置台の
裏面や加熱ランプの熱線を透過する透過窓の内面に成膜
が付着することを防止でき、不均一な温度分布の発生や
再現性の低下を生ずることを防止することができる。第
２の発明によれば、載置台の裏面側に不活性ガス供給手
段より積極的に例えば窒素ガスのような不活性ガスを供
給するようにしたので、この圧力により処理ガスが載置
台の表面と断熱性支柱との間隙を通って載置台の裏面側
に回り込んで侵入してくることを防止でき、上記した第
１の発明と同様な作用効果を発揮することができる。こ
の場合、第１の発明の円筒状部材を併せて設けるように
すれば、載置台裏面側への処理ガスの侵入を一層抑制す
ることが可能となる。
【００１４】第３の発明によれば、載置台の周縁部に支
持凸部を設けて、この部分で被処理体の周縁部を支持さ
せるようにしたので、被処理体は必ずその裏面周縁部に
て載置台側に支持されることになる。この結果、被処理
体の周縁部は熱伝導と熱放射により加熱され、それ以外
の部分は熱放射により加熱されることになり、被処理体
の僅かな変形によりどの部分が載置台表面と実際に接触
するか不明となるという不安定要素がなくなり、温度制
御が行い易くなって被処理体の面内温度均一性を高める
ことができるのみならず、再現性も向上させることがで
きる。第４の発明によれば、載置台の側部と処理容器の
側壁またはそれと熱的に同じレベルの部材との間隔をあ
る程度以上大きく設定したので、載置台の組立誤差によ
りこれが偏心して取り付けられたとしても、載置台が側
壁や上記部材から不均等な熱的影響を受けることを防止
することが可能となる。これにより、載置台に不均一な
温度分布が生ずることを防止することができる。
持凸部を設けて、この部分で被処理体の周縁部を支持さ
せるようにしたので、被処理体は必ずその裏面周縁部に
て載置台側に支持されることになる。この結果、被処理
体の周縁部は熱伝導と熱放射により加熱され、それ以外
の部分は熱放射により加熱されることになり、被処理体
の僅かな変形によりどの部分が載置台表面と実際に接触
するか不明となるという不安定要素がなくなり、温度制
御が行い易くなって被処理体の面内温度均一性を高める
ことができるのみならず、再現性も向上させることがで
きる。第４の発明によれば、載置台の側部と処理容器の
側壁またはそれと熱的に同じレベルの部材との間隔をあ
る程度以上大きく設定したので、載置台の組立誤差によ
りこれが偏心して取り付けられたとしても、載置台が側
壁や上記部材から不均等な熱的影響を受けることを防止
することが可能となる。これにより、載置台に不均一な
温度分布が生ずることを防止することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係る枚葉式の熱処
理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１
は本発明に係る枚葉式の熱処理装置を示す断面図、図２
は図１に示す装置の載置台の周縁部近傍を示す拡大断面
図、図３は図１に示す装置の載置台を示す平面図、図４
は載置台に設けた熱電対の状態を示す図である。
理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１
は本発明に係る枚葉式の熱処理装置を示す断面図、図２
は図１に示す装置の載置台の周縁部近傍を示す拡大断面
図、図３は図１に示す装置の載置台を示す平面図、図４
は載置台に設けた熱電対の状態を示す図である。
【００１６】本実施例では熱処理装置として、枚葉式の
ＣＶＤ装置を例にとって説明する。このＣＶＤ装置２４
は、例えばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成
形された処理容器２６を有しており、この処理容器２６
内には、表面がＳｉＣによりコーティングされた肉厚が
例えば数ｍｍのカーボン製の載置台２８が、底部より起
立させて設けた例えば石英製の厚さ数十ｍｍの円筒状の
断熱性支柱としての第１の断熱部材３０上に周縁部を離
脱可能に支持して設置されている。この載置台２８の上
面に被処理体としての半導体ウエハＷが載置される。こ
の第１の断熱部材３０の外周には、載置台２８の保温性
を確保するために僅かの間隙を隔てて厚さ数十ｍｍ程度
の例えば石英製の円筒状の第２の断熱部材３２が同心円
状に配置されている。
ＣＶＤ装置を例にとって説明する。このＣＶＤ装置２４
は、例えばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成
形された処理容器２６を有しており、この処理容器２６
内には、表面がＳｉＣによりコーティングされた肉厚が
例えば数ｍｍのカーボン製の載置台２８が、底部より起
立させて設けた例えば石英製の厚さ数十ｍｍの円筒状の
断熱性支柱としての第１の断熱部材３０上に周縁部を離
脱可能に支持して設置されている。この載置台２８の上
面に被処理体としての半導体ウエハＷが載置される。こ
の第１の断熱部材３０の外周には、載置台２８の保温性
を確保するために僅かの間隙を隔てて厚さ数十ｍｍ程度
の例えば石英製の円筒状の第２の断熱部材３２が同心円
状に配置されている。
【００１７】処理容器２６の肉厚な底部には、比較的大
きな開口が形成されており、この開口の外側には、下方
に向けて凸状になされた透明材料、例えば石英製の透過
窓３４が気密に取り付けられている。このように透過窓
３４を下方に向けて凸表に形成する理由は、真空雰囲気
となる処理室に向けて加わる外部からの圧力に対して断
面円弧状として強度を増すためである。また、この開口
の内側には、多数のガス孔３５を有する同じく透明材
料、例えば石英製の薄板状のガス整流板３６が設けられ
ている。
きな開口が形成されており、この開口の外側には、下方
に向けて凸状になされた透明材料、例えば石英製の透過
窓３４が気密に取り付けられている。このように透過窓
３４を下方に向けて凸表に形成する理由は、真空雰囲気
となる処理室に向けて加わる外部からの圧力に対して断
面円弧状として強度を増すためである。また、この開口
の内側には、多数のガス孔３５を有する同じく透明材
料、例えば石英製の薄板状のガス整流板３６が設けられ
ている。
【００１８】更には、この透過窓３４の下方には、水冷
された回転テーブル３８上に配置された多数の加熱ラン
プ４０が設置されており、このランプ４０からの熱線
が、透過窓３４及びガス整流板３６を透過して載置台２
８を裏面から加熱し、これによりウエハＷを間接的に加
熱するようになっている。図示例にあっては、５個の加
熱ランプ４０が記載されているが、実際にはウエハサイ
ズにもよるが、例えば８インチサイズのウエハの場合に
は１個６５０Ｗ程度の容量のハロゲンランプを２３個程
度設ける。この加熱ランプ４０の全体は、ケーシング４
２に覆われており、このケーシング４２内は高温になる
ことから、冷却する目的でケーシング内には例えば冷却
風が流通されている。
された回転テーブル３８上に配置された多数の加熱ラン
プ４０が設置されており、このランプ４０からの熱線
が、透過窓３４及びガス整流板３６を透過して載置台２
８を裏面から加熱し、これによりウエハＷを間接的に加
熱するようになっている。図示例にあっては、５個の加
熱ランプ４０が記載されているが、実際にはウエハサイ
ズにもよるが、例えば８インチサイズのウエハの場合に
は１個６５０Ｗ程度の容量のハロゲンランプを２３個程
度設ける。この加熱ランプ４０の全体は、ケーシング４
２に覆われており、このケーシング４２内は高温になる
ことから、冷却する目的でケーシング内には例えば冷却
風が流通されている。
【００１９】一方、この処理容器２６の天井部には、上
記載置台２８と平行するように対向させて処理室内へ処
理ガス等を供給するためのシャワーヘッド部４４が設け
られている。このシャワーヘッド部４４は、例えばアル
ミニウムにより全体が円形の箱状に成形されると共にそ
の下面であるガス噴射面４６には例えば直径が数ｍｍ程
度の多数のガス噴射孔４８が形成されており、これより
下方に向けてガスを噴射し得るようになっている。シャ
ワーヘッド部４４内には、１枚或いは複数枚（図示例で
は２枚）の整流板５０、５０が設けられており、各整流
板５０、５０には多数の拡散孔５２が形成されている。
各拡散孔５２及びガス噴出孔４８は、上下方向に一直線
状に配列しないように例えば上下方向において千鳥状に
配置されており、流れるガスを効果的に整流し得るよう
になっている。
記載置台２８と平行するように対向させて処理室内へ処
理ガス等を供給するためのシャワーヘッド部４４が設け
られている。このシャワーヘッド部４４は、例えばアル
ミニウムにより全体が円形の箱状に成形されると共にそ
の下面であるガス噴射面４６には例えば直径が数ｍｍ程
度の多数のガス噴射孔４８が形成されており、これより
下方に向けてガスを噴射し得るようになっている。シャ
ワーヘッド部４４内には、１枚或いは複数枚（図示例で
は２枚）の整流板５０、５０が設けられており、各整流
板５０、５０には多数の拡散孔５２が形成されている。
各拡散孔５２及びガス噴出孔４８は、上下方向に一直線
状に配列しないように例えば上下方向において千鳥状に
配置されており、流れるガスを効果的に整流し得るよう
になっている。
【００２０】このシャワーヘッド部４４は、配管５４及
び複数の分岐管５６を介してそれぞれ処理ガス源５８、
５９、キャリアガス源６０及びクリーニングガス源６２
に接続されると共に各ガス源は、各分岐管に介設した開
閉弁６４によってその供給が制御され、マスフローコン
トローラ６６によってその流量が制御される。ここで
は、例えば処理ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）とホスフ
ィン（ＰＨ3 ）が、キャリアガスとして窒素ガスが、ま
た、クリーニングガスとしてＣｌＦ系ガスが用いられる
が、これらに限定されるものではない。また、処理容器
２６の側壁には、ウエハＷを搬入・搬出する際に開閉す
るゲートバルブ６８が設けられると共に図示しない真空
ポンプに接続された排気口７０が設けられる。この排気
口７０は、処理室内の雰囲気を載置台の周辺部から均等
に排気するために容器底部に設けるようにしてもよい。
また、容器底部には、図示されていないがこれを冷却す
るための冷却ジャケットが設けられる。
び複数の分岐管５６を介してそれぞれ処理ガス源５８、
５９、キャリアガス源６０及びクリーニングガス源６２
に接続されると共に各ガス源は、各分岐管に介設した開
閉弁６４によってその供給が制御され、マスフローコン
トローラ６６によってその流量が制御される。ここで
は、例えば処理ガスとしてシラン（ＳｉＨ4 ）とホスフ
ィン（ＰＨ3 ）が、キャリアガスとして窒素ガスが、ま
た、クリーニングガスとしてＣｌＦ系ガスが用いられる
が、これらに限定されるものではない。また、処理容器
２６の側壁には、ウエハＷを搬入・搬出する際に開閉す
るゲートバルブ６８が設けられると共に図示しない真空
ポンプに接続された排気口７０が設けられる。この排気
口７０は、処理室内の雰囲気を載置台の周辺部から均等
に排気するために容器底部に設けるようにしてもよい。
また、容器底部には、図示されていないがこれを冷却す
るための冷却ジャケットが設けられる。
【００２１】さて、ウエハＷを処理容器２６内へ搬出入
させるには、載置台の上方にてウエハを昇降させたり、
或いはウエハを載置台２８上に固定する必要がある。そ
のため、載置台２８の外周側には、ウエハリフトアーム
７２を有するウエハリフタ７４やウエハ押さえアーム７
６を有するウエハクランプ７８が容器底部を貫通して昇
降可能に設けられている。この場合、上記したウエハリ
フタ７４やウエハクランプ７８は、比較的熱に弱いこと
から載置台２８の周囲に設けた第１及び第２の断熱部材
３０、３２だけでは断熱性が十分ではない。そのため、
この外側の第２の断熱部材３２と、ウエハリフタ７４或
いはウエハクランプ７８との間に位置するようにリング
状の保護リング８０を設けて、載置台２８を同心円状に
囲んでいる。この保護リング８０は、例えば処理容器２
６と一体の削り出し加工されており、従って、処理容器
の側壁や底部と熱的に略同じレベルとなり、温度がかな
り低くなってウエハリフタ７４等を熱的に保護するよう
になっている。
させるには、載置台の上方にてウエハを昇降させたり、
或いはウエハを載置台２８上に固定する必要がある。そ
のため、載置台２８の外周側には、ウエハリフトアーム
７２を有するウエハリフタ７４やウエハ押さえアーム７
６を有するウエハクランプ７８が容器底部を貫通して昇
降可能に設けられている。この場合、上記したウエハリ
フタ７４やウエハクランプ７８は、比較的熱に弱いこと
から載置台２８の周囲に設けた第１及び第２の断熱部材
３０、３２だけでは断熱性が十分ではない。そのため、
この外側の第２の断熱部材３２と、ウエハリフタ７４或
いはウエハクランプ７８との間に位置するようにリング
状の保護リング８０を設けて、載置台２８を同心円状に
囲んでいる。この保護リング８０は、例えば処理容器２
６と一体の削り出し加工されており、従って、処理容器
の側壁や底部と熱的に略同じレベルとなり、温度がかな
り低くなってウエハリフタ７４等を熱的に保護するよう
になっている。
【００２２】この場合、従来装置の説明において述べた
ように、この保護リング８０と載置台２８の周縁部との
間の間隔Ｌ２が１．０ｍｍ程度で、載置台２８の組立誤
差が例えば０．５ｍｍ程度でこれらの差が少ないと、組
立誤差による偏心の結果、載置台の周縁部が受ける熱的
影響がかなりの偏差で不均一状態となっていたが、本発
明においては、この間隔Ｌ２を、載置台の組立誤差に起
因して発生する熱的影響を抑制し得る距離以上に設定し
ている。具体的には、図２にも示すようにこの間隔Ｌ２
は、載置台２８の組立誤差の１０倍以上、すなわち５ｍ
ｍ以上であることが必要で、好ましくは１０ｍｍ程度に
設定する。この場合、間隔Ｌ２が過度に大きくなると装
置が必要以上に大型化するので好ましくなく、上限は例
えば８インチウエハ用の場合、３０ｍｍ程度である。
尚、ウエハ側部と載置面２８Ａの側壁との間のギャップ
は例えば０．１〜０．４ｍｍ程度に設定されている。
ように、この保護リング８０と載置台２８の周縁部との
間の間隔Ｌ２が１．０ｍｍ程度で、載置台２８の組立誤
差が例えば０．５ｍｍ程度でこれらの差が少ないと、組
立誤差による偏心の結果、載置台の周縁部が受ける熱的
影響がかなりの偏差で不均一状態となっていたが、本発
明においては、この間隔Ｌ２を、載置台の組立誤差に起
因して発生する熱的影響を抑制し得る距離以上に設定し
ている。具体的には、図２にも示すようにこの間隔Ｌ２
は、載置台２８の組立誤差の１０倍以上、すなわち５ｍ
ｍ以上であることが必要で、好ましくは１０ｍｍ程度に
設定する。この場合、間隔Ｌ２が過度に大きくなると装
置が必要以上に大型化するので好ましくなく、上限は例
えば８インチウエハ用の場合、３０ｍｍ程度である。
尚、ウエハ側部と載置面２８Ａの側壁との間のギャップ
は例えば０．１〜０．４ｍｍ程度に設定されている。
【００２３】このように、載置台２８とこの外側に設け
た保護リング８０との間の間隔Ｌ２をあえてある程度大
きく設定することにより、組立誤差に起因して載置台が
僅かに偏心して設置されても、熱的悪影響が発生するこ
とを阻止することが可能となる。
た保護リング８０との間の間隔Ｌ２をあえてある程度大
きく設定することにより、組立誤差に起因して載置台が
僅かに偏心して設置されても、熱的悪影響が発生するこ
とを阻止することが可能となる。
【００２４】また、ウエハＷが繰り返し施される熱処理
によって僅かではあるがウエハが屈曲変形して載置面と
面接触ではなく多点接触となると、温度制御が難しくな
ってウエハに比較的大きな温度分布が発生してしまう
が、本発明においてはこれを防止するためにウエハ裏面
の周縁部のみでこれを接触支持する構成としている。す
なわち、載置台２８の上面の中央の大部分は凹部状に窪
ませてウエハの径よりも僅かに大きな直径の載置面２８
Ａが形成されており、図３にも示すようにこの載置面２
８Ａの周縁部には厚さＬ３が略１ｍｍ程度の支持凸部８
２がその周方向に沿って等間隔で離散的に配置されてお
り、この支持凸部８２が、ウエハＷの裏面周縁部と接触
することでこれを支持するようになっている。図示例に
おいては、３つの支持凸部８２が設けられているが、ウ
エハＷを安定的に支持するために４つ以上としてもよ
く、或いは支持凸部８２全体を連結してリング状に成形
してもよい。ただし、図示例のように支持凸部８２を３
つ設けた場合には、必ず全ての支持凸部８２がウエハ裏
面と接触することになり、ウエハ裏面のどこの部分が載
置面と接触するか判らないといった不安定要素を確実に
なくすことができる。
によって僅かではあるがウエハが屈曲変形して載置面と
面接触ではなく多点接触となると、温度制御が難しくな
ってウエハに比較的大きな温度分布が発生してしまう
が、本発明においてはこれを防止するためにウエハ裏面
の周縁部のみでこれを接触支持する構成としている。す
なわち、載置台２８の上面の中央の大部分は凹部状に窪
ませてウエハの径よりも僅かに大きな直径の載置面２８
Ａが形成されており、図３にも示すようにこの載置面２
８Ａの周縁部には厚さＬ３が略１ｍｍ程度の支持凸部８
２がその周方向に沿って等間隔で離散的に配置されてお
り、この支持凸部８２が、ウエハＷの裏面周縁部と接触
することでこれを支持するようになっている。図示例に
おいては、３つの支持凸部８２が設けられているが、ウ
エハＷを安定的に支持するために４つ以上としてもよ
く、或いは支持凸部８２全体を連結してリング状に成形
してもよい。ただし、図示例のように支持凸部８２を３
つ設けた場合には、必ず全ての支持凸部８２がウエハ裏
面と接触することになり、ウエハ裏面のどこの部分が載
置面と接触するか判らないといった不安定要素を確実に
なくすことができる。
【００２５】このような構成により、支持凸部８２以外
のウエハ部分は載置台２８からの放射熱により加熱さ
れ、支持凸部８２に対応するウエハ部分は熱伝導と放射
熱により加熱されることになる。支持凸部８２の厚みＬ
３は、小さ過ぎると、ウエハの変形により支持凸部以外
の部分でも載置面と接触して好ましくなく、また、厚み
Ｌ３が大きすぎると載置面から離れ過ぎて熱効率が劣化
し、好ましくない。適正な厚みＬ３は、略０．２ｍｍ程
度から略１．５ｍｍ程度の範囲がよく、特に、略１．０
ｍｍが好ましい。
のウエハ部分は載置台２８からの放射熱により加熱さ
れ、支持凸部８２に対応するウエハ部分は熱伝導と放射
熱により加熱されることになる。支持凸部８２の厚みＬ
３は、小さ過ぎると、ウエハの変形により支持凸部以外
の部分でも載置面と接触して好ましくなく、また、厚み
Ｌ３が大きすぎると載置面から離れ過ぎて熱効率が劣化
し、好ましくない。適正な厚みＬ３は、略０．２ｍｍ程
度から略１．５ｍｍ程度の範囲がよく、特に、略１．０
ｍｍが好ましい。
【００２６】また、載置面２８Ａの深さは、ウエハＷを
載置した時にウエハ上面と載置台周縁部の上面とが略同
一水平レベルとなるような深さに設定し、処理ガス供給
時のガスの流れを乱さないように構成する。また、載置
台２８の外周側に石英製の第１及び第２の断熱部材３
０、３２が設けてあるといえども、載置台の周縁部にお
ける放熱量は、その中心側と比較してかなり多くなる。
そこで、載置台２８の直径をウエハＷの直径と略同一に
設定するのではなく、例えば載置台２８の半径方向にお
いて載置台２８の段部の長さＬ４及びその段部の内側端
面とウエハ外周との僅かな間隙の長さだけ載置台２８を
ウエハＷよりも大きく設定し、ウエハ周縁部における熱
線受光面積を大きくして多くの熱量を受けるようにして
いる。これにより、放熱量が多くなる傾向にある載置台
周縁部の温度補償を行なうようになっている。上記長さ
Ｌ４は、ウエハサイズにもよるが、例えば８インチウエ
ハの場合には８０〜１００ｍｍ程度に設定する。
載置した時にウエハ上面と載置台周縁部の上面とが略同
一水平レベルとなるような深さに設定し、処理ガス供給
時のガスの流れを乱さないように構成する。また、載置
台２８の外周側に石英製の第１及び第２の断熱部材３
０、３２が設けてあるといえども、載置台の周縁部にお
ける放熱量は、その中心側と比較してかなり多くなる。
そこで、載置台２８の直径をウエハＷの直径と略同一に
設定するのではなく、例えば載置台２８の半径方向にお
いて載置台２８の段部の長さＬ４及びその段部の内側端
面とウエハ外周との僅かな間隙の長さだけ載置台２８を
ウエハＷよりも大きく設定し、ウエハ周縁部における熱
線受光面積を大きくして多くの熱量を受けるようにして
いる。これにより、放熱量が多くなる傾向にある載置台
周縁部の温度補償を行なうようになっている。上記長さ
Ｌ４は、ウエハサイズにもよるが、例えば８インチウエ
ハの場合には８０〜１００ｍｍ程度に設定する。
【００２７】載置台２８の温度制御を行なう場合、載置
台２８の中心からの距離に応じて温度が異なることが予
想されるので、図４に示すように載置台２８には半径方
向に３本の熱電対棒８３が１２０度間隔で挿脱自在に埋
め込まれており、各熱電対棒８３には半径方向の異なる
位置に複数、図示例では３つの熱電対８４が埋め込まれ
ている。そして、各熱電対の検出値に基づいて加熱ラン
プ４０の出力をゾーン毎に制御することにより、載置台
２８のゾーン毎の温度制御が可能となる。
台２８の中心からの距離に応じて温度が異なることが予
想されるので、図４に示すように載置台２８には半径方
向に３本の熱電対棒８３が１２０度間隔で挿脱自在に埋
め込まれており、各熱電対棒８３には半径方向の異なる
位置に複数、図示例では３つの熱電対８４が埋め込まれ
ている。そして、各熱電対の検出値に基づいて加熱ラン
プ４０の出力をゾーン毎に制御することにより、載置台
２８のゾーン毎の温度制御が可能となる。
【００２８】また、第１の断熱部材３０と載置台２８と
は、両者の熱変形を許容する必要があることから両者は
相互に固定して設けることができないため、両者間の僅
かな間隙を通って処理ガスが載置台２８の裏面側の空間
に侵入して成膜し、放射率等が次第に変化する傾向にあ
るが、本発明においてはこれを防止するために２つの対
策が取られている。
は、両者の熱変形を許容する必要があることから両者は
相互に固定して設けることができないため、両者間の僅
かな間隙を通って処理ガスが載置台２８の裏面側の空間
に侵入して成膜し、放射率等が次第に変化する傾向にあ
るが、本発明においてはこれを防止するために２つの対
策が取られている。
【００２９】第１の対策は、載置台２８の裏面にガス侵
入阻止部材８６を設けた点であり、第２の対策は載置台
２８の裏面側空間に不活性ガス供給手段８８を設けた点
である。まず、ガス侵入阻止部材８６は、載置台２８の
裏面側周縁部に設けた円筒状の部材９０により構成さ
れ、この外側の第１の断熱部材３０との間で僅かな間隙
が形成されている。この円筒状の部材９０は、載置台２
８と同一材料のカーボンや石英等で形成することができ
る。この構成により、処理ガスが第１の断熱部材３０と
円筒状のガス侵入阻止部材８６との間の僅かな間隙を介
して侵入しようとすると、両者の加熱されている壁面に
成膜が形成されて途中で処理ガスを消費してトラップす
るようになっている。
入阻止部材８６を設けた点であり、第２の対策は載置台
２８の裏面側空間に不活性ガス供給手段８８を設けた点
である。まず、ガス侵入阻止部材８６は、載置台２８の
裏面側周縁部に設けた円筒状の部材９０により構成さ
れ、この外側の第１の断熱部材３０との間で僅かな間隙
が形成されている。この円筒状の部材９０は、載置台２
８と同一材料のカーボンや石英等で形成することができ
る。この構成により、処理ガスが第１の断熱部材３０と
円筒状のガス侵入阻止部材８６との間の僅かな間隙を介
して侵入しようとすると、両者の加熱されている壁面に
成膜が形成されて途中で処理ガスを消費してトラップす
るようになっている。
【００３０】この円筒状部材９０の長さＬ５は、短か過
ぎると処理ガスのトラップ効果を十分に発揮することが
できず、また、長さＬ５が長過ぎるとそこからの放熱量
が多くなって熱効率が低下したり、熱的バランスがとれ
なくなってしまう。従って、円筒状部材９０の長さは、
載置台のサイズにもよるが例えば略１５ｍｍから略３０
ｍｍの範囲内が良く、好ましくは載置台の直径が３００
ｍｍ程度に対して、長さＬ５を２０ｍｍ程度に設定する
のがよい。
ぎると処理ガスのトラップ効果を十分に発揮することが
できず、また、長さＬ５が長過ぎるとそこからの放熱量
が多くなって熱効率が低下したり、熱的バランスがとれ
なくなってしまう。従って、円筒状部材９０の長さは、
載置台のサイズにもよるが例えば略１５ｍｍから略３０
ｍｍの範囲内が良く、好ましくは載置台の直径が３００
ｍｍ程度に対して、長さＬ５を２０ｍｍ程度に設定する
のがよい。
【００３１】一方、不活性ガス供給手段８８は、容器底
部から透過窓３４の内側に臨ませて設けた噴射ノズル９
２を有しており、この噴射ノズル９２は配管９４を介し
てＮ2 等の不活性ガスを貯留する不活性ガス源９６に接
続されている。また、この配管９４の途中には開閉弁９
８及び流量を制御するマスフローコントローラ１００が
介在されており、流量を制御しつつ載置台２８の裏面側
にＮ2 ガスを供給することにより、載置台２８と第１の
断熱部材３０との間の間隙に逆圧が加わり、処理ガスが
侵入することを防止し得るようになっている。これらの
ガス侵入阻止部材８６と不活性ガス供給手段８８は、少
なくともいずれか一方或いは両者ともに設けるようにし
てもよい。
部から透過窓３４の内側に臨ませて設けた噴射ノズル９
２を有しており、この噴射ノズル９２は配管９４を介し
てＮ2 等の不活性ガスを貯留する不活性ガス源９６に接
続されている。また、この配管９４の途中には開閉弁９
８及び流量を制御するマスフローコントローラ１００が
介在されており、流量を制御しつつ載置台２８の裏面側
にＮ2 ガスを供給することにより、載置台２８と第１の
断熱部材３０との間の間隙に逆圧が加わり、処理ガスが
侵入することを防止し得るようになっている。これらの
ガス侵入阻止部材８６と不活性ガス供給手段８８は、少
なくともいずれか一方或いは両者ともに設けるようにし
てもよい。
【００３２】次に、以上のように構成された本実施例の
動作について説明する。まず、図示しないロードロック
室から運ばれてきた未処理の半導体ウエハＷは、ゲート
バルブ６８を介して処理容器２６内へ搬入され、予め加
熱ランプ４０によりプロセス温度或いはそれ以下に昇温
されている載置台２８の所定の位置に、ウエハリフタ７
４を昇降することにより載置させ、これをウエハクラン
プ７８により固定する。
動作について説明する。まず、図示しないロードロック
室から運ばれてきた未処理の半導体ウエハＷは、ゲート
バルブ６８を介して処理容器２６内へ搬入され、予め加
熱ランプ４０によりプロセス温度或いはそれ以下に昇温
されている載置台２８の所定の位置に、ウエハリフタ７
４を昇降することにより載置させ、これをウエハクラン
プ７８により固定する。
【００３３】次に、シャワーヘッド部４４より窒素ガス
を供給して、後述するように載置台が固定されている場
合にはこれと同時に、或いは図示例のように載置台が断
熱部材上に単に載置してある場合には載置台の浮き上が
りを防止するためにヘッド部４４からの窒素ガスの供給
の後に、載置台下方の不活性ガス供給手段８８から載置
台２８の裏面側空間に窒素ガスを供給して、処理室内を
真空引きしつつ所定のプロセス圧、例えば５Ｔｏｒｒ程
度に維持する。尚、載置台２８の裏面側空間のＮ2 ガス
は、載置台２８と第１の断熱部材３０との間隙を介して
次第に処理室側に抜けて行き、排気口７０から排出され
る。
を供給して、後述するように載置台が固定されている場
合にはこれと同時に、或いは図示例のように載置台が断
熱部材上に単に載置してある場合には載置台の浮き上が
りを防止するためにヘッド部４４からの窒素ガスの供給
の後に、載置台下方の不活性ガス供給手段８８から載置
台２８の裏面側空間に窒素ガスを供給して、処理室内を
真空引きしつつ所定のプロセス圧、例えば５Ｔｏｒｒ程
度に維持する。尚、載置台２８の裏面側空間のＮ2 ガス
は、載置台２８と第１の断熱部材３０との間隙を介して
次第に処理室側に抜けて行き、排気口７０から排出され
る。
【００３４】次に、加熱ランプ４０の出力を上げて、ウ
エハＷを所定のプロセス温度、例えば６４０℃まで昇温
して安定化させた後、シャワーヘッド部４４からのＮ2
ガスを減らしつつその分、処理ガス、すなわちシランガ
スとホスフィンをそれぞれ所定量ずつ供給し、リンドー
プシリコン膜の成膜を開始する。所定の時間だけ成膜処
理を行なって成膜操作が完了したならば、前記と逆の操
作を行なってウエハを搬出する。すなわち、処理ガスの
供給を停止しつつ窒素ガスの供給を続行して処理室内の
雰囲気を窒素ガスで置換し、これと共に加熱ランプ４０
の出力も低下させてウエハを搬送用温度、例えば５００
℃程度まで降下させる。
エハＷを所定のプロセス温度、例えば６４０℃まで昇温
して安定化させた後、シャワーヘッド部４４からのＮ2
ガスを減らしつつその分、処理ガス、すなわちシランガ
スとホスフィンをそれぞれ所定量ずつ供給し、リンドー
プシリコン膜の成膜を開始する。所定の時間だけ成膜処
理を行なって成膜操作が完了したならば、前記と逆の操
作を行なってウエハを搬出する。すなわち、処理ガスの
供給を停止しつつ窒素ガスの供給を続行して処理室内の
雰囲気を窒素ガスで置換し、これと共に加熱ランプ４０
の出力も低下させてウエハを搬送用温度、例えば５００
℃程度まで降下させる。
【００３５】これと同時に、載置台２８の浮き上がりを
防止するために、まず、不活性ガス供給手段８８のマス
フローコントローラ１００を絞り込んで載置台２８の裏
面側に供給していた窒素ガス量を減少させ、次にシャワ
ーヘッド部４４から供給していた窒素ガスの供給量も減
少させる。そして、不活性ガス供給手段８８からの窒素
ガスの供給を停止し、次いで、シャワーヘッド部４４か
らの窒素ガスの供給を停止する。尚、載置台２８が固定
されている場合には、この浮き上がりの心配はないこと
からシャワーヘッド部４４及び不活性ガス供給手段８８
からの窒素ガスの供給量の減少及び停止は同時に行なう
ようにしてもよい。
防止するために、まず、不活性ガス供給手段８８のマス
フローコントローラ１００を絞り込んで載置台２８の裏
面側に供給していた窒素ガス量を減少させ、次にシャワ
ーヘッド部４４から供給していた窒素ガスの供給量も減
少させる。そして、不活性ガス供給手段８８からの窒素
ガスの供給を停止し、次いで、シャワーヘッド部４４か
らの窒素ガスの供給を停止する。尚、載置台２８が固定
されている場合には、この浮き上がりの心配はないこと
からシャワーヘッド部４４及び不活性ガス供給手段８８
からの窒素ガスの供給量の減少及び停止は同時に行なう
ようにしてもよい。
【００３６】このようにして処理室内の圧力がロードロ
ック室と同圧か、或いはそれよりも少し低くなったなら
ば窒素ガスの供給を停止して、ゲートバルブ６８を開い
て処理済みのウエハＷを搬出し、また、未処理のウエハ
を搬入して上記と同様な操作を行なえばよい。上記のよ
うな処理室内とロードロック室内の圧力関係とすること
により、ゲートバルブ６８を開いた時に有害ガスが処理
室からロードロック室側へ流入することを防止すること
ができる。
ック室と同圧か、或いはそれよりも少し低くなったなら
ば窒素ガスの供給を停止して、ゲートバルブ６８を開い
て処理済みのウエハＷを搬出し、また、未処理のウエハ
を搬入して上記と同様な操作を行なえばよい。上記のよ
うな処理室内とロードロック室内の圧力関係とすること
により、ゲートバルブ６８を開いた時に有害ガスが処理
室からロードロック室側へ流入することを防止すること
ができる。
【００３７】さて、成膜の処理中においては、シラン等
の処理ガスが載置台２８と第１の断熱部材３０との間隙
を通って載置台２８の裏面側空間に侵入しようとする傾
向にあるが、本実施例においては、まず、載置台裏面側
に円筒状部材９０よりなるガス侵入阻止部材８６を設け
てあるので、図２に示すように第１の断熱部材３０の内
周面と阻止部材８６の外周面との間に形成される間隙１
０２に処理ガスが流れる時に高温状態となっているこの
部分に成膜１０４が形成されて処理ガスが消費されてし
まい、結果的には、載置台２８の裏面側空間に処理ガス
が侵入することを防止することができる。
の処理ガスが載置台２８と第１の断熱部材３０との間隙
を通って載置台２８の裏面側空間に侵入しようとする傾
向にあるが、本実施例においては、まず、載置台裏面側
に円筒状部材９０よりなるガス侵入阻止部材８６を設け
てあるので、図２に示すように第１の断熱部材３０の内
周面と阻止部材８６の外周面との間に形成される間隙１
０２に処理ガスが流れる時に高温状態となっているこの
部分に成膜１０４が形成されて処理ガスが消費されてし
まい、結果的には、載置台２８の裏面側空間に処理ガス
が侵入することを防止することができる。
【００３８】また、これと同時に不活性ガス供給手段８
８からは載置台２８の裏面側空間には窒素ガスが供給さ
れて、処理室内側と比較して余圧状態となっているの
で、上述のように間隙１０２を流入してきた処理ガス
は、余圧状態の窒素ガスにより押し戻されて侵入が防止
される。このガス侵入阻止手段８６と不活性ガス供給手
段８８は、少なくともいずれか一方を設ければ良いが、
両者を併用することにより処理ガスの侵入阻止を一層確
実に行なうことができる。
８からは載置台２８の裏面側空間には窒素ガスが供給さ
れて、処理室内側と比較して余圧状態となっているの
で、上述のように間隙１０２を流入してきた処理ガス
は、余圧状態の窒素ガスにより押し戻されて侵入が防止
される。このガス侵入阻止手段８６と不活性ガス供給手
段８８は、少なくともいずれか一方を設ければ良いが、
両者を併用することにより処理ガスの侵入阻止を一層確
実に行なうことができる。
【００３９】従って、載置台２８の裏面や透明窓３４の
内側面及びガス整流板３６の表面に放射率等の変動の原
因となる成膜が付着することを略確実に防止することが
できるので、載置台２８に不均一な温度分布が生じてウ
エハの面内温度が不均一になったり、或いは処理枚数が
増加してもウエハ毎に熱的条件が変動することを抑制で
き、処理の再現性を大幅に向上させることが可能とな
る。ここで、キャリアガスとして水素ガスではなく、こ
れよりも拡散係数の小さな窒素ガスを用いることによ
り、原料ガスの拡散が抑制され、これが載置台の裏面側
空間に流れ込むことを更に抑制することが可能となる。
この場合、ガス整流板３６のガス孔３５は、例えば井桁
状或は同心円状に配列されてガス流量が面内均一となる
ように設定されているので、ガス整流板３６のガス孔３
５を、不活性ガス供給手段８８から供給されるＮ2 ガス
が通過することにより、このガスは載置台２８の裏面側
に均一に供給される。その結果、処理ガスの侵入防止効
果が、載置台２８と断熱部材３０との間隙全体にわたっ
て均一に及ぶ。また、載置台２８と前記Ｎ２ガスとの伝
熱が均一に行われるので、前記Ｎ２ガスが、ウエハＷの
温度の面内均一性を損なわない。
内側面及びガス整流板３６の表面に放射率等の変動の原
因となる成膜が付着することを略確実に防止することが
できるので、載置台２８に不均一な温度分布が生じてウ
エハの面内温度が不均一になったり、或いは処理枚数が
増加してもウエハ毎に熱的条件が変動することを抑制で
き、処理の再現性を大幅に向上させることが可能とな
る。ここで、キャリアガスとして水素ガスではなく、こ
れよりも拡散係数の小さな窒素ガスを用いることによ
り、原料ガスの拡散が抑制され、これが載置台の裏面側
空間に流れ込むことを更に抑制することが可能となる。
この場合、ガス整流板３６のガス孔３５は、例えば井桁
状或は同心円状に配列されてガス流量が面内均一となる
ように設定されているので、ガス整流板３６のガス孔３
５を、不活性ガス供給手段８８から供給されるＮ2 ガス
が通過することにより、このガスは載置台２８の裏面側
に均一に供給される。その結果、処理ガスの侵入防止効
果が、載置台２８と断熱部材３０との間隙全体にわたっ
て均一に及ぶ。また、載置台２８と前記Ｎ２ガスとの伝
熱が均一に行われるので、前記Ｎ２ガスが、ウエハＷの
温度の面内均一性を損なわない。
【００４０】また、ウエハＷの裏面周縁部は、載置面２
８Ａの周縁部に配置した３つの支持凸部８２に直接接触
することにより支持されて、それ以外のウエハ部分は載
置面２８Ａから１ｍｍ程度浮いた状態となっている。従
って、支持凸部８２の部分ではウエハは熱伝導と熱放射
により加熱され、それ以外の部分では熱放射のみにより
加熱されることになる。
８Ａの周縁部に配置した３つの支持凸部８２に直接接触
することにより支持されて、それ以外のウエハ部分は載
置面２８Ａから１ｍｍ程度浮いた状態となっている。従
って、支持凸部８２の部分ではウエハは熱伝導と熱放射
により加熱され、それ以外の部分では熱放射のみにより
加熱されることになる。
【００４１】このようなウエハ支持態様は、ウエハが僅
かに熱変形していても同じである。従って、従来装置の
場合には、ウエハ裏面のどの部分が載置面と点接触する
か不明であるといった不安定要素が常に存在していたた
めに精度の良い温度制御が行ない難かったが、上述のよ
うに支持凸部８２を設けた結果、ウエハ裏面の接触部分
を常に特定することができ、上記したような不安定要素
をなくすことができる。従って、ウエハ周縁部のみが接
触することに起因する熱的アンバランスを加味した温度
制御を、ゾーン毎に制御可能な加熱ランプ４０により行
なうことにより、載置台の温度制御を精度良く行なうこ
とが可能となる。従って、従来装置にて発生していた載
置台の不均一な温度分布をなくすことが可能となる。
かに熱変形していても同じである。従って、従来装置の
場合には、ウエハ裏面のどの部分が載置面と点接触する
か不明であるといった不安定要素が常に存在していたた
めに精度の良い温度制御が行ない難かったが、上述のよ
うに支持凸部８２を設けた結果、ウエハ裏面の接触部分
を常に特定することができ、上記したような不安定要素
をなくすことができる。従って、ウエハ周縁部のみが接
触することに起因する熱的アンバランスを加味した温度
制御を、ゾーン毎に制御可能な加熱ランプ４０により行
なうことにより、載置台の温度制御を精度良く行なうこ
とが可能となる。従って、従来装置にて発生していた載
置台の不均一な温度分布をなくすことが可能となる。
【００４２】この場合、放熱量が多くなる傾向となる載
置台周縁部への供給熱量を載置台周縁部の受光面積を大
きくしたり或いは対応する加熱ランプの出力を上げたり
するなどして大きくすることにより熱補償しているの
で、載置台の不均一な温度分布を一層なくすことができ
る。また、載置台２８の周縁部は、その中心側と比較し
て側壁に近いことから、第１及び第２の断熱部材３０、
３２を設けているとはいえ、その放熱量が多くなって温
度が低下する傾向になっている。そこで、本実施例では
載置台２８の直径をウエハＷの直径よりもかなり大きく
して、例えば載置台２８の段部の長さＬ４及びその段部
の内側端面とウエハ外周との僅かな間隙の長さだけ半径
方向の長さを大きくしているので、その分、載置台周縁
部における受光面が大きくなって多量の熱エネルギをラ
ンプ４０から受けるようになっている。すなわち、載置
台の周縁部の放熱量が多い分だけここで多量に熱エネル
ギを受けるようになっており、上記放熱量を補償するよ
うになっている。
置台周縁部への供給熱量を載置台周縁部の受光面積を大
きくしたり或いは対応する加熱ランプの出力を上げたり
するなどして大きくすることにより熱補償しているの
で、載置台の不均一な温度分布を一層なくすことができ
る。また、載置台２８の周縁部は、その中心側と比較し
て側壁に近いことから、第１及び第２の断熱部材３０、
３２を設けているとはいえ、その放熱量が多くなって温
度が低下する傾向になっている。そこで、本実施例では
載置台２８の直径をウエハＷの直径よりもかなり大きく
して、例えば載置台２８の段部の長さＬ４及びその段部
の内側端面とウエハ外周との僅かな間隙の長さだけ半径
方向の長さを大きくしているので、その分、載置台周縁
部における受光面が大きくなって多量の熱エネルギをラ
ンプ４０から受けるようになっている。すなわち、載置
台の周縁部の放熱量が多い分だけここで多量に熱エネル
ギを受けるようになっており、上記放熱量を補償するよ
うになっている。
【００４３】この場合、載置台２８が面内均一加熱状態
となると、放熱量の多いウエハの周縁部の温度が低下す
るので、あえて載置台２８の周縁部の温度を中心側より
少し高くして、温度分布を持たせることにより、ウエハ
Ｗの面内温度の均一性を確保することが可能となる。上
述のように、放熱量の大きな載置台の周縁部の温度補償
を行なうことにより、ウエハの面内温度の均一性を大幅
に向上させることができる。
となると、放熱量の多いウエハの周縁部の温度が低下す
るので、あえて載置台２８の周縁部の温度を中心側より
少し高くして、温度分布を持たせることにより、ウエハ
Ｗの面内温度の均一性を確保することが可能となる。上
述のように、放熱量の大きな載置台の周縁部の温度補償
を行なうことにより、ウエハの面内温度の均一性を大幅
に向上させることができる。
【００４４】また、どのような装置を組み立てる場合に
おいてもそうであるが、載置台２８と第１の断熱部材３
０とを組み立てるに際しても、組立誤差が発生すること
は避けることができない。この場合、従来装置にあって
は、載置台とコールドウォールとなる容器側壁或いはこ
れと熱的に同じレベルとなる保護リングとの間を過度に
狭くしていたために、載置台の組立誤差による僅かな偏
心が発生しただけで、載置台は熱的に不均一な影響を受
けて好ましくなかったが、本実施例の場合には、容器側
壁と熱的に同じレベルとなる保護リング８０と載置台２
０との間の距離Ｌ２を、載置台の組立誤差が発生しても
載置台２８の受けている熱的影響がほとんど変動しない
ような大きな距離、例えば１０ｍｍ程度に設定したので
載置台が不均一な温度分布となることはない。例えば、
従来装置のように載置台２８と保護リング８０との間隙
を１．０ｍｍ程度に狭く設定して組立誤差が最大０．５
ｍｍとすると、載置台の直径方向における一方の間隙は
１．５ｍｍの幅となり、他方の間隙は０．５ｍｍの幅と
なるので、保護リング８０から受ける熱的影響が両端間
で非常なアンバランスとなり上述のように不均一な温度
分布の原因となる。
おいてもそうであるが、載置台２８と第１の断熱部材３
０とを組み立てるに際しても、組立誤差が発生すること
は避けることができない。この場合、従来装置にあって
は、載置台とコールドウォールとなる容器側壁或いはこ
れと熱的に同じレベルとなる保護リングとの間を過度に
狭くしていたために、載置台の組立誤差による僅かな偏
心が発生しただけで、載置台は熱的に不均一な影響を受
けて好ましくなかったが、本実施例の場合には、容器側
壁と熱的に同じレベルとなる保護リング８０と載置台２
０との間の距離Ｌ２を、載置台の組立誤差が発生しても
載置台２８の受けている熱的影響がほとんど変動しない
ような大きな距離、例えば１０ｍｍ程度に設定したので
載置台が不均一な温度分布となることはない。例えば、
従来装置のように載置台２８と保護リング８０との間隙
を１．０ｍｍ程度に狭く設定して組立誤差が最大０．５
ｍｍとすると、載置台の直径方向における一方の間隙は
１．５ｍｍの幅となり、他方の間隙は０．５ｍｍの幅と
なるので、保護リング８０から受ける熱的影響が両端間
で非常なアンバランスとなり上述のように不均一な温度
分布の原因となる。
【００４５】これに対して、本発明のように載置台２８
と保護リング８０との間隙を１０．０ｍｍ程度と広く設
定すると、０．５ｍｍの組立誤差が発生しても載置台の
直径方向における一方の間隙は１０．５ｍｍの幅とな
り、他方の間隙は９．５ｍｍの幅となって、組立誤差に
対する両間隙の変動の割合は僅かで無視し得る程度であ
る。従って、載置台両端における保護リングから受ける
熱的影響はほとんど変動せず、載置台の均一な温度分布
を維持することができる。
と保護リング８０との間隙を１０．０ｍｍ程度と広く設
定すると、０．５ｍｍの組立誤差が発生しても載置台の
直径方向における一方の間隙は１０．５ｍｍの幅とな
り、他方の間隙は９．５ｍｍの幅となって、組立誤差に
対する両間隙の変動の割合は僅かで無視し得る程度であ
る。従って、載置台両端における保護リングから受ける
熱的影響はほとんど変動せず、載置台の均一な温度分布
を維持することができる。
【００４６】また、上述のように組立誤差に左右されず
に載置台における温度分布の安定性を確保できるので、
ウエハの成膜処理の再現性を高めることが可能となる。
尚、上記実施例では、載置台２８は第１の断熱部材３０
の上端に単に載置してあるだけの構造のため、この載置
台２８の裏面側空間に不活性ガス供給手段８８より窒素
ガスを、例えば勢い良く流し込むと載置台２８が一瞬浮
き上がってパーティクル等を発生する原因となるが、こ
れを防止するために図５に示すように載置台２８を固定
するように構成してもよい。すなわち、載置台２８の裏
面周縁部に設けたガス侵入阻止部材８６の途中に外側へ
屈曲させた段部１０６を設け、この段部１０６の下面に
第１の断熱部材３０の上端３０Ａを接触させて支持す
る。
に載置台における温度分布の安定性を確保できるので、
ウエハの成膜処理の再現性を高めることが可能となる。
尚、上記実施例では、載置台２８は第１の断熱部材３０
の上端に単に載置してあるだけの構造のため、この載置
台２８の裏面側空間に不活性ガス供給手段８８より窒素
ガスを、例えば勢い良く流し込むと載置台２８が一瞬浮
き上がってパーティクル等を発生する原因となるが、こ
れを防止するために図５に示すように載置台２８を固定
するように構成してもよい。すなわち、載置台２８の裏
面周縁部に設けたガス侵入阻止部材８６の途中に外側へ
屈曲させた段部１０６を設け、この段部１０６の下面に
第１の断熱部材３０の上端３０Ａを接触させて支持す
る。
【００４７】また、第２の断熱部材３２は、その上部に
載置台中心方向へ延びた断面Ｌ字状の係合凸部１０８を
設け、この係合凸部１０８の下面１０８Ａを上記段部１
０６の上面１０６Ａに接触させると共に第２の断熱部材
３２の下端をボルト１１０等により容器底部に取り付け
ることにより載置台２８を浮き上がらないように固定し
ている。この場合、第１の断熱部材３０の上端３０Ａ及
び上記段部１０６の上面１０６Ａは、平坦ではなくそれ
ぞれテーパが付けられて断面が鋭角のエッジとなってお
り、相手部材と面接触ではなく線接触するようになって
いる。これにより、載置台２８から断熱部材３０、３２
側に伝導する放熱量を抑制して保温性を高めるようにな
っている。
載置台中心方向へ延びた断面Ｌ字状の係合凸部１０８を
設け、この係合凸部１０８の下面１０８Ａを上記段部１
０６の上面１０６Ａに接触させると共に第２の断熱部材
３２の下端をボルト１１０等により容器底部に取り付け
ることにより載置台２８を浮き上がらないように固定し
ている。この場合、第１の断熱部材３０の上端３０Ａ及
び上記段部１０６の上面１０６Ａは、平坦ではなくそれ
ぞれテーパが付けられて断面が鋭角のエッジとなってお
り、相手部材と面接触ではなく線接触するようになって
いる。これにより、載置台２８から断熱部材３０、３２
側に伝導する放熱量を抑制して保温性を高めるようにな
っている。
【００４８】尚、上記実施例において、原料ガスとして
シラン等を、キャリアガスとして窒素ガスを用いたが、
これらに限定するものではなく、例えば原料ガスとして
ジシランや他のガスを用いることができ、また、キャリ
アガスとして他の不活性ガス、例えばアルゴンガス、ヘ
リウムガス、キセノンガス等も用いることができる。ま
た、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明した
が、これに限定されず、ガラス基板、高分子基板等も用
いることができる。
シラン等を、キャリアガスとして窒素ガスを用いたが、
これらに限定するものではなく、例えば原料ガスとして
ジシランや他のガスを用いることができ、また、キャリ
アガスとして他の不活性ガス、例えばアルゴンガス、ヘ
リウムガス、キセノンガス等も用いることができる。ま
た、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明した
が、これに限定されず、ガラス基板、高分子基板等も用
いることができる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の枚葉式の
熱処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮
することができる。第１の発明によれば、載置台の裏面
側にガス侵入阻止部材を設けたので、裏面側空間に侵入
しようとする処理ガスが、この阻止部材の表面に成膜が
付着することにより消費されてしまい、結果的に載置台
裏面側への処理ガスの侵入或いは回り込みを防止するこ
とができる。従って、載置台の裏面や透過窓等に成膜が
付着することを防止することができるので、熱線に対す
る放射率等が変動することを防止して熱処理の再現性を
高く維持することができるのみならず、被処理体の面内
温度の均一性及び成膜の膜厚の均一性を高めることがで
きる。
熱処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮
することができる。第１の発明によれば、載置台の裏面
側にガス侵入阻止部材を設けたので、裏面側空間に侵入
しようとする処理ガスが、この阻止部材の表面に成膜が
付着することにより消費されてしまい、結果的に載置台
裏面側への処理ガスの侵入或いは回り込みを防止するこ
とができる。従って、載置台の裏面や透過窓等に成膜が
付着することを防止することができるので、熱線に対す
る放射率等が変動することを防止して熱処理の再現性を
高く維持することができるのみならず、被処理体の面内
温度の均一性及び成膜の膜厚の均一性を高めることがで
きる。
【００５０】第２の発明によれば、載置台の裏面側に不
活性ガス供給手段を設けて、ここに不活性ガスを供給す
るようにしたので、この圧力により処理ガスが載置台の
裏面側へ侵入すること或いは回り込むことを防止するこ
とができ、上記した第１の発明の場合と同様な作用効果
を発揮することができる。第３の発明によれば、載置台
の載置面の周縁部に僅かな高さの支持凸部を設け、ここ
に被処理体の裏面周縁部を接触させて支持させるように
したので、僅かに変形している可能性のある被処理体の
裏面のどの部分が載置面と実際に接触するか不明である
といった不安定要素をなくすことができ、載置台及び被
処理体の温度制御が行ない易くなって、熱処理の再現性
を向上できるのみならず、被処理体の温度及び成膜の膜
厚の面内均一性を高めることができる。
活性ガス供給手段を設けて、ここに不活性ガスを供給す
るようにしたので、この圧力により処理ガスが載置台の
裏面側へ侵入すること或いは回り込むことを防止するこ
とができ、上記した第１の発明の場合と同様な作用効果
を発揮することができる。第３の発明によれば、載置台
の載置面の周縁部に僅かな高さの支持凸部を設け、ここ
に被処理体の裏面周縁部を接触させて支持させるように
したので、僅かに変形している可能性のある被処理体の
裏面のどの部分が載置面と実際に接触するか不明である
といった不安定要素をなくすことができ、載置台及び被
処理体の温度制御が行ない易くなって、熱処理の再現性
を向上できるのみならず、被処理体の温度及び成膜の膜
厚の面内均一性を高めることができる。
【００５１】第４の発明によれば、載置台の側部と処理
容器の側壁或いはこれと熱的に同じレベルの部材（保護
リング）との間隙をある程度以上大きく設定したので、
載置台の組立誤差によりこれが偏心して取り付けられて
も熱的影響が変動することを防止することができる。従
って、載置台に不均一な温度分布が生ずることを防止で
き、熱処理の再現性を高めることができる。
容器の側壁或いはこれと熱的に同じレベルの部材（保護
リング）との間隙をある程度以上大きく設定したので、
載置台の組立誤差によりこれが偏心して取り付けられて
も熱的影響が変動することを防止することができる。従
って、載置台に不均一な温度分布が生ずることを防止で
き、熱処理の再現性を高めることができる。
【図１】本発明に係る枚葉式の熱処理装置を示す断面図
である。
である。
【図２】図１に示す装置の載置台の周縁部近傍を示す拡
大断面図である。
大断面図である。
【図３】図１に示す装置の載置台を示す平面図である。
【図４】載置台に設けた熱電対の状態を示す図である。
【図５】本発明の変形例の載置台の周辺部近傍を示す拡
大断面図である。
大断面図である。
【図６】従来の枚葉式の熱処理装置の一例を示す断面図
である。
である。
【図７】載置台の組立誤差により生ずる温度分布の不均
一性を示す図である。
一性を示す図である。
２４ ＣＶＤ装置（熱処理装置） ２６ 処理容器 ２８ 載置台 ２８Ａ 載置面 ３０ 第１の断熱部材（断熱性支柱） ３２ 第２の断熱部材 ４０ 加熱ランプ ４４ シャワーヘッド部 ５８ 処理ガス源 ６０ キャリアガス源 ６２ クリーニングガス源 ７４ ウエハリフタ ７８ ウエハクランプ ８０ 保護リング ８２ 支持凸部 ８６ ガス侵入阻止部材 ８８ 不活性ガス供給手段 ９６ 不活性ガス源 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青木 一二 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内
Claims (12)
- 【請求項１】 断熱性支柱の上に支持された載置台に載
置した被処理体を、その下方の加熱ランプにより間接加
熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置において、前
記載置台の裏面の周縁部に、この載置台の裏面に処理ガ
スが回り込むことを防止するためのガス侵入阻止部材を
設けるように構成したことを特徴とする枚葉式の熱処理
装置。 - 【請求項２】 前記ガス侵入阻止部材は、前記周縁部に
沿って形成された所定の長さの円筒状部材であることを
特徴とする請求項１記載の枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記ガス侵入阻止部材と前記断熱性支柱
との間に僅かな間隙が形成されていることを特徴とする
請求項１または２記載の枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項４】 断熱性支柱の上に支持された載置台に載
置した被処理体を、その下方の加熱ランプにより間接加
熱して熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置において、前
記載置台の裏面側に、これに前記処理ガスが回り込むこ
とを防止するために不活性ガスを供給する不活性ガス供
給手段を設けるように構成したことを特徴とする枚葉式
の熱処理装置。 - 【請求項５】 前記載置台の裏面の周縁部に、この載置
台の裏面に処理ガスが回り込むことを防止するためのガ
ス侵入阻止部材を設けるように構成したことを特徴とす
る請求項４記載の枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項６】 前記ガス侵入阻止部材は、前記周縁部に
沿って形成された所定の長さの円筒状部材であることを
特徴とする請求項５記載の枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項７】 前記ガス侵入阻止部材と前記断熱性支柱
との間に僅かな間隙が形成されていることを特徴とする
請求項５または６記載の枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項８】 載置台に載置した被処理体に対して熱処
理を施す枚葉式の熱処理装置において、前記載置台に、
前記被処理体の裏面の周縁部と直接接触して前記被処理
体の裏面を前記載置台の上面に対して僅かな間隙だけ離
間させるための支持凸部を設けるように構成したことを
特徴とする枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項９】 前記支持凸部は、前記載置台の周縁部の
周方向に沿って離散的に配置されていることを特徴とす
る請求項８記載の枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項１０】 処理容器内に設けた載置台に載置した
被処理体を、その下方の加熱ランプにより間接加熱して
熱処理を行なう枚葉式の熱処理装置において、前記載置
台の側部と前記処理容器の側壁またはこの側壁と熱的に
同じレベルとなる部材との間隔を、前記載置台の組立誤
差に起因して発生する熱的影響を抑制し得る距離以上に
設定するように構成したことを特徴とする枚葉式の熱処
理装置。 - 【請求項１１】 前記熱的影響を抑制し得る距離は、前
記組立誤差の１０倍以上であることを特徴とする請求項
１０記載の枚葉式の熱処理装置。 - 【請求項１２】 前記側壁と熱的に同じレベルとなる部
材は前記載置台の外周に設けた保護リングであることを
特徴とする請求項１０乃至１１記載の枚葉式の熱処理装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966995A JP3430277B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 枚葉式の熱処理装置 |
| US08/689,035 US5938850A (en) | 1995-08-04 | 1996-07-30 | Single wafer heat treatment apparatus |
| KR1019960032129A KR100403078B1 (ko) | 1995-08-04 | 1996-08-01 | 매엽식열처리장치 |
| TW085109391A TW306030B (ja) | 1995-08-04 | 1996-08-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21966995A JP3430277B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 枚葉式の熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950965A true JPH0950965A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3430277B2 JP3430277B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=16739128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21966995A Expired - Fee Related JP3430277B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 枚葉式の熱処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5938850A (ja) |
| JP (1) | JP3430277B2 (ja) |
| KR (1) | KR100403078B1 (ja) |
| TW (1) | TW306030B (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10247627A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及びその装置 |
| EP1067586A2 (en) * | 1999-07-09 | 2001-01-10 | Applied Materials, Inc. | A semiconductor processing system |
| JP2001102358A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | 基板処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JP2002520847A (ja) * | 1998-07-13 | 2002-07-09 | エーケーティー株式会社 | 基板処理システムのガス流量制御 |
| WO2005015620A1 (ja) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| JP2005526394A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄ反応炉用サセプタ |
| JP2007204855A (ja) * | 2007-05-20 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP2009076567A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2015079877A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構 |
| JP2018026503A (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 株式会社Sumco | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2019234918A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜装置 |
| WO2019234917A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜装置 |
| JP2021534578A (ja) * | 2018-09-11 | 2021-12-09 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | チャンバー冷却装置及び半導体加工設備 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997041276A1 (en) * | 1996-05-02 | 1997-11-06 | Rama Venkatasubramanian | Low temperature chemical vapor deposition and etching apparatus and method |
| US6432203B1 (en) * | 1997-03-17 | 2002-08-13 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Heated and cooled vacuum chamber shield |
| KR100253089B1 (ko) | 1997-10-29 | 2000-05-01 | 윤종용 | 반도체소자 제조용 화학기상증착장치 및 이의 구동방법, 그 공정챔버 세정공정 레시피 최적화방법 |
| WO1999023691A2 (en) * | 1997-11-03 | 1999-05-14 | Asm America, Inc. | Improved low mass wafer support system |
| US6156079A (en) * | 1998-10-21 | 2000-12-05 | Ho; Henry | Window support member for a semiconductor processing system |
| US6100505A (en) * | 1999-05-27 | 2000-08-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Hotplate offset ring |
| EP1432844B1 (en) * | 2001-09-29 | 2018-11-21 | Cree, Inc. | Apparatus for inverted cvd |
| AU2003282533A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-25 | Trikon Technologies Limited | Improvements to showerheads |
| KR100429296B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2004-04-29 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| US20050170314A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-08-04 | Richard Golden | Dental pliers design with offsetting jaw and pad elements for assisting in removing upper and lower teeth and method for removing teeth utilizing the dental plier design |
| US8366830B2 (en) | 2003-03-04 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Susceptor apparatus for inverted type MOCVD reactor |
| CN1307686C (zh) * | 2003-10-14 | 2007-03-28 | 茂德科技股份有限公司 | 批式处理装置及晶片处理方法 |
| US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| JP4348542B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2009-10-21 | 信越半導体株式会社 | 石英治具及び半導体製造装置 |
| US7371998B2 (en) * | 2006-07-05 | 2008-05-13 | Semitool, Inc. | Thermal wafer processor |
| JP2008280547A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Canon Anelva Corp | 真空処理装置 |
| US8801857B2 (en) | 2008-10-31 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Self-centering susceptor ring assembly |
| US20100248397A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Limited | High temperature susceptor having improved processing uniformity |
| US10167554B2 (en) * | 2010-12-30 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer processing with carrier extension |
| US8744250B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Edge ring for a thermal processing chamber |
| KR101710770B1 (ko) * | 2012-05-18 | 2017-02-27 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 화학적 기상 증착을 위한 페로플루이드 밀봉부를 갖는 회전 디스크 리액터 |
| US9517539B2 (en) * | 2014-08-28 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer susceptor with improved thermal characteristics |
| CN105483619B (zh) * | 2016-01-26 | 2018-01-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移动靶镀膜装置及镀膜方法 |
| USD914620S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-03-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| US11961756B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vented susceptor |
| USD920936S1 (en) | 2019-01-17 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Higher temperature vented susceptor |
| US11404302B2 (en) | 2019-05-22 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate susceptor using edge purging |
| CN113906159A (zh) * | 2019-06-06 | 2022-01-07 | 应用材料公司 | 用于改进底部净化气流均匀性的挡板实现 |
| US11764101B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | ASM IP Holding, B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59147428A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体気相成長装置の反応炉 |
| EP0448346B1 (en) * | 1990-03-19 | 1997-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vapor-phase deposition apparatus |
| US5252132A (en) * | 1990-11-22 | 1993-10-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing semiconductor film |
| JPH04343418A (ja) * | 1991-05-21 | 1992-11-30 | Sony Corp | 選択メタルｃｖｄ装置 |
| US5332442A (en) * | 1991-11-15 | 1994-07-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Surface processing apparatus |
| JP2603909B2 (ja) * | 1992-06-24 | 1997-04-23 | アネルバ株式会社 | Ｃｖｄ装置、マルチチャンバ方式ｃｖｄ装置及びその基板処理方法 |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP21966995A patent/JP3430277B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-30 US US08/689,035 patent/US5938850A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-01 KR KR1019960032129A patent/KR100403078B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-03 TW TW085109391A patent/TW306030B/zh active
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10247627A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及びその装置 |
| JP2002520847A (ja) * | 1998-07-13 | 2002-07-09 | エーケーティー株式会社 | 基板処理システムのガス流量制御 |
| EP1067586A3 (en) * | 1999-07-09 | 2007-10-31 | Applied Materials, Inc. | A semiconductor processing system |
| EP1067586A2 (en) * | 1999-07-09 | 2001-01-10 | Applied Materials, Inc. | A semiconductor processing system |
| JP2001102358A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | 基板処理装置及びそのクリーニング方法 |
| JP2005526394A (ja) * | 2002-05-13 | 2005-09-02 | クリー インコーポレイテッド | Ｍｏｃｖｄ反応炉用サセプタ |
| US7769279B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-08-03 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| US7250094B2 (en) | 2003-08-11 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| WO2005015620A1 (ja) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Tokyo Electron Limited | 熱処理装置 |
| JP2007204855A (ja) * | 2007-05-20 | 2007-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP2009076567A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2015079877A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置、エッチング方法、および基板載置機構 |
| JP2018026503A (ja) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | 株式会社Sumco | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2019234918A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜装置 |
| WO2019234917A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜装置 |
| JPWO2019234918A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2020-12-17 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 成膜装置 |
| CN112135924A (zh) * | 2018-06-08 | 2020-12-25 | 东芝三菱电机产业***株式会社 | 成膜装置 |
| KR20210005221A (ko) * | 2018-06-08 | 2021-01-13 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 성막 장치 |
| CN112135924B (zh) * | 2018-06-08 | 2023-01-03 | 东芝三菱电机产业***株式会社 | 成膜装置 |
| JP2021534578A (ja) * | 2018-09-11 | 2021-12-09 | 北京北方華創微電子装備有限公司Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. | チャンバー冷却装置及び半導体加工設備 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970013106A (ko) | 1997-03-29 |
| TW306030B (ja) | 1997-05-21 |
| JP3430277B2 (ja) | 2003-07-28 |
| KR100403078B1 (ko) | 2004-03-26 |
| US5938850A (en) | 1999-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3430277B2 (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| US6113984A (en) | Gas injection system for CVD reactors | |
| US8088225B2 (en) | Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition | |
| US7250094B2 (en) | Heat treatment apparatus | |
| US7718930B2 (en) | Loading table and heat treating apparatus having the loading table | |
| KR960008500B1 (ko) | 화학 증착방법 및 장치 | |
| US5405444A (en) | Process chamber purge module for semiconductor processing equipment | |
| US6530994B1 (en) | Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing | |
| JP3341619B2 (ja) | 成膜装置 | |
| US20030049372A1 (en) | High rate deposition at low pressures in a small batch reactor | |
| US7429717B2 (en) | Multizone heater for furnace | |
| EP0823491B1 (en) | Gas injection system for CVD reactors | |
| EP1067587B1 (en) | Thermally processing a substrate | |
| US5500388A (en) | Heat treatment process for wafers | |
| JPH09232297A (ja) | 熱処理装置 | |
| US20040058560A1 (en) | Fast gas exchange for thermal conductivity modulation | |
| US6080444A (en) | CVD film forming method including annealing and film forming performed at substantially the same pressure | |
| KR0134035B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| JPH09237763A (ja) | 枚葉式の熱処理装置 | |
| JP2002170774A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH09153485A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH03228320A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2004193471A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |