JP2635153B2 - 真空処理方法及び装置 - Google Patents
真空処理方法及び装置Info
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- JP2635153B2 JP2635153B2 JP1061006A JP6100689A JP2635153B2 JP 2635153 B2 JP2635153 B2 JP 2635153B2 JP 1061006 A JP1061006 A JP 1061006A JP 6100689 A JP6100689 A JP 6100689A JP 2635153 B2 JP2635153 B2 JP 2635153B2
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- heat conductive
- conductive gas
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空処理方法及び装置に係り、特に半導体
素子基板等の試料を真空下で温度制御して処理するのに
好適な真空処理方法及び装置に関するものである。
素子基板等の試料を真空下で温度制御して処理するのに
好適な真空処理方法及び装置に関するものである。
試料を真空下で温度制御して処理する技術としては、
試料と冷却若しくは加温された試料台との間にヘリウム
ガス等の熱伝導性ガスを導入し、これにより、試料の温
度を所定温度に制御して処理する技術が知られている。
試料と冷却若しくは加温された試料台との間にヘリウム
ガス等の熱伝導性ガスを導入し、これにより、試料の温
度を所定温度に制御して処理する技術が知られている。
なお、この種の技術に関連するものとして、例えば、
特開昭56−48132号，特開昭59−197145号、特公昭55−9
058号等が挙げられる。
特開昭56−48132号，特開昭59−197145号、特公昭55−9
058号等が挙げられる。
〔発明が解決しようとする課題〕 上記従来技術は処理中の試料温度、例えば、昇温を抑
えるために一定の冷却効果を得ることにより試料の温度
を一定に保つことは可能であるが、しかし、試料の温度
を広範囲に制御する点については配慮されていなかっ
た。
えるために一定の冷却効果を得ることにより試料の温度
を一定に保つことは可能であるが、しかし、試料の温度
を広範囲に制御する点については配慮されていなかっ
た。
本発明の目的は、真空下で処理される試料の温度を広
範囲に制御できる真空処理方法及び装置を提供すること
にある。
範囲に制御できる真空処理方法及び装置を提供すること
にある。
上記目的を達成するために、熱伝導性ガスに熱伝導率
がそれぞれ異なるガスの混合ガスを用い、該混合ガスの
混合比率を変えて試料と試料台との間に導入される熱伝
導性ガスの熱伝導率を変化させることにより試料と試料
台間の熱伝導率を変化せしめ、真空下で処理される試料
の温度を広範囲に制御するものである。
がそれぞれ異なるガスの混合ガスを用い、該混合ガスの
混合比率を変えて試料と試料台との間に導入される熱伝
導性ガスの熱伝導率を変化させることにより試料と試料
台間の熱伝導率を変化せしめ、真空下で処理される試料
の温度を広範囲に制御するものである。
試料と試料台の熱伝導率はその間に導入されるガスの
熱伝導率によって変化する。従って、該ガスの熱伝導率
を変化させることにより試料台の温度を変化させること
なく試料の温度を変化、つまり、広範囲に制御すること
ができる。
熱伝導率によって変化する。従って、該ガスの熱伝導率
を変化させることにより試料台の温度を変化させること
なく試料の温度を変化、つまり、広範囲に制御すること
ができる。
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。試料
１を載置する試料台２は温度調節装置３により一定の温
度に保たれている。この試料１と試料台２間に熱伝導率
の異なるＡガス４とＢガス５がそれぞれ流量制御装置6,
7を介して導入する構造とし、制御装置８により任意の
流量制御を可能とする。本実施例によればＡガス４とＢ
ガス５との比率を変化させることが可能なため、ガス比
に応じた熱伝導率が得られ、この場合、プラズマ９を利
用した処理による入熱量とバランスする温度が広範囲に
制御できる。
１を載置する試料台２は温度調節装置３により一定の温
度に保たれている。この試料１と試料台２間に熱伝導率
の異なるＡガス４とＢガス５がそれぞれ流量制御装置6,
7を介して導入する構造とし、制御装置８により任意の
流量制御を可能とする。本実施例によればＡガス４とＢ
ガス５との比率を変化させることが可能なため、ガス比
に応じた熱伝導率が得られ、この場合、プラズマ９を利
用した処理による入熱量とバランスする温度が広範囲に
制御できる。
本装置を用いてAl−SiとＷの積層膜エッチングを行な
う場合を例にとり説明する。試料台２の温度は−80℃に
保ちCl2ガスによりエッチングを行なう場合はＡガス４
としてAr,2C.C./minを流す。この時、試料１の温度は約
40℃であり異方性のエッチングが可能であった。次にＷ
のエッチングとしてSF6ガスのみでエッチングを行なっ
たところサイドエッチが発生した。そこでＷをエッチン
グ時にＢガス５としてHe,7C.C./minを流したところウェ
ハ温度が−10℃となりほぼ異方性に加工できた。これは
Ｗを異方性に加工できる温度がAl−Si膜に比べ低いため
でありこれを達成するためには試料の冷却効率を向上さ
せることが必要であり、この方法として試料１と試料台
２との間に導入するガスを熱伝導率の高いガスに変える
ことで可能であることが判った。逆にAl−Si膜エッチン
グ中にHeガスを流すと試料温度が低いためAl−Si膜のエ
ッチング速度が極端に低下してしまう。従って、それぞ
れの膜種に応じた試料温度に制御する必要があり、その
ためには、本発明が極めて有効であることが確認でき
た。
う場合を例にとり説明する。試料台２の温度は−80℃に
保ちCl2ガスによりエッチングを行なう場合はＡガス４
としてAr,2C.C./minを流す。この時、試料１の温度は約
40℃であり異方性のエッチングが可能であった。次にＷ
のエッチングとしてSF6ガスのみでエッチングを行なっ
たところサイドエッチが発生した。そこでＷをエッチン
グ時にＢガス５としてHe,7C.C./minを流したところウェ
ハ温度が−10℃となりほぼ異方性に加工できた。これは
Ｗを異方性に加工できる温度がAl−Si膜に比べ低いため
でありこれを達成するためには試料の冷却効率を向上さ
せることが必要であり、この方法として試料１と試料台
２との間に導入するガスを熱伝導率の高いガスに変える
ことで可能であることが判った。逆にAl−Si膜エッチン
グ中にHeガスを流すと試料温度が低いためAl−Si膜のエ
ッチング速度が極端に低下してしまう。従って、それぞ
れの膜種に応じた試料温度に制御する必要があり、その
ためには、本発明が極めて有効であることが確認でき
た。
上記実施例では、熱伝導率のそれぞれ異なるガスを混
合し、該混合ガスを試料と試料台との間に導入している
が、これに替えて、熱伝導率のそれぞれ異なるガスを試
料と試料台との間に切換え導入するようにしても良い。
合し、該混合ガスを試料と試料台との間に導入している
が、これに替えて、熱伝導率のそれぞれ異なるガスを試
料と試料台との間に切換え導入するようにしても良い。
また、本発明は、上記実施例でのプラズマエッチング
処理以外の他の真空処理、例えば、プラズマCVD,スパッ
タまたはイオン打込みやMBE等のプラズマを利用しない
真空処理においても適用できる。
処理以外の他の真空処理、例えば、プラズマCVD,スパッ
タまたはイオン打込みやMBE等のプラズマを利用しない
真空処理においても適用できる。
本発明によれば、熱伝導性ガスに熱伝導率がそれぞれ
異なるガスの混合ガスを用い、該混合ガスの混合比率を
替えて試料と試料台との間に導入される熱伝導性ガスの
熱伝導率を変化させることで、真空下で処理される試料
の温度を広範囲に制御できる効果がある。
異なるガスの混合ガスを用い、該混合ガスの混合比率を
替えて試料と試料台との間に導入される熱伝導性ガスの
熱伝導率を変化させることで、真空下で処理される試料
の温度を広範囲に制御できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のプラズマエッチング装置の
要部装置構成図である。 １……試料、２……試料台、３……温度調節装置、４…
…Ａガス、５……Ｂガス、6,7……流量制御装置、８…
…制御装置
要部装置構成図である。 １……試料、２……試料台、３……温度調節装置、４…
…Ａガス、５……Ｂガス、6,7……流量制御装置、８…
…制御装置
Claims (2)
- 【請求項１】試料を試料台に設置する工程と、前記試料
台を冷却若しくは加温により温度調節する工程と、前記
試料と試料台との間に熱伝導性ガスを導入する工程と、
前記熱伝導性ガスに熱伝導率がそれぞれ異なるガスの混
合ガスを用い、該混合ガスの混合比率を変えて導入され
る前記熱伝導性ガスの熱伝導率を変化させる工程とを有
することを特徴とする真空処理方法。 - 【請求項２】真空室と、該真空室内で試料が設置される
試料台と、該試料台を冷却若しくは加温により温度調節
する手段と、前記試料と試料台との間に熱伝導性ガスを
導入する手段と、前記熱伝導性ガスに熱伝導率がそれぞ
れ異なるガスを混合比率を変えて混合し、該混合ガスを
前記試料と試料台との間に導入し熱伝導性ガスの熱伝導
率を変化させる手段とを具備したことを特徴とする真空
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061006A JP2635153B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 真空処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061006A JP2635153B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 真空処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02240923A JPH02240923A (ja) | 1990-09-25 |
| JP2635153B2 true JP2635153B2 (ja) | 1997-07-30 |
Family
ID=13158825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061006A Expired - Lifetime JP2635153B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 真空処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2635153B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4092221C2 (de) * | 1989-12-11 | 1994-04-21 | Hitachi Ltd | Vakuumverarbeitungsapparatur und Vakuumverarbeitungsverfahren |
| US5814186A (en) * | 1995-08-28 | 1998-09-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | SOG etchant gas and method for using same |
| US6080676A (en) * | 1998-09-17 | 2000-06-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device and method for etching spacers formed upon an integrated circuit gate conductor |
| US6281132B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-08-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device and method for etching nitride spacers formed upon an integrated circuit gate conductor |
| US6803546B1 (en) * | 1999-07-08 | 2004-10-12 | Applied Materials, Inc. | Thermally processing a substrate |
| KR100838874B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2008-06-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 열 처리하는 시스템 및 방법 |
| DE102006018514A1 (de) * | 2006-04-21 | 2007-10-25 | Aixtron Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung der Oberflächentemperatur eines Substrates in einer Prozesskammer |
| GB2478269A (en) * | 2009-12-18 | 2011-09-07 | Surrey Nanosystems Ltd | Nanomaterials growth system and method |
| JP5719710B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-05-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229716A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Fujitsu Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1061006A patent/JP2635153B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02240923A (ja) | 1990-09-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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