JP4947191B2 - マイクロフォン - Google Patents

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Description

本発明はマイクロフォンに関し、具体的には、マイクチップ(音響センサ)をパッケージ内に納めたマイクロフォンに関するものである。
MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を利用して製造されるMEMSマイクロフォンとしては、たとえば特許文献1に記載されたものがある。特許文献1の図1に記載されているマイクロフォンでは、基板とカバーによってパッケージが構成されており、基板の上面にマイクチップと回路素子を横に並べて配置し、カバーに音響孔を開口している。また、特許文献1の図31に記載されているマイクロフォンでは、基板の上面にマイクチップと回路素子を横に並べて配置し、マイクチップの下面において基板に音響孔を開口している。また、特許文献1の図32に記載されているマイクロフォンでは、基板の上面にマイクチップと回路素子を横に並べて配置し、マイクチップから外れた位置において基板に音響孔を開口している。
一方、電子機器、特に携帯用機器では機器の小型化が求められており、そのためには小さな回路基板にマイクロフォン等の部品を高密度実装する必要がある。しかし、特許文献1に記載されたMEMSマイクロフォンでは、いずれもマイクチップと回路素子を基板の上面やカバーの下面に横に並べて配置しているので、マイクロフォンを小型化することが困難であり、特に実装時占有面積(以下、実装面積という。)を小さくすることが困難であった。
マイクロフォンを小型化するためには、マイクチップや回路素子自体を小型化するのが効果的であるが、マイクチップは小型化すると感度が低下するという問題がある。そのため、マイクロフォンにおいては、特性を維持しながら寸法を小型化し、また実装面積を小さくすることが望まれているが、従来のマイクロフォンでは困難であった。
米国特許第7166910号明細書
本発明は、上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、マイクチップの特性を維持しながらマイクロフォンを小型化し、特に実装面積の小面積化を図ることにある。
本発明に係る第1のマイクロフォンは、少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、前記カバーの内面に設置された回路素子と、前記回路素子の設置面と反対側の面に配置されたマイクチップとを備えたマイクロフォンにおいて、前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とをワイヤ配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたものである。
これは、回路素子の上にマイクチップを載せた状態で回路素子とマイクチップをカバーの内面に実装した場合である。
本発明に係る第1のマイクロフォンにあっては、回路素子の上にマイクチップを積んだ状態でパッケージ内に納めているので、パッケージ内の縦空間を有効利用してマイクロフォンを小型化することができる。特に、回路素子とマイクチップとを横に並べて配置したものに比較してパッケージの底面積を小さくすることができ、マイクロフォンの実装面積を小さくできる。また、マイクロフォンを小型化するためにマイクチップや回路素子そのものを小さくする必要がないので、マイクロフォンの性能を低下させるおそれがない。
さらに、本発明に係る第1のマイクロフォンによれば、カバーのみにおいてワイヤ配線による配線作業を完了してからカバーを基板に接合することができる。また、回路素子及びマイクチップがカバーに実装されていても、カバーのパッド部と基板のパッド部を導電材料で接合させることにより、回路素子及びマイクチップを基板に接続することができる。したがって、マイクロフォンの組立作業を簡単に行える。さらに、構造が簡単であるため、マイクロフォンの高信頼化と低コスト化を図ることができる。
本発明に係る第2のマイクロフォンは、少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、前記カバーの内面に設置されたマイクチップと、前記マイクチップの設置面と反対側の面に配置された回路素子とを備えたマイクロフォンにおいて、前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とをワイヤ配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたものである。
これは、マイクチップの上に回路素子を載せた状態でマイクチップと回路素子をカバーの内面に実装した場合である。
本発明に係る第2のマイクロフォンにあっては、マイクチップの上に回路素子を積んだ状態でパッケージ内に納めているので、パッケージ内の縦空間を有効利用してマイクロフォンを小型化することができる。特に、回路素子とマイクチップとを横に並べて配置したものに比較してパッケージの底面積を小さくすることができ、マイクロフォンの実装面積を小さくできる。また、マイクロフォンを小型化するためにマイクチップや回路素子そのものを小さくする必要がないので、マイクロフォンの性能を低下させるおそれがない。
さらに、本発明に係る第2のマイクロフォンによれば、カバーのみにおいてワイヤ配線による配線作業を完了してからカバーを基板に接合することができる。また、回路素子及びマイクチップがカバーに実装されていても、カバーのパッド部と基板のパッド部を導電材料で接合させることにより、回路素子及びマイクチップを基板に接続することができる。したがって、マイクロフォンの組立作業を簡単に行える。さらに、構造が簡単であるため、マイクロフォンの高信頼化と低コスト化を図ることができる。
本発明に係る第3のマイクロフォンは、少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、前記カバーの内面に設置された回路素子と、前記回路素子の設置面と反対側の面に配置されたマイクチップとを備えたマイクロフォンにおいて、前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とを前記マイクチップ内に設けた貫通配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたものである。
これは、回路素子の上にマイクチップを載せた状態で回路素子とマイクチップをカバーの内面に実装した場合である。
本発明に係る第3のマイクロフォンにあっては、回路素子の上にマイクチップを積んだ状態でパッケージ内に納めているので、パッケージ内の縦空間を有効利用してマイクロフォンを小型化することができる。特に、回路素子とマイクチップとを横に並べて配置したものに比較してパッケージの底面積を小さくすることができ、マイクロフォンの実装面積を小さくできる。また、マイクロフォンを小型化するためにマイクチップや回路素子そのものを小さくする必要がないので、マイクロフォンの性能を低下させるおそれがない。
さらに、本発明に係る第3のマイクロフォンによれば、カバーのみにおいてワイヤ配線又は貫通配線による配線作業を完了してからカバーを基板に接合することができる。また、回路素子及びマイクチップがカバーに実装されていても、カバーのパッド部と基板のパッド部を導電材料で接合させることにより、回路素子及びマイクチップを基板に接続することができる。したがって、マイクロフォンの組立作業を簡単に行える。さらに、構造が簡単であるため、マイクロフォンの高信頼化と低コスト化を図ることができる。
本発明に係る第4のマイクロフォンは、少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、前記カバーの内面に設置されたマイクチップと、前記マイクチップの設置面と反対側の面に配置された回路素子とを備えたマイクロフォンにおいて、前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とを前記回路素子内に設けた貫通配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたものである。
これは、マイクチップの上に回路素子を載せた状態で回路素子とマイクチップをカバーの内面に実装した場合である。
本発明に係る第4のマイクロフォンにあっては、マイクチップの上に回路素子を積んだ状態でパッケージ内に納めているので、パッケージ内の縦空間を有効利用してマイクロフォンを小型化することができる。特に、回路素子とマイクチップとを横に並べて配置したものに比較してパッケージの底面積を小さくすることができ、マイクロフォンの実装面積を小さくできる。また、マイクロフォンを小型化するためにマイクチップや回路素子そのものを小さくする必要がないので、マイクロフォンの性能を低下させるおそれがない。
さらに、本発明に係る第4のマイクロフォンによれば、カバーのみにおいてワイヤ配線又は貫通配線による配線作業を完了してからカバーを基板に接合することができる。また、回路素子及びマイクチップがカバーに実装されていても、カバーのパッド部と基板のパッド部を導電材料で接合させることにより、回路素子及びマイクチップを基板に接続することができる。したがって、マイクロフォンの組立作業を簡単に行える。さらに、構造が簡単であるため、マイクロフォンの高信頼化と低コスト化を図ることができる。
なお、本発明における入出力端子とは、入力と出力を兼用する端子であってもよく、入力用の端子であってもよく、出力用の端子であってもよい(以下、同様)。
前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔は、前記カバーと前記基板のうち前記マイクチップ及び前記回路素子が設けられている部材(すなわち、カバ−)に設けてもよく、異なる部材(すなわち、基板)に設けてもよい。また、音響孔は、つぎのように種々の態様を採用しうる。
まず、音響孔は前記カバーに設けられていてもよい。これはマイクチップ及び回路素子が設けられた部材に音響孔を設ける場合である。
また、異なる態様としては、カバーに回路素子が実装され、その表面にマイクチップが配置された第1又は第3のマイクロフォンにおいて、前記カバーと前記回路素子に連続させて音響孔が設けられ、前記パッケージの底面に垂直な方向から見たとき、前記カバーの外面側における音響孔の開口と前記回路素子の内面側における音響孔の開口とが、少なくとも一部が重なり合っていてもよい。かかる態様によれば、パッケージ内に音響振動が伝わりやすくなる。
さらに異なる態様としては、カバーに回路素子が実装され、その表面にマイクチップが配置された第1又は第3のマイクロフォンにおいて、前記カバーと前記回路素子に連続させて音響孔が設けられ、前記パッケージの底面に垂直な方向から見たとき、前記カバーの外面側における音響孔の開口と前記回路素子の内面側における音響孔の開口とが重なり合っていないものがある。このような音響孔によれば、音響孔からパッケージ内やマイクチップ内に異物が侵入するのを防ぐことができ、また音響孔から光や水分などの環境因子が入り込んでマイクチップや回路素子に悪影響を及ぼしにくくなる。
さらに異なる態様としては、カバーに回路素子が実装され、その表面にマイクチップが配置された第1又は第3のマイクロフォンにおいて、前記カバーと前記回路素子に連続させて音響孔が設けられ、前記カバーの外面側における音響孔の開口から前記回路素子の内面側における音響孔の開口を直線的に見通すことができないように屈曲させてもよい。このような音響孔によれば、音響孔からパッケージ内やマイクチップ内に異物が侵入するのを防ぐことができ、また音響孔から光や水分などの環境因子が入り込んでマイクチップや回路素子に悪影響を及ぼしにくくなる。
さらに異なる態様としては、カバーにマイクチップが実装され、その表面に回路素子が配置された第2又は第4のマイクロフォンにおいて、前記パッケージの底面に垂直な方向から見たとき、前記マイクチップのダイアフラムと少なくとも一部が対向するようにして、前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔が前記カバーに設けられていてもよい。かかる態様によれば、ダイアフラムに音響振動が伝わりやすくなるので、マイクロフォンの感度が向上する。
また、音響孔は前記基板に設けられていてもよい。これはマイクチップ及び回路素子が設けられた部材と異なる部材に音響孔を設ける場合である。
さらに、この態様においては、前記音響孔が、前記基板の外面側開口から前記基板の内面側開口を直線的に見通すことができないように屈曲していてもよい。このような音響孔によれば、音響孔からパッケージ内やマイクチップ内に異物が侵入するのを防ぐことができ、また音響孔から光や水分などの環境因子が入り込んでマイクチップや回路素子に悪影響を及ぼしにくくなる。
また、前記カバーと前記基板のうち少なくとも一方は、銅張り積層板、ガラスエポキシ、セラミック、プラスチック、金属、カーボンナノチューブのうち少なくとも1種の材料によって構成されていることが望ましい。
なお、本発明における前記課題を解決するための手段は、以上説明した構成要素を適宜組み合せた特徴を有するものであり、本発明はかかる構成要素の組合せによる多くのバリエーションを可能とするものである。
図1(A)は、本発明の実施形態1によるマイクロフォンの上面側からの斜視図、図1(B)は実施形態1のマイクロフォンの下面側からの斜視図である。 図2(A)は、実施形態1のマイクロフォンの基板を示す平面図である。図2(B)は、図2(A)のX1−X1線に相当する部分における実施形態1のマイクロフォンの断面図である。 図3(A)は、本発明の実施形態2によるマイクロフォンの上面側からの斜視図、図3(B)は実施形態2のマイクロフォンの下面側からの斜視図である。 図4(A)は、実施形態2のマイクロフォンの基板を示す平面図である。図4(B)は、図4(A)のX2−X2線に相当する部分における実施形態2のマイクロフォンの断面図である。 図5(A)は、本発明の実施形態3によるマイクロフォンのカバーを示す下面図である。図5(B)は、図5(A)のX3−X3線に相当する部分における実施形態3のマイクロフォンの断面図である。 図6(A)は、本発明の実施形態4によるマイクロフォンのカバーを示す下面図である。図6(B)は、図6(A)のX4−X4線に相当する部分における実施形態4のマイクロフォンの断面図である。 図7(A)は、本発明の実施形態5によるマイクロフォンの基板を示す平面図である。図7(B)は、図7(A)のX5−X5線に相当する部分における実施形態5のマイクロフォンの断面図である。 図8(A)は、本発明の実施形態6によるマイクロフォンのカバーを示す下面図である。図8(B)は、図8(A)のX6−X6線に相当する部分における実施形態6のマイクロフォンの断面図である。 図9(A)は、本発明の実施形態7によるマイクロフォンの基板を示す平面図である。図9(B)は、図9(A)のX7−X7線に相当する部分における実施形態7のマイクロフォンの断面図である。 図10は、実施形態7における回路素子の平面図である。 図11(A)は、本発明の実施形態8によるマイクロフォンの基板を示す平面図である。図11(B)は、図11(A)のX8−X8線に相当する部分における実施形態8のマイクロフォンの断面図である。 図12(A)は、本発明の実施形態9によるマイクロフォンの基板を示す平面図である。図12(B)は、図12(A)のX9−X9線に相当する部分における実施形態9のマイクロフォンの断面図である。 図13(A)は、本発明の実施形態10によるマイクロフォンの基板を示す平面図である。図13(B)は、図13(A)のX10−X10線に相当する部分における実施形態10のマイクロフォンの断面図である。 図14(A)は、本発明の実施形態11によるマイクロフォンのカバーを示す下面図である。図14(B)は、図14(A)のX11−X11線に相当する部分における実施形態11のマイクロフォンの断面図である。 図15(A)は、本発明の実施形態12によるマイクロフォンのカバーを示す下面図である。図15(B)は、図15(A)のX12−X12線に相当する部分における実施形態12のマイクロフォンの断面図である。 図16(A)は、本発明の実施形態13によるマイクロフォンの基板を示す平面図である。図16(B)は、図16(A)のX13−X13線に相当する部分における実施形態13のマイクロフォンの断面図である。 図17(A)は、本発明の実施形態14によるマイクロフォンの基板を示す平面図である。図17(B)は、図17(A)のX14−X14線に相当する部分における実施形態14のマイクロフォンの断面図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々設計変更することができる。
(第1の実施形態)
図1及び図2を参照して本発明の実施形態1による上面音孔タイプのマイクロフォン11を説明する。図1(A)及び図1(B)は、実施形態1のマイクロフォン11の上面側からの斜視図及び下面側からの斜視図である。また、図2(A)は、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図2(B)は、図2(A)のX1−X1線に相当する箇所におけるマイクロフォン11の断面図である。このマイクロフォン11は、MEMS技術を用いて製造されるMEMSマイクロフォンであって、カバー14(第1の部材と第2の部材のうちの一方の部材)と基板15(第1の部材と第2の部材のうちの他方の部材)からなるパッケージ内にマイクチップ12と回路素子13を納めたものである。以下、マイクロフォン11の構造を具体的に説明する。
図2(A)及び図2(B)に示すように、基板15は、平板状をした多層配線基板によって形成されており、そのほぼ全体には電磁シールド用の導電層18が設けられている。基板15の上面外周部には、導電層18によって基板側接合部20が形成されている。また、基板15の上面には、スルーホール30を介して裏面の外部接続端子29に導通した複数のパッド部26aと、基板側接合部20に導通したパッド部26bが設けられている。
基板15の上面には、絶縁性もしくは導電性接着剤などからなるダイアタッチ材21によってICチップ等の回路素子13の下面が接着されている。また、回路素子13の上面には、絶縁性もしくは導電性接着剤などからなるダイアタッチ材22によってマイクチップ12の下面全周が接着されている。
マイクチップ12は、主として、チャンバ42(バックチャンバ)が上下に貫通したSi基板41、ポリシリコン薄膜からなるダイアフラム43、およびバックプレート44によって構成されている。ダイアフラム43は、Si基板41の上面から若干浮かせた状態でチャンバ42を覆うように配置されており、音響振動に感応して膜振動する。バックプレート44は、SiNからなる固定部とポリシリコン薄膜からなる固定電極によって構成されており、バックプレート44には音響振動を通過させるための多数のアコースティックホール45が開口されている。このマイクチップ12では、ダイアフラム43とバックプレート44の固定電極によってキャパシタが構成されており、ダイアフラム43が音響振動によって振動すると、音響振動に応じてダイアフラム43とバックプレート44の固定電極との間の静電容量が変化する。マイクチップ12の表面には、少なくとも一対のマイク端子23が設けられており、マイク端子23からはダイアフラム43と固定電極の間の静電容量の変化に応じた検知信号が出力される。
回路素子13の上面には、少なくとも一対のMEMS用入出力端子24と、複数の外部接続用入出力端子25a及びグランド端子25bが設けられている。マイクチップ12のマイク端子23と回路素子13の入出力端子24はボンディングワイヤ27(ワイヤ配線)によって接続されている。また、回路素子13の入出力端子25aはボンディングワイヤ28(ワイヤ配線)によって基板15のパッド部26aに接続され、回路素子13のグランド端子25bはボンディングワイヤ28によって基板15のパッド部26bに接続されている。しかして、マイクチップ12から出力された検知信号は入出力端子24から回路素子13内に入力され、所定の信号処理を施された後、入出力端子25aから外部接続端子29へ出力される。なお、回路素子13の上面のうち、入出力端子24、25a、グランド端子25bを設けた領域は、絶縁性樹脂などからなる保護材34で覆っておくことが好ましい。
なお、基板15は、多層配線基板以外にも、銅貼り積層板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板、プラスチック基板、金属基板、カーボンナノチューブの基板、あるいはこれらの複合基板によって形成されていてもよい。たとえば、プラスチック成形品の板の表面にメッキを施して製造した基板15を用いることができる。また、基板15の上面には、回路素子13を納めるための凹部を有していてもよい。
図2(B)に示すように、カバー14は、箱状に形成されていて下面に凹部31を備えている。凹部31の天面、側壁面及び凹部31を囲む側壁部下面には、そのほぼ全体に電磁シールド用の導電層32が形成されている。カバー14の天面に形成された導電層32は、絶縁性材料の内部に延びている。また、側壁部下面の導電層32は、基板15と接合させるためのカバー側接合部33になっている。なお、カバー14は、銅貼り積層板やガラスエポキシ、セラミック、プラスチック、金属、カーボンナノチューブのうちの少なくとも1つの材料又はこれらの複合材料からなるカバー本体の内面及び下面にメッキを施すことによって形成されている。たとえば、カバー形状に一体成形されたプラスチック成形品の表面にメッキを施したものをカバー14として用いることができる。
カバー14は、凹部31を下方に向けた状態で基板15の上面に重ねられ、導電性材料17によってカバー側接合部33と基板側接合部20が接合される。こうして一体化されたカバー14と基板15によってパッケージが構成され、マイクチップ12及び回路素子13はパッケージ内に納められる。導電性材料17としては、導電性接着剤やハンダ、導電性両面粘着テープ、溶接用のろう材のいずれか一つを用いてもよく、あるいはこれらのうちの複数の材料を併用してもよい。カバー14と基板15を貼り合わせるために、さらに非導電性樹脂や非導電テープを併用してもよい。
導電性材料17によってカバー側接合部33と基板側接合部20が接合される結果、カバー14の導電層32と基板15の導電層18が導通するので、導電層18を回路基板などのアースラインに接続することによって導電層32及び18がグランド電位に保持され、マイクロフォン11が外部の電磁ノイズから遮蔽される。
また、カバー14の上面には、パッケージ内へ音響振動を侵入させるための音響孔16が開口されており、音響孔16からパッケージ内に入った音響振動は、アコースティックホール45を通ってダイアフラム43に達し、ダイアフラム43を振動させる。
本発明の実施形態1のマイクロフォン11にあっては、回路素子13の上にマイクチップ12を積み重ねたものを基板15の上面に実装しているので、パッケージ内の縦空間を利用することができマイクロフォン11を小型化することができる。特に、回路素子とマイクチップを横に並べて配置したマイクロフォンと比較すると、マイクロフォン11の実装面積を小さくすることができ、高密度実装用にも適する。また、マイクロフォン11を小型化するためにマイクチップ12自体を小型化する必要がないので、マイクチップ12の特性を低下させるおそれもない。
また、マイクロフォン11の製造工程においては、基板15の上面に回路素子13を設置し、その上にマイクチップ12を設置した状態において、マイクチップ12と回路素子13をボンディングワイヤ27で接続し、回路素子13と基板15をボンディングワイヤ28で接続することができる。よって、すべての配線作業を完了した後で、基板15の上にカバー14を接合させることができ、組立作業を簡単に行える。また、マイクロフォン11は、簡略な構造を有しているので、コストも安価にすることができる。
(第2の実施形態)
図3(A)及び図3(B)は、本発明の実施形態2によるマイクロフォン51の上面側からの斜視図及び下面側からの斜視図である。また、図4(A)は、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図4(B)は、図4(A)のX2−X2線に相当する箇所におけるマイクロフォン51の断面図である。
実施形態2のマイクロフォン51が実施形態1のマイクロフォン11と異なる点は、音響孔16をカバー14でなく、基板15において回路素子13から外れた位置に設けた点である。特に、マイクロフォン51を小型化するため、回路素子13に隣接する位置に音響孔16を開口している。これ以外の点については、ほぼ実施形態1のマイクロフォン11と同様な構造を有しているので、同じ構成部分には図面において同一の符号を付すことで説明を省略する。このようなマイクロフォン51においても、実施形態1と同様な作用効果を奏する。
(第3の実施形態)
つぎに、本発明の実施形態3によるマイクロフォン52を説明する。図5(A)は、実施形態3のマイクロフォン52において、マイクチップ12と回路素子13を実装したカバー14の下面図であり、図5(B)は、図5(A)のX3−X3線に相当する箇所におけるマイクロフォン52の断面図である。
実施形態3のマイクロフォン52においては、回路素子13とマイクチップ12を上下逆さにした状態でカバー14の下面に設置している。すなわち、回路素子13は上下逆さにした状態で、ダイアタッチ材21によってカバー14の凹部31内の天面に設置されている。マイクチップ12は上下逆さにした状態で、ダイアタッチ材22によって回路素子13の下面に固定されている。また、カバー14の下面には、カバー側接合部33(導電層32)と電気的に絶縁した状態で複数のパッド部26cが設けられている。
マイクチップ12の下面に設けられたマイク端子23と回路素子13の下面に設けられた入出力端子24とはボンディングワイヤ27によって接続されている。また、回路素子13の下面に設けられた入出力端子25aは、それぞれボンディングワイヤ28によってカバー14の下面のパッド部26cに接続され、グランド端子25bはボンディングワイヤ28によってカバー側接合部33に接続されている。
マイクチップ12及び回路素子13を実装されたカバー14は基板15の上に重ねられ、導電性材料17によってカバー側接合部33と基板側接合部20が接合される。また、基板15の上面においては、カバー14を重ねたときにパッド部26cと対向する位置にパッド部26aが設けられており、パッド部26aは基板15の裏面に設けた外部接続端子29と導通している。カバー14を基板15に重ねる時、カバー14のパッド部26cは導電性材料17によって基板15のパッド部26aに接続される。
従って、カバー14の導電層32は、カバー側接合部33、導電性材料17及び基板側接合部20を介して基板15の導電層18と導通し、グランド電位に保たれる。また、回路素子13の入出力端子25aからの出力信号は、パッド部26c、導電性材料17及びパッド部26aを介して外部接続端子29から出力される。
パッケージ内に音響振動を導入するための音響孔16は、回路素子13と隣接する位置においてカバー14に設けている。
実施形態3のマイクロフォン52でも、マイクチップ12と回路素子13を積み重ねるようにしてカバー14内に実装しているので、マイクロフォン52を小型化することができ、特にマイクロフォン52の実装面積を小さくすることができる。また、ボンディングワイヤ27によるマイクチップ12と回路素子13との配線を行い、ボンディングワイヤ28による回路素子13とパッド部26cとの間の配線を完了した後で、カバー14を基板15の上面に重ねて接合させることができるので、組立作業も容易になる。
(第4の実施形態)
図6(A)は、本発明の実施形態4のマイクロフォン53において、マイクチップ12と回路素子13を実装したカバー14の下面図であり、図6(B)は、図6(A)のX4−X4線に相当する箇所におけるマイクロフォン53の断面図である。
実施形態4のマイクロフォン53が実施形態3のマイクロフォン52と異なる点は、音響孔16をカバー14でなく、基板15に設けた点である。
(第5の実施形態)
図7(A)は、本発明の実施形態5によるマイクロフォン54において、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図7(B)は、図7(A)のX5−X5線に相当する箇所におけるマイクロフォン54の断面図である。
実施形態5のマイクロフォン54では、マイクチップ12を載置した回路素子13を基板15の上面に実装している。マイクチップ12のチャンバ42の下面において基板15及び回路素子13に音響孔16、16aを開口している。したがって、このマイクロフォン54では、チャンバ42の下面側から音響振動が入射するので、チャンバ42はフロントチャンバとなる。そして、パッケージ内の空間がバックチャンバとなるので、マイクチップ12のバックチャンバが広くなってマイクチップ12の感度が向上する。
(第6の実施形態)
図8(A)は、本発明の実施形態6によるマイクロフォン55において、マイクチップ12と回路素子13を実装したカバー14の下面図であり、図8(B)は、図8(A)のX6−X6線に相当する箇所におけるマイクロフォン55の断面図である。
実施形態6のマイクロフォン55では、マイクチップ12を載置した回路素子13をカバー14の下面に実装している。マイクチップ12のチャンバ42の上面においてカバー14及び回路素子13に音響孔16、16aを開口している。したがって、このマイクロフォン55でも、パッケージ内の空間がバックチャンバとなり、マイクチップ12の感度が向上する。
(第7の実施形態)
図9(A)は、本発明の実施形態7によるマイクロフォン56において、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図9(B)は、図9(A)のX7−X7線に相当する箇所におけるマイクロフォン56の断面図である。図10は実施形態7のマイクロフォン56において用いられている回路素子13の平面図である。
実施形態7のマイクロフォン56では、チャンバ42の下方において基板15及び回路素子13に開口した音響孔16、16aを屈曲させている。図10では、回路素子13内で音響孔16aが屈曲しているが、基板15内で音響孔16が屈曲していてもよく、音響孔16、16aの両方が屈曲していてもよい。音響孔16と音響孔16aは、音響孔16のパッケージ外面側の開口と音響孔16aのパッケージ内面側(チャンバ42側)の開口とがパッケージの底面に垂直な方向から見て重なり合わないように屈曲している。そして、一方の開口から他方の開口を直線状に見通すことができないように屈曲している。
このマイクロフォン56では音響孔16、16aが屈曲していて音響孔16のパッケージ外面側の開口と音響孔16aのパッケージ内面側の開口とがパッケージの底面に垂直な方向から見て重なり合っていないので、塵や埃などの異物が音響孔16、16aからチャンバ42内に侵入しにくくなっており、侵入した異物がダイアフラム43とSi基板41の間の隙間などに詰まってマイクチップ12の性能低下を招くのを防ぐことができる。また、音響孔16、16aは、パッケージ外面側開口からパッケージ内面側開口を直線状に見通すことができないように屈曲しているので、音響孔16、16aから光線や水分(湿気)なども入りにくく、これらの環境因子によってマイクチップ12が劣化しにくい。
なお、ここでは基板15にマイクチップ12及び回路素子13を実装した場合について説明したが、カバー14にマイクチップ12及び回路素子13を実装した場合についても、音響孔16、16aを屈曲させてもよい。
(第8の実施形態)
図11(A)は、本発明の実施形態8によるマイクロフォン57において、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図11(B)は、図11(A)のX8−X8線に相当する箇所におけるマイクロフォン57の断面図である。
このマイクロフォン57では、基板15の上面に回路素子13を実装し、回路素子13の上にマイクチップ12を固定してあり、マイクチップ12の直下において基板15に音響孔16を開口し、回路素子13に音響孔16aを開口している。音響孔16と音響孔16aは互いに連通しており、音響孔16のパッケージ外面側の開口と音響孔16aのパッケージ内面側(チャンバ42側)の開口とは、パッケージの底面に垂直な方向から見てほぼ重なり合っている(完全に重なりあっていてもよく、部分的に重なりあっていてもよい。)。音響孔16、16aは、パッケージ外面側開口からパッケージ内面側開口を直線状に見通すことができないように屈曲している。このためには、たとえば図11(B)に示すように、音響孔16、16aを2回屈折させておけばよい。
したがって、このマイクロフォン57でも、パッケージ外面側開口からパッケージ内面側開口を直線状に見通すことができないように音響孔16、16aが屈曲しているので、塵や埃などの異物が音響孔16、16aからチャンバ42内に侵入しにくくなっている。さらに、音響孔16、16aから光線や水分(湿気)なども入りにくく、これらの環境因子によってマイクチップ12が劣化しにくくなっている。
なお、実施形態7や実施形態8における音響孔の形状又は構造は、カバーに設けられた音響孔、あるいは回路素子やマイクチップを実装された部材と異なる部材に設けられた音響孔にも適用することができる。
なおまた、音響孔16のパッケージ外面側の開口と音響孔16aのパッケージ内面側の開口とがパッケージの底面に垂直な方向から見て少なくとも一部が重なり合っているとき、あるいは、重なり合っていないとき、一方の開口から見て他方の開口が見えるようになっていてもよい。この場合には、異物や光線、水分などの侵入防止の効果は低下するが、音響振動がマイクチップ12内に伝わりやすくなる。
(第9の実施形態)
図12(A)は、本発明の実施形態9によるマイクロフォン58において、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図12(B)は、図12(A)のX9−X9線に相当する箇所におけるマイクロフォン58の断面図である。
マイクロフォン58においては、ダイアタッチ材22によって基板15の上面にマイクチップ12を固定し、ダイアタッチ材21によってマイクチップ12の上面に回路素子13を固定している。マイクチップ12は、平面視においてダイアフラム43及びバックプレート44よりも大きな面積を有しており、マイクチップ12の上面のうちダイアフラム43、バックプレート44及びマイク端子23の設けられていない領域に回路素子13を配置している。
この場合も、マイクチップ12のマイク端子23と回路素子13の入出力端子24をボンディングワイヤ27で接続し、回路素子13の入出力端子25aと基板15のパッド部26aをボンディングワイヤ28で接続し、回路素子13のグランド端子25bと基板15のパッド部26bをボンディングワイヤ28で接続している。
このようにマイクチップ12の上に回路素子13を積み重ねることも可能であり、この形態においてもマイクロフォン58を小型化し、特に実装面積を小さくすることができる。また、このマイクロフォン58では、チャンバ42がマイクチップ12のバックチャンバとなり、バックチャンバの容積を大きくできるので、マイクチップ12の感度が向上する。
(第10の実施形態)
図13(A)は、本発明の実施形態10によるマイクロフォン59において、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図13(B)は、図13(A)のX10−X10線に相当する箇所におけるマイクロフォン59の断面図である。
このマイクロフォン59は、実施形態9のマイクロフォン58とほぼ同様な構造であるが、ダイアフラム43と対向する位置において、マイクチップ12のチャンバ42と連通するようにして基板15に音響孔16を開口している点が異なっている。
(第11の実施形態)
図14(A)は、本発明の実施形態11によるマイクロフォン60において、マイクチップ12と回路素子13を実装したカバー14の下面図であり、図14(B)は、図14(A)のX11−X11線に相当する箇所におけるマイクロフォン60の断面図である。
このマイクロフォン60は、上面に回路素子13を配置したマイクチップ12を上下逆にしてカバー14の下面に設置し、基板15に音響孔16を開口したものである。
(第12の実施形態)
図15(A)は、本発明の実施形態12によるマイクロフォン61において、マイクチップ12と回路素子13を実装したカバー14の下面図であり、図15(B)は、図15(A)のX12−X12線に相当する箇所におけるマイクロフォン61の断面図である。
このマイクロフォン60は、上面に回路素子13を配置したマイクチップ12を上下逆にしてカバー14の下面に設置し、ダイアフラム43と対向する位置において、マイクチップ12のチャンバ42と連通するようにしてカバー14に音響孔16を開口したものである。
(第13の実施形態)
図16(A)は、本発明の実施形態13によるマイクロフォン62において、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図16(B)は、図16(A)のX13−X13線に相当する箇所におけるマイクロフォン62の断面図である。
マイクロフォン62では、マイクチップ12の上面に設けたマイク端子23に対応させてマイクチップ12の下面に接続端子36を設けてあり、マイクチップ12内を上下に貫通した貫通電極35によって上面のマイク端子23と下面の接続端子36を導通させている。また、回路素子13の上面に設けた入出力端子25aに対向させて回路素子13の下面に接続端子39を設けてあり、回路素子13を上下に貫通する貫通電極38によって上面の入出力端子25aと下面の接続端子39を導通させている。
マイクチップ12は、下面の接続端子36をはんだ37によって回路素子13の上面の入出力端子24に接続することにより、上面のマイク端子23を回路素子13の入出力端子24に接続している。また、回路素子13は、下面の接続端子39をはんだ40によって基板15のパッド部26aに接続することにより、上面の入出力端子25aを基板のパッド部26aに接続している。
なお、回路素子13の上面のグランド端子25bも、入出力端子25aと同様、貫通電極を用いて基板15のパッド部26bに接続されているが、図面には表れていない。
このようにして貫通電極を用いてマイクチップ12と回路素子13、回路素子13と基板15を接続すれば、ボンディングワイヤのように曲がって他の回路要素に触れるおそれがなくなり、マイクロフォン62の短絡事故を防ぐことができる。
(第14の実施形態)
図17(A)は、本発明の実施形態14によるマイクロフォン63において、マイクチップ12と回路素子13を実装した基板15の平面図であり、図17(B)は、図17(A)のX14−X14線に相当する箇所におけるマイクロフォン63の断面図である。
マイクロフォン63では、マイクチップ12の下面に設けた接続端子36をはんだ37によって回路素子13の上面の入出力端子24に接続することにより、マイクチップ12の上面のマイク端子23を回路素子13の入出力端子24に接続している。また、回路素子13の上面に設けた入出力端子25a及びグランド端子25bをボンディングワイヤ28によって基板15のパッド部26a、26bに接続している。
なお、前記各実施形態においても、適宜ボンディングワイヤを貫通電極に置き換えることができる。たとえば、図2のマイクロフォン11において、回路素子13と基板15をつなぐボンディングワイヤ28だけを貫通電極に置き換えてもよい。また、図5のマイクロフォン52のようにカバー14にマイクチップ12及び回路素子13が実装されている場合でも、マイクチップ12と回路素子13をつなぐボンディングワイヤ27を貫通電極に置き換えることができる。
11、51−63 マイクロフォン
12 マイクチップ
13 回路素子
14 カバー
15 基板
16、16a 音響孔
17 導電性材料
20 基板側接合部
23 マイク端子
24 MEMS用入出力端子
25a 外部接続用入出力端子
25b グランド端子
26a、26b パッド部
27、28 ボンディングワイヤ
31 凹部
35 貫通電極
36 接続端子
37 はんだ
38 貫通電極
39 接続端子
40 はんだ
45 アコースティックホール

Claims (12)

  1. 少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、
    前記カバーの内面に設置された回路素子と、
    前記回路素子の設置面と反対側の面に配置されたマイクチップと、
    を備えたマイクロフォンにおいて、
    前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とをワイヤ配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたことを特徴とするマイクロフォン。
  2. 少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、
    前記カバーの内面に設置されたマイクチップと、
    前記マイクチップの設置面と反対側の面に配置された回路素子と、
    を備えたマイクロフォンにおいて、
    前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とをワイヤ配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたことを特徴とするマイクロフォン。
  3. 少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、
    前記カバーの内面に設置された回路素子と、
    前記回路素子の設置面と反対側の面に配置されたマイクチップと、
    を備えたマイクロフォンにおいて、
    前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とを前記マイクチップ内に設けた貫通配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたことを特徴とするマイクロフォン。
  4. 少なくとも一方が凹部を有するカバーと基板からなるパッケージと、
    前記カバーの内面に設置されたマイクチップと、
    前記マイクチップの設置面と反対側の面に配置された回路素子と、
    を備えたマイクロフォンにおいて、
    前記マイクチップに設けたマイク端子と前記回路素子に設けた複数の入出力端子の一部とを前記回路素子内に設けた貫通配線によって接続し、前記回路素子に設けた前記入出力端子の残部と前記カバーの前記基板との対向面に設けたパッド部とをワイヤ配線によって接続し、前記カバーに設けた前記パッド部と前記基板に設けたパッド部とを導電材料によって接合させたことを特徴とするマイクロフォン。
  5. 前記カバーに、前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔が設けられていることを特徴とする、請求項1から4のうちいずれか1項に記載のマイクロフォン。
  6. 前記カバーと前記回路素子に連続させて、前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔が設けられ、
    前記音響孔は、前記パッケージの底面に垂直な方向から見たとき、前記カバーの外面側における開口と前記回路素子の内面側における開口とが、少なくとも一部が重なり合っていることを特徴とする請求項1又は3に記載のマイクロフォン。
  7. 前記カバーと前記回路素子に連続させて、前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔が設けられ、
    前記音響孔は、前記パッケージの底面に垂直な方向から見たとき、前記カバーの外面側における開口と前記回路素子の内面側における開口とが重なり合っていないことを特徴とする請求項1又は3に記載のマイクロフォン。
  8. 前記カバーと前記回路素子に連続させて、前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔が設けられ、
    前記音響孔は、前記カバーの外面側における開口から前記回路素子の内面側における開口を直線的に見通すことができないように屈曲していることを特徴とする請求項1又は3に記載のマイクロフォン。
  9. 前記パッケージの底面に垂直な方向から見たとき、前記マイクチップのダイアフラムと少なくとも一部が対向するようにして、前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔が前記カバーに設けられていることを特徴とする請求項2又は4に記載のマイクロフォン。
  10. 前記基板に、前記パッケージ内に音響振動を伝えるための音響孔が設けられていることを特徴とする、請求項1から4のうちいずれか1項に記載のマイクロフォン。
  11. 前記音響孔は、前記基板の外面側開口から前記基板の内面側開口を直線的に見通すことができないように屈曲していることを特徴とする請求項10に記載のマイクロフォン。
  12. 前記カバーと前記基板のうち少なくとも一方が、銅張り積層板、ガラスエポキシ、セラミック、プラスチック、金属、カーボンナノチューブのうち少なくとも1種の材料によって構成されていることを特徴とする、請求項1から4のうちいずれか1項に記載のマイクロフォン。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9380392B2 (en) 2014-03-14 2016-06-28 Omron Corporation Microphone

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011128140A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd センサデバイス及びその製造方法
WO2012103087A1 (en) * 2011-01-24 2012-08-02 Analog Devices, Inc. Packaged microphone with reduced parasitics
US9364669B2 (en) * 2011-01-25 2016-06-14 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Automated method of classifying and suppressing noise in hearing devices
JP4893860B1 (ja) * 2011-02-21 2012-03-07 オムロン株式会社 マイクロフォン
DE102011004577B4 (de) * 2011-02-23 2023-07-27 Robert Bosch Gmbh Bauelementträger, Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementträgers sowie Bauteil mit einem MEMS-Bauelement auf einem solchen Bauelementträger
ITTO20110980A1 (it) * 2011-10-27 2013-04-28 St Microelectronics Srl Struttura incapsulante schermata e relativo metodo di fabbricazione
CN102413409B (zh) * 2011-12-17 2015-09-30 歌尔声学股份有限公司 Mems麦克风
CN103999209B (zh) * 2011-12-20 2016-11-16 京瓷株式会社 电子部件收纳用封装体以及电子装置
JP5177309B1 (ja) * 2012-01-31 2013-04-03 オムロン株式会社 静電容量型センサ
WO2013129444A1 (ja) * 2012-02-27 2013-09-06 株式会社フジクラ 圧力センサモジュール及び蓋体
US9319765B2 (en) 2012-05-02 2016-04-19 Epcos Ag MEMS microphone assembly and method of manufacturing the MEMS microphone assembly
DE102012209235B4 (de) * 2012-05-31 2023-08-10 Robert Bosch Gmbh Sensormodul mit zwei mikromechanischen Sensorelementen
ITTO20120515A1 (it) 2012-06-14 2013-12-15 St Microelectronics Nv Assemblaggio di un dispositivo integrato a semiconduttori e relativo procedimento di fabbricazione
US20140003632A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Ams Ag Microphone arrangement
US9491539B2 (en) 2012-08-01 2016-11-08 Knowles Electronics, Llc MEMS apparatus disposed on assembly lid
US9156680B2 (en) * 2012-10-26 2015-10-13 Analog Devices, Inc. Packages and methods for packaging
CN203120151U (zh) * 2012-12-12 2013-08-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
CN103905962B (zh) * 2012-12-28 2017-12-26 美律电子(深圳)有限公司 微机电麦克风封装结构
US9319764B2 (en) * 2013-03-08 2016-04-19 Merry Electronics Co., Ltd. MEMS microphone packaging structure
JP6160160B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-12 オムロン株式会社 マイクロフォン
US9432759B2 (en) * 2013-07-22 2016-08-30 Infineon Technologies Ag Surface mountable microphone package, a microphone arrangement, a mobile phone and a method for recording microphone signals
US10125012B2 (en) 2013-08-27 2018-11-13 Infineon Technologies Ag MEMS device
US9628918B2 (en) * 2013-11-25 2017-04-18 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device
US9426581B2 (en) * 2014-06-03 2016-08-23 Invensense, Inc. Top port microelectromechanical systems microphone
US9319772B2 (en) * 2014-06-20 2016-04-19 Merry Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. Multi-floor type MEMS microphone
CN104113811A (zh) * 2014-07-21 2014-10-22 美律电子(惠州)有限公司 具有立体基板的微机电麦克风封装结构及其制作工艺
US9462395B2 (en) * 2014-07-22 2016-10-04 Stmicroelectronics S.R.L. Biasing circuit for a MEMS acoustic transducer with reduced start-up time
US9162869B1 (en) * 2014-07-31 2015-10-20 Merry Electronics (Shenzhen) Co., Ltd. MEMS microphone package structure having non-planar substrate and method of manufacturing same
US9491531B2 (en) 2014-08-11 2016-11-08 3R Semiconductor Technology Inc. Microphone device for reducing noise coupling effect
JP2016058880A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 晶▲めい▼電子股▲ふん▼有限公司 ノイズカップリングの影響を低減させるマイクロフォン装置
CN204993854U (zh) * 2015-06-24 2016-01-20 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems麦克风
CN206136291U (zh) 2015-06-30 2017-04-26 意法半导体股份有限公司 微机电麦克风和电子***
KR101673347B1 (ko) 2015-07-07 2016-11-07 현대자동차 주식회사 마이크로폰
KR101684526B1 (ko) * 2015-08-28 2016-12-08 현대자동차 주식회사 마이크로폰 및 그 제조 방법
ITUA20162957A1 (it) 2016-04-28 2017-10-28 St Microelectronics Srl Modulo di trasduzione multi-dispositivo, apparecchiatura includente il modulo di trasduzione e metodo di fabbricazione del modulo di trasduzione
ITUA20162959A1 (it) * 2016-04-28 2017-10-28 St Microelectronics Srl Modulo di trasduzione multi-camera, apparecchiatura includente il modulo di trasduzione multi-camera e metodo di fabbricazione del modulo di trasduzione multi-camera
US20170325012A1 (en) * 2016-05-06 2017-11-09 Infineon Technologies Ag Device for detecting acoustic waves
US9860623B1 (en) * 2016-07-13 2018-01-02 Knowles Electronics, Llc Stacked chip microphone
FR3056978B1 (fr) * 2016-10-05 2019-08-16 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Capteur de pression, en particulier microphone a agencement ameliore
JP2018064043A (ja) * 2016-10-13 2018-04-19 イビデン株式会社 シールドキャップ及びその製造方法
JP2018064042A (ja) * 2016-10-13 2018-04-19 イビデン株式会社 シールドキャップ及びその製造方法
GB2555659B (en) * 2016-11-07 2020-01-15 Cirrus Logic Int Semiconductor Ltd Package for MEMS device and process
KR102409521B1 (ko) * 2017-12-13 2022-06-15 현대자동차주식회사 멤스 마이크로폰
DE102018203098B3 (de) * 2018-03-01 2019-06-19 Infineon Technologies Ag MEMS-Sensor
GB2582238A (en) * 2018-08-24 2020-09-23 Atlantic Inertial Systems Ltd Sensor packages
US11302611B2 (en) * 2018-11-28 2022-04-12 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with top circuit and an IC with a gap over the IC
CN109327784B (zh) * 2018-12-03 2024-03-29 钰太芯微电子科技(上海)有限公司 一种无边框设备的mems麦克风
TW202038389A (zh) * 2019-04-10 2020-10-16 菱生精密工業股份有限公司 可防水之微機電晶片封裝結構
US11587839B2 (en) 2019-06-27 2023-02-21 Analog Devices, Inc. Device with chemical reaction chamber
CN110691317B (zh) * 2019-10-24 2020-10-27 朝阳聚声泰(信丰)科技有限公司 一种单指向拾音的mems麦克风及其生产方法
US11146896B2 (en) * 2020-02-13 2021-10-12 Zilltek Technology (Shanghai) Corp. Mems microphone with improved connection structure and method for manufacturing the same
US11945714B2 (en) * 2020-07-30 2024-04-02 Stmicroelectronics S.R.L. Electronic device and corresponding method
CN215453270U (zh) * 2021-07-07 2022-01-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 麦克风

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
CN100566140C (zh) * 2003-10-14 2009-12-02 音频专用集成电路公司 麦克风前置放大器
JP2007006149A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Hosiden Corp 電子部品
JP2007081614A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Star Micronics Co Ltd コンデンサマイクロホン
CN101331080B (zh) * 2005-10-14 2012-12-26 意法半导体股份有限公司 用于集成器件的衬底级组件、其制造工艺及相关集成器件
JP2007150507A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Matsushita Electric Works Ltd マイクロホンパッケージ
JP2007180201A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Yamaha Corp 半導体装置
US20070158826A1 (en) 2005-12-27 2007-07-12 Yamaha Corporation Semiconductor device
US7436054B2 (en) * 2006-03-03 2008-10-14 Silicon Matrix, Pte. Ltd. MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same
TWI301823B (en) * 2006-08-29 2008-10-11 Ind Tech Res Inst Package structure and packaging method of mems microphone
US20080175425A1 (en) * 2006-11-30 2008-07-24 Analog Devices, Inc. Microphone System with Silicon Microphone Secured to Package Lid
US7550828B2 (en) * 2007-01-03 2009-06-23 Stats Chippac, Inc. Leadframe package for MEMS microphone assembly
JP2008271424A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Matsushita Electric Works Ltd 音響センサ
JP4553043B2 (ja) * 2008-09-12 2010-09-29 株式会社村田製作所 音響的トランスデューサユニット
US8102015B2 (en) * 2008-10-02 2012-01-24 Fortemedia, Inc. Microphone package with minimum footprint size and thickness

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9380392B2 (en) 2014-03-14 2016-06-28 Omron Corporation Microphone

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