JP4921320B2 - 真空成膜装置 - Google Patents

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Description

本発明は、真空成膜装置に関し、詳細には基材に反射率の高い金属を成膜する真空成膜装置に関する。
近年、薄膜を応用した各種の製品が用いられている。これらの製品は、例えば真空成膜装置により基材に薄膜を成膜することによって製造されている。この真空成膜装置は、減圧可能な真空槽と、この真空槽内の蒸着空間上部に設けられ蒸発膜が形成される基材を保持する基材ホルダと、真空槽内に設けられ蒸発膜を形成するための蒸着材料を基板に向けて放出する複数の蒸着源とを備えたものが知られている。
上記真空成膜装置では、真空引きされた真空槽内で、複数の蒸着源に載置された蒸着材料を電子ビームの照射又は抵抗加熱によって蒸発させ、基板に成膜材料粒子を蒸着させることにより同基板上に薄膜が成膜されるようになっている(例えば、特許文献1参照)。このような真空成膜装置を用いることで、1バッチで複数の成膜を行うことができ、生産効率を向上させることができる
特開2006−90851号公報
薄膜が形成された製品として、例えば自動車のランプに用いられるリフレクタがある。このリフレクタには光を反射させるためのアルミニウムの薄膜が成膜されており、当該リフレクタの性能が光の反射率によって評価されている。また、リフレクタには、アルミニウム以外にも複数の薄膜が成膜される。上記真空成膜装置でリフレクタ基材に成膜する場合、基材とアルミニウム蒸着源との距離が遠ければ、リフレクタの高い反射率を得ることができない。一方、高い反射率を得ることができるように基材と蒸着源との距離を近づければ、アルミニウム以外の他の蒸発材料の拡散範囲内に干渉することで薄膜の厚みの均一性が低下してしまうという問題がある。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、高い反射率を有し且つ均一性の高い薄膜を成膜することができる真空成膜装置を提供する。
上記目的を達成するため、本発明は次の技術的手段を講じた。
すなわち本発明の真空成膜装置は、減圧可能な真空槽と、この真空槽内の蒸着空間に設けられ蒸発膜が形成される基材を保持する基材ホルダと、前記真空槽内に設けられ前記蒸発膜を形成するための蒸着材料を前記基材に向けて放出する蒸着源と、を備えた真空成膜装置において、前記蒸着源は、前記真空槽内の蒸着空間の前記基材ホルダの下方に配置された下部蒸着源と、この下部蒸着源よりも前記基材ホルダに近い位置に配置された上部蒸着源と、よりなることを特徴とする。
上記本発明の真空成膜装置によれば、アルミニウムを上部蒸着源から放出させ、他の蒸着材料を通常位置に配置された下部蒸着源から放出させることができるので、基材に近い位置から放出されたアルミニウムにより高い反射率を得ることができ、且つ通常の位置から放出された他の蒸着材料で均一性の高い薄膜を得ることができる。
また、前記下部蒸着源から前記蒸着材料が放出されているときに、前記上部蒸着源を当該蒸着材料の拡散範囲外に退避させる退避機構を更に備えていることが好ましい。
この場合、下部蒸着源から放出される蒸着材料が上部蒸着源に干渉しないので、より均一な薄膜を成膜することができる。
更に、前記上部蒸着源は、前記真空槽の中心部と周辺部との間に渡って配置された複数の個別蒸着源よりなることが好ましい。
この場合、奥まった形状等、複雑な形状の基材の隅にまで蒸着材料を入り込ませることができる。
上記退避機構として、例えば前記複数の個別蒸着源を支持する前記中心部から前記周辺部に渡って延びるアームと、このアームを退避位置まで回動させる駆動部とを備えたものとすることができ、更に、当該アームには、前記各個別蒸着源を前記真空槽の内外方向に移動自在とする移動機構が設けられていることが好ましい。
このように、複数の個別蒸着源を内外方向に移動自在とすることで、より複雑な形状の基材に対応させることができる。
また、前記退避機構は、前記アームに前記駆動部から伝達される駆動力を所定値以下に制限するスリップ機構を更に備えていることが好ましい。
この場合、真空槽内で作業を行っている際、アームの回動中に誤って当該アームに当たってしまっても、駆動部の損傷を防止することができる。
上記の通り、本発明によれば、アルミニウムを上部蒸着源から放出させ、他の蒸着材料を通常位置に配置された下部蒸着源から放出させることができるので、基材に近い位置から放出されたアルミニウムにより高い反射率を得ることができ、且つ通常の位置から放出された他の蒸着材料で均一性の高い薄膜を得ることができる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明に係る真空成膜装置の一実施形態を示す縦断面図であり、図2は、その横断面図である。この真空成膜装置1は、減圧可能な真空槽2と、この真空槽2内に設けられ基材3を保持する基材ホルダ4と、同真空槽2内に設けられ蒸発膜を形成するための蒸着材料を基材3に向けて放出する複数の蒸着源5とを備えている。
真空槽2は、ステンレス等の金属材料製からなる略円筒形状に構成されており、アースされた状態でその中心軸が鉛直方向になるようにして設置されている。基材ホルダ4は、ステンレス等の金属材料製からなる上方へ窪んだドーム状に形成されており、蒸着空間10の最上部に設けられている。この基材ホルダ4は、中心部から放射状に複数の基材3を保持できるようになっており、成膜面を下方へ向けた状態にして基材3を保持している。また、真空槽2の上部には基板回転機構6が設けられており、基材ホルダ4が当該基板回転機構6に保持されると共に自転可能となっている。
蒸着源5は、真空槽2内の蒸着空間10下部に配置された下部蒸着源7と、この下部蒸着源7よりも基材ホルダ4に近い位置に配置された上部蒸着源8とよりなる。これら蒸着源5は、蒸着材料を上方に放出させ基材3上に薄膜を成膜させるものである。下部蒸着源7は、通常位置に配置されたものであり、電子銃加熱方式で蒸着させる第1蒸着源7A(図2左側)と、抵抗加熱方式で蒸着させる第2蒸着源7B(図2右側)とからなる。第1蒸着源7Aでは、材料容器に入れられた蒸着材料へ電子銃から電子を加速衝突させることで蒸着材料が加熱され、蒸発ガスを発生させるようになっている。第2蒸着源7Bでは、フィラメント等からなる材料容器が直接通電することにより蒸着材料が加熱され、蒸発ガスを発生させるようになっている。
上記第1、第2蒸着源7A、7Bは、いずれも複数の材料容器が上面に設けられた円盤状のターンテーブル50、51を備える。ターンテーブル50,51が回転し所定位置で止まることで、選択された蒸着材料が加熱されるようになっている。これにより、基材3上に第1、第2蒸着源7A、7Bから放出された各種の蒸発ガスが堆積し薄膜が形成される。なお、第1蒸着源7Aには、高融点の蒸着材料が置かれ、第2蒸着源7Bには、低融点の蒸着材料が置かれる。
上部蒸着源8は、真空槽2の蒸着空間10における上下方向略中央に配置されており、更に、下部蒸着源7から蒸着材料が放出されているときに、当該上部蒸着源8を当該蒸着材料の拡散範囲外に退避させる退避機構11が設けられている。
図3は、図2のA−A線断面図であり、図4は、図1のB−B線断面図であり、図5は、上部蒸着源8を上方から見た平面図である。退避機構11は、真空槽2の中心部から周辺部に渡って延びるアームを構成する電極部60と、当該電極部60を回動させる回動機構13とを備えている。回動機構13は、電極部60の下方に設けられ当該電極部60を支持する支持部14と、電極部60を回動させる駆動部としてのモータ15と、このモータ15の上方に設けられたスリップ機構16とを備えている。
図3に示すように、支持部14は、電極部60に繋がる第1軸部18と、軸受20を介して当該第1軸部18を支持する円筒状のケーシング19とを備えている。また、ケーシング19の外周部には、支持部14を真空槽2に固定している固定部17が設けられている。第1軸部18の下部には、円盤状の大歯車21と、この大歯車21に噛合する小歯車22が設けられている。モータ15は側面視で上記支持部14の側方に配置されており、このモータ15から上方へ突出する第2軸部23にスリップ機構16が設けられている。また、スリップ機構16から上方へ突出する第3軸部24に上記小歯車22が固定されている。
スリップ機構16は、トルクテンダと呼ばれている市販品が使用されており、伝達トルクを所定値以下に制限し、それにより電極部(アーム)60に過負荷がかかったときにモータ15に当該過負荷が伝わるのを阻止し、且つ当該過負荷がなくなったときに電極部(アーム)60にモータ15からの駆動力の伝達を復帰させるものである。具体的には、三木プーリ社製のTT−01タイプが使用されている。これにより、真空槽2内で作業を行っている際、電極部60の回動中に誤って当該電極部60に当たってしまっても、モータ15の損傷を防止することができる。
上記構成により、モータ15からの回転駆動力は、第2軸部23、第3軸部24、小歯車22、大歯車21、第1軸部18へと伝わり、この第1軸部18の上部に固定されている電極部60を回動させる。モータ15を駆動させることで、電極部60を図2実線で示す蒸着位置25から図2仮想線で示す退避位置26まで回動させることができる。
図4及び図5に示すように、電極部60は、真空槽2の蒸着空間10の周辺部から中心部へ向かって延びるアームとしての2本の第1、第2横電極棒27、28と、第1、第2横電極棒27,28のぞれぞれの中途部を支える第1、第2縦電極棒29,30とからなる。第1横電極棒27は第1縦電極棒29に電気的に接続されており、第2横電極棒28は第2縦電極棒30に電気的に接続されている。
更に、これら第1、第2横電極棒27.28及び第1、第2縦電極棒29,30を取り囲むように防着部材31が設けられている。防着部材31の存在により、下部蒸着源7から放出された蒸着材料が第1、第2横電極棒27,28及び第1、第2縦電極棒29,30に付着するのを防止することができる。
図4の右側に位置するのが、第1縦電極棒29であり、左側に位置するのが第2縦電極棒30である。図5の上側に位置するのが、第1横電極棒27であり、下側に位置するのが第2横電極棒28である。このうち第1縦電極棒29及び第1横電極棒27が正極となっており、第2縦電極棒30及び第2横電極棒28が負極となっている。
図4に示すように第1縦電極棒29の下端には、第2縦電極棒30を横方向に超す位置まで延設された横方向に延びる第1ベース部材32が設けられている。また、第2縦電極棒30の下端には、第1ベース部材32の上側で横方向に伸びる第2ベース部材33が設けられている。第2ベース部材33は、第1ベース部材32の略半分の長さとなっている。第1ベース部材32の中央部下側に支持部14が配置されている。
また、第1縦電極棒29と第1ベース部材32、及び第2縦電極棒30と第2ベース部材33とは、いずれも電気的に接続されている。第2ベース部材33の両端には、それぞれ円柱状の第1固定部材34(図4左側)、及び第2固定部材35(図4右側)が設けられている。また、これら第1、第2固定部材34,35の下端には、金属板からなる円盤部材36が設けられている。
第1、第2固定部材34,35のうちの第1固定部材34は第1ベース部材32の一端部で受けられ、第2固定部材35は第1ベース部材32の中央部で受けられている。これにより第2ベース部材33が下方から支持されている。両固定部材34,35の上部は、第2ベース部材33に貫通して当該第2ベース部材33に電気的に接続されている。また、両固定部材34,35の下部は、第1ベース部材32に貫通している。また、両固定部材34,35と第1ベース部材32との間に絶縁部材37が介装されており、両固定部材34,35と第1ベース部材32とは、互いに絶縁されている。これにより、第1ベース部材32に繋がる第1縦電極棒29、第1横電極棒27と、第2ベース部材33に繋がる第2縦電極棒30、第2横電極棒28とが、互いに絶縁されている。
支持部14の両側には、電流を供給するための通電機構が設けられている。この通電機構は、第1縦電極棒29、第1横電極棒27に電流を供給する第1通電機構38(図4右側)と、第2縦電極棒30、第2横電極棒28に電流を供給する第2通電機構39(図4左側)とからなる。第1通電機構28は、第1ベース部材32の一端部の下側に配置されており、第2通電機構39は、第1ベース部材32の他端部の下側に配置されている。
第1通電機構38の上部には、電気的接続をするための円盤状の第1当接部材40が設けられており、第2通電機構39の上部には、電気的接続をするための円柱状の第2当接部材41が設けられている。第1当接部材40の上端面40aは、第1ベース部材32の下面に臨んでいる。第2当接部材41の上端面41aは、第1固定部材34の円盤部材36の下面に臨んでいる。
第1、第2通電機構38,39は、図示しないアクチュエータにより駆動されて上下方向に昇降自在となっている。図4は、両通電機構38,39が下降している状態を示している。第1通電機構38が上昇して第1当接部材40が第1ベース部材32に当接すると、当該第1通電機構38との電気的接続が行われ、当該第1通電機構38から第1縦電極棒29、第1横電極棒27に電流が供給される。第2通電機構39が上昇して第2当接部材41が第1固定部材34の円盤部材36に当接すると、当該第2通電機構39との電気的接続が行われ、当該第2通電機構39から第2縦電極棒30、第2横電極棒28に電流が供給される。
第1、第2横電極棒27,28には、上部蒸着源8が設けられている。この上部蒸着源8は、両電極棒27,28の長手方向に所定間隔をおいて配設された第1〜第6の個別蒸着源8a〜8fからなる。つまり、真空槽2の中心部と周辺部との間に渡って第1〜第6の個別蒸着源8a〜8fが配設されている(図1及び図2参照)。各個別蒸着源8a〜8fは抵抗加熱方式となっており、中央部がバスケット状に巻かれたフィラメント42が両横電極棒27,28間を渡っている。バスケット状部42aが材料容器となっており、粒状又はフレーク状等の固体である蒸着材料が当該バスケット状部42aに置かれる。従って、第1横電極棒27と第2横電極棒28に電圧がかけられ、各フィラメント42に電流が通ると当該各フィラメント42が発熱し、各バスケット状部42aから溶融した蒸着材料が放出され蒸発される。
第1、第2横電極棒27,28には、各個別蒸着源8a〜8fを長手方向(内外方向)に移動自在とする移動機構43が設けられている。図6は、図5のC−C線断面図であり、図7は、図6の側面図である。移動機構43は、図6に示すように両横電極棒27,28を内外から挟持する内部材44と外部材45とを備えている。内部材44の上端面44aには、ねじ穴44bが形成されている。また、中央部に貫通孔を有する押さえ部材46が、当該押さえ部材46と上記上端面44aとの間にフィラメント42の端部を挟んだ状態でねじ47によって固定されている。
外部材45には、上下に所定間隔をあけて二つの貫通孔45aが形成されており、内部材44には、当該二つの貫通孔45aを貫通したねじ48が螺合するねじ穴44cが形成されている。各横電極棒27,28を内部材44と外部材45で挟持した状態で、二つのねじ48を締め付けると、内部材44がその箇所で固定される。そして、二つのねじ48を緩めると、内部材44及び外部材45が長手方向にスライド可能となる。これにより、第1〜第6の個別蒸着源8a〜8fを、真空槽2の中心部と周辺部との間の任意の位置に位置決めすることができる。なお、真空成膜装置1には、基板回転機構6、下部蒸着源7、上部蒸着源8、退避機構11等の動作を制御するための制御装置101が設けられている(図1参照)。
次に、上記真空成膜装置1を用いて基材3に薄膜を成膜する手順を説明する。下部蒸着源7の第1、第2蒸着源7A、7Bに各種の蒸着材料を置き、上部蒸着源8の第1〜第6蒸着源8a〜8fにアルミニウム蒸着材料を置く。真空槽2内を所定の真空度とし、図2の仮想線で示す退避位置26で第1、第2縦電極棒29、30及び第1、第2横電極棒27,28を停止させ、第1〜第6蒸着源8a〜8fを退避させておく。
まず、抵抗加熱方式の第2蒸着源7Bから、蒸着材料を基材3に向けて放出し、その薄膜を形成する。第2蒸着源7Bの加熱を止め、モータ15を駆動させて第1、第2縦電極棒29、30及び第1、第2横電極棒27,28を図2の実線で示す蒸着位置25まで移動させて、第1〜第6蒸着源8a〜8fを蒸着位置までもってくる。
第1通電機構38及び第2通電機構39を上昇させて電気的接続を行い、当該第1、第2通電機構38,39から第1〜第6蒸着源8a〜8fの各フィラメント42へ電流を流す。各フィラメント42は発熱し、各バスケット状部42aに置いたアルミニウム蒸着材料を基材3へ向けて放出し、基材3へその薄膜を形成する。
第1通電機構38及び第2通電機構39を下降させ、第1〜第6蒸着源8a〜8fからの蒸着材料の放出を止める。モータ15を駆動させて、第1、第2横電極棒27,28を回動させ退避位置26まで戻す。次に、電子銃加熱方式の第1蒸着源7Aから、蒸着材料を基材3に向けて放出し、その薄膜を形成する。この蒸着手順を1サイクルとし、このサイクルを繰り返して基材3上に薄膜を成膜して終了する。
上記本実施形態の真空成膜装置1によれば、アルミニウムを上部蒸着源8から放出させ、他の蒸着材料を通常位置に配置された下部蒸着源7から放出させることができるので、基材3に近い位置から放出されたアルミニウムにより高い反射率を得ることができ、且つ通常の位置から放出された他の蒸着材料で均一性の高い薄膜を得ることができる。
また、下部蒸着源7から蒸着材料が放出されているときに、上部蒸着源8を当該蒸着材料の拡散範囲外に退避させる退避機構11を備えているので、下部蒸着源7から放出される蒸着材料が上部蒸着源8に干渉しない。これにより薄膜の均一性を向上させることができる。
更に、上部蒸着源8は、真空槽2の中心部と周辺部との間に渡って配置された複数の個別蒸着源8a〜8fよりなるため、例えば自動車のリフレクタ等の、奥まった形状を有する基材の隅にまで蒸着材料を入り込ませることができ、基材ホルダ4の各所に取り付けられた複数の基材の全てにおいて均一性の高い薄膜を成膜することができる。また、各個別蒸着源8a〜8fを内外方向に移動自在とする移動機構43が設けられているので、より複雑な形状の基材に対応させることができる。また、真空槽2内を所定の真空度にしたままで、上部蒸着源8及び下部蒸着源7のどちらからの蒸着材料も放出させることができるので、段取り替えの回数を減らすことができる。これにより、汎用性が格段に向上すると共に、製品の品質を向上させることができ、且つ製造コストを抑えることができる。
なお、上記実施形態は例示であり制限的なものではなく、本発明はあらゆる真空成膜装置に適用することができる。例えば、上部蒸着源の個別蒸着源の数を増減してもよく、上部蒸着源の上方方向の位置を変更してもよい。また、上部蒸着源及び下部蒸着源の加熱方式を変更してもよい。下部蒸着源の数を増減させてもよい。
本発明は、例えば真空成膜装置に適用することができる。
本発明の一実施形態に係る真空成膜装置の縦断面図である。 図1の真空成膜装置の横断面図である。 図2のA−A線断面図である。 図2のB−B線断面図である。 上部蒸着源が設けられた横電極棒等を示す平面図である。 図5のC−C線断面図である。 図6の側面図である。
符号の説明
1 真空成膜装置
2 真空槽
3 基材
7 下部蒸着源
8 上部蒸着源
8a〜8f 個別蒸着源
10 蒸着空間
11 退避機構
15 モータ(駆動部)
16 スリップ機構
27 第1横電極棒
28 第2横電極棒
29 第1縦電極棒
30 第2縦電極棒
38 第1通電機構
39 第2通電機構
43 移動機構

Claims (2)

  1. 減圧可能な真空槽と、この真空槽内の蒸着空間に設けられ蒸発膜が形成される基材を保持する基材ホルダと、前記真空槽内に設けられ前記蒸発膜を形成するための蒸着材料を前記基材に向けて放出する蒸着源と、を備えた真空成膜装置において、
    前記蒸着源は、前記真空槽内の蒸着空間の前記基材ホルダの下方に配置された下部蒸着源と、この下部蒸着源よりも前記基材ホルダに近い位置に配置された上部蒸着源と、よりなっている真空成膜装置であって
    前記下部蒸着源から前記蒸着材料が放出されているときに、前記上部蒸着源を当該蒸着材料の拡散範囲外に退避させる退避機構を更に備え、
    前記上部蒸着源は、前記真空槽の中心部と周辺部との間に渡って配置された複数の個別蒸着源よりなり、
    前記退避機構は、前記複数の個別蒸着源を支持する前記中心部から前記周辺部に渡って延びるアームと、このアームを退避位置まで回動させる駆動部とを備え、前記アームには、前記各個別蒸着源を前記真空槽の内外方向に移動自在とする移動機構が設けられていることを特徴とする真空成膜装置。
  2. 前記退避機構は、前記アームに前記駆動部から伝達される駆動力を所定値以下に制限するスリップ機構を更に備えている請求項に記載の真空成膜装置。
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