JP3264096B2 - 横型気相成長装置および横型熱処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、横型気相成長装置お
よび横型熱処理装置に関し、例えば、横型ＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相成長）装置に適用して好適なもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】ＭＯＣＶＤ装置には種々の構成のものが
あるが、そのうち横型ＭＯＣＶＤ装置は、横型反応管内
に高流速でガス原料を流すことができることなどによ
り、高品質の化合物半導体素子の製造に適している。

【０００３】図１８は横型ＭＯＣＶＤ装置の一例を示
し、実験室規模のものである。この図１８に示す横型Ｍ
ＯＣＶＤ装置においては、サセプタ１０１のみ反応管１
０２から基板交換室１０３に移動させて基板１０４を交
換する。ここで、反応管１０２から基板交換室１０３へ
のサセプタ１０１の移動の際には、ゲートバルブ１０５
を開ける。なお、図１８において、符号１０６は高周波
加熱コイル、１０７は熱電対を示す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述の図１８に示す横
型ＭＯＣＶＤ装置を生産に用いるためには、その大型化
が必要であるが、この大型化の問題以前に次のような問
題の解決が必須である。すなわち、基板１０４を交換す
る際には、大量の析出物が存在する反応管１０２内の下
流を基板１０４が通るので、その表面が汚染されるおそ
れがある。

【０００５】したがって、この発明の目的は、基板を交
換する際に基板の表面が汚染されるのを防止することが
できる横型ＭＯＣＶＤ装置などの横型気相成長装置を提
供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明は、横型の反応管（２１）と、基板（Ｓ）
を載せるためのサセプタ（２３）と、サセプタ（２３）
を加熱するための加熱手段（２９）とを有する横型気相
成長装置において、反応管（２１）の管壁に設けられた
開口（２１ａ）にサセプタ（２３）を着脱可能に構成さ
れ、 サセプタ（２３）は固定部およびこの固定部に対し
て回転する回転部（２４、２５）から成り、回転部（２
４、２５）上に基板（Ｓ）が載せられることを特徴とす
るものである。

【０００７】この発明において、サセプタ（２３）は、
開口（２１ａ）にはめ込まれたときに反応管（２１）の
管壁の一部を構成する。また、サセプタ（２３）は、反
応管（２１）に対して垂直な方向に移動可能に構成され
る。加熱手段（２９）は、サセプタ（２３）に関して反
応管（２１）と反対側の部分にサセプタ（２３）と一体
的に設けられる。ここで、加熱手段（２９）としては、
例えば、熱効率が高くて低消費電力の抵抗加熱源が好適
に用いられる。

【０００８】この発明の一実施形態においては、サセプ
タ（２３）および加熱手段（２９）は、反応管（２１）
に対して垂直な方向に移動可能な台（３３）に取り付け
られる。これらのサセプタ（２３）および加熱手段（２
９）は、支持ばね（３２）を介して台（３３）に取り付
けられる。この支持ばね（３２）としては、一方向にの
み自由度を有するものが好適に用いられ、具体的には例
えば板ばねが用いられる。

【０００９】この発明の一実施形態において、サセプタ
（２３）は固定部およびこの固定部に対して回転する回
転部（２４、２５）から成り、回転部（２４、２５）上
に基板（Ｓ）が載せられる。ここで、回転部（２４、２
５）は第１の歯車から成り、第１の歯車は第２の歯車
（２６）により回転可能に構成される。この第２の歯車
（２６）には、モータ（２７）の軸（２７ａ）に接続さ
れたワイヤ（２８）を介してモータ（２７）の回転力が
伝達される。

【００１０】この発明の典型的な一実施形態において
は、サセプタ（２３）上の基板（Ｓ）を交換するための
基板交換室（２２）をさらに有する。この場合、サセプ
タ（２３）および加熱手段（２９）は反応管（２１）に
対して垂直な方向に移動可能な台（３３）に取り付けら
れ、基板（Ｓ）を交換するときに反応管（２１）に対し
て垂直な方向に台（３３）を移動することにより基板交
換室（２２）内にサセプタ（２３）および加熱手段（２
９）を導入するように構成される。

【００１１】また、基板交換室（２２）内に設けられた
回転軸（３５）に沿って移動可能なアクチュエータ（３
４）が台（３３）に取り付けられる。ここで、このアク
チュエータ（３４）は、ベアリング（ＢＢ）と回転軸
（３５）との間の摩擦力により回転軸（３５）の軸方向
の駆動力が生じるように構成されたリニアアクチュエー
タである。

【００１２】さらに、基板交換室（２２）内には基板
（Ｓ）を交換するための可動なアームが設けられる。こ
のアームは、第１のアーム（４０）およびその先端に取
り付けられ、かつ基板（Ｓ）を真空吸着するための穴
（４１ａ、４１ｂ）を有する第２のアーム（４１）から
成り、第２のアーム（４１）は第１のアーム（４０）の
先端側の一端を中心として回転可能でかつその中心軸の
周りに回転可能に構成される。この発明はまた、横型の
反応管と、基板を載せるためのサセプタと、サセプタを
加熱するための加熱手段とを有する横型気相成長装置に
おいて、 反応管の管壁に設けられた開口にサセプタを着
脱可能に構成され、 加熱手段はサセプタに関して反応管
と反対側の部分にサセプタと一体的に設けられ、 サセプ
タおよび加熱手段は反応管に対して垂直な方向に移動可
能な台に支持ばねを介して取り付けられている ことを特
徴とするものである。 この発明はまた、横型の反応管
と、基板を載せるためのサセプタと、サセプタを加熱す
るための加熱手段とを有する横型気相成長装置におい
て、 反応管の管壁に設けられた開口にサセプタを着脱可
能に構成され、 サセプタは固定部およびこの固定部に対
して回転する回転部から成り、回転部上に基板が載せら
れ、 回転部は第１の歯車から成り、第１の歯車は第２の
歯車により回転可能に構成され、 モータの軸に接続され
たワイヤを介して第２の歯車にモータの回転力が伝達さ
れるように構成されている ことを特徴とするものであ
る。 この発明はまた、横型の反応管と、基板を載せるた
めのサセプタと、サセプタを加熱するための加熱手段
と、サセプタ上の基板を交換するための基板交換室とを
有する横型気相成長装置において、 反応管の管壁に設け
られた開口にサセプタを着脱可能に構成され、 サセプタ
および加熱手段は反応管に対して垂直な方向に移動可能
な台に取り付けられ、基板を交換するときに反応管に対
して垂直な方向に台を移動することにより基板交換室内
にサセプタおよび加熱手段を導入するように構成され、
基板交換室内において反応管に対して垂直な方向に台を
移動する手段として無潤滑のリニアアクチュエータを用
いた ことを特徴とするものである。 この発明はまた、横
型の反応管と、基板を載せるためのサセプタと、サセプ
タを加熱するための加熱手段と、サセプタ上の基板を交
換するための基板交換室とを有する横型気相成長装置に
おいて、 反応管の管壁に設けられた開口にサセプタを着
脱可能に構成され、 サセプタおよび加熱手段は反応管に
対して垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、基板
を交換するときに反応管に対して垂直な方向に台を移動
することにより基板交換室内にサセプタおよび加熱手段
を導入するように構成され、 基板交換室内に設けられた
回転軸に沿って移動可能なアクチュエータが台に取り付
けられ、アクチュエータはベアリングと回転軸との間の
摩擦力により回転軸の軸方向の駆動力が生じるように構
成されている ことを特徴とするものである。 この発明は
また、横型の反応管と、基板を載せるためのサセプタ
と、サセプタを加熱するための加熱手段と、サセプタ上
の基板を交換するための基板交換室とを有する横型気相
成長装置において、 反応管の管壁に設けられた開口にサ
セプタを着脱可能に構成され、 サセプタおよび加熱手段
は反応管に対して垂直な方向に移動可能な台に取り付け
られ、基板を交換するときに反応管に対して垂直な方向
に台を移動することにより基板交換室内にサセプタおよ
び加熱手段を導入するように構成され、 基板交換室内に
は基板を交換するための可動なアームが設けられ、アー
ムは第１のアームおよびその先端に取り付けられ、かつ
基板を真空吸着するための穴を有する第２のアームから
成り、第２のアームは第１のアームの先端側の一端を中
心として回転可能でかつその中心軸の周りに回転可能に
構成されている ことを特徴とするものである。 この発明
はまた、横型の反応管と、基板を載せるためのサセプタ
と、サセプタを加熱するための加熱手段と、サセプタ上
の基板を交換するための基板交換室とを有する横型気相
成長装置において、 反応管の管壁に設けられた開口にサ
セプタを着脱可能に構成され、 サセプタおよび加熱手段
は反応管に対して垂直な方向に移動可能な台に取り付け
られ、基板を交換するときに反応管に対して垂直な方向
に台を移動することにより基板交換室内にサセプタおよ
び加熱手段を導入するように構成され、 開口にサセプタ
がはめ込まれているときに、少なくともサセプタおよび
台を含む仕切り壁により仕切られた空間が形成され、こ
の空間と反応管の内部とが連通している ことを特徴とす
るものである。 この発明はさらに、横型の処理管と、基
板を載せるためのサセプタと、サセプタを加熱するため
の加熱手段とを有する横型熱処理装置において、 処理管
の管壁に設けられた開口にサセプタを着脱可能に構成さ
れ、 サセプタは固定部およびこの固定部に対して回転す
る回転部から成り、回転部上に基板が載せられる ことを
特徴とするものである。 この発明はさらに、横型の処理
管と、基板を載せるためのサセプタと、サセプタを加熱
するための加熱手段とを有する横型熱処理装置におい
て、 処理管の管壁に設けられた開口にサセプタを着脱可
能に構成され、 加熱手段はサセプタに関して処理管と反
対側の部分にサセプタと一体的に設けられ、 サセプタお
よび加熱手段は処理管に対して垂直な方向に移動可能な
台に支持ばねを介して取り付けられている ことを特徴と
するものである。 この発明はさらに、横型の処理管と、
基板を載せるためのサセプタと、サセプタを加熱するた
めの加熱手段とを有する横型熱処理装置において、 処理
管の管壁に設けられた開口にサセプタを着脱可能に構成
され、 サセプタは固定部およびこの固定部に対して回転
する回転部から成り、回転部 上に基板が載せられ、 回転
部は第１の歯車から成り、第１の歯車は第２の歯車によ
り回転可能に構成され、 モータの軸に接続されたワイヤ
を介して第２の歯車にモータの回転力が伝達されるよう
に構成されている ことを特徴とするものである。 この発
明はさらに、横型の処理管と、基板を載せるためのサセ
プタと、サセプタを加熱するための加熱手段と、サセプ
タ上の基板を交換するための基板交換室とを有する横型
熱処理装置において、 処理管の管壁に設けられた開口に
サセプタを着脱可能に構成され、 サセプタおよび加熱手
段は処理管に対して垂直な方向に移動可能な台に取り付
けられ、基板を交換するときに処理管に対して垂直な方
向に台を移動することにより基板交換室内にサセプタお
よび加熱手段を導入するように構成され、 基板交換室内
において処理管に対して垂直な方向に台を移動する手段
として無潤滑のリニアアクチュエータを用いた ことを特
徴とするものである。 この発明はさらに、横型の処理管
と、基板を載せるためのサセプタと、サセプタを加熱す
るための加熱手段と、サセプタ上の基板を交換するため
の基板交換室とを有する横型熱処理装置において、 処理
管の管壁に設けられた開口にサセプタを着脱可能に構成
され、 サセプタおよび加熱手段は処理管に対して垂直な
方向に移動可能な台に取り付けられ、基板を交換すると
きに処理管に対して垂直な方向に台を移動することによ
り基板交換室内にサセプタおよび加熱手段を導入するよ
うに構成され、 基板交換室内に設けられた回転軸に沿っ
て移動可能なアクチュエータが台に取り付けられ、アク
チュエータはベアリングと回転軸との間の摩擦力により
回転軸の軸方向の駆動力が生じるように構成されている
ことを特徴とするものである。 この発明はさらに、横型
の処理管と、基板を載せるためのサセプタと、サセプタ
を加熱するための加熱手段と、サセプタ上の基板を交換
するための基板交換室 とを有する横型熱処理装置におい
て、 処理管の管壁に設けられた開口にサセプタを着脱可
能に構成され、 サセプタおよび加熱手段は処理管に対し
て垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、基板を交
換するときに処理管に対して垂直な方向に台を移動する
ことにより基板交換室内にサセプタおよび加熱手段を導
入するように構成され、 基板交換室内には基板を交換す
るための可動なアームが設けられ、アームは第１のアー
ムおよびその先端に取り付けられ、かつ基板を真空吸着
するための穴を有する第２のアームから成り、第２のア
ームは第１のアームの先端側の一端を中心として回転可
能でかつその中心軸の周りに回転可能に構成されている
ことを特徴とするものである。 この発明はさらに、横型
の処理管と、基板を載せるためのサセプタと、サセプタ
を加熱するための加熱手段と、サセプタ上の基板を交換
するための基板交換室とを有する横型熱処理装置におい
て、 処理管の管壁に設けられた開口にサセプタを着脱可
能に構成され、 サセプタおよび加熱手段は処理管に対し
て垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、基板を交
換するときに処理管に対して垂直な方向に台を移動する
ことにより基板交換室内にサセプタおよび加熱手段を導
入するように構成され、 開口にサセプタがはめ込まれて
いるときに、少なくともサセプタおよび台を含む仕切り
壁により仕切られた空間が形成され、この空間と処理管
の内部とが連通している ことを特徴とするものである。

【００１３】この発明において、横型気相成長装置は、
典型的には横型ＭＯＣＶＤ装置であるが、例えば横型Ｃ
ＶＤ装置であってもよい。

【００１４】

【作用】上述のように構成されたこの発明による横型気
相成長装置によれば、サセプタ（２３）を反応管（２
１）に対して垂直な方向に移動することにより反応管
（２１）の開口（２１ａ）に対するサセプタ（２３）の
着脱を容易に行うことができるので、大量の析出物が存
在する反応管（２１）内の下流を基板（Ｓ）を通さず
に、基板を交換することができる。このため、基板を交
換する際に基板の表面が汚染されるのを防止することが
できる。

【００１５】

【実施例】この発明の一実施例について説明する前に、
一般的なＭＯＣＶＤ装置の構成について説明する。

【００１６】図１５に示すように、ＭＯＣＶＤ装置は一
般に、ガス供給系１、反応容器（反応管）２、減圧系
３、除害系４、基板交換系５および基板格納室６を有す
る。ガス供給系１はガス供給コントローラ７により制御
される。反応容器２内にはヒータによって加熱可能なサ
セプタが設けられており、このサセプタの上に基板が載
せられる。ヒータによるサセプタの加熱は加熱コントロ
ーラ８によって制御される。減圧系３は減圧コントロー
ラ９によって制御される。これらのガス供給コントロー
ラ７、加熱コントローラ８および減圧コントローラ９
は、結晶成長シーケンスコントローラ１０によって制御
される。一方、基板交換系５は基板交換コントローラ１
１によって制御される。

【００１７】ガス供給系１は、結晶成長に用いるガス原
料を所定量だけ反応容器２に供給するためのものであ
り、例えば図１６に示すように構成される。ガス供給系
１は複数の原料供給チャネルを有し、各原料供給チャネ
ルに流量コントローラおよびバルブ（通常はエア駆動）
が取り付けられている。すなわち、図１６においては、
バブラ１２内に液体原料が入れられており、図示省略し
た水素純化装置によって高純度化された水素ガスがキャ
リアガスとしてこのバブラ１２内に供給されることによ
り、この液体原料の蒸気圧分のガス原料が反応容器２に
供給される。バブラ１２内に供給される水素ガスの流量
は流量コントローラ１３によって制御される。一方、ガ
スボンベ１４内のガス原料は、減圧バルブ１５および流
量コントローラ１６を介して反応容器２に供給される。
Ｖ₁ 〜Ｖ₇ はバルブを示す。ガス供給コントローラ７
は、結晶成長シーケンスコントローラ１０からの命令に
基づいて、ガス供給系１の各原料供給チャネルを通るガ
ス原料の流量とバルブの開閉時間とを制御する。

【００１８】減圧系３は、反応容器２内のガス原料を一
定の圧力に制御しながら排気するためのものであり、例
えば図１７に示すように構成される。図１７において、
減圧コントローラ９は、結晶成長シーケンスコントロー
ラ１０（図１５）からある圧力の排気命令を受け取る
と、まず大気圧ラインのバイパスバルブＶ₈ を閉じ、次
に減圧ラインのストップバルブＶ₉ を開ける。次に、反
応容器２内の圧力を圧力計１７で測定し、この測定圧力
と設定圧力との差に応じた出力をコントロールバルブ
（例えば、バタフライバルブ）Ｖ₁₀に与え、制御ループ
に入る。反応容器２を大気圧に戻すには、ストップバル
ブＶ₉ を閉じ、容器内圧力が大気圧になった信号を受け
取ったときにバイパスバルブＶ₈ を開ける。なお、図１
７において、符号１８はフィルタ、１９は真空ポンプを
示す。

【００１９】基板交換系５は、サセプタ上に基板を載せ
たり、結晶成長後の基板を取ったりするためのものであ
る。基板交換を行うときには、この基板交換系５の基板
交換室が反応容器２と接続されるので、この基板交換室
は不活性ガスで満たされており、反応容器２の汚染を防
いでいる。

【００２０】反応容器２は、反応ガスを加熱した基板に
接触させ、それによる生成物を基板上に堆積させるため
のものである。この反応容器２は、一般に、サセプタ、
サセプタを囲む容器、ガス入口、排気口および加熱源か
ら成っている。加熱方法としては、赤外線ランプによる
加熱、抵抗加熱、高周波加熱などが用いられる。

【００２１】以下、この発明の一実施例について図面を
参照しながら説明する。なお、実施例の全図において、
同一または対応する部分には同一の符号を付す。図１は
この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置を示し、
特に、その反応管および基板交換室の部分を示すもので
ある。この一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置のその他
の構成、すなわちガス供給系、減圧系、除害系などは、
一般的なＭＯＣＶＤ装置、特に、横型ＭＯＣＶＤ装置と
同様である。

【００２２】図１において、符号２１は例えば長方形の
断面形状を有する石英製の横型の反応管、２２は例えば
ステンレス鋼製の基板交換室を示す。この場合、反応管
２１の下部には、後述のサセプタがはめ込まれる開口２
１ａが設けられている。この開口２１ａの形状は例えば
長方形である。さらに、反応管２１の下部には、この開
口２１ａを囲むように反応管固定用の突出部２１ｂが設
けられている。一方、開口２１ａに対応する部分におけ
る基板交換室２２の上板には、突出部２１ｂとほぼ相似
な形状を有するが、大きさは少し小さい開口２２ａが設
けられている。そして、突出部２１ｂの下部がＯ−リン
グＯ₁ を介して開口２２ａの周囲の部分に固定されるこ
とによって、反応管２１と基板交換室２２とが互いに固
定されている。

【００２３】反応管２１の下部に設けられた開口２１ａ
には、例えばカーボン製のサセプタ２３がはめ込まれる
ようになっている。このサセプタ２３は、開口２１ａに
はめ込まれたときに、反応管２１の管壁の一部を構成す
る。ここで、サセプタ２３がこの開口２１ａにはめ込ま
れるときには、このサセプタ２３の上部の外周部に設け
られた段部２３ａが開口２１ａの周囲の部分における反
応管２１の外壁面に接触することにより、その位置決め
が行われる。

【００２４】図２は反応管２１の下部の開口２１ａには
め込まれるサセプタ２３の上部の平面図である。図２に
おいて、サセプタ２３の上部に浅い円形の穴２３ｂ、２
３ｃが互いに隣接して設けられており、これらの穴２３
ｂ、２３ｃに例えばカーボン製の基板回転用歯車２４、
２５がそれぞれ回転可能に収納されている。これらの基
板回転用歯車４、５上に、結晶成長を行うべき基板Ｓが
載せられる。ここで、これらの基板回転用歯車２４、２
５もサセプタの一部を構成する。この場合、サセプタ２
３が反応管２１の開口２１ａにはめ込まれたときのこれ
らの基板回転用歯車２４、２５の上面は、反応管２１の
下部の内壁面とほぼ一致するようになっている。ただ
し、この場合、サセプタ２３が反応管２１の開口２１ａ
にはめ込まれたとき、基板回転用歯車２４、２５上の基
板Ｓは、反応管２１の実効的な断面積がその下流に向か
って減少する方向に所定角度傾斜している。

【００２５】サセプタ２３の上部にはもう一つの穴２３
ｄが設けられており、この穴２３ｄに、図３に示すよう
なモータ歯車２６が回転可能に収納されている。このモ
ータ歯車２６は基板回転用歯車２４、２５とそれぞれ噛
み合っており、このモータ歯車２６の回転により基板回
転用歯車２４、２５がそれぞれ回転し、それによってそ
れらの上の基板Ｓがその中心軸の周りに回転するように
なっている。ここで、このように基板Ｓを回転させるの
は、基板Ｓ上に均一な結晶成長を行うためである。

【００２６】モータ歯車２６は、後述のサセプタ台座に
取り付けられたモータ２７の軸２７ａの回転を例えばモ
リブデン製のＬ字型ワイヤ２８を介してこのモータ歯車
２６に伝達することにより回転するようになっている。
ここで、図３に示すように、このＬ字型ワイヤ２８によ
る回転の伝達は、このＬ字型ワイヤ２８のＬ字型に折り
曲げられた先端部を、モータ歯車２６の上部に設けられ
た、Ｌ字型ワイヤ２８の径よりも少し大きい幅の穴２６
ａに係合させることにより行われる。

【００２７】図１において、サセプタ２３の下部には、
ヒータ２９および赤外反射板３０が収納固定されてい
る。ヒータ２９としては、例えばモリブデン製の薄膜ヒ
ータが用いられる。また、赤外反射板３０としては、例
えばチタン蒸着膜上にアルミナ膜を設けものが用いられ
る。なお、サセプタ２３が反応管２１の開口２１ａには
め込まれたときには、ヒータ２９は、反応管２１内に流
される反応ガスには全く触れないようになっていること
に注意すべきである。

【００２８】この一実施例においては、サセプタ２３の
下部に、断熱支柱３１を介して支持ばね３２の上端が固
定されている。この場合、この支持ばね３２はサセプタ
２３の下部の四隅にそれぞれ取り付けられている。この
支持ばね３２の下端は、例えばステンレス鋼製のサセプ
タ台座３３の上板に固定されている。そして、この支持
ばね３２の伸縮により、サセプタ２３、ヒータ２９およ
び赤外反射板３０の全体がサセプタ台座３３に対して上
下方向に移動可能になっている。この支持ばね３２とし
ては、一方向（この場合は図１の上下方向）にのみ自由
度を有するものが好適に用いられる。具体的には、この
支持ばね３２としては例えばモリブデン製の板ばねが用
いられる。

【００２９】サセプタ台座３３の上板には穴３３ａ、３
３ｂが設けられている。そして、穴３３ａに図示省略し
た軸シールを介してモータ２７の軸２７ａが通されてい
る。また、穴３３ｂにはハーメチックシールＨが取り付
けられており、このハーメチックシールＨにより、ヒー
タ２９の一端に接続されたリード線Ｌが、サセプタ台座
３３の上板の下部に取り出されている。なお、サセプタ
２３の温度測定用の熱電対Ｔの一端もこのサセプタ台座
３３の上板に設けられた穴（図示せず）を介してその下
部に取り出されている。

【００３０】サセプタ台座３３の側面には、回転運動を
直線運動に変換するリニアアクチュエータ３４が取り付
けられている。そして、基板交換室２２の底板に設けら
れた穴２２ｂを通されたリニアシャフト３５に沿ってこ
のリニアアクチュエータ３４が直線的に移動することに
より、サセプタ台座３３、したがってサセプタ２３が昇
降自在になっている。この場合、リニアシャフト３５の
下端が軸継手３６によってモータ３７の軸３７ａと接続
されており、この軸３７ａの回転によってリニアシャフ
ト３５が回転し、それによってこのリニアシャフト３５
に沿ってリニアアクチュエータ３４が直線的に移動する
ようになっている。なお、リニアシャフト３５は、図示
省略した支持部材により基板交換室２２に回転可能に支
持されている。また、基板交換室２２の底板の穴２２ｂ
とリニアシャフト３５との間は、例えば、図示省略した
電磁流体シールにより真空シールされている。さらに、
この場合、リニアアクチュエータ３４の昇降に伴うサセ
プタ台座３３の昇降が高精度かつ円滑に行われるように
するため、このサセプタ台座３３の側面の上部および下
部に取り付けられたガイドホイール３８が、基板交換室
２２の上板および底板の間に取り付けられたガイドレー
ル３９上を移動し、それによって案内されるようになっ
ている。

【００３１】図４および図５に示すように、リニアアク
チュエータ３４は、例えばアルミニウム製の一対のブロ
ックハーフ３４ａ、３４ｂの両端面にそれぞれ３個ずつ
特殊なボールベアリングＢＢを取り付けたものである。
ここで、これらのボールベアリングＢＢは、それらのリ
ード角に相当する傾斜角度でリニアシャフト３５を包む
ように取り付けられている。符号Ｂはブロックハーフ３
４ａ、３４ｂを相互に締結するための、コイルスプリン
グが取り付けられた六角穴付きボルトを示す。なお、こ
のリニアアクチュエータ３４は「ローリックス」という
商品名で市販されている。

【００３２】このリニアアクチュエータ３４において
は、そのボールベアリングＢＢとリニアシャフト３５と
の間の摩擦力により軸方向の駆動力が生じ、それによっ
てリニアシャフト１５に沿ってこのリニアアクチュエー
タ３４が直線的に移動する。

【００３３】再び図１を参照すると、図示省略した機構
により水平方向の移動が可能なロボットアーム４０の先
端に基板吸着用のフィンガーアーム４１が取り付けられ
ている。図６はこのフィンガーアーム４１およびその近
傍の詳細を示す。図６に示すように、フィンガーアーム
４１の根元の部分は、軸４２により、ロボットアーム４
０の内部に通された軸４３に取り付けられている。ロボ
ットアーム４０の先端にはその中心軸の周りに対称配置
で３本の軸４０ａが固定されており、そのうちの１本の
先端にコイルスプリング４４を介してボールベアリング
ＢＢ´が取り付けられ、残りの２本の先端には同様なボ
ールベアリングＢＢ´が直接取り付けられている。これ
らのボールベアリングＢＢ´は、フィンガーアーム４１
の根元の部分を包むように設けられている。そして、こ
れらのボールベアリングＢＢ´によりロボットアーム４
０に対するフィンガーアーム４１の回転が可能となって
いるとともに、これらのボールベアリングＢＢ´のうち
の一つがコイルスプリング４４に取り付けられているこ
とにより軸４２の周りのフィンガーアーム４１の回転が
可能となっている。

【００３４】フィンガーアーム４１の下面には、真空吸
着用の円形の穴４１ａ、４１ｂが設けられている。図７
にこれらの穴４１ａ、４１ｂの平面形状を示す。これら
の穴４１ａ、４１ｂは、フィンガーアーム４１の内部に
その軸方向に沿って設けられた真空吸引用の穴４１ｃ
（図６）と連通しており、この穴４１ｃはさらに、ロボ
ットアーム４０の内部に通された軸４３の内部にその軸
方向に沿って設けられた真空吸引用の穴（図示せず）と
連通している。この軸４３の内部に設けられた真空吸引
用の穴は、基板交換室２２の外部に設けられた真空ポン
プ（図示せず）に接続されている。そして、この真空ポ
ンプにより、ロボットアーム４０の内部に通された軸４
３の内部に設けられた真空吸引用の穴およびフィンガー
アーム４１の内部に設けられた真空吸引用の穴４１ｃを
真空排気することにより、フィンガーアーム４１の下面
の穴４１ａ、４１ｂに基板Ｓを真空吸着することができ
るようになっている。フィンガーアーム４１で基板Ｓを
真空吸着したときのそれらの相対的な位置関係は図７に
示す通りである。

【００３５】次に、上述のように構成されたこの一実施
例による横型ＭＯＣＶＤ装置において基板交換を行う方
法について説明する。

【００３６】いま、基板Ｓ上への結晶成長が終了して反
応管２１内へのガス原料の供給が停止された後、基板交
換が行われる直前の状態を考える。この状態では、図１
に示すように、結晶成長が終了した基板Ｓが載せられた
サセプタ２３が反応管２１の下部の開口２１ａにはめ込
まれている。また、サセプタ台座３３の上板と基板交換
室２２の上部の内壁との間は、Ｏ−リングＯ₂ により真
空シールされている。このとき、サセプタ２３、反応管
２１の外壁の一部や突出部２１ｂ、サセプタ台座３３の
上板などにより囲まれた空間には、基板交換室２２の上
板に設けられた穴２２ｃを通して不活性ガス、例えば窒
素（Ｎ₂ ）ガスが導入されており、このＮ₂ ガスは反応
管２１の下部の管壁に設けられた穴２１ｃを通って反応
管２１内に流れ出ている。これによって、この空間と反
応管２１の内部とは実質的に同一圧力となっている。な
お、反応管２１の下部の管壁に穴２１ｃを設ける代わり
にサセプタ２３の下流側の部分に穴を設け、この穴を通
して反応管２１内にＮ₂ ガスを流し出すようにしてもよ
い。一方、基板交換室２２の側壁の下部には穴２２ｄ、
２２ｅが設けられており、穴２２ｄを通してＮ₂ ガスが
基板交換室２２内に導入され、穴２２ｅを通して基板交
換室２２からＮ₂ ガスが外部に排出されるようになって
いる。このように基板交換室２２内にＮ₂ ガスを導入し
ておくのは、基板交換を行う際の反応管２１の汚染を防
止するためである。

【００３７】次に、モータ３７の軸３７ａを回転させる
ことによりリニアアクチュエータ３４をリニアシャフト
３５に沿って下降させ、これによってサセプタ台座３３
を図１において一点鎖線で示す基板交換位置まで下降さ
せる。この基板交換位置までサセプタ台座３３が下降し
た状態を図８に示す。

【００３８】ここで、最初、サセプタ２３が反応管２１
の下部の開口２１ａにはめ込まれていたときには、サセ
プタ２３は支持ばね３２の弾性力により反応管２１の開
口２１ａの周囲の部分の外壁に押しつけられていたが、
上述のようにサセプタ台座３３が下降するにつれてサセ
プタ２３が反応管２１の外壁から離れ始めると、支持ば
ね３２は徐々に伸び、サセプタ２３が反応管２１の外壁
から完全に離れた状態（例えば、図９に示す状態）で
は、この支持ばね１２はそれが支持しているサセプタ２
３などの重さ、そのばね定数や自然長などによって決ま
る長さに伸びている。

【００３９】上述のようにサセプタ台座３３を図８に示
す基板交換位置まで下降させた後、ロボットアーム４０
を水平方向に移動させてフィンガーアーム４１がサセプ
タ２３上の基板Ｓに対して図７に示すような相対位置と
なるようにする。この状態におけるフィンガーアーム４
１およびサセプタ２３の近傍の部分を図１０に拡大して
示す。ここで、サセプタ２３が支持ばね３２によりサセ
プタ台座３３上に支持されているため、サセプタ２３が
反応管２１の外壁から完全に離れてフリーとなった状態
におけるサセプタ台座３３の上板に対するサセプタ２３
の傾斜は、サセプタ２３が反応管２１の開口２１ａには
め込まれていたときと比べて、一般には異なっている。

【００４０】次に、サセプタ台座３３を少し上昇させて
フィンガーアーム４１がサセプタ２３上の基板Ｓに接触
するようにする。このとき、通常は、図１１に示すよう
に、フィンガーアーム４１の先端が基板Ｓと接触し、フ
ィンガーアーム４１の先端の穴４１ａ、４１ｂからの真
空吸引が開始するが、この時点では、これらの穴４１
ａ、４１ｂは完全にはふさがっていないので、吸引圧力
はあまり高くない。

【００４１】次に、サセプタ台座３３をさらに上昇させ
ると、フィンガーアーム４１の先端が基板Ｓで押される
ことにより、このフィンガーアーム４１はその根元の軸
４２の周りに回転し、ついには基板Ｓの表面に平行にな
る（図１２）。この時点でフィンガーアーム４１の穴４
１ａ、４１ｂは完全にふさがり、吸引圧力は急上昇す
る。そこで、この圧力上昇を検出して信号を発生し、こ
の信号によりサセプタ台座３３を下降させると、図１３
に示すように、基板Ｓはフィンガーアーム４１により真
空吸着されたまま保持される。また、このとき、コイル
スプリング４４の復元力により、フィンガーアーム４１
はその根元の軸４２の周りに回転し、基板Ｓに接触する
前の位置に戻る。

【００４２】上述のようにフィンガーアーム４１により
基板Ｓを真空吸着したまま、ロボットアーム４０を図１
中左側に移動させた後、基板交換室２２に取り付けられ
た基板格納室（図示せず）内のキャリア内に基板Ｓを収
納する。この後、結晶成長を行うべき新たな基板Ｓが収
納された別のキャリア内の基板Ｓをフィンガーアーム４
１により真空吸着し、この基板Ｓを上述と同様な手順で
サセプタ２３上に載せる。

【００４３】次に、サセプタ台座３３を、Ｏ−リングＯ
₂ が基板交換室２２の上部の内壁に当たるまで上昇させ
る。このとき、サセプタ２３が反応管２１の開口２１ａ
にはめ込まれる。以上により、基板交換が終了する。

【００４４】この一実施例によれば、次のような種々の
利点を得ることができる。すなわち、反応管２１の下部
の開口２１ａに、反応管２１に対して垂直な方向からサ
セプタ２３の着脱を行うことにより基板交換を行うよう
にしているので、基板交換を行う際に基板を反応管内の
下流を移動させる必要のある図１８に示す従来の横型Ｍ
ＯＣＶＤ装置におけるような基板表面の汚染の問題がな
い。また、基板交換が容易である。

【００４５】また、サセプタ台座３３の昇降にそれ自身
無潤滑で清浄なリニアアクチュエータ３４を用いている
ので、このリニアアクチュエータ３４は基板交換室２２
内で不純物の発生源とならず、このリニアアクチュエー
タ３４による基板Ｓの表面の汚染の問題がない。さら
に、リニアシャフト３５の回転用のモータ３７を基板交
換室２２の外部に設置することができることにより、こ
のモータ３７を発生源とする不純物による基板Ｓの汚染
の問題もない。また、基板交換室２２の下部に必要なス
ペースはモータ３７によるものだけであるので、省スペ
ース化を図ることができる。さらにまた、何らかの原因
でリニアアクチュエータ３４に過剰な力が加わっても、
このリニアアクチュエータ３４はリニアシャフト３５上
をスリップするだけであり、安全である。

【００４６】さらに、サセプタ２３とサセプタ台座３３
との間の距離は、サセプタ２３が反応管２１の下部の開
口２１ａにはめ込まれているときと、図９に示すように
サセプタ２３が反応管２１の下部の外壁から完全に離れ
たときとで異なり、それに応じてモータ歯車２６に対す
るＬ字型ワイヤ２８の先端の相対位置が異なるが、これ
とは無関係に、常に、Ｌ字型ワイヤ２８の回転をモータ
歯車２６に伝達することができる。すなわち、サセプタ
２３が反応管２１の下部の開口２１ａにはめ込まれてい
たときには、Ｌ字型ワイヤ２８の先端は図１４Ａに示す
ようにモータ歯車２６の穴２６ａの上部に位置し、サセ
プタ２３が反応管２１の外壁から完全に離れた状態で
は、Ｌ字型ワイヤ２８の先端は図１４Ｂに示すようにモ
ータ歯車２６の穴２６ａの下部に位置するようになって
いる。言い換えれば、サセプタ２３とサセプタ台座３３
との間の距離が変化しても、Ｌ字型ワイヤ２８の先端は
常にモータ歯車２６の穴２６ａの中にあり、したがって
Ｌ字型ワイヤ２８の回転を常にモータ歯車２６に伝達す
ることができるのである。

【００４７】また、フィンガーアーム４１はその根元の
軸４２の周りに回転可能でかつロボットアーム４０の軸
４３の周りにも回転可能であるので、サセプタ台座３３
の上板に対するサセプタ２３の傾斜角度によらずに、サ
セプタ２３上の基板Ｓをこのフィンガーアーム４１によ
り容易に真空吸着することができる。

【００４８】以上、この発明の一実施例について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。

【００４９】例えば、上述の一実施例による横型ＭＯＣ
ＶＤ装置を構成する各部の形状や材質は、必要に応じて
適宜変更することが可能である。

【００５０】なお、この発明と同一の技術的思想は、横
型熱処理装置、具体的には横型拡散装置や横型アニール
装置にも適用することが可能である。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、この発明による横
型気相成長装置によれば、基板を交換する際に基板を反
応管内の下流を移動させないで済むことにより、基板を
交換する際に基板の表面が汚染されるのを防止すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
の要部を示す略線図である。

【図２】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
において用いるサセプタを示す平面図である。

【図３】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
において用いる基板回転用のモータ歯車を示す断面図お
よび平面図である。

【図４】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
においてサセプタ台座の昇降に用いられるリニアアクチ
ュエータを示す正面図である。

【図５】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
においてサセプタ台座の昇降に用いられるリニアアクチ
ュエータを示す側面図である。

【図６】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
において基板交換に用いるフィンガーアームおよびその
近傍を示す略線図である。

【図７】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
において基板交換に用いるフィンガーアームの要部を示
す平面図である。

【図８】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
においてサセプタ台座を基板交換位置に下降させた状態
を示す略線図である。

【図９】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装置
においてサセプタ台座を下降させてサセプタが反応管の
外壁から完全に離れた状態を示す略線図である。

【図１０】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装
置において基板交換の際にフィンガーアームにより基板
を真空吸着する方法を説明するための略線図である。

【図１１】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装
置において基板交換の際にフィンガーアームにより基板
を真空吸着する方法を説明するための略線図である。

【図１２】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装
置において基板交換の際にフィンガーアームにより基板
を真空吸着する方法を説明するための略線図である。

【図１３】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装
置において基板交換の際にフィンガーアームにより基板
を真空吸着する方法を説明するための略線図である。

【図１４】この発明の一実施例による横型ＭＯＣＶＤ装
置において用いる基板回転用のモータ歯車を示す断面図
である。

【図１５】一般的なＭＯＣＶＤ装置の構成を示す略線図
である。

【図１６】一般的なＭＯＣＶＤ装置におけるガス供給系
の構成例を示す略線図である。

【図１７】一般的なＭＯＣＶＤ装置における減圧系の構
成例を示す略線図である。

【図１８】従来の横型ＭＯＣＶＤ装置の一例を示す略線
図である。

【符号の説明】

２１ 反応管 ２１ａ 開口 ２２ 基板交換室 ２２ａ 開口 ２３ サセプタ ２４、２５ 基板回転用歯車 ２６ モータ歯車 ２８ Ｌ字型ワイヤ ２９ ヒータ ３０ 赤外反射板 ３２ 支持ばね ３３ サセプタ台座 ３４ リニアアクチュエータ ３５ リニアシャフト ４０ ロボットアーム ４１ フィンガーアーム Ｓ 基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−74712（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−76112（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21421（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−173774（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−240954（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−136337（ＪＰ，Ｕ) 実開 平１−153368（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/44 H01L 21/68

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 横型の反応管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段とを
   有する横型気相成長装置において、 上記反応管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記サセプタは固定部およびこの固定部に対して回転す
   る回転部から成り、上記回転部上に上記基板が載せられ
   る ことを特徴とする横型気相成長装置。
2. 【請求項２】 横型の反応管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段とを
   有する横型気相成長装置において、 上記反応管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記加熱手段は上記サセプタに関して上記反応管と反対
   側の部分に上記サセプタと一体的に設けられ、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記反応管に対して
   垂直な方向に移動可能な台に支持ばねを介して取り付け
   られている ことを特徴とする横型気相成長装置。
3. 【請求項３】 横型の反応管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段とを
   有する横型気相成長装置において、 上記反応管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記サセプタは固定部およびこの固定部に対して回転す
   る回転部から成り、上記回転部上に上記基板が載せら
   れ、 上記回転部は第１の歯車から成り、上記第１の歯車は第
   ２の歯車により回転可能に構成され、 モータの軸に接続されたワイヤを介して上記第２の歯車
   に上記モータの回転力が伝達されるように構成されてい
   る ことを特徴とする横型気相成長装置。
4. 【請求項４】 横型の反応管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段と、
   上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室とを
   有する横型気相成長装置において、 上記反応管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記反応管に対して
   垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
   交換するときに上記反応管に対して垂直な方向に上記台
   を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
   および上記加熱手段を導入するように構成され、 上記基板交換室内において上記反応管に対して垂直な方
   向に上記台を移動する手段として無潤滑のリニアアクチ
   ュエータを用いた ことを特徴とする横型気相成長装置。
5. 【請求項５】 横型の反応管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段と、
   上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室とを
   有する横型気相成長装置において、 上記反応管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記反応管に対して
   垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
   交換するときに上記反応管に対して垂直な方向に上記台
   を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
   および上記加熱手段を導入するように構成され、 上記基板交換室内に設けられた回転軸に沿って移動可能
   なアクチュエータが上記台に取り付けられ、上記アクチ
   ュエータはベアリングと上記回転軸との間の摩擦力によ
   り上記回転軸の軸方向の駆動力が生じるように構成され
   ている ことを特徴とする横型気相成長装置。
6. 【請求項６】 横型の反応管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段と、
   上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室とを
   有する横型気相成長装置において、 上記反応管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記反応管に対して
   垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
   交換するときに上記反応管に対して垂直な方向に上記台
   を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
   および上記加熱手段を導入するように構成され、 上記基板交換室内には上記基板を交換するための可動な
   アームが設けられ、上記アームは第１のアームおよびそ
   の先端に取り付けられ、かつ上記基板を真空吸 着するた
   めの穴を有する第２のアームから成り、上記第２のアー
   ムは上記第１のアームの上記先端側の一端を中心として
   回転可能でかつその中心軸の周りに回転可能に構成され
   ている ことを特徴とする横型気相成長装置。
7. 【請求項７】 横型の反応管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段と、
   上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室とを
   有する横型気相成長装置において、 上記反応管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記反応管に対して
   垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
   交換するときに上記反応管に対して垂直な方向に上記台
   を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
   および上記加熱手段を導入するように構成され、 上記開口に上記サセプタがはめ込まれているときに、少
   なくとも上記サセプタおよび上記台を含む仕切り壁によ
   り仕切られた空間が形成され、この空間と上記反応管の
   内部とが連通している ことを特徴とする横型気相成長装
   置。
8. 【請求項８】 横型の処理管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段とを
   有する横型熱処理装置において、 上記処理管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記サセプタは固定部およびこの固定部に対して回転す
   る回転部から成り、上記回転部上に上記基板が載せられ
   る ことを特徴とする横型熱処理装置。
9. 【請求項９】 横型の処理管と、基板を載せるためのサ
   セプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段とを
   有する横型熱処理装置において、 上記処理管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
   脱可能に構成され、 上記加熱手段は上記サセプタに関して上記処理管と反対
   側の部分に上記サセプタと一体的に設けられ、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記処理管に対して
   垂直な方向に移動可能な台に支持ばねを介して取り付け
   られている ことを特徴とする横型熱処理装置。
10. 【請求項１０】 横型の処理管と、基板を載せるための
    サセプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段と
    を有する横型熱処理装置において、 上記処理管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
    脱可能に構成され、 上記サセプタは固定部およびこの固定部に対して回転す
    る回転部から成り、上記回転部上に上記基板が載せら
    れ、 上記回転部は第１の歯車から成り、上記第１の歯車は第
    ２の歯車により回転可能に構成され、 モータの軸に接続されたワイヤを介して上記第２の歯車
    に上記モータの回転力が伝達されるように構成されてい
    る ことを特徴とする横型熱処理装置。
11. 【請求項１１】 横型の処理管と、基板を載せるための
    サセプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段
    と、上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室
    とを有する横型熱処理装置において、 上記処理管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
    脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記処理管に対して
    垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
    交換するときに上記処理管に対して垂直な方向に上記台
    を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
    および上記加熱手段を導入するように構成され、 上記基板交換室内において上記処理管に対して垂直な方
    向に上記台を移動する手段として無潤滑のリニアアクチ
    ュエータを用いた ことを特徴とする横型熱処理装置。
12. 【請求項１２】 横型の処理管と、基板を載せるための
    サセプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段
    と、上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室
    とを有する横型熱処理装置において、 上記処理管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
    脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記処理管に対して
    垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
    交換するときに上記処理管に対して垂直な方向に上記台
    を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
    および上記加熱 手段を導入するように構成され、 上記基板交換室内に設けられた回転軸に沿って移動可能
    なアクチュエータが上記台に取り付けられ、上記アクチ
    ュエータはベアリングと上記回転軸との間の摩擦力によ
    り上記回転軸の軸方向の駆動力が生じるように構成され
    ている ことを特徴とする横型熱処理装置。
13. 【請求項１３】 横型の処理管と、基板を載せるための
    サセプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段
    と、上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室
    とを有する横型熱処理装置において、 上記処理管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
    脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記処理管に対して
    垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
    交換するときに上記処理管に対して垂直な方向に上記台
    を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
    および上記加熱手段を導入するように構成され、 上記基板交換室内には上記基板を交換するための可動な
    アームが設けられ、上記アームは第１のアームおよびそ
    の先端に取り付けられ、かつ上記基板を真空吸着するた
    めの穴を有する第２のアームから成り、上記第２のアー
    ムは上記第１のアームの上記先端側の一端を中心として
    回転可能でかつその中心軸の周りに回転可能に構成され
    ている ことを特徴とする横型熱処理装置。
14. 【請求項１４】 横型の処理管と、基板を載せるための
    サセプタと、上記サセプタを加熱するための加熱手段
    と、上記サセプタ上の基板を交換するための基板交換室
    とを有する横型熱処理装置において、 上記処理管の管壁に設けられた開口に上記サセプタを着
    脱可能に構成され、 上記サセプタおよび上記加熱手段は上記処理管に対して
    垂直な方向に移動可能な台に取り付けられ、上記基板を
    交換するときに上記処理管に対して垂直な方向に上記台
    を移動することにより上記基板交換室内に上記サセプタ
    および上記加熱手段を導入するように構成され、 上記開口に上記サセプタがはめ込まれているときに、少
    なくとも上記サセプタおよび上記台を含む仕切り壁によ
    り仕切られた空間が形成され、この空間と上記 処理管の
    内部とが連通している ことを特徴とする横型熱処理装
    置。