JP4903723B2

JP4903723B2 - 配線基板、および電子装置

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Publication number: JP4903723B2
Application number: JP2007556042A
Authority: JP
Inventors: 忠長澤; 正治白井; 健士久米; 裕塚田
Original assignee: Kyocera Corp
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Filing date: 2007-01-29
Publication date: 2012-03-28
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Description

本発明は、配線基板、および電子装置に関する。

多層配線基板に実装される半導体素子の処理速度の高速化に伴って、半導体素子を構成する絶縁材料の誘電率を低くすることが求められている。低誘電率の材料は、電気信号の伝播速度が速く、且つ半導体素子内の信号遅延が少なくなるので、半導体素子の処理速度を高速化することができる。このような低誘電率の材料の誘電率を更に下げるために、材料中に気泡を含有する技術がある。この技術では、絶縁性材料に気泡を含有すると誘電率は低下するが、気泡が原因で材料の強度が３分の１以下に低下する。このように材料の強度が低下すると、多層配線基板と半導体素子との熱膨張率の差によって半導体素子が損傷するという問題がある。

また、半導体素子のＩ／Ｏ（input/output）数が増加する一方で、半導体素子の高密度化で半導体素子自身は小形化が進んでいる。このような半導体素子の小形化に伴って、半導体素子と多層配線基板とを接続するバンプの小形化が進んでいる。バンプが小形になるとバンプによる電極の接続強度が低下し、バンプが破壊して歩留まりが低下するという問題がある。バンプを破壊する応力の原因は、半導体素子と多層配線基板との熱膨張率のミスマッチに起因している。したがって、多層配線基板には、半導体素子と同等の熱膨張率を有することが求められている。

このような課題を解決するために、従来の技術の多層配線基板は、絶縁性を有するコア基板に、導電層と絶縁層とが設けられて構成される。コア基板には、導電層と絶縁層とが交互に積層される積層体が厚み方向の一表面部に設けられる。積層体は、厚み方向に貫通する貫通孔が形成され、この貫通孔に銅をめっきしてビアホールが形成される。したがって、厚み方向に隣接する導電層は、ビアホールを介して電気的に接続される。絶縁層は、樹脂フィルムと接着剤層とから構成され、多層配線基板の熱膨張率が小さくなるように構成される。また絶縁層を薄く製造することができるので、多層配線基板の熱膨張量を小さくすることができる。これによって、多層配線基板は、半導体素子との熱膨張率のミスマッチによる不具合を解消することができる（たとえば特開２００５−１０１２６９号公報参照）。

前述の従来の技術の多層配線基板では、絶縁層が樹脂フィルムと接着剤層とを交互に積層して構成されるが、樹脂フィルムの表面部が滑らかであるので、接着剤層との密着性が弱い。したがって、樹脂フィルムと接着剤層とが剥離するおそれがある。樹脂フィルムと接着剤層が剥離すると、隣接する導電層との絶縁性が低下するおそれがある。

本発明の目的は、配線基板および電子装置を提供することである。

樹脂フィルムは、フィラと、樹脂材料とを含んで構成され、先端部にフィラを含んだ複数の突出部を表面に有する。このような樹脂フィルムは、接着シートの絶縁層および配線基板の絶縁層に適用可能である。また、樹脂フィルムを組み込んだ配線基板と、半導体素子とで構成される電子装置にも適用可能である。

このような樹脂フィルムは、他の部材との密着強度を向上させることができる。したがって、樹脂フィルムを接着シートの絶縁層および配線基板の絶縁層に用いた場合、これらの信頼性を向上させることができる。さらに前記配線基板を有する電子装置の信頼性を向上させることが可能である。
本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。

樹脂フィルム１を拡大して示す斜視図である。樹脂フィルム１を拡大して示す断面図である。樹脂フィルム１が用いられる多層配線基板２を示す断面図である。導電層６を備える樹脂フィルム１を拡大して示す断面図である。多層配線基板２の一部構成を拡大して示す断面図である。１つの突出部１０を拡大して示す断面図である。樹脂フィルム１Ａを拡大して示す断面図である。実施の一形態である多層配線基板２Ａの一部構成を拡大して示す断面図である。図８に示す多層配線基板２Ａの製造方法を説明するための断面図である。図８に示す多層配線基板２Ａの製造方法を説明するための断面図である。図８に示す多層配線基板２Ａの製造方法を説明するための断面図である。図８に示す多層配線基板２Ａの製造方法を説明するための断面図である。

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態について説明する。図１は、樹脂フィルム１を拡大して示す斜視図である。図２は、樹脂フィルム１を拡大して示す断面図である。図３は、樹脂フィルム１が用いられる電子装置１５を示す断面図である。図４は、導電層６を備える樹脂フィルム１を拡大して示す断面図である。図５は、多層配線基板２の樹脂フィルム１に関連する構成を拡大して示す断面図である。図６は、樹脂フィルム１が有する突出部１０を拡大して示す断面図である。

電子装置１５は、図３に示すように、電子素子である半導体素子１３と、多層配線基板２と、半導体素子と多層配線基板２とを電気的に接続する導電性接合材１４と、を含んで構成される。多層配線基板２は、コア基板３、絶縁層４、接着剤層５、導電層６および電極パッド１２を含む。多層配線基板２は、コア基板３上に導電層６と絶縁層４とが接着剤層５を介して厚み方向に交互に複数、積層されて構成される。

図３に例証されるように、コア基板３は、略平板状に形成されており、その一主面３ａに導電層６および絶縁層４が接着剤層５を介して交互に積層される。すなわち、コア基板３は、導電層６、絶縁層４および接着剤層５を支持する支持部材として機能する。コア基板３は、絶縁性を有し、たとえば酸化アルミニウム焼結体およびムライト質焼結体などの酸化物系セラミックス、一主面３ａに酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体および炭化珪素質焼結体などの非酸化物系セラミックス、または、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させた繊維基板等によって実現される。

導電層６は、電気信号を伝達するための伝達路としての機能を有する。導電層６は、たとえば銅および／または金等、一種もしくは複数の導電材料から成る。導電層６は、複数層により構成されていても良い。例えば、導電層６がスパッタ層または無電解めっき層から成る第１導電層と、電気めっき層からなる第２導電層とを積層した構造を有している場合、導電層６は、次のような方法により形成される。すなわち、コア基板３および／または絶縁層４上に、スパッタリングまたは無電解めっき法を用いて、第１導電層を形成する。次に、第１導電層を電極として、電気めっき法によって第２導電層を第１導電層上に形成し、これによって導電層６が形成される。

絶縁層４は、その厚み方向に隣接する導電層６同士が接触することを防止する機能を有する。導電層６は、コア基板３または絶縁層４に積層される。また導電層６上には、接着剤層５を介して絶縁層４が積層される。導電層６は、配線パターンを構成するので、コア基板３の一主面３ａまたは絶縁層４上の全域にわたって積層されず、部分的に設けられる。このように、所望の導電層６の数に応じて、絶縁層４および導電層６が交互に積層される。絶縁層４および接着剤層５には、これらの層４，５を厚み方向に貫通する貫通孔８が形成される。貫通孔８の内部には、貫通導体７が埋設される。異なる平面に配置される複数の導電層６は、貫通導体７によって電気的に接続されている。

電極パッド１２は、多層配線基板２に搭載される電子素子、たとえば半導体素子１３と多層配線基板２との間で電気信号を伝達するための伝達路としての機能を有する。電極パッド１２は、複数層の絶縁層４のうち、最表面側に位置する絶縁層４上に設けられ、貫通導体７と電気的に接続される。これによって電極パッド１２は、導電層６と電気的に接続される。電極パッド１２は、たとえば銅および／または金等の導電材料から成る。電極パッド１２は、例えば、導電層６と同様の構成によって実現される。

絶縁層４は、フィラ９を含み、シート状に形成された樹脂フィルム１から成る。樹脂フィルム１は、その厚みが３μｍ以上５０μｍ以下程度となるように構成される。接着剤層５は、コア基板３と絶縁層４との間、もしくは厚み方向に隣り合う絶縁層４間に介在される。接着剤層５は、たとえばエポキシ樹脂から成る。接着剤層５は、絶縁層４上に、たとえばドクターブレード法によって接着剤を配置し、これを乾燥させることによって設けられる。接着剤層５は、厚みが３μｍ以上２０μｍ以下程度となるように構成される。接着剤層５は、コア基板３および導電層６に積層した状態で、加熱プレス装置を用いて加熱加圧することによって、コア基板３および導電層６に接着する。

絶縁層４と接着剤層５との材質の組み合わせは、絶縁層４と接着剤層５との接着性が良好であり、かつ耐熱性が高くなるように選択される。これによって多層配線基板２をプリント基板などに実装する場合、半田接合の際に印加される熱に対する耐久性が良好なものとなる。また絶縁層４と接着剤層５との材質の組み合わせは、絶縁層４と接着剤層５との熱膨張係数の差が小さくなるように選択される。これによって熱膨張係数の差によって発生する熱応力を低くすることができ、導電層６と貫通導体７との界面における剥離を生じる応力を小さくすることができる。また、多層配線基板２の全体の反りを低減することができ、その表面に実装される電子素子、たとえば半導体素子１３が有する端子の狭ピッチ化にもさらに良好に対応することができる多層配線基板２を実現することができる。

絶縁層４を構成する樹脂フィルム１中に含まれるフィラ９は、熱膨張係数の調整、および機械的強度の向上のために含有される。フィラ９は、たとえば無機フィラであって、セラミックスから成る。無機フィラに用いられるセラミックは、たとえばシリカ（二酸化珪素）、酸化アルミニウム、酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、および／またはチタン酸カルシウム、などから成る。本実施形態では、フィラ９としてシリカが用いられる。

フィラ９の粒子形状は、略球状、針状および／またはフレーク状、種々の形状などがあり、充填性の観点からは略球状が好ましい。シリカ粒子の直径は、たとえば２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度である。フィラ９の粒子の直径は、樹脂フィルム１の厚みの１０分の１よりも小さいことが望ましい。

図１および図２に示すように、樹脂フィルム１は、略平坦な一主面１ａおよび他主面１ｂを有するシート部１６と、該シート部１６の一主面１ａおよび他主面１ｂから突出する複数の突出部１０と、を有する。シート部１６は、樹脂材料にフィラを含んだ構成を有している。突出部１０は、図６に示すように、シート部１６を構成する樹脂材料と同じ樹脂材料から成り、シート部１６に接続される柱状部１０ｂと、該柱状部１０ｂに接続され、略球状のフィラ粒子９を含んだ先端部１０ａと、を有している。すなわち、少なくとも１つの突出部１０は、その突出方向の先端部１０ａに略球状のフィラ粒子９を有し、該フィラ粒子９の表面９ａが露出している。また、図６に示すように、少なくとも１つの突出部１０の高さｈ１は、先端部１０ａのフィラ粒子９の直径Ｄ１よりも大きく構成される。

また各突出部１０の突出方向の高さｈ１は一定ではなく、個々にばらついている。各突出部１０の高さｈ１は、当該突出部１０が有するフィラ粒子９の直径Ｄ１の１倍以上３倍以下となるように設定することが好ましい。この場合、突出部１０の折損を良好に防止しつつ、密着強度を高くすることができる。

樹脂フィルム１を多層配線基板２に用いる際、樹脂フィルム１の突出部１０を接着剤層５に対して密着させてもよいし、導電層６に対して密着させても良い。後者の場合、図４に示すように、各突出部１０が導電層６中に埋入させて設けることが好ましい。また、シート部１６の両主面１ａ，１ｂの一方に導電層６を、他方に接着剤層５を、それぞれ密着させるようにしても良い。この場合、樹脂フィルム１の突出部１０を導電層６および接着剤層５の双方に埋入させて積層体を構成し、該積層体をコア基板３に貼着することによって、多層配線基板が製造される。なお、上述した如く、樹脂フィルム１は、多層配線基板においては絶縁層４として機能する。

シート部１６の両主面１ａ，１ｂの一方に導電層６を、他方に接着剤層５を、それぞれ密着させて構成された多層配線基板については、図５に示すように、絶縁層４の各突出部１０が接着剤層５および導電層６中に埋入された状態となっている。すなわち、接着剤層５および導電層６が突出部１０の柱状部１０ｂおよび先端部１０ａを被覆している。

各突出部１０は、前述したように、樹脂からなる柱状部１０ｂと、柱状部１０ｂに接続され、フィラ粒子９を含む先端部１０ａと、を有している。フィラ粒子９は、柱状部１０ｂと接続される部分９ｂを除く残余の表面９ａが略露出している。また、少なくとも１つの突出部１０は、柱状部１０ｂの最小幅Ｄ２（樹脂フィルム１の厚み方向と直交する方向の幅）は、当該突出部１０のフィラ粒子９の直径Ｄ１より小さい。柱状部１０ｂの最小幅Ｄ２は、たとえば、フィラ粒子９の直径Ｄ１の０．５倍以上０．９５倍以下となるように設定される。このように粒子９の直径Ｄ１と柱状部１０ｂの最小幅Ｄ２とが設定されるので、フィラ粒子９が柱状部１０ｂに対して大きすぎて、フィラ粒子９が柱状部１０ｂから離脱することがなく、絶縁層４を導電層６および／または接着剤層５に対して強固に被着させることができる。また突出部１０の高さｈ１は、柱状部１０ｂの高さｈ２の２〜２０倍程度に設定することが好ましい。このように突出寸法ｈ１を設定することによって、突出部１０の折損を良好に防止しつつ、絶縁層４と導電層６および／または接着剤層５との密着強度が小さくなることを防ぐことができる。また、突出部１０の幅（絶縁層４の厚み方向と直交する方向の幅）の最大となる領域は、先端部１０ａに位置していることが好ましい。この場合、突出部１０によるアンカー効果をより高めることができる。

このような各突出部１０の形成方法に関して説明する。たとえば表面が平面状を成し、フィラ粒子９を含んだ樹脂シートを、エッチング方向を制御可能なドライエッチングまたはプラズマエッチングを用いてエッチングする。具体的には、樹脂シートの表面をドライエッチングする。樹脂シートに含まれるフィラ粒子９は、シリカ等の樹脂よりも硬い材料により形成されているので、ドライエッチングではほとんど溶解しない。これによって、フィラ粒子９の直下領域はエッチングされずに、フィラ粒子９を先端部１０ａに有する突出部１０が形成される。したがって、ドライエッチングのエッチング量、および、シリカ９の量および密度によって、突出部１０の形状、数および／または密度を調節することができる。一般的には、エッチング量が大きくなるに従って、突出部１０の高さｈ１が大きくなる。またフィラ粒子９の含有密度が大きくなるに従って、突出部１０の密度が大きくなる。また粒子９の直径Ｄ１が大きくなるに従って、柱状部１０ａの最小幅Ｄ２が大きくなる。このようなドライエッチングのエッチング量は、エッチング時間およびエッチングレートによって決定される。また、突出部１０の単位面積あたり（平方ｍｍあたり）の数は、例えば、１００，０００個以上、１００，０００，０００個以下に設定される。このようにフィラ９の含有量を調節することによって、接着剤層５および導電層６と絶縁層４との密着強度を調節できる。

以上説明したように、本実施形態の多層配線基板２に用いられる樹脂フィルム１は、フィラ９を含む樹脂から成り、シート部１６の一主面１ａから突出する複数の突出部１０を有する。各突出部１０は、その先端部１０ａに前記樹脂よりも硬さが高いフィラ粒子９を含んで形成される。その結果、各突出部１０の先端部１０ａが硬くなり、樹脂フィルム１と接着剤層５に積層する場合に各突出部１０を大きく損傷させることなく、接着剤層５に各突出部１０を埋入させることができる。したがって、樹脂フィルム１と接着剤層５との密着強度を高くすることができる。なお、硬さ測定は、マイクロビッカース硬度計で行う。この硬度測定は四角錐形に加工したダイヤモンド圧子の先端を所定の圧力で被測定材料の表面に圧入し、生じた圧痕の面積で、使用した圧力を割って算出する方法である。樹脂が薄い場合、またはフィラが微細な場合には、マイクロビッカース硬度計の変わりにマイクロインデンテーション法を用いることができる。マイクロインデンテーション法は、マイクロビッカース法と同様に、所定の形状に加工されたダイヤモンド圧子を微小な圧力で被測定物に圧入して圧痕を生じさせる方法である。一定の圧力で圧痕を生じさせ、生じた圧痕の面積が小さい方がより硬い材料であると判別できる。

また本実施形態では、各突出部１０に含まれるフィラ粒子９は、シート部１６の一主面１ａから突出して配設されるので、各突出部１０に含まれるフィラ９とシート部１６の一主面１ａとは離間している。したがって、突出部１０の高さｈ１を大きくすることができるので、樹脂フィルム１を接着剤層５に積層する場合、接着剤層５に各突出部１０をより深く埋入させることができる。したがって、樹脂フィルム１と接着剤層５との密着強度をより高くすることができる。

さらに本実施形態では、図５に示すように、突出部１０は、突出方向の柱状部１０ｂの最小幅よりも先端部１０ａの最大幅が大きく設定されるので、樹脂フィルム１を接着剤層５に積層する場合、各突出部１０の先端部１０ａが高いアンカー効果を奏する。したがって、樹脂フィルム１と接着剤層５との密着強度をより高くすることができる。

さらに本実施形態では、図２に示すように、各突出部１０は、その高さｈ１が互いに異なる。樹脂フィルム１の突出部１０の形成面に、接着剤層５を塗布して設ける場合、突出部１０の高さが均一に揃っていると、隣り合う突出部１０同士が互いに接触もしくは干渉して柱状部１０ｂ付近に気泡などが残留する現象が生じることがある。しかしながら、突出部１０の高さｈ１を互いに異ならせることによって、各突出部１０が互いに干渉すること抑えて、樹脂フィルム１に対する接着剤層５の前駆体の濡れ性を向上することができる。したがって、接着剤層５の前駆体を塗布後に、該前駆体に気泡が残留することを防ぐことができる。これによって接着剤層５を、樹脂フィルム１に好適に塗布して積層することができる。

さらに本実施形態では、フィラ９は、シリカから成る粒子を含む。シリカは、熱膨張率が比較的小さいので、樹脂フィルム１の熱膨張係数を小さくすることができる。したがって、樹脂フィルム１に接着剤層５を積層した場合、熱膨張に起因して、樹脂フィルム１および接着剤層５を損傷することを防ぐことができる。

さらに本実施形態では、多層配線基板２は、コア基板３の一主面３ａに複数の導電層６と絶縁層４とを積層した構造を有している。絶縁層４は、樹脂フィルム１から成るので、絶縁層４と接着剤層５とを突出部１０によって容易に密着することができる。したがって、絶縁層４が接着剤層５から離脱することを良好に防止することができる。

さらに本実施形態では、図５に示すように、突出部１０は、接着剤層５中に埋入され積層されるので、絶縁層４と接着剤層５との密着強度を高くすることができる。仮に突出部１０が樹脂フィルム１に無い場合では、絶縁層４と接着剤層５との密着強度をそれほど高めることができない。これに対して、本実施形態においては、突出部１０が樹脂フィルム１に存在するため、突出部１０を接着剤層５中に埋入させることによって、絶縁層４と接着剤層５とを強固に密着させることができる。

さらに本実施形態では、突出部１０は、シート部１６の両主面１ａ，１ｂに設けられるので、シート部１６の両主面１ａ，１ｂに他の部材、（本実施形態では、他の部材とは、シート部１６の一主面１ａに配置される導電層６と、他主面１ｂに配置される接着剤層５と、を示す）を積層する場合、積層する他の部材のそれぞれとの密着強度を高くすることができる。これによってシート部１６の一主面１ａだけでなく、他主面１ｂも有効に用いることができる。

さらに本実施形態では、導電層６は、複数層で形成されていても良い。導電層６を複数層で構成する場合、導電層６は、スパッタ層または無電解めっき層と、電気めっき層と含む。樹脂フィルム１の表面に、スパッタ層または無電解めっき層を形成し、スパッタ層または無電解めっき層に基づいて、電気めっき層を形成することによって、導電層６を実現することができる。これによって樹脂から成る樹脂フィルム１の表面に導電層６を形成することができる。

さらに本実施形態では、導電層６は、突出部１０の先端部１０ａおよび柱状部１０ｂを被覆するように設けられる。これによって突出部１０の全体が導電層６に良好に覆われる。したがって、突出部１０によるアンカー効果によって、導電層６と樹脂フィルム１とを強固に密着することができる。

さらに本実施形態では、電極パッド１２の直下において、突出部１０が導電層６中に埋入された状態で配されている。一方、電極パッド１２は、半導体素子１３の端子と導電性接合材１４を介して接続される。この半導体素子１３を電極パッド１２に接続する際、または接続された状態に電極パッド１２に応力が作用する。それ故、通常、電極パッド１２の直下に位置する絶縁層４は前記応力によって剥離し易い。しかしながら、本実施形態においては、この電極パッド１２の直下にて突出部１０が導電層６中に埋入されるので、絶縁層４と導電層および絶縁層４と接着剤層５が強固に密着している。したがって、電極パッド１２に大きな応力が作用しても、絶縁層４と導電層６および絶縁層４と接着剤層５が離脱することを可及的に防止することができる。なお、電極パッド１２に作用する応力の発生原因は半導体素子１３の接続方法によって異なる。例えば、半導体素子１３をフリップチップ接続によって電極パッド１２に接続する場合、配線基板と半導体素子１３との熱膨張率の差によって生じる熱応力が電極パッド１２に作用する。また、ワイヤボンディングによって半導体素子１３を電極パッド１２に接続する場合には、ワイヤをパッドに密着させるための超音波振動およびボンディング装置の加圧力によって、フリップチップ接続の場合よりも大きな応力が電極パッド１２に印加される。

さらに本実施形態では、樹脂フィルム１をコア基板に貼着する際、接着剤層５中に突出部１０を埋入させた状態で、樹脂フィルム１を、接着剤層５を介してコア基板３に貼着させる。したがって、樹脂フィルム１と接着剤層５とを突出部１０のアンカー効果によって強固に密着させることができる。また樹脂フィルム１とコア基板３とは接着剤層５を介して貼着されるので、コア基板３に対して樹脂フィルム１を強固に密着させた多層配線基板２を実現することができる。

さらに本実施形態では、電子装置１５は、半導体素子１３が有する端子と電極パッド１２とが導電性接合材１４を介して接合される。これによって導電層６と樹脂フィルム１とが強固に接続された電子装置１５を実現することができる。

図７は、樹脂フィルム１Ａを拡大して示す断面図である。前述の実施形態では、樹脂フィルム１の両主面に突出部１０を備えていたが、これに限ることはなく、たとえば図７に示すように樹脂フィルム１Ａの他主面１ｂを平面と成るように構成してもよい。これによって樹脂フィルム１Ａの一主面１ａにのみ突出部１０を形成すればよいので、樹脂フィルム１Ａの製造工程を簡単化することができる。また樹脂フィルム１Ａの他主面に積層される接着剤層５または導電層６と、樹脂フィルム１Ａとの密着力を向上することができる。

図８は、実施の一形態にかかる多層配線基板２Ａの一部構成を拡大して示す断面図である。本実施形態では、絶縁層４を貫通する貫通孔８の内面に突出部１０が設けられている。

本実施形態の多層配線基板２Ａの製造方法は、例えば、
（１）まずコア基板３の一主面３ａに無電解めっきおよび電気めっきなどによって導電層６が形成される。
（２）次に、コア基板３の一主面３ａおよび導電層６上に、たとえばドクターブレード法によって接着剤層５が形成される。
（３）次に、図９Ａに示すように、接着剤層５上に、一主面にのみ突出部１０を有する第２実施形態にかかる樹脂フィルム１Ａが貼着される。樹脂フィルム１Ａは、その突出部１０を接着剤層５に接するように配置されている。
（４）次に、図９Ｂに示すように、樹脂フィルム１Ａおよび接着剤層５を貫通する貫通孔８が、たとえばレーザ加工によって導電層６に達するまで形成される。貫通孔８の内面は、その直径がコア基板３に向かって小さくなるように傾斜している。
（５）次に、図９Ｃに示すように、樹脂フィルム１Ａの他主面および貫通孔８の内面を、厚み方向に沿ってドライエッチングする。これによって突出部１０が、樹脂フィルム１Ａの他主面および貫通孔８の内面の双方に形成され、樹脂フィルム１Ａが絶縁層４となる。貫通孔８の内面は、貫通孔８の直径が貫通孔８の深さ方向に向かって小さくなるように傾斜しているため、ドライエッチングされやすく、突出部１０を形成し易い。また、貫通孔８より導電層６が露出しているため、導電層６の表面に付着した油脂および樹脂の残渣、ならびに製造時に付着した有機繊維等の異物がドライエッチングによって良好に除去され、導電層６と後に形成される貫通導体７の接続不良を抑制し、歩留まり向上に寄与することができる。
（６）次に、図９Ｄに示すように、電気めっきによって貫通孔８内に貫通導体７を、絶縁層４上に導電層６がそれぞれ設けられる。
（７）次に、絶縁層４上および導電層６上に、たとえばドクターブレード法によって接着剤層５が形成される。

以後、（３）〜（７）の工程の全てもしくは一部を繰り返すことによって、多層配線基板２Ａを製造することができる。

このように本実施形態では、絶縁層４の両主面に突出部１０を有するだけでなく、貫通孔８の内面にも形成される。これによって貫通孔８の内部に形成される貫通導体７に突出部１０を埋入させて設けることができ、絶縁層４と貫通導体７との密着強度を高くすることができる。したがって、貫通導体７が絶縁層４から不所望に剥離することを可及的に防止することができ、貫通導体７の接続信頼性を向上することができる。

本実施形態では、貫通孔８の内面に形成される突出部１０は、突出方向が絶縁層４の厚み方向と略同一方向であるが、このような方向に限ることはなく、厚み方向に交差する方向（例えば、絶縁層４の厚み方向に垂直な幅方向または長さ方向）に突出するように設けてもよいし、貫通孔８の内面に対して垂直な方向に突出するように設けてもよい。このように突出部１０は、エッチング方向を制御することによって製造可能である。

（他の実施形態）
前述の実施形態では、コア基板３の一主面３ａに樹脂フィルム１が積層されて多層配線基板２が実現されているが、これに限ることはなく、コア基板３の一主面のみならず他主面にも樹脂フィルム１を複数積層して多層配線基板２を実現しても良い。このようにコア基板３の両主面を用いる場合、コア基板３を厚み方向に貫通し、コア基板３の両主面側に設けられる導電層同士を電気的に接続するコア貫通導体をコア基板３に形成してもよい。

また、前述の各実施形態では、多層配線基板２がコア基板３を有しているが、コア基板３が存在しないコアレスの多層配線基板２を形成しても良い。

さらに、前述の各実施形態では、樹脂フィルム１を多層配線基板に適用した例について説明したが、多層ではない単層の配線基板に適用しても構わない。また、樹脂フィルム１をシート状の接着剤層５に突出部１０を埋入させるように接着し、樹脂フィルム１と接着剤層５とで接着シートを構成しても構わない。

本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。

Claims

導電層と、
樹脂材料を含んで構成され、前記導電層上に配置される第１絶縁層と、
フィラと、樹脂材料とを含んで構成され、前記第１絶縁層を介して前記導電層上に配置される第２絶縁層と、
前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を貫通するように設けられる貫通孔内に配置され、かつ前記導電層に接続された貫通導体と、を備え、
前記貫通孔の内面は、前記第２絶縁層に相当する位置に、先端部に前記フィラを含んだ複数の突出部が形成された突出部形成領域と、前記第１絶縁層に相当する位置に、前記突出部が形成されていない突出部非形成領域とを有し、
前記突出部形成領域に形成された前記突出部が、前記貫通導体内に埋入されている配線基板。
複数の前記突出部は、その突出方向の寸法が互いに異なる請求項１に記載の配線基板。
前記フィラは、シリカから成る粒子を含む請求項１に記載の配線基板。
前記突出部は、その突出方向と直交する方向の幅が最大となる領域が前記先端部に位置している請求項１に記載の配線基板。
前記突出部は、前記第２絶縁層の一方主面に更に設けられる請求項１に記載の配線基板。
前記突出部は、前記第２絶縁層の他方主面に更に設けられる請求項５に記載の配線基板。
前記第２絶縁層の前記一方主面は、前記第１絶縁層と対向しており、
前記一方主面に設けられた前記突出部が、前記第１絶縁層に埋入している請求項５または６に記載の配線基板。
前記突出部は、その先端部と前記貫通孔の内面とを接続する柱状部を有し、前記先端部の幅が前記柱状部の幅よりも大きい請求項１に記載の配線基板。
前記第２絶縁層において、前記一方主面は、前記第１絶縁層とは反対側に位置し、
前記第２絶縁層の前記一方主面に対向して、前記導電層に電気的に接続される電極パッドを更に備え、前記電極パッドの直下に、前記突出部が位置している請求項５に記載の配線基板。
前記第１絶縁層は接着剤層である請求項１に記載の配線基板。
前記導電層、前記第１絶縁層および前記第２絶縁層を支持する基体を更に備える請求項１に記載の配線基板。
請求項１に記載の配線基板と、該配線基板に電気的に接続され、前記配線基板上に搭載される電子素子と、を備えた電子装置。